专利名称：一种局部放电耦合器性能测量装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种测量耦合器性能的装置，尤其是涉及一种局部放电耦合器性能测量装置。
背景技术：
耦合器是整个局部放电监测系统的关键环节，所有后续处理都依赖于耦合器探测到的局部放电信号，这就要求耦合器能够准确、灵敏地探测到局部放电产生的超高频信号，并能够尽可能多地反应局部放电的信息，因此对耦合器性能的研究是整个局部放电系统的基础。很多文献中，都采用天线理论对耦合器的性能进行分析描述，根据耦合器的外形和尺寸，对应一种天线形式，利用对应天线的特性来表征耦合器的特性。然而用来测量局部 放电的耦合器，并不是一般意义上布置在无线空间里用来接收平面电磁波的天线，它布置在GIS外表面或者内部，距离局部放电源很近，在超高频段已不满足远场的要求，同时，耦合器周围的金属导体也会明显影响耦合器的接收性能。
发明内容本实用新型的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种测量精度高、操作简便的局部放电耦合器性能测量装置。本实用新型的目的可以通过以下技术方案来实现与现有技术相比，本实用新型射频输出端子输出信号的能量是已知并且恒定不变的，这就保证了各次实验的测量结果之间具有可比性。而且，只要保持实验条件不变，测量过程和结果是可重复的。另外，这种测量方法可以设定测量的频率范围，也就是说，可以通过调整设置，测量耦合器在各个关注的频率范围内的响应特性，从而可以对耦合器的性能和灵敏度进行全面的比较和分析。
图I为本实用新型的一种结构框图；图2为本实用新型的另一种结构框图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本实用新型进行详细说明。实施例I如图I所示，一种局部放电耦合器性能测量装置，包括射频输入端子I、射频输出端子5、滤波器2、检波器3、微处理器4和显示器6，射频输入端子I的一端连接待测耦合器
7,另一端依次连接滤波器2、检波器3、微处理器4和射频输出端子5的一端，射频输出端子
5的另一端连接待测耦合器7，显示器6与微处理器5连接。待测耦合器7为外置式耦合器或内置式耦合器。微处理器4发出一个能量恒定不变的信号，该信号通过射频输出端子5后传输到待测耦合器7，再通过射频输入端子I、滤波器2和检波器3将信号传输回微处理器4，微处理器4通过显示器6将输出信号和输入信号进行显示及对比，并计算待测耦合器7造成的损耗。损耗越小，则说明耦合器的性能越好。实施例2如图2所示，一种局部放电耦合器性能测量装置，包括射频输入端子I、射频输出端子5、滤波器2、检波器3、微处理器4、显示器6和信号发射装置8，信号发射器8连接射频输出端子5，待测耦合器7连接射频输入端子I。信号发射装置8为发射天线或导体。微处理器4发出的信号通过与射频输出端子5连接的信号发射器8发射，通过无线射频网络传输一定路径后，用待测耦合器7接收，并将接受到的信号传给射频输入端子1，从而通过滤波器2和检波器3再次传回微处理器4，测量耦合器性能的优劣。
权利要求1.一种局部放电耦合器性能测量装置，其特征在于，包括射频输入端、射频输出端、滤波器、检波器、微处理器和显示器，所述的滤波器依次连接检波器和微处理器，所述的显示器与微处理器连接，所述的滤波器上连接有射频输入端，所述的射频输入端连接待测耦合器，所述的微处理器上连接有射频输出端，所述的射频输出端连接待测耦合器或信号发射装置，所述的信号发射装置通过无线射频网络与待测耦合器连接。
2.根据权利要求I所述的一种局部放电耦合器性能测量装置，其特征在于，所述的信号发射装置为发射天线或导体。
3.根据权利要求I所述的一种局部放电耦合器性能测量装置，其特征在于，所述的待测耦合器为外置式耦合器或内置式耦合器。
专利摘要本实用新型涉及一种局部放电耦合器性能测量装置，包括射频输入端、射频输出端、滤波器、检波器、微处理器和显示器，所述的滤波器依次连接检波器和微处理器，所述的显示器与微处理器连接，所述的滤波器上连接有射频输入端，所述的射频输入端连接待测耦合器，所述的微处理器上连接有射频输出端，所述的射频输出端连接待测耦合器或信号发射装置，所述的信号发射装置通过无线射频网络与待测耦合器连接。与现有技术相比，本实用新型具有测量精度高、操作简便等优点。
文档编号G01R35/02GK202502240SQ201220116299
公开日2012年10月24日 申请日期2012年3月25日 优先权日2012年3月25日
发明者倪浩, 陈海波, 高凯 申请人:上海市电力公司, 华东电力试验研究院有限公司