专利名称：非破坏性接触的检测方法及其检测设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种非破坏性接触的检测方法及其检测设备，特别是涉及一种可以避免待测物在测量期间被破坏，可使待测物在检测之后仍可正常动作，而具有产业上的利用价值的非破坏性接触的检测方法(non-destructive contact test)及其检测设备。
背景技术：
通常在产品制造期间或完成后都会进行各项检测，而针对产品本身是否受到伤害来分类，则可分为破坏性检测与非破坏性检测两种测试方法。其中，非破坏性检测方法因为不会对产品造成伤害，所以较常应用于制造期间的检测，以使通过检测的半成品能继续进行制作。然而，目前仍有部分需直接接触待测物的检测无法做到非破坏性检测。
举例来说，现有技术中尚无法提出实用的有机发光二极管(organiclight emitting diode，简称OLED)阵列(array)检测方式，因为有机发光二极管的阵列基板在完成之后且尚未形成各有机官能层之前，其中所留下与有机发光二极管相连接的铟锡氧化物(ITO)阳极是电性浮置(floating)的状态。如果要测量画素(pixel)的驱动电路是否正常动作及均匀性，则需在ITO端提供一个电极，但如果用一般探针作实际的接触，将会对ITO造成破坏，使最终所制作出的有机发光二极管无法正常动作。
由此可见，上述现有的非破坏性检测方法及其检测设备仍然存在有缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决现有的非破坏性检测方法及其检测设备的缺陷，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，此显然是相关业者急欲解决的问题。
有鉴于上述现有的非破坏性检测方法及其检测设备存在的缺陷，本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，积极加以研究创新，以期创设一种新的非破坏性接触的检测方法及其检测设备，能够改进一般现有的非破坏性检测方法及其检测设备，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经反复试作及改进后，终于创设出确具实用价值的本发明。
发明内容
本发明的目的在于，克服现有的非破坏性检测方法存在的缺陷，而提供一种新的非破坏性接触的检测万法，所要解决的技术问题是使其可以避免待测物在测量期间被破坏，而具有产业上的利用价值。
本发明的另一目的在于，提供一种非破坏性接触的检测方法，所要解决的技术问题是使其可以使待测物在检测之后仍可正常动作。
本发明的再一目的在于，克服现有的非破坏性检测设备存在的缺陷，而提供一种新的非破坏性接触的检测设备，所要解决的技术问题是使其可避免待测物在测量期间被破坏，而具有产业上的利用价值。
本发明的还一目的在于，提供一种非破坏性接触的检测设备，所要解决的技术问题是使其使待测物在检测之后仍可正常动作，从而更加适于实用。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种非破坏性接触的检测方法，适于在一检测温度下检测一待测物的电气特性，该非破坏性接触的检测方法包括以下步骤提供一检测设备，其包括有一导体，其中该导体在该检测温度下呈液态；以及使用该导体接触于该待测物的表面，用以检测该待测物的电气特性。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的非破坏性接触的检测方法，其中所述的导体的熔点低于该检测温度，且该导体在低于该检测温度的温度下为固态，其中使用该导体接触该待测物的表面前，更包括对该导体进行一加热步骤，以使该导体成为液态。
前述的非破坏性接触的检测方法，其中所述的导体在低于该检测温度的温度下为液态，其中该导体包括汞。
前述的非破坏性接触的检测方法，其中所述的呈液态的该导体是藉由真空吸引的方式调整其高度。
本发明的目的及解决其技术问题还采用以下的技术方案来实现。依据本发明提出的一种非破坏性接触的检测方法，适于在一检测温度下检测一主动元件阵列的电气特性，该主动元件阵列上具有复数个画素，该非破坏性接触的检测方法包括以下步骤a、提供一检测设备，该检测设备具有复数个导体，其中该些导体在该检测温度下呈液态；b、使该些导体接触部分该些画素的表面；以及c、藉由该些导体检测该些画素的电气特性。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的非破坏性接触的检测方法，其中在步骤c之后更包括d、移动该检测装置；以及重复步骤b～d，直到该些导体检测到每一该些画素。
