专利名称：通过选择性插入导电调谐元件进行调谐的射频陷波器的制作方法
技术领域：
本发明涉及射频技术领域。它尤其应用于磁谐振成像扫描器，下面也将特别参照该应用场合进行描述。然而，它也可以应用于其他射频应用场合。
在磁谐振成像扫描器中，射频线圈通常连接到射频陷波器，以提供普通模式高阻抗给射频电流。在一种普通构造中，射频陷波器是一种平衡蝶形陷波器，其包括两个介电线圈架或者绕线筒。同轴电缆绕这两个介电线圈架卷绕，从而限定出感应元件。在该平衡蝶形拓扑结构中，电缆绕在两个线圈架上的反向螺旋体中，从而在这两个线圈架中产生反向磁场。这种反向螺旋绕制提供了外部磁场抵消，该外部磁场抵消是有利的，因为射频陷波器通常相对靠近射频线圈设置，并且位于高磁场环境内部。通过感应元件的屏蔽导体连接电容，从而形成谐振LC电路，其谐振频率为ωres=1LC---(1),]]>其中L是通过绕介电线圈架绕制电缆所形成感应元件的感应系数，C是电容值，而ωres是射频陷波器的谐振频率。
在构建射频陷波器中存在的一个难点是，难以对谐振频率ωres进行微调以便密切匹配磁谐振频率。该磁谐振频率通常是数十或数百兆赫。例如，在3.0特斯拉的主B0磁场中，该谐振频率大约是128兆赫。商用离散固定值电容器不易获得足够小的容限裕度来确保该陷波器具有期望谐振频率而不用微调谐振频率ωres。
在一种微调的方法中，在蝶形陷波器中测试不同固定值的电容器。由于电容器和电容器之间的电容值变化很大(例如，商用电容器具有大约5％的典型容限裕度)，所以一些电容器产生的谐振要比其他电容器产生的谐振更接近期望谐振频率。该方法具有许多缺点。它必须要维持大量的电容器来用于测试。然而，即使提供大量的电容器，也会存在手头没有电容器能够提供期望谐振频率的可能性。此外，在微调过程中，需要大量的人工劳动来焊接和解焊电容器。
在另一种方法中，使用可变电容器。可变电容器容易调节从而可以提供微调。然而，高功率的可变电容器体积较大，这会对磁谐振成像扫描器壳体和内腔中的空间带来溢出性问题。而且可变电容器还比较昂贵。
在一些射频陷波器中，通过调节电缆绕线的空间距离来实现调谐。然而，调节绕线是劳动密集型工作，并且费时，再者所调节的绕线能够破坏蝶形陷波器的对称性，以及减少有利的外部磁场抵销。此外，所调节绕线空间距离因振动、磁力或者其它影响而发生变化，这能够导致射频陷波器失谐。
本发明旨在提供一种改进的装置和方法以克服上述限制和其它限制。
根据一个方面，提供一种用于调谐射频陷波器的方法，该陷波器具有感应元件，其包括介电线圈架和绕制在线圈架周围的同轴电缆。有效量的导电材料插入到介电线圈架中，该量能够有效调节感应元件的感应系数，从而将射频陷波器调谐到选定谐振频率值。
根据另一个方面，公开了一种射频陷波器，包括一个或多个介电线圈架。包括内导体和同轴外导体的电缆的至少一部分绕制在该一个或多个介电线圈架周围。绕制在该一个或多个介电线圈架周围的该部分电缆的同轴外导体限定出至少一个感应元件。电容跨接在该至少一个感应元件上。选定量的导电材料插入到该一个或多个介电线圈架中。该选定量的导电材料配合该至少一个感应元件以及电容从而限定出具有选定谐振频率的谐振电路。
根据又一个方面，公开了一种装置，包括射频陷波器。该射频陷波器包括偶数个介电线圈架、绕制在该介电线圈架周围的同轴电缆以及多个调谐元件，其中调谐元件选择性插入到介电线圈架中，以将射频陷波器调谐到选定谐振频率。
