专利名称：一种栅状电极位移传感器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种测量直线位移与角位移的传感器，尤其涉及具有栅状 电极的容栅位移传感器和磁栅位移传感器。
背景技术：
栅状电极位移传感器具有体积小、功耗低、可长程测量等优点，在位 移检测中得到了广泛的应用。栅状电极位移传感器的分辨率取决于相邻栅
极的间距。通常的8路驱动鉴相式容栅传感器的分辨率为O.Olmm，相邻 发射电极栅条的间距为0.635ram， 一组栅极为8根，实际传感器用多组栅 极并联，组间距为5.08ram，将各组中相同相位的电极互联，目前常规是 用印刷线路板(PCB板)双面布线的方法通过金属化小孔来实现。用现有 的8路驱动鉴相式IC，容栅传感器若要达到0. OOlmrn的分辨率，则相邻 发射电极的间距应减小到0.0635mm，现今的光刻技术将栅刻细到 0.0635ran以下是没有问题，但是要将多条同相位的发射电极相互连通， 在如此细的电条上过孔连接就很困难，通常的PTH法(在印刷线路板上钻 孔再金属化小孔)是不可能实现，用新近的多层印刷线路板技术IVH法(在 未硬化的基板上光刻小孔并填充导电材料再将基板与铜箔层压成复合板) 以及B2IT法(在铜箔上印导电桩，待干燥后再与未硬化的基板层压使导 电桩穿透基板连通到另一铜箔)来制作O.OOlmm分辨率的栅片也非常困 难。以覆铜板为基材制作的栅状电极位移传感器，另一个问题是所用的覆 铜板基材不可避免地包含有环氧、酚醛等树脂材料，这些材料热膨胀系数 大，且易吸潮，使得制成的栅片尺寸稳定性差，传感器精度难以提高。其 他具有栅状电极的位移传感器，如磁栅位移传感器，在制作高密度栅状电极时，也存在上述相同题。
专利号为93118916.0、名称为"高分辨率鉴相式容栅位移传感器" 的发明专利说明书里揭示了一种在陶瓷或玻璃基片上制作容栅传感器栅 片的叠层法， 一定程度上把栅作得更细了。该方法是先在陶瓷或玻璃基片 上蒸镀金属层并做出栅条，再在金属层上制作绝缘层并在绝缘层上开窗 口，最后在绝缘层上蒸镀第二金属层来连接同相位的栅条，这种一层叠一 层的制作方法类似于在硅片上制作多层电路的IC工艺，需要进行多次对 位光刻，第一次光刻细栅不困难，第二次光刻窗口必需对位(窗口对准细 栅)，发射电极栅愈细，对位精度要求愈高，这需要有昂贵的精密对位光 刻机，使得叠层法难以扩广应用。用一般的对位设备目前仅制作出了 0. 127mm伺距的细栅，分辨率为0. 002腿。叠层法的另一个缺点是两个蒸 镀金属层通过窗口的电气连接常常不可靠，补救的办法是在制成的产品的 每一个电气连接窗口处再施加压力，这样作了之后，可以使一些不导通的 点导通，但也不能完全解决可靠性问题。
申请号为02140491. 7、名称为"一种容栅位移传感器及其制作方法" 的发明专利说明书里揭示了一种由双层玻璃基片制作的容栅传感器栅片。 该方法是先分别在两片玻璃基片的导电层上蚀刻出栅条，再在一基片的 8N条发射电极栅均分别用一引线连到8N个导通盘，另一基片上有对应的 导通盘串连成8串，导通盘中定点分布有导电料，用粘胶对位粘合两个基 片，使同相位N条发射电极栅互连导通。双层玻璃的方法虽然是将成熟的 液晶显示器制作工艺技术，移植到栅状电极的位移传感器的制作上，让栅 状电极的位移传感器适于工业化生产。但液晶显示器制作工艺中，上下玻 璃电极导通盘间的导电料是靠印刷法印制而成的，在栅状电极细密到一定 程度时，靠印刷法印制的导电料的尺寸，仍是不能满足栅状电极细密化的 要求。
发明内容
本发明就是为了克服以上的不足，提出了一种解决高密度栅状电极组 中同相位的发射电极之间互连导通的方法，另辟新径来制作高密度栅状电
极传感器，使分辨率达到0. 001mm或以上。
本发明的技术问题通过以下的技术方案予以解决
