一种抗干扰性强的气体传感器的制作方法

文档序号:5875850阅读:399来源:国知局
专利名称:一种抗干扰性强的气体传感器的制作方法
技术领域
本发明涉及气体传感器领域,具体地说,是一种抗干扰性强的气 体传感器。
技术背景目前,国内尚无厂家生产以Sn的纳米氧化物为主体材料制作的 半导体类气体传感器。国外有费加罗以Sn的纳米氧化物为主体材料 制作的半导体类气体传感器,但配方与本发明不同。另外还有一些是 采用催化原理或红外线原理制作的传感器。催化元件工作原理为当白 金加热丝上的催化剂与可燃气体接触时,由于催化剂的作用使气体燃 烧而引起温度上升,导致白金丝电阻增大,以此检测可燃气体。红外 线气体分析仪检测原理是,对2-10um波长范围的红外光,不同异核 气体分子由于旋转和振动对不同波长的红外光有特异吸收,当红外光 透过被测气体时,检测红外光谱的缺失及光强度的变化可以实现对气 体的检测。 发明内容本发明提出了一种抗干扰性强的气体传感器。该传感器具有高灵 敏度、高稳定性、长寿命、抗酒精、烟雾干扰的优点。与背景技术中的传感器的原理不同的是,本发明利用了在加热条 件下敏感体电阻随接触的可燃性气体浓度的变化而成对数关系变化 的特性,实现对可燃性气体的检测。本发明解决其技术问题所采取的技术方案是该气体传感器,由以下重量份的原料,经共沉淀、掺杂或固相混 合构成敏感材料,然后以有机硅进行表面修饰制得Sn020.5-99份A12030.01-20份Si020.01-20份MgO0.01-20份CaO0.01-20份Sb2。30.01-30份Pd/PdO/Pd0.01-50份Pt/PtO/Pt0.01-50份。该抗干扰性强的气体传感器的制备方法,是将原料Sn02、 A1203、 Si02、 MgO、 CaO、 Sb203、 Pd/PdO/Pd和Pt/PtO/Pt经共沉淀、掺杂 或固相混合构成敏感材料,然后以有机硅进行表面修饰制得。所述的表面修饰,是将有机硅与醇类及酸类相混合、或用硅化合 物在碱性介质中的溶胶类混合物、或有机硅构成表面修饰材料。表面修饰可以采用掺杂的方式、浸渍的方式或者化学沉积的方 式,以提高传感器抗酒精、抗烟雾干扰能力。本发明的优点是(1) 对0.01%至100%空气体积比的可燃性气体有很高的灵敏度;(2) 该传感器零点及灵敏度飘移不大于基准量的15%;(3) 传感器使用寿命不小于15年;(4) 在使用条件下,0.1%空气体积比的酒精蒸汽不干扰;(5) 在使用条件下, 一个11113的密闭空间内,两支普通香烟完全释放的烟雾不干扰。本发明所具有的上述优点使其更适合在复杂环境中使用,消除漏 报警、误报警现象并减少气体报警设备调整次数。可用于家庭、燃气、 化工等场合的燃气泄漏检测。
具体实施方式
实施例1取以下原料备用:6.0克纳米级Sn02、 1.0克A1203、 0.8克Si02、 0.2克MgO、 0.2克CaO、 0.1克Sb203、 0.12克Pd/PdO/Pd禾口 0.18克 Pt/PtO/Pt。取6.0克纳米SnO2、 1.0克八1203、 0.8克Si02、 0.2克MgO、 0.2 克CaO、 0.1克Sb203,经共沉淀、掺杂或固相混合烧结后成为敏感 体。然后将0.12克Pd/PdO/Pd、 0.18克Pt/PtO/Pt掺杂到敏感体中, 再以有机硅进行表面修饰,经研磨、涂敷、烧结,即得本发明的气体 传感器。以上对本发明所提供的抗干扰性强的气体传感器进行了详细介 绍,本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述, 以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想;同 时,对于本领域的一般技术人员,依据本发明的思想,在具体实施方 式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解 为对本发明的限制。
权利要求
1.一种抗干扰性强的气体传感器,其特征在于,由以下重量份的原料,经共沉淀、掺杂或固相混合构成敏感材料,然后以有机硅进行表面修饰制得SnO2 0.5-99份Al2O3 0.01-20份SiO2 0.01-20份MgO0.01-20份CaO0.01-20份Sb2O3 0.01-30份Pd/PdO/Pd 0.01-50份Pt/PtO/Pt 0.01-50份。
2. 权利要求1所述的抗干扰性强的气体传感器的制备方法,其 特征在于将原料Sn02、 A1203、 Si02、 MgO、 CaO、 Sb203、 Pd/PdO/Pd 和Pt/PtO/Pt经共沉淀、掺杂或固相混合构成敏感材料,然后以有机 硅进行表面修饰制得。
3. 根据权利要求2所述的抗干扰性强的气体传感器的制备方法,其特征在于所述的表面修饰,是将有机硅与醇类及酸类相混合、或用硅化合物在碱性介质中的溶胶类混合物、或有机硅构成表面修饰材料。
4. 根据权利要求2所述的抗干扰性强的气体传感器的制备方法,其特征在于所述的表面修饰采用掺杂的方式、浸渍的方式或者化学沉积的方式。
全文摘要
本发明涉及一种抗干扰性强的气体传感器。该气体传感器采用以下原料SnO<sub>2</sub>、Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、SiO<sub>2</sub>、MgO、CaO、Sb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Pd/PdO/Pd和Pt/PtO/Pt,经共沉淀、掺杂或固相混合构成敏感材料,然后以有机硅进行表面修饰制得。本发明还涉及该气体传感器的制备方法。该传感器具有高灵敏度、高稳定性、长寿命、抗酒精、烟雾干扰的优点。本发明所具有的上述优点使其更适合在复杂环境中使用,消除漏报警、误报警现象并减少气体报警设备调整次数,可用于家庭、燃气、化工等场合的燃气泄漏检测。
文档编号G01N27/00GK101329294SQ200710123440
公开日2008年12月24日 申请日期2007年6月22日 优先权日2007年6月22日
发明者钟克创 申请人:郑州炜盛电子科技有限公司
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