用于微电子等离子体处理工具的高性能微型射频传感器的制作方法

专利名称：用于微电子等离子体处理工具的高性能微型射频传感器的制作方法
用于微电子等离子体处理工具的高性能微型射频传感器相关申请案的交叉参者参考2006年3月20日申请的第60/783,894号申请案以及2007年3月19日申请的 题为"用于微电子等离子体处理工具的高性能微型射频传感器(HIGH PERFORMANCE MINIATURE RF SENSOR FOR USE IN MICROELECTRONICS PLASMA PROCESSING TOOLS)"的第(待定)号美国申请案，并根据35U.S.C. §119主张所述申请案的优先权， 以上申请案的全部内容均以引用的方式并入本文中。 技术领域无背景技术RF传感器(也就是说，测量由高功率RF电源供应到微电子处理工具的等离子体处 理腔室的RF电流和电压的装置)的值是良好确立的。许多专利(例如第6,501,285号美 国专利)己提供传感器和相关联信号处理电子元件两者的设计和应用。然而，这些发明 中的每一者都着重于使此类系统的电磁性能达到最大。几乎所有RF传感器应用都涉及将传感器改型到并非原始设计以容纳所述装置的现有处理腔室的事实在很大程度上被 忽视。由于此性能重点，在不对处理工具和/或RF传感器进行广泛和不合意修改的情况 下，现有RF传感器太大而不能适合于大多数应用。如图1描绘的典型RF传感器10包括一条短同轴传输线、经屏蔽拾波器以及无源或 有源滤波电路。RF传感器10本身以如下方式形成同轴传输线。首先，传感器壳或盒14 形成外部导体和用于拾波器的屏蔽。由镀银铜或其它类似材料制成的恒定直径实心杆形 成中心导体18。由硅、石英、碳化硅和/或氧化铝以及其它材料组成的介电材料22用于 维持中心导体18与地平面之间的预定几何关系。电容性电压拾波器26和电感性电流拾 波器30放置在介电材料22内。堵头连接34将引线从这些拾波器26、 30穿过外部导体 馈送到相应的滤波器电路38以及可能的额外信号处理电路。接着将经修改的信号发送 到额外单元(未图示)用于数字化。典型RF传感器的上述配置具有显著的性能优点。首先通过形成如图l所示的长度 的传输线，RF传感器确保无论周围几何形状如何，拾波器都暴露于均匀的电磁场。因 此，拾波器具有与其应用无关的作为电流和电压的函数的恒定增益。其次通过形成经屏蔽封闭体，RF传感器确保拾波器仅对由于中心导体上的电流以及中心导体与外部导体 之间的电位差引起的场敏感，且对外来场不敏感。最后，传感器配置容易适应于标准 RF连接器，且因此允许在测试台上进行校准。由于传感器的设计，此校准保持与应用 无关。标准电感性电流拾波器和电容性电压拾波器具有随RF频率增加而增加的增益，如 图2中所描绘的曲线42图形说明。此说明的特征具有使必须通过RF传感器电子元件准 确数字化的信号量值的动态范围增加的缺点。最简单的用以校正渐增增益的已知方式是 在传感器中并入有源或无源滤波(如图1所示)，进而产生较平坦的频率响应，如根据 图2的曲线46描绘。在传感器中并入滤波避免了拾波器与滤波器之间的传输线长度的 复杂性。由于传输线效应，电路的总增益可以不可预期的方式随频率变化。滤波电路还可用于使来自拾波器的信号达到最大，从而允许使拾波器的尺寸减到最 小。最小的尺寸对于使导致串扰的杂散阻抗减到最小来说是重要的。更具体地说，电容 性拾波器中的任何电感导致影响电压信号的电流水平，且电感性拾波器上的任何电容导 致影响电流信号的电压水平。最后，如典型RF传感器中所作，并入信号处理具有另外性能优点。拾波器所产生 的电压的数量级低于在等离子体工具中发现的水平。传感器中的信号处理(例如混合为 中频(IF)或甚至完全数字化)显著减小了来自拾波器的信号在其量化之前被破坏的风 险。标准RF传感器非常容易使用标准RF连接器配合到标准传输线。然而，此选择如 果有的话也是很少可用的。事实上，RF传感器必须改型到等离子体处理工具中的现有 RF功率路径。