本发明的目的及解决其技术问题还采用以下的技术方案来实现。依据本发明提出的一种非破坏性接触的检测设备，适于在一检测温度下检测一待测物的电气特性，该非破坏性接触的检测设备包括一主体，具有至少一个开口；以及至少一导体，其在该检测温度下呈液态，该导体经由该开口曝露于该主体之外，用以接触该待测物的表面。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的非破坏性接触的检测设备，其中所述的导体的熔点低于该检测温度，其中该导体在低于该检测温度的温度下为固态时，更包括一加热装置，与该主体相连，用以加热该些导体。
前述的非破坏性接触的检测设备，其中所述的导体在低于该检测温度的温度下为液态，其中该导体包括汞。
前述的非破坏性接触的检测设备，其更包括一真空系统，以藉由真空吸引的方式调整呈液态的该导体的高度。
本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。由以上技术方案可知，为了达到前述发明目的，本发明的主要技术内容如下本发明提出一种非破坏性接触的检测方法，适于在一检测温度下检测一待测物的电气特性，该检测方法是提供一检测设备，该检测设备具有呈液态的一导体，先使用呈液态的导体接触待测物表面，再经由呈液态的导体来检测待测物的电气特性，以判断待测物是否故障。
本发明又提出一种非破坏性接触的检测方法，适于在一检测温度下检测一主动元件阵列的电气特性，该主动元件阵列上具有复数个画素，而这种非破坏性接触的检测方法，包括先使用呈液态的复数个导体接触画素的表面，再藉由呈液态的导体检测画素的电气特性，以找出画素中的故障。
本发明另外还提出一种非破坏性接触的检测方法，适于在一检测温度下检测具有复数个画素的一主动元件阵列的电气特性，该检测方法包括以下步骤a、提供一检测设备，该检测设备具有复数个呈液态的导体。之后，b、使检测设备的呈液态的导体接触部分画素的表面。接着，c、藉由呈液态的导体检测待测物的电气特性，以判断画素中是否有故障。
本发明再提出一种非破坏性接触的检测设备，适于在一检测温度下检测一待测物的电气特性，该检测设备包括一主体以及呈液态的导体，其中主体具有至少一个开口。而呈液态的导体经由开口曝露于主体之外，用以接触待测物的表面。
经以上述可知，本发明非破坏性接触的检测方法，适于在一检测温度下检测一待测物的电气特性，该检测方法是先使用呈液态的一导体接触待测物表面，再经由呈液态的导体来检测待测物的电气特性，以判断待测物是否故障。由于呈液态的导体在接触到待测物时不会伤害其表面，因此可以确保完成后的产品能够正常动作。
本发明因为采用较低阻值与低熔点的导体，利用加热或其它方式使导体变成液态，此种液体因内聚力(cohesion)形成水珠状，利用水珠状液态的导体当作与待测物相连接的介质，如此可以避免现有习知技术中因使用探针接触所造成的待测物破坏，又可避免所串接的阻值过大，所造成检测上的误差。
综上所述，本发明新颖特殊结构的非破坏性接触的检测方法及其检测设备，可以避免待测物在测量期间被破坏，而具有产业上的利用价值；可以使待测物在检测之后仍可正常动作，从而更加适于实用。其具有上述诸多的优点及实用价值，并在同类方法、设备中未见有类似的设计公开发表或使用而确属创新，其不论在方法、结构上或功能上皆有较大的改进，在技术上有较大的进步，并产生了好用及实用的效果，且较现有的非破坏性检测方法及其检测设备具有增进的多项功效，从而更加适于实用，而具有产业的广泛利用价值，诚为一新颖、进步、实用的新设计。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
图1是一种主动元件阵列的俯视示意图。
图2是依照本发明一第一实施例的非破坏性接触的检测设备在进行检测时的立体示意图。
图3A与图3B是依照本发明一第二实施例的非破坏性接触的检测设备在进行检测时的流程俯视示意图。
图4是衣照本发明第二实施例的非破坏性接触的检测设备的立体示意图。
图5是依照本发明第三实施例的非破坏性接触的检测设备的立体示意图。
10基板 100，300阵列(数组)102扫描配线 104资料配线106画素电极 108主动元件110，302画素200，310检测设备202，311主体204，304开口210电气特性检测装置 212，312导体214，314导线216，316探针具体实施方式
以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的非破坏性接触的检测方法及其检测设备其具体方法、步骤、特征及其功效，详细说明如后。
