专利名称：硅片缺陷检测装置的制作方法
技术领域：
娃片缺陷检测装置技术领域[0001]本实用新型涉及一种质量检测设备，尤其涉及一种硅片缺陷检测装置。
背景技术：
[0002]硅片可能存在材料本身的缺陷、结晶缺陷、碎片、材料污染等故障，这些故障在后继的制造过程或使用中，会使太阳电池的性能劣化，所以需要在前期予以检测。目前，太阳电池生产线上，硅片的缺陷检测手段大多是依靠人工目视的检测方法，漏检率和误差率非常高，影响了太阳电池生产的质量和进度。因此，无接触式的动态监测规模生产中硅片缺陷故障的状况，对各种缺陷故障问题进行统计分析，对尽可能早地鉴别缺陷类型及其可能的成因以便于能及时发现工艺或设备中的问题而避免更多的成品率损失显得非常必要。实用新型内容[0003]本实用新型的目的，就是为了提供一种硅片缺陷检测装置，以实现在生产线上对硅片进行动态检测。[0004]为了达到上述目的，本实用新型采用了以下技术方案:一种硅片缺陷检测装置，设置在生产线中硅片的路径上，包括硅片光致发光激发机构、红外成像机构和计算机；硅片光致发光激发机构设置在硅片的正下方激发硅片发光，红外成像机构设置在硅片的正上方检测硅片的发光信号并将其传输到计算机，计算机通过安装在其内的图像采集、图像处理及数据分析软件得出硅片的缺陷参数。[0005]所述的硅片光致发光激发机构包括激光器和光源电源，激光器设置在硅片的正下方，激光器将发出的光投射到硅片上激发硅片发光，光源电源与激光器相连向激光器提供电能并控制其发光强度。[0006]所述的红外成像机构前端设有滤光片。[0007]本实用新型的硅片缺陷检测装置通过激光器激发待测硅片产生特定波长的发光信号，通过红外成像机构和计算机检测并处理硅片发出的特定波长的发光信号，得到其可靠的缺陷参数数据。能方便快速地检测出硅片材料本身的缺陷、结晶缺陷、碎片、材料污染等缺陷，并且实现了无接触检测，具有结构简单、使用方便、缺陷参数检测可靠精确等优点和特点。
[0008]图1是本实用新型硅片缺陷检测装置的基本结构示意图。
具体实施方式
[0009]参见图1，本实用新型硅片缺陷检测装置，设置在生产线中硅片I的路径上，包括硅片光致发光激发机构2、红外成像机构5和计算机7。[0010]娃片光致发光激发机构2设置在娃片I的正下方激发娃片I发光，红外成像机构5设置在硅片的正上方检测硅片I的发光信号并将其传输到计算机7，计算机7通过安装在其内的图像采集、图像处理及数据分析软件得出硅片I的缺陷参数。激光器激发机构2包括激光器3和光源电源4,激光器3设置在娃片I的正下方，激光器3将发出的光投射到硅片I上激发硅片I发光，光源电源4与激光器3相连向激光器3提供电能并控制其发光强度。在红外成像机构5的前端设有滤光片6。在检测过程中，首先利用激光器发出的光激发待测硅片，激光器发光强度的大小通过对光源电源的控制来实现。由于硅片在被激发后会产生特定波长的发光信号，通过检测并处理硅片发出的特定波长的发光信号，从而得到其可靠的缺陷参数数据。
权利要求1.一种硅片缺陷检测装置，设置在生产线中硅片的路径上，其特征在于:包括硅片光致发光激发机构、红外成像机构和计算机；硅片光致发光激发机构设置在硅片的正下方激发硅片发光，红外成像机构设置在硅片的正上方检测硅片的发光信号并将其传输到计算机。
2.如权利要求1所述的硅片缺陷检测装置，其特征在于:所述的硅片光致发光激发机构包括激光器和光源电源，激光器设置在硅片的正下方，激光器将发出的光投射到硅片上激发娃片发光，光源电源与激光器相连向激光器提供电能并控制其发光强度。
3.如权利要求1所述的硅片缺陷检测装置，其特征在于:所述的红外成像机构前端设有滤光片。
专利摘要本实用新型提供了一种硅片缺陷检测装置，它包括硅片光致发光激发机构、红外成像机构和计算机；硅片光致发光激发机构设置在硅片的正下方激发硅片发光，红外成像机构设置在硅片的正上方检测硅片的发光信号并将其传输到计算机，计算机通过安装在其内的图像采集、图像处理及数据分析软件得出硅片的缺陷参数。本实用新型的硅片缺陷检测装置能方便快速地检测出硅片材料本身的缺陷、结晶缺陷、碎片、材料污染等缺陷，并且实现了无接触检测，具有结构简单、使用方便、缺陷参数检测可靠精确等优点和特点。
文档编号G01N21/88GK203011849SQ20122059696
公开日2013年6月19日 申请日期2012年11月13日 优先权日2012年11月13日
发明者肖颖婕, 刘小宇, 黄忆华, 张玮华, 谢均 申请人:上海太阳能工程技术研究中心有限公司