根据另一个方面，公开了一种射频陷波器。包括内导体和同轴外导体的电缆的至少一部分绕制在该一个或多个介电线圈架周围。绕制在该一个或多个介电线圈架周围的该部分电缆的同轴外导体限定出至少一个感应元件。电容跨接在该至少一个感应元件上。一个或多个导电紧固件将该一个或多个介电线圈架固定到基底。每个导电紧固件的至少一部分设置在它所紧固的介电线圈架的内部。
一个优点在于简化了射频陷波器的调谐。
另一个优点在于减少了调谐射频陷波器的成本。
又一个优点在于获得对射频陷波器的精确调谐。
再一个优点是能够对蝶形陷波器的绕线进行固定定位，这就减小了因振动、磁影响或者其它影响导致绕线空间距离变化进而导致失谐的可能性。
通过阅读下面对优选实施例的详细描述，对于本领域技术人员而言许多其它的优点和益处将变得清楚明显。
本发明可以具体采用多种形式的部件以及部件结构，以及采用多种过程操作和过程操作配置。附图仅仅是用于阐述优选实施例，而不应当建构成限制本发明。
图1示出磁谐振成像系统的图形表示，其包括射频蝶形陷波器。
图2示出图1的射频蝶形陷波器的透视图。
图3示出图2的射频蝶形陷波器的一个绕线筒的透视图。
图4示出安装在板上的图2的射频蝶形陷波器的透视图，其中在该板上设置有印制电路电容器。
图5示出连接到图2的射频蝶形陷波器的同轴电缆的片形电容器的透视图。
图6示出每个绕线筒中插有一个调谐螺钉以及为机械紧固而插入的一个不导电螺钉的图2的射频蝶形陷波器的透视图。
图7示出每个绕线筒中插有两个调谐螺钉的图2的射频蝶形陷波器的透视图，其中调谐螺钉还用作将射频蝶形陷波器固定到板的紧固件。
图8示出另一个射频蝶形陷波器实施例的透视图，其中采用安装到板上的调谐杆。在图8中，调谐杆插入一半，同时示出调谐杆的另一半对准插入到绕线筒中。
图9示出图8的射频蝶形陷波器的一个绕线筒的透视图。
参照图1，磁谐振成像扫描器10包括外壳12，该外壳12中限定出大致圆柱形的扫描器内腔14，在该内腔中放置相关的成像主体16。主磁场线圈20设置在外壳12内，其产生主B0磁场，该磁场方向大致沿扫描器内腔14的中心轴22并平行于该中心轴22。主磁场线圈20通常为设置在低温罩24内的超导线圈，尽管还可以使用电阻性主磁体。
外壳12还容纳或支承磁场梯度线圈30，其用于选择性产生平行于内腔14的中心轴22、横断中心轴22或者沿其它选定方向的磁场梯度。外壳12还容纳或支承用于选择性激励和/或检测磁谐振的射频主体线圈32。设置在内腔14内的线圈系34包括多个线圈，在该示例性线圈系34中为特定的四个线圈，尽管能够使用其它数量的线圈。线圈系34能够用作用于平行成像的接收器的相控阵，用作用于传感成像的灵敏度编码(SENSE)线圈，等等。在一个实施例中，线圈系34是靠近成像主体16设置的表面线圈系。外壳12通常包括限定扫描器内腔14的装饰性内衬36。
线圈系34能够用于接收由整个主体线圈32激励的磁谐振，或者该磁谐振能够由线圈系34激励并接收。此外，还考虑到利用线圈系34来激励磁谐振以及利用整个主体线圈32来检测磁谐振。应当理解的是，如果线圈32和34之一用于传输和接收，那么线圈32和34的另一个则可以省略。
主磁场线圈20产生主磁场B0。磁谐振成像控制器40操作磁场梯度控制器42来选择性对磁场梯度线圈30励磁，以及经射频开关45操作连接到射频线圈32或者线圈系34的射频传输器44来选择性对射频线圈或者射频线圈系32、34进行励磁。通过选择性操作磁场梯度线圈30和射频线圈32或者线圈系34，则产生磁谐振，并且该磁谐振在成像主体16的感兴趣区域的至少一部分中被空间编码。通过经梯度线圈30施加选定磁场梯度，则选定k空间轨迹被横断，例如笛卡尔轨迹、多个径向轨迹或者螺旋形轨迹。此外，能够获取成像数据作为沿选定磁场梯度方向的投影。在成像数据获取的读取阶段期间，磁谐振成像控制器40操作开关45，以将射频接收器46耦合到线圈系34或者整个主体线圈32，从而获取存储在磁谐振数据存储器50中的磁谐振样本。