此路径通常由具有变化尺寸的中心导体、空气介电质和非明确界定的地 平面组成。在这些条件中安装RF传感器要求对现有功率路径进行修改。除了需要大量 努力和专用零件以外，这些修改可导致对功率路径的电磁特性造成不可接受的改变。又一难题由传感器装置的物理尺寸引起；其中此类装置通常由立方体盒状配置界 定，其中所述配置的每一侧的长度和宽度都是几英寸。在许多情况下，用于安装的空间 几乎不可用。这导致两个不合意的解决方案中的一者。第一，需要例如以间隔件、额外 导体和定制配合件的形式进行广泛修改。这些广泛修改的安装是高成本且耗时的，而且 还可能改变工具性能。或者，并非将RF传感器安装在其可最有效监视过程的接近等离 子体腔室的地方，而是将传感器放置在较宽敞但较远的位置中，在该处其性能受损。结果，典型的RF传感器具有针对性能而折衷的可使用性。标准设计容易进行校准 且确保处理腔室上的读数与在测试台上获得的读数相同。此性能的实现以对处理腔室的电或功率路径的显著修改为代价。此修改是高成本且耗时的，且可显著折衷工具的电磁 特性并影响处理性能。实现低性能微型RF传感器是相对简单的。只要将电容器和电感器放置在中心导体 附近，就将产生与电压和电流大致成比例的信号。然而，挑战在于保持微型RF传感器 中的高性能。为了获得高性能，此项技术的实践者必须成功维持微型传感器封装内的增 益、方向性和隔离。迄今，申请人还不知道实现这些目标的微型RF传感器封装。发明内容因此，根据第一方面，提供一种用于测量由高功率RF电源供应到微电子处理工具 的等离子体处理腔室的RF电流和电压的微型RF传感器，所述组合件包括传感器头且 包含作为形成外壳的盒装结构的一个侧面而形成的导体，所述结构包含电流拾波器和电 压拾波器，所述拾波器中的每一者相对于彼此和所述导体而堆叠。在一种型式中，在印刷电路板构造中提供电流和电压拾波器，其中电压拾波器由相 对于所述导体设置成间隔关系的栅格或网元件形成，其中所述导体可以是等离子体工具 的条形导体。PCB构造、四分之一波形变换滤波器、堆叠拾波器、三轴屏蔽和集肤效应 滤波，每一特征均导致高性能微型RF传感器。所提议的设计满足改型和电磁性能目标 两者。


为了进一步理解本文描述的申请案的这些目标，将参考以下结合附图阅读的具体实施方式
，在附图中图1描绘现有技术RF传感器；图2是包含滤波效应的拾波器增益变化与渐增RF频率的已知图形描绘；图3 (a)和3 (b)分别描绘根据实施例的微型RF传感器的五面盒构造的俯视和中段平面截面图；图4 (a)和4 (b)分别描绘经定向的电场屏蔽件和电压拾波器的俯视图和正视图； 图5 (a)和5 (b)分别描绘根据实施例的RF传感器的内置电感器的俯视图和中段平面截面图； '图6 (a)和6 (b)分别描绘图3的五面盒到图5部分展示的PCB组合件的俯视图 和侧视图图7描绘包含集肤效应屏蔽件和顶部屏蔽件的RF传感器的中段平面图；图8 (a)和8 (b)分别描绘单个顶部屏蔽件和平衡顶部屏蔽件的替代实施例；图9描绘用于微型RF传感器的三轴电缆配置；以及 图IO描绘附接到图9的传感器头的可变阻抗终端设计。
具体实施方式
本文关于经改进的微型RF传感器组合件描述许多特征。所得的设计是满足改型和 电磁性能目标两者的高性能微型RF传感器。本文为了清楚起见首先陈述本文界定的RF传感器的许多目标/要求1. 与应用无关的恒定增益RF传感器的电压和电流增益定义为每一转换器的作为测量点处的实际电压和电流 水平的函数的输出水平。对于可使用的RF传感器的关键要求在于传感器的增益相同而 与传感器的应用无关，且具体地说是增益对RF电路径几何形状的变化不敏感。以此方 式，在测试台上获得的校准值可用于将传感器输出转换为工程单位而与应用无关。2. 与RF频率无关的恒定增益等离子体处理工具采用RF电源，其在从几百千赫到接近100 MHz的范围的频率上 操作。标准拾波器在电感性电流拾波器与电容性电压拾波器之间使用法拉第耦合。