一种栅状电极位移传感器，包括栅状的发射电极组和接收电极，栅状 发射电极组制作在发射电极基片上，还包括制作有栅状发射传输电极组和 引出电极组的柔性线路板，所述发射电极基片上栅状发射电极的数量，与 所述柔性线路板上栅状发射传输电极的数量是相同的;所述柔性线路板边 缘各发射传输电极的排列位置与发射电极基片边缘各发射电极的排列位 置是相同的，柔性线路板边缘上各条发射传输电极在发射电极基片的边缘 分别与各条发射电极一一对准搭接连通;所述柔性线路板上的引出电极与 栅状发射传输电极相交，每条引出电极与栅状发射传输电极中同相位的发 射传输电极都通过导通孔相连通，各条引出电极依次与栅状发射传输电极 中不同相位的发射传输电极连通。
另一种解决方案是
一种栅状电极位移传感器，包括栅状的发射电极组和接收电极，栅状
发射电极组制作在发射电极基片上，还包括制作有栅状发射传输电极组的
柔性线路板，制作有栅状传输电极组和引出电极组的线路板，所述发射电
极基片上栅状发射电极的数量，与所述柔性线路板上栅状发射传输电极的
数量是相同的，与所述线路板上栅状传输电极的数量也是相同的；所述柔
性线路板一侧边缘各发射传输电极的排列位置与发射电极基片边缘各发
射电极的排列位置是相同的，所述柔性线路板另一侧边缘各发射传输电极 的排列位置与所述线路板边缘各传输电极的排列位置是相同的;柔性线路
板一侧边缘上各条发射传输电极在发射电极基片的边缘分别与各条发射 电极一一对准搭接连通，柔性线路板另一侧边缘上各条发射传输电极在线
路板的边缘分别与各条传输电极一一对准搭接连通;所述线路板上的每条
引出电极与栅状传输电极中同相位的传输电极相连通，各条引出电极依次
与栅状传输电极中不同相位的传输电极连通。
本发明的技术问题通过以下的技术方案进一步予以解决 所述线路板上引出电极与传输电极的连通，是通过导通孔相连通。 所述线路板上引出电极与传输电极的连通，是通过超声压焊金属丝线
相连通。
所述发射电极基片上制作有直线形的栅状发射电极组，直线形栅状发 射电极组沿垂直于直线形发射电极的方向直线排列。
所述发射电极基片上制作有扇形的栅状发射电极组，扇形栅状发射电 极组排列成一个圆环形状，各发射电极以等角间距分布在圆环形状上。
所述接收电极是与发射电极组制作在同一基片上。
所述接收电极是与发射电极组制作在不同基片上。
所述柔性线路板边缘上各发射传输电极在发射电极基片的边缘分别 与各发射电极的搭接连通，是以由导电颗粒和粘接剂混合而成的异方导通 层将柔性线路板与发射电极基片相粘接，同时将各条发射传输电极分别与 各条发射电极一一连通。
所述柔性线路板边缘各发射传输电极的排列间距和发射电极基片边 缘各发射电极的排列间距是相同的等间距。
本发明与现有技术对比的有益效果是
本发明所提出的栅状电极位移传感器，避免了在发射电极所在的基片 上(如玻璃基片、陶瓷基片、硅基片)，让细密发射电极相互导通的困难， 将同相位发射电极引出到发射电极所在的基片外才相互连通，使得栅状发 射电极的细密度，不会因同相位发射电极连通点的制作而受到限制，从而
实现高密度栅状电极位移传感器，使分辨率达到0. OOlrnm或以上。
依本发明提出的栅状电极位移传感器的设计方案，就可以将成熟的液
晶显示器制作工艺技术和材料，移植到栅状电极位移传感器的制作上来， 迅速完成工业实现，让栅状电极位移传感器的制作产生一个突破。
本发明由于大大降低了高密度栅状电极位移传感器工艺制作的难度， 非常适于工业化生产，使成本大大下降。
图1是本发明具体实施方式
一的结构示意图； 图2是本发明具体实施方式
二的结构示意图； 图3是本发明具体实施方式
三的结构示意图； 图4是本发明具体实施方式
四的结构示意图； 图5是本发明具体实施方式
五的结构示意图。
具体实施例方式
随着半导体技术和平板显示器技术的发展，目前的光刻技术在玻璃基 片上、陶瓷基片上、硅基片上蚀刻细密栅状电极己是没有问题，问题是如