通过重构处理器52将成像数据重构为图像表示。在k空间采样数据的情况下，可以采用基于傅立叶变换的重构算法。根据所获取的磁谐振成像数据的格式，还可以使用其它的重构算法，例如基于滤波背投的重构。对于SENSE成像数据，重构处理器52从每个线圈所获取的成像数据中重构出折叠图像，然后将该折叠图像结合线圈灵敏度参数一起来产生展开重构图像。
由重构处理器52产生的重构图像存储在图像存储器54中，并且能够显示在用户界面56上，存储在非易失性存储器中，经本地内部网或者因特网传输、查看、存储、管理等等。用户界面56也能够使得放射学者、技术师或者磁谐振成像扫描器10的其它操作者能够和磁谐振成像控制器40进行通信，从而选择、改变以及执行磁谐振成像程序。
继续参照图1，另外还参照图2-7，蝶形陷波器或者不平衡变压器60(通过外壳12的部分切除而在图1中披露)插入到连接射频开关45和线圈32、34的连接线上。蝶形陷波器或者不平衡变压器60提供普通模式高阻抗给射频电流。如图2所示，射频陷波器60包括一对大致圆柱形的介电线圈架或绕线筒62，其中同轴电缆64绕制在其周围。同轴电缆沿相反方向绕制在线圈架62周围，以使得当沿图2所示的方向的参考电流“I”在电缆64中流动时，在两个线圈架62中产生相反方向的参考磁场“B”。因此，绕制在介电线圈架62周围的那部分电缆64限定出感应元件66，该感应元件包括两个串联电连接的电感器。参考电流“I”和参考磁场“B”示出电流和磁场之间的相对关系；然而，电流和磁场的方向在射频上来回切换。
在一个实施例中，每个介电线圈架或者绕线筒62包括形成在介电线圈架62的圆柱表面上的螺丝锥槽或者螺旋槽70(从图3中可以最佳示出)。同轴电缆64由螺丝锥槽70容纳以提供调准以及确定同轴电缆64的线圈在介电线圈架62上的空间定位。在另一个实施例中(未示出)，省略了螺丝锥槽70。
电容器74跨接在感应元件66上，以限定出LC谐振电路。更具体而言，电容器74跨接在同轴电缆64的屏蔽导体的两端。电容器74在图2中采用电容器电路符号示意性示出。在一个实施例中，蝶形陷波器60固定到印制电路板78(如图4和7所示)，而电容器74为片形电容器(如图5所示)。电缆64的末端被剥离，从而形成用于连接到印制电路板78、连接到射频线圈32、34之一或者两者的敷设电缆、或者连接到射频励磁或者检测电路中的任何位置的连接端80。虽然示出印制电路板78仅支承蝶形陷波器60，但是应当理解的是，其它的射频电路或者其它电子装置能够构建在、受支承于印制电路板78和/或经印制电路板78互连。
蝶形陷波器60具有的谐振频率和感应元件66的感应系数和电容器74的电容相关。对于简单的平行LC谐振电路拓扑结构，蝶形陷波器60具有根据等式(1)限定的谐振频率ωtrap，也就是，ωtrap＝(LC)-0.5，其中L是感应元件66的感应系数，而C是电容器74的电容。还考虑采用其它的谐振电路拓扑结构，对于这些其它的谐振电路拓扑结构，谐振频率可以具有不同的依赖于感应元件的感应系数的函数关系。
