电池保护板的mosfet通断检测电路的制作方法

文档序号:5931794阅读:685来源:国知局
专利名称:电池保护板的mosfet通断检测电路的制作方法
技术领域
电池保护板的MOSFET通断检测电路
技术领域
本实用新型涉及锂电池组测试技术领域,特别涉及一种电池保护板的MOSFET通断检测电路。
背景技术
所有锂电池组均由电芯及其BMS (全称BATTERY MANAGEMENT SYSTEM即电池管理系统)等组成,而BMS有正常工作状态和保护工作状态,其不同的工作状态都是基于BMS的充、放电MOSFET的导通和关断完成的。所以如何准确及时判断MOSFET的通断对于测试锂电池组的保护至关重要。MOSFET简称金氧半场效晶体管(英文全称Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,M0SFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。它用一块P型硅半导体材料作衬底,在其面上扩散了两个N型区,再在上面覆盖一层二氧化硅(SiO2)绝缘层,最后在N区上方用腐蚀的方法做成两个孔,用金属化的方法分别在绝缘层上及两个孔内做成三个电极G栅极、S源极及D漏极。现有技术中MOSFET管的通断判断一般是通过测试其导通电流或其MOSFET管的压降来达到目的。通过测试导通电流的方法需要在相关的回路中串入电流检测单元,这在实际的测试过程会很不方便,且操作步骤十分复杂,且在有些BMS电路中根本无法实行。通过MOSFET管的压降判断法也存在充、放电电流较大时,由于MOSFET自身的导通电阻会形成测试结果,使测试结果的压差较大,容易造成误判,且在检测BMS电路中过流保护时不宜使用。

发明内容为了克服现有技术存在的不足,本实用新型提供一种电池保护板的MOSFET通断检测电路,其是通过检测恒压恒流电路提供的微小电流来达到判断MOSFET通断的目的。本实用新型要解决的技术问题,一种电池保护板的MOSFET通断检测电路,包括恒压恒流电路、电池保护板PFT信号输出模块、充放电控制电路以及MCU,所述恒压恒流电路、 电池保护板PFT信号输出模块、充放电控制电路依次连接;所述恒压恒流电路与所述充放电控制电路连接;所述电池保护板PFT信号输出模块与所述MCU连接;所述充放电控制电路与所述MOSFET连接。进一步地,所述恒压恒流电路主要由LM317稳压块和电容组成,所述电容并联所述LM317稳压块,所述LM317稳压块与所述充放电控制电路连接。进一步地,所述电池保护板PFT信号输出模块为用于输出PFT信号的光I禹合器。本实用新型的优点在于本实用新型通过恒压恒流电路给充放电控制电路和电池保护板PFT信号输出模块供电,充放电控制电路分别在充、放电时将电流加载至相应的充放电MOSFET两端,而电池保护板PFT信号输出模块将MOSFET的通断转化为PFT信号输出给MCU,如果被测的MOSFET通,则PFT信号输出低电平,断,则PFT信号输出高电平,MCU再进行判断处理,从而实现电池保护板的MOSFET通断检测。本实用新型采用恒压恒流电路的微小电流测试MOSFET的通断,其性能可靠、稳定及不易受干扰。

图I是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式请参阅图I所示,本实用新型的电池保护板的MOSFET通断检测电路,包括恒压恒流电路I、电池保护板PFT信号输出模块2、充放电控制电路3以及MCU,所述恒压恒流电路
I、电池保护板PFT信号输出模块2、充放电控制电路3依次连接;所述恒压恒流电路I与所述充放电控制电路3连接;所述电池保护板PFT信号输出模块2与所述MCU连接;所述充放电控制电路3与所述MOSFET连接。其中,所述恒压恒流电路主要由LM317稳压块11和电容12组成,所述电容12并联所述LM317稳压块11,所述LM317稳压块11与所述充放电控制电路3连接。在本实施例中,所述电池保护板PFT信号输出模块2为用于输出PFT信号的光耦合器。本实用新型的具体测试流程如下本实用新型通过恒压恒流电路I设置一个电压在9V以内,电流限制在5mA以下的稳压恒流源供给充放电控制电路I (充放电控制电路主要由异或门电路、光耦、继电器等组成,该电路是本领域技术人员公知的电路,在此就不做详细描述)和电池保护板PFT信号输出模块2,充放电控制电路3分别在充、放电时将电流加载至相应的充放电MOSFET两端(其加载至MOSFET的D漏极和S源极),而电池保护板PFT信号输出模块2将MOSFET的通断转化为PFT信号输出给MCU,如果被测的MOSFET通,则PFT信号输出低电平;断,则PFT信号输出高电平,MCU接到电平后再进行判断处理,从而实现电池保护板的MOSFET通断检测。以上所述仅为本实用新型的较佳实施例,凡依本实用新型申请专利范围所做的均等变化与修饰,皆应属本实用新型的涵盖范围。
权利要求1.一种电池保护板的MOSFET通断检测电路,其特征在于包括恒压恒流电路、电池保护板PFT信号输出模块、充放电控制电路以及MCU,所述恒压恒流电路、电池保护板PFT信号输出模块、充放电控制电路依次连接;所述恒压恒流电路与所述充放电控制电路连接;所述电池保护板PFT信号输出模块与所述MCU连接;所述充放电控制电路与所述MOSFET连接。
2.根据权利要求I所述的电池保护板的MOSFET通断检测电路,其特征在于所述恒压恒流电路主要由LM317稳压块和电容组成,所述电容并联所述LM317稳压块,所述LM317稳压块与所述充放电控制电路连接。
3.根据权利要求I所述的电池保护板的MOSFET通断检测电路,其特征在于所述电池保护板PFT信号输出模块为用于输出PFT信号的光I禹合器。
专利摘要本实用新型提供了一种电池保护板的MOSFET通断检测电路,包括恒压恒流电路、电池保护板PFT信号输出模块、充放电控制电路以及MCU,所述恒压恒流电路、电池保护板PFT信号输出模块、充放电控制电路依次连接;所述恒压恒流电路与所述充放电控制电路连接;所述电池保护板PFT信号输出模块与所述MCU连接;所述充放电控制电路与所述MOSFET连接。本实用新型不但可以在各种不同的条件下都能准确判断MOSFET的通断,而且采用恒压恒流电路的微小电流测试MOSFET的通断,其性能可靠、稳定及不易受干扰。
文档编号G01R31/26GK202351388SQ20112048611
公开日2012年7月25日 申请日期2011年11月29日 优先权日2011年11月29日
发明者肖志云 申请人:福州开发区星云电子自动化有限公司
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1