这些 传感器的所得增益与频率成正比，如先前关于图2论述。如果未经校正，那么此效应导 致处于低频率的不可测量的弱信号和处于高频率的破坏性强信号，如曲线46所示。3. 高方向性方向性是指有向的信号流动，具体地说是高功率RF电压到电压拾波器以及高功率 RF电流到电流拾波器的有向流动。如先前上文所述，没有任何结构是完全电感性或电 容性的。因此，电压拾波器上的信号的某部分将归因于实际电流水平，且电流拾波器上 的信号的某部分将归因于电压。高方向性意味着使此串扰减到最小。4. 高隔离隔离是指信号路径之间的分离。在RF传感器应用中，隔离是指RF拾波器对除待 测量的场以外的场的不敏感性。等离子体处理腔室中的RF电路径可能通常较为复杂， 其中导体有时本身对折。在此情况下，关键的是使拾波器仅对测量点处RF电路径的电 条件敏感，且对任何其它点处的电条件不敏感或与其隔离。5. 最小负载负载在所吸收功率或阻抗改变的方面描述电路对包含其的电网络的影响。在RF传 感器的情况下，负载是指由于添加传感器而产生的RF电路径改变。等离子体处理工具 经精确校准以产生根据设定(例如，发电机功率和处理时间)而变的所需输出。如果RF传感器"负载"RF电路径，那么相同的设定不会导致相同的等离子体条件且处理输 出改变。显然，必须使RF传感器的负载效应减到最小。参看图3 (a)和3 (b)，展示根据本发明实施例制成的微型RF传感器组合件50。 通常，绝大部分等离子体处理工具使用平坦的平面RF条形功率导体。通常，此条形功 率导体具有大约0.6"或0.75"的宽度尺寸。如先前所述，大多数现有的RF传感器设计利 用立方体外壳。图3 (a)和(b)所示的本文描述的组合件50提供五面传感器封闭件 56，其进一步利用等离子体处理工具的现有平坦功率导体条60作为封闭件的第6个壁， 进而创建与应用无关的恒定电磁环境。根据此实施例，五面封闭件56在y方向上比RF 导体60宽，如图3 (a)和4 (a)所示。结果是以下文描述的方式近似微条形传输线。 五面封闭件56充当具有侧壁的地平面，其中所述条在此处充当RF导体。本文描述的设 计已经分析和展示为在导体与地平面之间具有恒定的电场和磁场强度。更重要的是，场 强度是恒定的，而与条宽度无关，如图3 (b)所示，其中电场由线68描绘且磁通量线 由线74描绘。实际上，上述设计创建具有恒定EM性质的一段传输线，而没有对同轴 传输线的大小或修改要求。参看图4 (a)和4 (b)，通过相对于RF导体60堆叠电压和电流拾波器中的每一者 而在本文描述的RF传感器设计中实现关键空间节省。此外，通过由栅格或线元件制作 电压拾波器66， RF导体60的整个EM场不会被电压拾波器俘获，如图4(b)的部分 正视图中表示的磁通量线74所示。接着，图4(b)的电流拾波器78可被放置或定位在 电压拾波器66之上，且仍俘获磁场74。通过由松散间隔的线圈制作电流拾波器78，整 个EM场也不会由电流拾波器俘获。因此，电流拾波器78也可放置在电压拾波器66下 方，其中后者仍可俘获电场。更明确地说，本文针对电容性(电压)拾波器66描述水平筛网配置，如图4 (a) 和4 (b)中说明，所述拾波器66准许借助于经定向的电压拾波器实现方向性和微型化 两者。根据此设计，由铜或其它非磁性导体制成的网或其它元件形成的电压拾波器被定 向在平行于磁通量线74的方向上，其中电流70的方向展示为沿着x方向。由此，电容 性拾波器66有效地对磁通量透明。然而，拾波器66进一步充当相对于电场的屏蔽件， 如图4(b)所示。因此，单个元件执行两个功能充当电压拾波器；和充当用以阻断来 自电感性拾波器的电场的屏蔽件。如所述，呈松散线圈形式的电流拾波器78堆叠在电 压拾波器上方，如图4(b)所示，进而提供空间节省而且还改进方向性，因为较少电场 被传输到电感器，其有效杂散电容得以减小，其中传感器的经改进的方向性是衍生的益 处。尽管为了创建高性能微型RF传感器组合件的目的可以多种方式实现电压和电流拾 波器的堆叠，但一种优选技术是将整个转换器组合件制造在印刷电路板(PCB)上。