通常，电容器74是具有额定电容的商用电容器，该额定电容通常在特定容许限度内变化。例如，电容可以具有5％的容许限度。类似的，通过在绕线筒62上绕制同轴电缆64而形成的感应元件66具有特定典型容许限度，该特定典型容许限度和一些因素相关，例如电缆绕制的空间定位的可再现性、绕线筒62的密度和形状的可再现性，等等。这些电容和感应系数中的容许限度会导致产生对应的蝶形陷波器的谐振频率的容许限度，该容许限度太大而不能确保对应于谐振频率或者其它期望谐振频率而对陷波器进行精确调谐。
为了将蝶形陷波器60微调到磁谐振频率或者另一个期望射频谐振值，固定电容，而调节感应元件66的感应系数，以实现目标谐振频率。通过利用插入到线圈架62中的导电材料来调节感应系数。在图2-7所示的实施例中，导电材料是导电紧固件的形式，例如导电螺钉84(如图6和7所示)，该导电螺钉拧入到线圈架62中固定线圈架62，因此将蝶形陷波器60固定到印制电路板78。
在一个实施例中，射频陷波器60设置在主B0磁场中。在该实施例中，导电螺钉84是合适的非铁磁体。将非铁磁性导电材料插入到介电线圈架62中会有效降低感应元件66的感应系数。因此，根据ωtrap＝(LC)-0.5，减小的感应系数L会导致蝶形陷波器谐振频率ωtrap增加。随着更多的非铁磁性导电材料插入到介电线圈架62中，则陷波器谐振频率ωtrap会增加。在该实施例中，应当将电容器74的电容选择为足够大以确保在任何非铁磁性导电材料插入到介电线圈架62中之前陷波器谐振频率小于期望陷波器谐振频率值。
在另一个实施例中，射频陷波器60设置在主B0磁场外部。在该实施例中，导电螺钉84能够是非铁磁体，如前所述，或者它们能够是铁磁体。将铁磁性导电材料插入到介电线圈架62中会有效升高感应元件66的感应系数。因此，根据ωtrap＝(LC)-0.5，增加的感应系数L会导致蝶形陷波器谐振频率ωtrap减小。随着更多的铁磁性导电材料插入到介电线圈架62中，则陷波器谐振频率ωtrap会降低。当使用铁磁性导电材料用于调谐时，应当将电容器74的电容选择为足够小以确保在任何铁磁性导电材料插入到介电线圈架62中之前陷波器谐振频率大于期望陷波器谐振频率值。
当射频陷波器60设置在主B0磁场中时，使得陷波器60平衡以减小外部磁场是有利的。因此，介电线圈架62的数量优选为偶数。例如，可以如图所示采用两个线圈架62。同轴电缆66沿反向螺旋方向绕制在两个介电线圈架62上，从而在两个线圈架62中产生反平行磁场。此外，相等数量的导电调谐材料优选插入到两个介电线圈架62中的每一个当中，从而保持微调蝶形陷波器中的磁场平衡。
在另一个实施例中，利用导电螺钉84或者电绝缘螺钉85(例如，特氟纶螺钉)或者导电螺钉84和电绝缘螺钉85的一些组合形式，将绕线筒62固定到印制电路板78。导电螺钉84和电绝缘螺钉85可以机械互换。
如图6和7所示，每个绕线筒62通过两个螺钉固定到印制电路板78，这两个螺钉可以是如图7所示的两个导电螺钉84，或者可以是两个电绝缘螺钉，或者可以是不同长度的两个导电螺钉，或者可以是一个导电螺钉84和一个电绝缘螺钉85，如图6所示。通过在不同长度和规格的螺钉当中进行选择，能够实现非常多的对应的可选调谐值。例如，螺钉的长度可以从半厘米变化到两厘米。对于微调而言，少量长度能够着地离开螺钉之一的末端，或者能够不完全插入的螺钉之一。
通过使用三个、四个或者更多个用于固定每个绕线筒62的螺钉，以及从导电螺钉84和电绝缘螺钉85当中进行选择以控制插入到绕线筒62中的导电材料的总量，从而能够提供额外调谐等级。在另一个所考虑的实施例中，使用具有导电材料变化量的复合螺钉来进一步提供陷波器谐振频率的微调等级。
