专利名称：一种用于锗晶体平面电阻率测量的固定装置的制作方法
技术领域：
本实用新型属于材料测试设备技术领域，特别涉及一种用于锗晶体平面电阻率测量的固定装置。
背景技术：
锗晶体电阻率的测试一般都有严格的温度要求，测试前需将晶体置于恒温环
境内进行恒定，待晶体温度在23。C (士0.5。C)时进行测试。
晶体的头部呈圆锥形，锥角随着实际的晶体拉制需要而变化，还经常有不对称的情况发生，并且晶体的尺寸也不固定，晶体的尾部也因为在拉制过程结束后，由于提断会粘连一部分液体，液体在晶体上凝固过程中，在重力的作用下，会在晶体尾部中心附近形成一个尖状突起，这样使晶体头部和尾部在测量电阻率时难以固定，用手把持会改变晶体温度而影响测试精度。发明内容
本实用新型的目的是提供一种用于锗晶体平面电阻率测量的固定装置。一种用于锗晶体平面电阻率测量的固定装置，其特征在于，导轨2固定在底座1上，轴承3安装在导轨2上，且沿导轨2滑动，底板4固定在轴承3上，设置4个立臂6，立臂6通过压环5固定在底板4上，立臂6在底板4上沿压环5旋转，每个立臂上端都有横臂7，横臂7自由移动，且由上盖8固定在立臂6上，横臂7的前端设置触头9，触头9通过紧固螺丝10固定在横臂7的前端，触头9带有倾角，触头9上固定胶皮垫，探针11沿底座1的竖直杆上下移动。所述触头9带有倾角为45。。所述触头9在触头9斜面与竖直向下方向呈15 90°角度内自由摆动。
本实用新型的有益效果为本实用新型可使晶体头尾可安全地固定住，提高测试精度，降低探针的损耗程度，适用于不同尺寸的锗晶体头尾的固定，可固定
直径大于10mm的任何锥角的晶体头尾，操作简单，方便实用，测试精度高，固
定后的晶体可随意移动、转动，便于测量。
图1是本实用新型测量装置的示意图中标号l-底座；2-导轨；3-轴承；4-底板；5-压环；6-立臂；7-横臂；8-上盖；9-触头；10-紧固螺丝；11-探针。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型作进一步说明， 一种用于锗晶体平面电阻率测量的固定装置，示意图如图l所示，导轨2通过螺丝固定在底座1上，轴承3安装在导轨2上，且沿导轨2滑动，底板4固定在轴承3上，设置4个立臂6，立臂6通过压环5固定在底板4上，立臂6在底板4上沿压环5旋转，每个立臂上端都有横臂7，横臂7自由移动，且由上盖8固定在立臂6上，横臂7的前端设置触头9,触头9通过紧固螺丝10固定在横臂7的前端，触头9带有倾角，倾角为45°，触头9在触头9斜面与竖直向下方向呈15 90。角度内自由摆动，触头9上固定胶皮垫，来达到紧固晶体的作用，探针ll在底座l的竖直杆上上下移动。
使用时，当固定晶体头部的时候，推动横臂使横臂处在合适的位置后固定，松开触头的紧固螺丝，让触头处于自由状态，将晶体头部向下，倒置放在触头的胶皮垫上，触头就会自动按照晶体头部锥角的角度来调整方向，使头部锥面与触头的胶皮垫紧密接触，便达到了固定晶体头部的目的。当固定晶体尾部的时候，让四个触头的胶皮垫平面都调到水平位置，固定，将晶体尾放在上表面即可。
权利要求1、一种用于锗晶体平面电阻率测量的固定装置，其特征在于，导轨(2)固定在底座(1)上，轴承(3)安装在导轨(2)上，且沿导轨(2)滑动，底板(4)固定在轴承(3)上，设置4个立臂(6)，立臂(6)通过压环(5)固定在底板(4)上，立臂(6)在底板(4)上沿压环(5)旋转，每个立臂上端都有横臂(7)，横臂(7)自由移动，且由上盖(8)固定在立臂(6)上，横臂(7)的前端设置触头(9)，触头(9)通过紧固螺丝(10)固定在横臂(7)的前端，触头(9)带有倾角，触头(9)上固定胶皮垫，探针(11)在底座(1)的竖直杆上上下移动。
2、 根据权利要求1所述的一种用于锗晶体平面电阻率测量的同定装置，其 特征在于，所述触头(9)带有倾角为45。。
3、 根据权利要求1或2所述的一种用于锗晶体平面电阻率测量的固定装置， 其特征在于，所述触头(9)在触头(9)斜面与竖直向下方向呈15 90°角度内 自由摆动。
专利摘要本实用新型公开了属于材料测试设备技术领域的一种用于锗晶体平面电阻率测量的固定装置。导轨固定在底座上，轴承安装在导轨上，且沿导轨滑动，底板固定在轴承上，设置4个立臂，立臂通过压环固定在底板上，立臂在底板上沿压环旋转，每个立臂上端都有横臂，横臂自由移动，且由上盖固定在立臂上，横臂的前端设置触头，触头带有倾角，触头上固定胶皮垫，探针在底座的竖直杆上上下移动。本实用新型可使晶体头尾可安全地固定住，提高测试精度，降低探针的损耗程度，适用于不同尺寸的锗晶体头尾的固定，可固定直径大于10mm的任何锥角的晶体头尾，操作简单，方便实用，测试精度高，固定后的晶体可随意移动、转动，便于测量。
文档编号G01R27/02GK201302593SQ200820124149
公开日2009年9月2日 申请日期2008年11月25日 优先权日2008年11月25日
发明者冯誉耀, 海 杨, 鹏 杨, 王学武 申请人:北京有色金属研究总院;北京国晶辉红外光学科技有限公司