为此，本文描述印刷电路板设计。首先参看图5 (a)和5 (b)，可借助于印刷电路 板构造，通过使用印刷电路板92的由盲通孔彼此接合的两个内部金属层84、 88来形成 电感性(电流)拾波器80。如先前所述，电流拾波器80设置在用于界定电容性(电压) 拾波器96的金属层上方，所述金属层在x方向上形成栅格，如此处所示。上述层中的 每一者以平行关系设置在导体60上方。此电感器设计具有的优点是最大程度利用可用 空间来使电流增益达到最大，以及允许将标准RF连接器108安装到靠近板92的中心线 处，如下文更详细描述。或者，代替电容性拾波器层，板92可包含内置电容性拾波器 和电场筛网，如先前描述。简要参看图3 (a)和3 (b)所示的五面传感器封闭件56，进一步提供额外的结构 目的。首先根据此实施例，盒56的顶部可并入有应变消除件和屏蔽结构110，用于附接 随后描述的三轴电缆140，如图6 (b)和9所示。另一结构要求涉及将五面封闭件56 附接到PCB组合件92。屏蔽和结构目标两者可通过设置在电路板92的外部周边周围的 多个通孔120来满足。如图6 (a)和6 (b)中说明，所述多个通孔120充当用于焊接 应变消除件和屏蔽结构110以及在电路板92的每一侧面周围延伸屏蔽的垫。电磁场穿透导体的深度根据传导性与频率两者而变。此效应可如图7所说明通过实 施集肤效应屏蔽件100来利用。在此实施例中，集肤效应屏蔽件100由印刷电路板92 的额外极薄金属层组成，所述金属层设置成最靠近导体60 (即，在电容性拾波器96下 方)且接地到所述多个屏蔽通孔120。此屏蔽件IOO用以充当低通滤波器，以便使转换 器频率响应平坦。更明确地说，在低频率下，金属层比集肤深度薄得多，且因此几乎不 会造成电磁场的衰减，且不会造成电压或电流拾波器增益的衰减。随着频率增加，金属 层变为近似于集肤深度，接着比集肤深度厚，从而产生随频率增加的衰减。最终结果是 经适当选择的底部层产生有效且非常紧凑的滤波器来有效地使转换器频率响应平坦。图 7进一步清楚说明最清楚的板构造，其中PCB的最底部层形成集肤效应屏蔽件100，电 容性拾波器96紧邻设置在集肤效应屏蔽层100上方，随后是形成内置电感性拾波器80 的两个层84、 88中的每一者，其中屏蔽通孔120围绕电路板92的周边。PCB 92的最顶 部层进一步包含通过常规构件附接到其的一对标准RF连接器108，其每一者通过端子 连接到电感性和电压拾波器80、 96。如先前所述，本文描述的传感器组合件50形成传感器头，其经由标准RF连接器 108连接到电缆。连接器108和电缆两者均可充当拾波器且因此损害传感器组合件50的方向性。根据此实施例，在图8 (a)中说明单个顶部屏蔽件112，此处提供此屏蔽件以 抵消上述效应。根据此实施例，在电路板92的整个顶部层上使用金属涂覆，除了RF连 接器108的正端子以外。此金属层接地且进而阻挡任何场耦合到设置在顶部屏蔽层上方 的连接器或电缆。此层112进一步用作用于图9的应变消除件和屏蔽结构110的焊接点。此设计的替代实施例在图8 (b)中描绘，且涉及平衡顶部屏蔽件130。额外接地屏 蔽的使用以给RF电路径增加负载为代价来显著改进隔离和方向性。通过使用接地屏蔽 件，传感器头具有较多阻抗，且因此充当对RF电路径的较多负载。平衡顶部屏蔽件130 使隔离达到最大，同时使负载效应减到最小。在此后者替代方法中，不使用五面封闭件， 因为传感器头没有外部接地。而是，电路板92的顶部由具有大致相等面积的两个分离 的金属化件134、 138覆盖。所述金属化件中的一者134连接到电压拾波器66的正端子， 另一金属化件138接地且连接到屏蔽通孔120。在此配置中，外部电场将对金属化件134、 138中的每一者相等地充电。由于电压产生于电荷差，所以此屏蔽将对电容性拾波器没 有影响，且因此电压增益将与RF路径外部的电场、隔离的界定无关。此方法将在RF 电路径上导致比使用接地屏蔽件小的负载。