本发明的概念是针对电气特性检测的方式作改良，以避免待测物在测量期间被破坏，以下两个实施例是以主动元件阵列为例。然而在此揭露的仅是其中数种应用方法，但是应可理解这些实施例是用来举例之用，而非用以限制本发明的范围。
第一实施例图1是一种主动元件阵列的俯视示意图。请参阅图1所示，一般的主动元件阵列100，基本上包括有扫描配线(scan line)102、资料配线(dataline)104、画素电极106以及主动元件108，其中画素电极106的材质例如是铟锡氧化物(ITO)。而且，扫描配线102与资料配线(即数据配线)104定义出复数个画素110，画素电极106即位于每一个画素110之中，而主动元件108则与扫描配线102、资料配线104及画素电极106彼此电性相连。如欲检测本图中的每一画素110的驱动电路是否正常动作及均匀性，则请参阅图2所示。
图2是依照本发明的一第一实施例的非破坏性接触的检测设备在进行检测时的立体示意图，其中待测物是图1的II-II剖面的主动元件阵列100的画素电极106。
请参阅图2所示，本实施例的非破坏性接触的检测设备200适于在一检测温度下检测待测物(即画素电极106)，该一检测设备200，包括有一主体202，其具有一开口204以及一电气特性检测装置210，其具有一导体212，且导体212在检测温度下呈液态，其中主体202例如是一移动式装置，而开口204的形状可以作各种变形，较佳为圆形。再者，电气特性检测装置210是设置于主体202内，且当主体202的材质为绝缘材质时，电气特性检测装置210更可包括一导线214，其中导体212是经由开口204曝露于主体202之外，而接触画素电极106表面，导线214则与导体212电性相连。再者，导体212因其内聚力(cohesion)作用，而可在检测时维持水珠状。而且，导体212的熔点需低于检测温度，以在检测时呈液态。特别是以本实施例的待测物(即ITO画素电极106)为例，导体212的熔点需低于摄氏400度，以避免待测物因受热而变质。另外，假使导体212在低于检测温度的温度下为固态时，可以在检测设备200中加装一加热装置(图中未示)，与主体202相连，用以在使用导体212接触画素110表面之前，加热检测前呈固态的导体212使其成为液态；反之，假使导体212在低于检测温度的温度下为液态，如汞(Hg)则不需加热装置。
请继续参阅图2所示，利用本图的检测设备200进行检测时，是先使用呈液态的导体212接触形成于基板10上的画素110中的画素电极106表面，再藉由呈液态的导体212检测其电气特性，以找出画素110中的故障。另外，电气特性检测装置210还可以加装一探针216，该探针216是连接于导线214与呈液态的导体212。此外，本图的检测设备200更可以加装一真空系统(图中未示)，以藉由真空吸引的方式调整导体212的高度。再者，可利用检测设备200的移动，调整导体212与画素110中的画素电极106的接触程度。
第二实施例图3A与图3B是依照本发明的一第二实施例的非破坏性接触的检测设备在进行检测时的流程俯视示意图。请首先参阅图3A所示，当待测物是由多个画素302所组成的主动元件阵列300时，可在一检测温度下先提供一检测设备310，该检测设备310具有复数个导体312，其中导体312在检测温度下呈液态。之后，使导体312接触部分的画素302的表面。接着，藉由导体312检测画素302的电气特性，以判断其中是否有故障者。此时，从本图来看，仍有许多画素302未被检测。因此，需进行下一步骤。
请参阅图3B所示，将检测设备310向右移动一个画素302的距离，再重复图3A的检测方法，其中图中标示有阴影的画素302为已经经过检测的画素。因此可以推知，只要移动检测设备310直到导体312检测到每一画素302，即可完成整个阵列300的电气特性检测。而本实施例的检测设备310的立体示意图如下。
图4是依照本发明的第二实施例的非破坏性接触的检测设备的立体示意图。请参阅图4所示，本实施例的非破坏性接触的检测设备310与图2类似，其中包括具有复数个开口304的主体311以及复数个导体312，且导体312在检测温度下呈液态，其中导体312是经由开口304曝露于主体311之外，导体312适于接触待测物(即画素302)表面，且当主体311的材质为导电材质时，检测设备310更可包括一共享导线314，其与主体311相连，以供应相同电压至导体312。其中，本实施例的开口304例如是以矩阵的方式分布，其排列需配合待测物的形状与分布作改变，譬如设定检测的程序，使呈液态的导体312接触待测物的面积小于待测物受测部位的面积。