何将多条同相位的细密发射电极相互连通。本发明的技术方案是在发射 电极基片上蚀刻出栅状电极位移传感器的发射电极组，在柔性线路板上蚀 刻出栅状发射传输电极组，并且让发射电极基片上各发射电极尾端的排列 位置与柔性线路板栅状电极的排列位置是相同的，将柔性线路板各条发射 传输电极分别与发射电极基片上各条发射电极尾端一一对准，用异方导通 层将柔性线路板各条发射传输电极分别与各条发射电极一一连通。异方导 通层是由导电颗粒和粘接剂混合而成，在垂直于基片的方向具有电导通能 力，在平行于基片的方向不具导通能力，异方导通层内的粘接剂同时将柔 性线路板与基片相粘接。这样，基片上的各条发射电极通过异方导通层被 引出到柔性线路板上，我们不在发射电极基片上将多条同相位的发射电极 连通，而是在柔性线路板上、甚至是在柔性线路板外才将各条同相位的发
射电极相互连通，由此制成栅状电极位移传感器。
柔性线路板上将电极相互连通的导通孔技术非常成熟，也可利用非导
通孔的超声压焊等技术将电极相互连通。
必要时可在柔性线路板上或柔性线路板外将各条电极的间距展宽。 本发明的方法除了适于制作上述直线位移传感器，也适于制作角位移
传感器。
具体实施方式
一
如图1所示的容栅直线位移传感器100，包括具有栅状发射电极组111
和接收电极112的发射电极玻璃基片110、具有栅状耦合电极组121的耦 合电极玻璃基片120、具有多条发射传输电极的柔性线路板130。图l中 la是发射电极玻璃基片110、耦合电极玻璃基片120、柔性线路板130处 于分离时的状态，lb是发射电极玻璃基片110、柔性线路板130、耦合电 极玻璃基片120组合成位移传感器100时的状态。发射电极玻璃基片110 上的发射电极组111由N组每组8路栅状直线形电极组成，并沿垂直于直 线形发射电极的方向排列，各组内的相同位置的发射电极是同相位发射电 极。柔性线路板130用于连接各条发射电极和8路驱动鉴相式IC(也称驱 动IC) 150，柔性线路板130上有与栅状发射电极组111数量相同、且与 发射电极组111各电极尾端的间距相同的N组每组8路栅状发射传输电极 组131，和一组8路引出电极132; N组栅状发射传输电极组131的各组 内相同位置的电极是同相位发射传输电极，引出电极132与栅状发射传输 电极131相交，8路引出电极132中的每条电极与栅状发射传输电极组131 各组中的同相位发射传输电极通过导通孔相连通，8路引出电极132中的 各电极依次与栅状发射传输电极组131各组中的不同相位的发射传输电 极连通。在玻璃基片110上各条发射电极尾端处，贴附上由导电颗粒和半 固化态粘接剂混合成的异方导通膜140，将柔性线路板130上的发射传输 电极组131各条发射传输电极分别与玻璃基片IIO上发射电极组111的各 条发射电极尾端一一对准压接，异方导通膜140使得各条发射电极分别与 柔性线路板的各条发射传输电极一一连通;柔性线路板上同相位发射传输 电极又分别与一条引出电极相连通；这样，就使得玻璃基片110上的发射 电极组111中一种相位的发射电极相互连通，并从柔性线路板130上8 路引出电极132中的一条引出电极引出，N组每组8路发射电极组111中 8路的同相位发射电极分别从柔性线路板130上8路引出电极132的八条 引出电极引出连接驱动IC 150;接收电极112由一条引出电极113连接 驱动IC 150。耦合电极玻璃基片120上的耦合电极组121由N路栅状电 极组成，N条耦合电极栅沿直线排列，耦合电极组121中各耦合电极部 分与玻璃基片110上的发射电极重叠、部分与玻璃基片110上的接收电极 重叠。当耦合电极玻璃基片120在玻璃基片110上沿垂直于直线形发射电 极的方向移动时，玻璃基片110上接收电极112接收到的电信号的相位随 玻璃基片120的移动而变化，形成8路驱动鉴相式容栅直线位移传感器 100。
具体实施方式
二