由于允许平衡屏蔽件积累电荷，所以其不充 当相对于RF电路径的电容器。参看图9，相对于导体条60以及应变消除件和屏蔽结构110展示五面封闭件56， 其中封闭件的顶部包含开口 57，所述开口 57准许将应变消除件和屏蔽结构安装到电路 板92的屏蔽通孔120。已知一旦同轴电缆延伸超出显著的电长度，那么其在电场和感应 方向性存在下也可充当拾波器。因此，图9中还说明的三轴电缆140消除了此问题，同 时还满足环境要求。仍参看图9，根据此实施例的三轴电缆140包含结构外部同轴接地屏蔽件，其包含 覆盖外部织网144的外护层142。此处在同轴导体152与外部织网144之间提供介电层 156，其中三轴电缆封入一对同轴电缆148、 150而不是如在此类型的典型电缆的情况下 仅封入单个电缆，每一同轴电缆设置在由同轴导体152围绕的电缆的中心内。在此设计 中，同轴导体152和介电材料层156的典型布置被颠倒。也就是说，在典型的三轴电缆 中，介电层存在于内部同轴导体与外部同轴导体之间。因为本发明RF传感器安装在高 电压环境中，所以传感器必须由足够材料隔离以防止短接到任何高电压表面。为了满足 此目的，如图示将介电层156设置在外部同轴导体的外部上。此外，可通过利用传输线效应而用传感器头中的最少电路来实现使图2所示的拾波 器增益频率响应平坦的目标。为了使拾波器增益响应平坦，需要可变阻抗终端。如果电容性拾波器96在低频率下以高阻抗端接且在高频率下以低阻抗端接，那么结果将是终端阻抗上的恒定电压降， 且大致上说是恒定增益。对于电感性拾波器80,需要分流器以便在低频率下发送最大电 流且在高频率下发送最小电流。这是通过将可变阻抗终端与到接地的分路电阻组合来实 现的。在低频率下，低阻抗终端导致大部分电流流动到终端，而在高频率下，高阻抗意 味着非常少的电流流动到终端。通常，此阻抗效应通过转换器头中的滤波器电路以及对 从转换器头到终端的传输线效应的额外补偿来实现。此处，方法是利用传输线效应以便实现所需的阻抗分布，如图IO说明。通过用类 似于图9所示的三轴电缆140 (其电长度在RF传感器的最大操作频率下是1/4波长)将 阻抗终端174连接到传感器头56，实现所需的阻抗变化。在低频率下，电缆168的电长 度实际上为零，且拾波器所见的阻抗是终端的阻抗。然而，在最大频率下，传输线效应 颠倒拾波器所见的阻抗。对于电压拾波器96，高阻抗终端在高频率下充当低阻抗终端， 而电流的低阻抗终端在高频率下充当高阻抗终端。变换器允许实现所需终端阻抗，同时维持RF连接器处的匹配终端。低到高阻抗变 换器184用于电压信号，而高到低变换器188用于电流信号。在RF和微波电路中使用 变换器是经良好确立的。然而，这些已知使用的普遍目标是匹配负载，而在这种情况下 的目标是有意地不匹配负载。图1到10的零件列表10RF传感器14传感器壳18中心导体22介电材料26电容性(电压)拾波器30电流拾波器34堵头连接38滤波器电路42曲线46曲线50传感器组合件56封闭件57开口60导体66电容性拾波器68电场线70电流方向74磁通量线78电流拾波器80电流拾波器84金属层88金属层92电路板96电容性拾波器100集肤屏蔽层108RF连接器110应变消除件和屏蔽112顶部屏蔽件120屏蔽通孔130平衡顶部屏蔽件134金属化件138金属化件140三轴电缆142外护层144外部织网148同轴电缆150同轴电缆152同轴导体156介电材料层174阻抗终端184变换器188变换器尽管己参考如图中所说明的优选模式而明确展示和描述了本发明，但所属领域的技 术人员将了解，在不脱离本发明精神和范围的情况下可在其中实现细节上的各种改变。
权利要求
1.一种用于测量由高功率RF电源供应到微电子处理工具的等离子体处理腔室的RF电流和电压的微型RF传感器组合件，所述组合件包括传感器头；导体；电压拾波器；以及电流拾波器，所述电压拾波器和所述电流拾波器中的每一者设置在所述传感器头内，其中所述电压拾波器和所述电流拾波器中的每一者在所述传感器头内相对于所述导体堆叠在彼此之上。