图2-7所示的实施例的优点在于，已经用于将射频陷波器60固定到印制电路板78的紧固件还额外地用来选择性微调蝶形陷波器60的频率。
参照图8和9，示出平衡射频蝶形陷波器60′的另一个实施例。在图8和9中，和图2-7的陷波器60相同的部件被标注相同的附图标记，而变型部件则标注上对应的加撇号的参考标记。新出现的部件标注上新的参考标记。
在蝶形陷波器60′中，同轴电缆64绕制在变型的介电线圈架或绕线筒62′周围，以形成变型感应元件66′。在一个实施例中，绕线筒62′为大致圆柱形，并且每个绕线筒62′包括形成在绕线筒62′的圆柱表面中的螺旋槽70′。电容器合适的为和陷波器60中的电容器相同的电容器74，其在图8和9中并未示出。利用紧固件(未示出)将陷波器60′固定到印制电路板78，其中紧固件或者不是导电性的，或者不插入到线圈架62′中。在另一变型中，紧固件是导电性的，并且不插入到线圈架62′中，而紧固件经常是导电性的。在这些情况的任意一种情况中，紧固件都不用于微调蝶形陷波器60′。
相反，通过将导电杆或者销90选择性插入到介电线圈架62′中形成的开口92中，从而实现微调。在图8中，三个调谐杆90插入到每个绕线筒62′中，同时示出其它三个调谐杆90对准以用于插入到每个绕线筒62′中。有利地，杆或销90能够插入或者去除，而不用将蝶形陷波器60′从印制电路板78上空间地或者整个地拆卸下来。此外，如果仅需较少的导电材料，则可以省略一些导电杆或者销90，从而使得对应的开口92不被填充。通常没有必要将虚设绝缘销插入到这些开口中。此外，开口的数量不受机械紧固件的数量的约束。如图8和9所示，能够提供相对较多的开口92，从而为蝶形陷波器60′提供较大数量的微调等级。
类似于图2-7的陷波器60，导电杆或销90可以是非铁磁性的，或者，如果环境是非磁性的，导电杆或销90可以是铁磁性的。非铁磁性销可以减小感应系数并且增加谐振频率，而铁磁性销会增加感应系数并且减小谐振频率。
当使用非铁磁性或者铁磁性导电材料来调谐陷波器60、60′时，能够以多种方式来确定用于将特定陷波器调谐到特定期望谐振频率所需的导电材料的有效量。通过连接合适的射频探测器到陷波器60的连接端80，能够对陷波器谐振进行电测量。杆90能够前进到绕线筒62′中，直到达到目标谐振频率。当仅通过空间插入一个杆就达到目标谐振频率时，可以相应地通过用较短的杆来可选的缩短或者替代该杆。
此外，如果电容器74的容许限度远远大于感应元件66、66′的容许限度，则电容器74的电容很大程度的控制陷波器谐振频率。在这种情况中，或者通过经验法或者通过例如参考等式(1)来计算用于特定陷波器拓扑结构的谐振频率和感应系数，从而能够相对于电容器74的电容对材料的有效量进行校准。在另一种方法中，陷波器60、60′能够在安装到磁谐振扫描器10中之后进行调谐，例如通过经陷波器60、60′激励射频线圈来进行。一旦经调谐，则可选的利用环氧树脂等等将杆粘接到合适位置。
在图8和9的射频陷波器60′中，可以考虑校准需要插入到特定陷波器中以获得多种谐振频率所需的调谐杆90的数量。一旦完成这项工作，则用户能够仅仅通过添加、去除或者缩短调谐杆90来将陷波器微调到不同的预定频率。因此，例如，陷波器能够被选择性微调到不同的磁谐振频率，从而容纳不同的主B0磁场、不同的质子谐振系统，等等。