如图2所示的容栅直线位移传感器200，包括具有栅状发射电极组211 和接收电极212的发射电极玻璃基片210、具有栅状耦合电极组221的耦 合电极玻璃基片220、具有多条发射传输电极的柔性线路板230、具有传 输电极和引出电极的线路板240。图2中2a是发射电极玻璃基片210、耦 合电极玻璃基片220、柔性线路板230、线路板240处于分离时的状态，2b 是发射电极玻璃基片210、柔性线路板230、线路板240、耦合电极玻璃 基片220组合成位移传感器200时的状态。发射电极玻璃基片210上的发 射电极组211由N组每组8路栅状直线形电极组成，并沿垂直于直线形发 射电极的方向排列，各组内的相同位置的发射电极是同相位发射电极。柔 性线路板230用于连接玻璃基片210发射电极组211和线路板240，柔性 线路板230上有与栅状发射电极组211数量相同、且与发射电极组211
各发射电极尾端的间距相同的N组每组8路栅状发射传输电极组231。线 路板240用于连接柔性线路板230上的栅状发射传输电极组231和8路驱 动鉴相式IC(也称驱动IC) 250，线路板240上有与柔性线路板230上的 栅状发射传输电极组231数量相同、且与发射传输电极231各电极尾端的 间距相同的N组每组8路栅状传输电极组241，和一组8路引出电极242; N组栅状传输电极组241的各组内相同位置的电极是同相位传输电极，引 出电极242与栅状传输电极241相交，8路引出电极242中的一条电极与 栅状传输电极组241各组中的同相位传输电极通过导通孔相连通，8路引 出电极242中的各电极依次与栅状传输电极组241各组中的不同相位的传 输电极连通。在玻璃基片210上各条发射电极尾端处，贴附上由导电颗粒 和半固化态粘接剂混合成的异方导通膜260，将柔性线路板230上的发射 传输电极组231各条发射传输电极分别与玻璃基片210上发射电极组211 的各条发射电极尾端一一对准压接，异方导通膜260使得各条发射电极分 别与柔性线路板230的各条发射传输电极一一连通；将柔性线路板230 上的发射传输电极组231各条电极尾端分别与线路板240上的传输电极组 241各条电极一一对准，并焊接连通；线路板240上同相位传输电极又分 别与一条引出电极相连通；这样，就使得玻璃基片210上的发射电极组 211中一种相位的发射电极相互连通，并从线路板240上8路引出电极242 中的一条引出电极引出，N组每组8路发射电极组211中8路的同相位发 射电极分别从线路板240上8路引出电极242的八条引出电极引出连接驱 动IC 250;接收电极212由一条引出电极213连接驱动IC 250。玻璃基 片220上的耦合电极组221由N路栅状电极组成，N条耦合电极栅沿直线 排列，耦合电极组221中各耦合电极部分与玻璃基片210上的发射电极重 叠、部分与玻璃基片210上的接收电极重叠。当耦合电极玻璃基片220 在玻璃基片210上沿垂直于直线形发射电极的方向移动时，玻璃基片210 上接收电极212接收到的电信号的相位随玻璃基片220的移动而变化，形
成8路驱动鉴相式容栅直线位移传感器200。
具体实施方式
三
如图3所示的容栅直线位移传感器300，包括具有栅状发射电极组311 和接收电极312的发射电极玻璃基片310、具有栅状耦合电极组321的耦 合电极玻璃基片320、具有多条发射传输电极的柔性线路板330、具有传 输电极和引出^极的线路板340。图3中3a是发射电极玻璃基片310、耦 合电极玻璃基片320、柔性线路板330、线路板340处于分离时的状态， 3b是发射电极玻璃基片310、柔性线路板330、线路板340、耦合电极玻 璃基片320组合成位移传感器300时的状态。发射电极玻璃基片310上的 发射电极组311由N组每组8路栅状直线形电极组成，并沿垂直于直线形 发射电极的方向排列，各组内的相同位置的发射电极是同相位发射电极。 柔性线路板330用于连接玻璃基片310发射电极组311和线路板340，柔 性线路板330上有与栅状发射电极组311数量相同、且与发射电极组311 各电极尾端的间距相同的N组每组8路栅状发射传输电极组331。