2. 根据权利要求1所述的传感器组合件，其中所述电流拾波器和所述电压拾波器中的 至少一者设置在印刷电路板内。
3. 根据权利要求2所述的传感器组合件，其中所述电压拾波器和所述电流拾波器中的 每一者设置在所述印刷电路板中。
4. 根据权利要求2所述的传感器组合件，其中电流拾波器是由所述印刷电路板的两个 层形成的电感器，所述层通过盲通孔接合。
5. 根据权利要求2所述的传感器组合件，其中所述传感器头由多面封闭件界定，所述 导体由等离子体工具的条形导体形成，所述导体进一步形成所述封闭件的一侧面。
6. 根据权利要求5所述的传感器组合件，其中所述电路板设置在所述多面封闭件内， 所述电路板包含围绕其外部周边设置的多个屏蔽通孔。
7. 根据权利要求6所述的传感器组合件，其中所述印刷电路板包含用于使所述导体对 频率的响应平坦以便产生恒定增益的构件。
8. 根据权利要求7所述的传感器组合件，其中所述响应平坦构件包含设置在所述导体 附近的集肤效应屏蔽层，所述层是响应性的以充当低通滤波器。
9. 根据权利要求2所述的传感器组合件，其中所述电压拾波器包括所述印刷电路板的 金属层，其具有平行于来自所述导体的磁通量线的方向定向的栅格或网结构。
10. 根据权利要求2所述的传感器组合件，其中所述印刷电路板包含用于阻挡任何场耦 合到与所述传感器头连接的连接器和电缆的屏蔽件。
11. 根据权利要求10所述的传感器组合件，其中所述印刷电路板包含接地的金属顶部 层。
12. 根据权利要求2所述的传感器组合件，其包含连接到所述传感器头的三轴电缆，所述电缆容纳载运来自所述传感器的电压和电流信号的两个同轴电缆。
13. 根据权利要求12所述的传感器组合件，其中所述三轴电缆包含外部同轴导体以及 设置在所述外部同轴导体上方的介电层。
14. 根据权利要求13所述的传感器组合件，其包含阻抗终端，其中所述阻抗终端借助 三轴电缆连接到所述传感器头，所述三轴电缆的电长度在所述RF传感器的最大操 作频率下是1/4波长。
15. 根据权利要求14所述的传感器组合件，其中所述阻抗终端包含一对变换器，所述 变换器中的每一者用于来自所述传感器头的电压和电流拾波器信号，所述变换器用 于使每一所述信号的负载失配以提供隔离。
16. 根据权利要求15所述的传感器组合件，其中所述对变换器包含用于所述电压信号 的低到高阻抗变换器和用于所述电流信号的高到低阻抗变换器。
17. 根据权利要求12所述的传感器组合件，其中所述传感器头包含用于接纳所述电缆 的开口和附接到所述电路板的应变消除件。
18. 根据权利要求17所述的传感器组合件，其中所述应变消除件包含电屏蔽件。
19. 一种传感器组合件，其包括传感器头，其包含多面介电封闭件；导体，其被布置为所述传感器头的一个侧面，所述导体是等离子体处理工具的导 体条；电流拾波器；电压拾波器，所述电流拾波器和所述电压拾波器中的每一者布置在印刷电路板 内，且其中所述电压拾波器和所述电流拾波器布置在彼此上方和所述导体上方。
20. 根据权利要求19所述的传感器组合件，其中所述电流拾波器由所述板的一对平行 层界定，所述对平行层由盲通孔连接从而形成电感器。
21. 根据权利要求20所述的传感器组合件，其中所述电压拾波器是由网或栅格结构形 成的金属层，所述网或栅格结构定向在平行于由所述导体产生的EM场的方向上。
全文摘要
本发明提供一种高性能微型RF传感器，其维持微型封装中的增益、方向性和隔离。所述微型RF传感器包含设置在PCB构造中的经堆叠的电流和电压拾波器，所述传感器进一步包含四分之一波形变换滤波器、三轴屏蔽以及集肤效应滤波。
文档编号G01R27/26GK101405607SQ200780009895
公开日2009年4月8日 申请日期2007年3月20日 优先权日2006年3月20日
发明者克雷格·加文, 肯尼思·罗西斯, 迈克尔·邦纳 申请人:英富康公司