1.一种电镀系统，其特征在于，所述电镀系统包含：
处理器，所述处理器具有电镀容器，所述电镀容器含有第一处理器隔室和第二处理器隔室，所述第二处理器隔室含有阳极电解液，并且所述第一处理器隔室含有阴极电解液，所述阳极电解液由处理器阴离子隔膜与所述阴极电解液分离，并且所述阴极电解液包括金属离子；
至少一个惰性阳极，所述惰性阳极与所述第二处理器隔室中的阳极电解液接触；
头部，所述头部用于固持晶片，所述晶片具有与所述阴极电解液接触的导电种晶层；
接触环，所述接触环具有用于与所述导电种晶层进行电接触的电接触件，并且所述接触环在所述头部上；和
补充器，所述补充器包括：
第一补充器隔室，经由第一供应线和返回线与所述第一处理器隔室连接，所述第一补充器隔室含有所述阴极电解液和块体金属；
第二补充器隔室，经由第二供应线和返回线与所述第二处理器隔室连接，所述第二补充器隔室含有所述阳极电解液和惰性阴极；
补充器阴离子隔膜，所述补充器阴离子隔膜将所述第一补充器隔室中的所述阴极电解液与所述第二补充器隔室中的所述阳极电解液分离。
2.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述惰性阴极包含包铂丝网或面板。
3.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述处理器阴离子隔膜水平且所述补充器阴离子隔膜垂直。
4.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述块体金属包含铜且所述阴离子包含硫酸根。
5.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述补充器仅具有所述第一补充器隔室和所述第二补充器隔室。
6.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述补充器仅容纳所述阴极电解液和所述阳极电解液，并且不容纳其它电解液。
7.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述系统进一步包括在所述补充器中的支持所述补充器阴离子隔膜的流筛网。
8.如权利要求7所述的系统，其特征在于，所述补充器阴离子隔膜嵌入在所述流筛网中。
9.如权利要求8所述的系统，其特征在于，所述块体金属在所述第一补充器隔室的侧壁上的固持件中。
10.如权利要求9所述的系统，其特征在于，所述流筛网接触所述固持件和所述惰性阴极。
11.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述处理器阴离子隔膜和所述补充器阴离子隔膜包含相同的隔膜材料。
12.一种电镀系统，其特征在于，所述电镀系统包含：
处理器，所述处理器具有至少一个电镀容器，所述电镀容器具有含有阴极电解液的第一处理器隔室和含有阳极电解液的第二处理器隔室，所述阳极电解液由实质上水平的处理器阴离子隔膜与所述阴极电解液分离，所述阴极电解液包括金属离子；
至少一个惰性阳极，所述惰性阳极与所述第二处理器隔室中的阳极电解液接触；
头部，所述头部用于固持实质上水平的晶片，所述晶片具有与所述阴极电解液接触的导电种晶层；
接触环，所述接触环具有用于与所述导电种晶层进行电接触的电接触件，并且所述接触环在所述头部上；
第一电源，所述第一电源与所述至少一个惰性阳极连接，并且与所述导电种晶层连接；和
补充器，所述补充器包括：
第一补充器隔室，经由第一供应线和返回线与所述第一处理器隔室连接，所述第一补充器隔室含有所述阴极电解液和固持暴露于所述阴极电解液的块体金属的固持件；
第二补充器隔室，经由第二供应线和返回线与所述第二处理器隔室连接，所述第二补充器隔室含有所述阳极电解液和在所述第二补充器隔室的垂直侧壁上的惰性阴极；
补充器阴离子隔膜，所述补充器阴离子隔膜将所述第一补充器隔室中的所述阴极电解液与所述第二补充器隔室中的所述阳极电解液分离，并且所述补充器阴离子隔膜实质上垂直；和
第二电源，所述第二电源与所述块体金属连接，并且与所述惰性阴极连接。
13.如权利要求12所述的系统，其特征在于，所述补充器仅具有容纳所述阴极电解液的所述第一补充器隔室和容纳所述阳极电解液的所述第二补充器隔室，并且所述补充器不含有任何其它电解液。
14.如权利要求12所述的系统，其特征在于，所述系统进一步包括在所述补充器中的流筛网，所述补充器阴离子隔膜附接到所述流筛网。
15.一种用于与电镀处理器一起使用的补充器，其特征在于，所述补充器包含：
第一补充器隔室，所述第一补充器隔室含有第一电解液和固持暴露于所述阴极电解液的块体金属的固持件；
第一供应线和返回线，所述第一供应线和返回线连接到所述第一补充器隔室中；
第二补充器隔室，所述第二补充器隔室含有不同于所述第一电解液的第二电解液和在所述第二补充器隔室的垂直侧壁上的惰性阴极；
第二供应线和返回线，所述第二供应线和返回线连接到所述第二补充器隔室中；
补充器阴离子隔膜，所述补充器阴离子隔膜将所述第一补充器隔室中的所述第一电解液与所述第二补充器隔室中的所述第二电解液分离，并且所述补充器阴离子隔膜实质上垂直；和
第二电源，所述第二电源与所述块体金属连接，并且与所述惰性阴极连接。