虽然示出的是平衡蝶形射频陷波器，但是可以对包括单个介电线圈架或两个以上介电线圈架的射频陷波器合适的应用微调方案。此外，类似于螺旋槽70、70′的螺旋电缆对准槽能够包含在采用多个线圈架或者两个以上线圈架的陷波器中的每个线圈架上。除了所示的紧固螺钉84或杆90之外，还可以将其它的导电调谐元件插入到绕线筒中，从而根据这里所公开的微调过程提供微调。
如果在磁性环境外部使用陷波器，则使用非平衡陷波器也是可取的。例如，在这些情况下可以使用蝶形拓扑结构之外的其它陷波器拓扑结构。此外，如果在磁性环境外部使用陷波器，则能够将铁磁性导电材料和非铁磁性导电材料的组合体插入到绕线筒中，从而选择性减小或者增加射频陷波器谐振频率。
而且，虽然实施例是参照磁谐振成像系统进行描述的，但是应当理解的是，这里所公开的射频陷波器和陷波器调谐过程可以一般的应用于采用射频激励和信号的其它应用场合。
本发明已经参照优选实施例进行了描述。明显的是，通过阅读和理解前述详细描述，对于其他人而言可以作出变型和改变。不言自明的是，本发明将构造成包括所有这些变型和改变，这些变型和改变都包含在所附的权利要求或者其等价物的范围之内。
权利要求
1.一种用于调谐射频陷波器的方法，该陷波器具有感应元件，其包括介电线圈架和绕制在线圈架周围的同轴电缆，该方法包括将有效量的导电材料插入到介电线圈架中，该量能够有效调节感应元件的感应系数，从而将射频陷波器调谐到选定谐振频率值。
2.根据权利要求1所述的方法，还包括将电容电跨接在感应元件上，该电容配合感应元件产生小于选定谐振频率值的失谐谐振频率。
3.根据权利要求2所述的方法，其中插入有效量的导电材料包括将非铁磁性导电材料插入到介电线圈架中，直到失谐谐振频率增加到选定谐振频率值。
4.根据权利要求1所述的方法，其中导电材料是铁磁体，该方法还包括将电容电跨接在感应元件上，该电容配合感应元件产生大于所需谐振频率的失谐谐振频率，该插入步骤包括将铁磁性导电材料插入，直到失谐谐振频率降低到选定谐振频率值。
5.根据权利要求1所述的方法，其中感应元件包括两个介电线圈架，而同轴电缆沿反向螺旋方向绕制在这两个介电线圈架周围，从而在这两个介电线圈架中产生反平行磁场，以及将导电材料插入到介电线圈架中包括将基本相同量的导电材料插入到每个介电线圈架中。
6.根据权利要求1所述的方法，其中感应元件包括两个介电线圈架，而同轴电缆以平衡射频蝶形陷波器拓扑结构绕制在这两个介电线圈架周围，以及将导电材料插入到介电线圈架中包括将一个或多个杆插入到每个介电线圈架中形成的开口中，其中每个杆包括导电材料。
7.根据权利要求1所述的方法，其中将导电材料插入到介电线圈架中包括利用一个或多个固定到介电线圈架的紧固件将射频陷波器固定到基底，该紧固件包括导电材料。
8.根据权利要求7所述的方法，其中射频陷波器是平衡蝶形陷波器，包括偶数个介电线圈架，以及固定射频陷波器包括将相同数量的导电紧固件固定到每个介电线圈架。
9.根据权利要求8所述的方法，还包括将一个或多个其他紧固件固定到每个介电线圈架，该一个或多个其他紧固件也有助于将射频陷波器固定到基底，每个该其他紧固件不包括导电材料。
10.根据权利要求8所述的方法，其中选择该一个或多个紧固件的长度以调节感应元件的感应系数。
11.一种射频陷波器，包括一个或多个介电线圈架；包括内导体和同轴外导体的电缆，电缆的至少一部分绕制在该一个或多个介电线圈架周围，绕制在该一个或多个介电线圈架周围的该部分电缆的同轴外导体限定出至少一个感应元件；电容，其跨接在该至少一个感应元件上；以及选定量的导电材料，其插入到该一个或多个介电线圈架中，该选定量的导电材料配合该至少一个感应元件以及电容从而限定出具有选定谐振频率的谐振电路。