线路板 340用于连接柔性线路板330上的栅状传输电极组331和8路驱动鉴相式 IC(也称驱动IC) 350，线路板340上有与柔性线路板330上的栅状发射 传输电极组331数量相同、且与发射传输电极组331各电极尾端的间距相 同的N组每组8路栅状传输电极组341，和一组8路引出电极342; N组 栅状传输电极组341的各组内相同位置的电极是同相位传输电极，引出电 极342位于栅状传输电极组341的前端、并不与栅状传输电极组341相交; 用超声压悍的方法，将8路引出电极342中的一条电极与栅状传输电极 341各组中的同相位传输电极用金属压焊丝线相连通，8路引出电极342 中的各电极依次与栅状传输电极组341各组中的不同相位的传输电极连 通。在发射电极玻璃基片310上各条发射电极尾端处，贴附上由导电颗粒 和半固化态粘接剂混合成的异方导通膜360，将柔性线路板330上的发射 传输电极组331各条发射传输电极分别与玻璃基片310上发射电极组311
的各条发射电极尾端一一对准压接，异方导通膜360使得各条发射电极分 别与柔性线路板330各条发射传输电极一一连通;将柔性线路板330上的 发射传输电极组331各条电极尾端分别与线路板340上的传输电极组341 各条电极一一对准，并焊接连通；线路板340上同相位传输电极又分别与 一条引出电极相连通；这样，就使得玻璃基片310上的发射电极组311 中一种相位的发射电极相互连通，并从线路板340上8路引出电极342 中的一条引出电极引出，N组每组8路发射电极组311中8路的同相位发 射电极分别从线路板340上8路引出电极342的八条引出电极引出连接驱 动IC 350;接收电极312由一条引出电极313连接驱动IC 350。耦合电 极玻璃基片320上的耦合电极组321由N路栅状电极组成，N条耦合电 极栅沿直线排列，耦合电极组321中各耦合电极部分与玻璃基片310上的 发射电极重叠、部分与玻璃基片310上的接收电极重叠。当耦合电极玻璃 基片320在玻璃基片310上沿垂直于直线形发射电极的方向移动时，玻璃 基片310上接收电极312接收到的电信号的相位随玻璃基片320的移动而 变化，形成8路驱动鉴相式容栅直线位移传感器300。
具体实施方式
四
如图4所示的容栅角位移传感器400，包括具有栅状发射电极组411 和接收电极412的发射电极玻璃基片410、具有栅状耦合电极组421的耦 合电极玻璃基片420、具有多条发射电极传输电极的柔性线路板430。图 4中4a是发射电极玻璃基片410、耦合电极玻璃基片420、柔性线路板430 处于分离时的状态，4b是发射电极玻璃基片410、柔性线路板430、耦合 电极玻璃基片420组合成位移传感器400时的状态。发射电极玻璃基片 410上的发射电极组411由N组每组8路栅状电极组成，8N条发射电极栅 排成一个整圆环，各组内的相同位置的发射电极是同相位发射电极。柔性 线路板430用于连接各条发射电极和8路驱动鉴相式IC(也称驱动IC) 450，柔性线路板430上有与栅状发射电极组411数量相同、且与发射电
极组411各电极尾端的间距相同的N组每组8路栅状发射传输电极组431 ， 和一组8路引出电极432; N组栅状发射传输电极组431的各组内相同位 置的电极是同相位传输电极，引出电极432与栅状发射传输电极组431 相交，8路引出电极432中的一条电极与栅状发射传输电极组431各组中 的同相位传输电极通过导通孔相连通，8路引出电极432中的各电极依次 与栅状发射传输电极组431各组中的不同相位的传输电极连通。在玻璃基 片410上各条发射电极尾端处，贴附上由导电颗粒和半固化态粘接剂混合 成的异方导通膜440，将柔性线路板430上的发射传输电极组431各条发 射传输电极分别与玻璃基片410上发射电极组411的各条发射电极尾端一 一对准压接，异方导通膜440使得各条发射电极分别与柔性线路板的各条 发射传输电极一一连通;柔性线路板上同相位发射传输电极又分别与一条 引出电极相连通；这样，就使得玻璃基片410上的发射电极组411中一种 相位的发射电极相互连通，并从柔性线路板430上8路引出电极432中的 一条引出电极引出，N组每组8路发射电极组411中8路的同相位发射电 极分别从柔性线路板430上8路引出电极432的八条引出电极引出连接驱 动IC 450;接收电极412由一条引出电极413连接驱动IC 450。