第三实施例以上为本发明的基本结构，不过在不超出本发明技术构思涵盖范围的情形下，尚可对检测设备作变形，如图5所示，是依照本发明第三实施例的非破坏性接触的检测设备的立体示意图。请参阅图5所示，本实施例的非破坏性接触的检测设备与图2类似，其中包括一具有复数个开口304的主体311、导体312以及导线314，且导体312在检测温度下呈液态，其中导体312是经由开口304曝露于主体311之外，导线314则与导体312电性相连。其中，本实施例的开口304是以交错的方式分布。另外，还可以加装一探针316，其是连接于导线314与导体312。
此外，在前述各实施例所述的检测设备中还可以增加一些辅助装置(图中未示)，譬如加装一分析用仪器，以藉由检测而得的电气特性数据，来分析待测物的可靠度。
因此，本发明的特点之一为采用低熔点的导体，利用加热或其它方式使导体变成液态，此种液体因内聚力形成水珠状，利用水珠状液态的导体当作与待测物相连接的介质，如此可以避免现有习知技术中因使用探针接触所造成的待测物破坏，又可避免所串接的阻值过大，所造成检测上的误差。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的方法及技术内容作出些许的更动或修饰为等同变化的等效实施例，但是凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
权利要求
1.一种非破坏性接触的检测方法，适于在一检测温度下检测一待测物的电气特性，其特征在于该非破坏性接触的检测方法包括以下步骤提供一检测设备，其包括有一导体，其中该导体在该检测温度下呈液态；以及使用该导体接触于该待测物的表面，用以检测该待测物的电气特性。
2.根据权利要求1所述的非破坏性接触的检测方法，其特征在于其中所述的导体的熔点低于该检测温度，且该导体在低于该检测温度的温度下为固态，其中使用该导体接触该待测物的表面前，更包括对该导体进行一加热步骤，以使该导体成为液态。
3.根据权利要求1所述的非破坏性接触的检测方法，其特征在于其中所述的导体在低于该检测温度的温度下为液态，其中该导体包括汞。
4.根据权利要求1所述的非破坏性接触的检测方法，其特征在于其中所述的呈液态的该导体是藉由真空吸引的方式调整其高度。
5.一种非破坏性接触的检测方法，适于在一检测温度下检测一主动元件阵列的电气特性，该主动元件阵列上具有复数个画素，其特征在于该非破坏性接触的检测方法包括以下步骤a、提供一检测设备，该检测设备具有复数个导体，其中该些导体在该检测温度下呈液态；b、使该些导体接触部分该些画素的表面；以及c、藉由该些导体检测该些画素的电气特性。
6.根据权利要求5所述的非破坏性接触的检测方法，其特征在于其中在步骤c之后更包括d、移动该检测装置；以及重复步骤b～d，直到该些导体检测到每一该些画素。
7.一种非破坏性接触的检测设备，适于在一检测温度下检测一待测物的电气特性，其特征在于该非破坏性接触的检测设备包括一主体，具有至少一个开口；以及至少一导体，其在该检测温度下呈液态，该导体经由该开口曝露于该主体之外，用以接触该待测物的表面。
8.根据权利要求7所述的非破坏性接触的检测设备，其特征在于其中所述的导体的熔点低于该检测温度，其中该导体在低于该检测温度的温度下为固态时，更包括一加热装置，与该主体相连，用以加热该些导体。
9.根据权利要求7所述的非破坏性接触的检测设备，其特征在于其中所述的导体在低于该检测温度的温度下为液态，其中该导体包括汞。
10.根据权利要求7所述的非破坏性接触的检测设备，其特征在于其更包括一真空系统，以藉由真空吸引的方式调整呈液态的该导体的高度。
全文摘要
本发明是关于一种非破坏性接触的检测方法，适于在一检测温度下检测一待测物的电气特性，该检测方法是先使用呈液态的一导体接触待测物表面，再经由呈液态的导体来检测待测物的电气特性，以判断待测物是否故障。由于呈液态的导体在接触到待测物时不会伤害其表面，因此可以确保完成后的产品能够正常动作。该非破坏性接触的检测设备包括一主体，具有至少一个开口；以及至少一导体，其在该检测温度下呈液态，该导体经由该开口暴露于该主体之外，用以接触该待测物的表面。本发明可以避免待测物在测量期间被破坏，而具有产业上的利用价值；令其可使待测物在检测之后仍可正常动作，从而更加适于实用。
文档编号G01R1/067GK1607395SQ200310100550
公开日2005年4月20日 申请日期2003年10月16日 优先权日2003年10月16日
发明者郭文源, 孟昭宇 申请人:统宝光电股份有限公司