12.根据权利要求11所述的射频陷波器，其中该一个或多个介电线圈架均为大致圆柱形，其具有形成在圆柱表面中的螺丝锥槽，该绕制电缆容纳在该螺丝锥槽中。
13.根据权利要求11所述的射频陷波器，其中该选定量的导电材料嵌入在用于安装介电线圈架到支承结构的紧固件中。
14.一种装置，包括射频陷波器，该射频陷波器至少包括偶数个介电线圈架，绕制在该介电线圈架周围的同轴电缆，以及多个调谐元件，其中调谐元件选择性插入到介电线圈架中，以将射频陷波器调谐到选定谐振频率。
15.根据权利要求14所述的装置，还包括磁谐振成像扫描器，其包括至少一个主磁体、多个梯度线圈以及射频线圈，其中该至少一个主磁体至少在视场上产生空间上均匀的主磁场，多个梯度线圈至少在视场上选择性地产生磁场梯度，而射频线圈用于在设置在视场中的成像主体中在选定谐振频率上执行激励和检测磁谐振当中的至少一个操作；其中射频陷波器连接到磁谐振成像扫描器的射频线圈，以在射频线圈中提供普通模式高阻抗给射频电流。
16.根据权利要求14所述的装置，其中介电线圈架的数量是两个。
17.根据权利要求16所述的装置，其中调谐元件包括调谐紧固件，其中每个调谐紧固件包括预选定量的导电材料，该调谐紧固件将射频陷波器固定到基底。
18.根据权利要求17所述的装置，还包括不包括导电材料的非调谐紧固件，射频陷波器通过选定数量紧固件固定到基底，其中紧固件包括插入到两个介电线圈架中的每个介电线圈架中的至少一个调谐紧固件和一个非调谐紧固件。
19.根据权利要求16所述的装置，其中射频陷波器具有插入到两个介电线圈架中的每个介电线圈架中的相同数量的调谐元件。
20.根据权利要求14所述的装置，其中每个介电线圈架均为大致圆柱形，其具有形成在圆柱表面中的螺丝锥槽，该绕制同轴电缆容纳在该螺丝锥槽中。
21.一种射频陷波器，包括一个或多个介电线圈架；包括内导体和同轴外导体的电缆，电缆的至少一部分绕制在该一个或多个介电线圈架周围，绕制在该一个或多个介电线圈架周围的该部分电缆的同轴外导体限定出至少一个感应元件；电容，其跨接在该至少一个感应元件上；以及一个或多个导电紧固件，其将该一个或多个介电线圈架固定到基底，其中每个导电紧固件的至少一部分设置在它所紧固的介电线圈架的内部。
22.根据权利要求21所述的射频陷波器，还包括用于将该一个或多个介电线圈架固定到基底的一个或多个电绝缘紧固件，该导电紧固件和电绝缘紧固件可以机械互换。
全文摘要
一种磁谐振成像扫描器(10)，其包括主磁体(20)、多个梯度线圈(30)以及射频线圈(32，34)，其中该至少一个主磁体至少在视场上产生空间上均匀的主磁场，多个梯度线圈至少在视场上产生磁场梯度，而射频线圈用于在设置在视场中的成像主体中在选定谐振频率上执行激励和检测磁谐振当中的至少一个操作。连接到射频线圈(32，34)的射频陷波器(60，60′)螺旋槽形介电线圈架(62，62′)，其中同轴电缆(64)绕制在该介电线圈架周围。多个导电调谐元件例如螺钉或杆(84，90)选择性插入到介电线圈架(62，62′)中，以通过调节陷波器的感应系数而将射频陷波器(60，60′)调谐到选定谐振频率。
文档编号G01R33/36GK1910468SQ200580002481
公开日2007年2月7日 申请日期2005年1月5日 优先权日2004年1月14日
发明者T·奇米莱夫斯基, W·O·布劳姆, J·T·卡伦 申请人:皇家飞利浦电子股份有限公司