玻璃基 片420上的耦合电极组421由N路栅状电极组成，N条耦合电极栅也排成 一个整圆环，环状耦合电极组421的圆心与环状发射电极组411的圆心相 重合，耦合电极组421中各耦合电极部分与玻璃基片410上的发射电极重 叠、部分与玻璃基片410上的接收电极重叠。当具有栅状耦合电极组421 的玻璃基片420在玻璃基片410上绕环状发射电极组411的圆心转动时， 玻璃基片410上接收电极412接收到的电信号的相位随玻璃基片420的转 动而变化，形成8路驱动鉴相式容栅角位移传感器400。
具体实施方式
五
如图5所示的容栅角位移传感器500，包括具有栅状发射电极组511 的发射电极玻璃基片510、具有梳状接收电极521的接收电极玻璃基片520、具有多条发射传输电极的柔性线路板530。图5中5a是发射电极玻 璃基片510、接收电极玻璃基片520、柔性线路板530处于分离时的状态， 5b是发射电极玻璃基片510、柔性线路板530、接收电极玻璃基片520组 合成位移传感器500时的状态。发射电极玻璃基片510上的发射电极组 511由N组每组8路栅状电极组成，8N条发射电极栅排成一个整圆环，各 组内的相同位置的发射电极是同相位发射电极。柔性线路板530用于连接 各条发射电极和8路驱动鉴相式IC(也称驱动IC) 550，柔性线路板530 上有与栅状发射电极组511数量相同、且与发射电极组511各电极尾端的 间距相同的N组每组8路栅状发射传输电极组531，和一组8路引出电极 532; N组栅状发射传输电极531的各组内相同位置的电极是同相位传输 电极，引出电极532与栅状发射传输电极组531相交，8路引出电极532 中的一条电极与栅状发射传输电极组531各组中的同相位传输电极通过 导通孔相连通，8路引出电极532中的各电极依次与栅状发射传输电极组 531各组中的不同相位的传输电极连通。在玻璃基片510上各条发射电极 尾端处，贴附上由导电颗粒和半固化态粘接剂混合成的异方导通膜540， 将柔性线路板530上的发射传输电极组531各条发射传输电极分别与玻璃 基片510上发射电极组511的各条发射电极尾端一一对准压接，异方导通 膜540使得各条发射电极分别与柔性线路板的各条发射传输电极一一连 通；柔性线路板上同相位发射传输电极又分别与一条引出电极相连通；这 样，就使得玻璃基片510上的发射电极组511中一种相位的发射电极相互 连通，并从柔性线路板530上8路引出电极532中的一条引出电极引出， N组每组8路发射电极组511中8路的同相位发射电极分别从柔性线路板 530上8路引出电极532的八条引出电极引出连接驱动IC 550。玻璃基片 520上的接收电极521由N路梳状电极组成，N条接收电极栅也排成一个 整圆环，环状接收电极521的圆心与环状发射电极组511的圆心相重合， 接收电极521中各耦合电极与玻璃基片510上的发射电极重叠，接收电极521由一条引出电极522连接驱动IC 550。当具有梳状接收电极521的玻 璃基片520在玻璃基片510上绕环状发射电极组511的圆心转动时，玻璃 基片510上接收电极521接收到的电信号的相位随玻璃基片520的转动而 变化，形成8路驱动鉴相式容栅角位移传感器500。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说 明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术 领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若 干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。
权利要求
1、一种栅状电极位移传感器，包括栅状的发射电极组和接收电极，栅状发射电极组制作在发射电极基片上，其特征在于还包括制作有栅状发射传输电极组和引出电极组的柔性线路板，所述发射电极基片上栅状发射电极的数量，与所述柔性线路板上栅状发射传输电极的数量是相同的；所述柔性线路板边缘各发射传输电极的排列位置与发射电极基片边缘各发射电极的排列位置是相同的，柔性线路板边缘上各条发射传输电极在发射电极基片的边缘分别与各条发射电极一一对准搭接连通；所述柔性线路板上的引出电极与栅状发射传输电极相交，每条引出电极与栅状发射传输电极中同相位的发射传输电极都通过导通孔相连通，各条引出电极依次与栅状发射传输电极中不同相位的发射传输电极连通。
2、 一种栅状电极位移传感器，包括栅状的发射电极组和接收电极， 栅状发射电极组制作在发射电极基片上，其特征在于还包括制作有栅状发射传输电极组的柔性线路板，制作有栅状传输电 极组和引出电极组的线路板，所述发射电极基片上栅状发射电极的数量， 与所述柔性线路板上栅状发射传输电极的数量是相同的，与所述线路板上 栅状传输电极的数量也是相同的;所述柔性线路板一侧边缘各发射传输电 极的排列位置与发射电极基片边缘各发射电极的排列位置是相同的，所述 柔性线路板另一侧边缘各发射传输电极的排列位置与所述线路板边缘各 传输电极的排列位置是相同的;柔性线路板一侧边缘上各条发射传输电极 在发射电极基片的边缘分别与各条发射电极一一对准搭接连通，柔性线路 板另一侧边缘上各条发射传输电极在线路板的边缘分别与各条传输电极 一一对准搭接连通;所述线路板上的每条引出电极与栅状传输电极中同相 位的传输电极相连通，各条引出电极依次与栅状传输电极中不同相位的传 输电极连通。
3、 根据权利要求2所述的栅状电极位移传感器，其特征在于所述线路板上引出电极与传输电极的连通，是通过导通孔相连通的。
4、 根据权利要求2所述的栅状电极位移传感器，其特征在于所述线路板上引出电极与传输电极的连通，是通过超声压焊金属丝线 相连通的。
5、 根据权利要求1或2所述的栅状电极位移传感器，其特征在于 所述发射电极基片上的栅状发射电极组是直线形栅状发射电极组，直线形栅状发射电极组沿垂直于直线形发射电极的方向直线排列。
6、 根据权利要求1或2所述的栅状电极位移传感器，其特征在于 所述发射电极基片上的栅状发射电极组是扇形栅状发射电极组，扇形栅状发射电极组排列成一个圆环形状，各发射电极以等角间距分布在圆环 形状上。
7、 根据权利要求1或2所述的栅状电极位移传感器，其特征在于所述接收电极是与发射电极组制作在同一基片上。
8、 根据权利要求1或2所述的栅状电极位移传感器，其特征在于所述接收电极是与发射电极组制作在不同基片上。
9、 根据权利要求1或2所述的栅状电极位移传感器，其特征在于 所述柔性线路板边缘上各条发射传输电极在发射电极基片的边缘分别与各条发射电极一一对准搭接连通，是以由导电颗粒和粘接剂混合而成 的异方导通层将柔性线路板与发射电极基片相粘接，同时将各条发射传输 电极分别与各条发射电极一一连通。
10、 根据权利要求1或2所述的栅状电极位移传感器，其特征在于 所述柔性线路板边缘各发射传输电极的排列间距和发射电极基片边缘各发射电极的排列间距是相同的等间距。
全文摘要
本发明公开了一种栅状电极位移传感器，包括栅状的发射电极组和接收电极，还包括制作有栅状发射传输电极组和引出电极组的柔性线路板，栅状发射电极组制作在发射电极基片上，用异方导通层将柔性线路板上各条发射传输电极分别与发射电极基片上各条发射电极一一搭接连通，在柔性线路板上、甚至是在柔性线路板外将各条同相位的发射电极相互连通，制成栅状电极位移传感器。本发明避免了让细密的发射电极在发射电极基片上相互导通的制作困难，使得栅状发射电极的细密度，不会因同相位发射电极连通点的制作极限而受到限制，从而实现高密度栅状电极位移传感器，使分辨率达到0.001mm或以上。
文档编号G01B7/02GK101354231SQ200710128999
公开日2009年1月28日 申请日期2007年7月28日 优先权日2007年7月28日
发明者陈其良 申请人:深圳市联思精密机器有限公司