声表面波阵列传感器的制造方法
【专利摘要】本发明提供了通过消除声表面波（SAW）传感器之间的串扰而具有改善的灵敏度的声表面波阵列传感器。该SAW阵列传感器包括：输入叉指换能器（IDT）；第一和第二输出IDT，分别设置在输入IDT的两侧；第一延迟线，在输入IDT与第一输出IDT之间；以及第二延迟线，在输入IDT与第二输出IDT之间，其中第一延迟线和第二延迟线具有不同的长度。因此，由于产生在从输入IDT被一侧的输出IDT直接接收的信号与被与该侧输出IDT相对的输出IDT反射并被该侧输出IDT接收的信号之间的时间差异，所以可以最小化由反射波引起的串扰。
【专利说明】声表面波阵列传感器
【技术领域】
[0001]本公开涉及声表面波(SAW)阵列传感器，更具体地，涉及通过消除SAW传感器之间的串扰而具有改善的灵敏度的SAW阵列传感器。
【背景技术】
[0002]声表面波(SAW)传感器是通过利用SAW来分析样品中的特定目标材料的器件。SAff是沿材料的表面传播的声学波，其在材料中的颗粒由于外部热力、机械力或电力而振动时产生，并且其具有主要集中在材料的表面上的振动能。SAW在材料中的传播受到材料的性质影响。SAW传感器可以通过感测由材料的性质变化引起的SAW的变化(例如，SAW的强度、相位或中心波长的变化)来分析目标材料。
[0003]例如，SAW传感器可以包括:由压电材料形成的基板；输入叉指换能器(IDT)，通过施加电刺激到基板来产生SAW ；以及输出IDT，接收SAW。在SAW传感器中，在输入IDT与输出IDT之间的SAW在其中传播的部分通常称作延迟线。具有与期望的特定目标材料的特定结合的接收体可以设置在基板上的SAW在其上传播的路径上，例如在延迟线中。
[0004]当SAW在具有以上结构的SAW传感器中产生并且包括目标材料的样品流向SAW传感器时，目标材料与接收体结合，因此，从输出IDT接收的SAW的强度、相位或中心波长被改变。因此，通过感测SAW的变化，可以检测目标材料是否存在于样品中，并且目标材料在样品中的含量可以被精确地测量。
[0005]SAff阵列传感器可以通过在一个基板上布置多个SAW传感器来构造。通过利用SAW阵列传感器，各种类型的接收体可以设置在该基板上，从而一次分析样品的各个组分。SAW阵列传感器抑制由于在相邻延迟线中产生的反射波引起的串扰，同时，SAW阵列传感器的尺寸可以被减小。
【发明内容】
[0006]本发明提供了通过消除声表面波(SAW)传感器之间的串扰而具有改善的灵敏度的声表面波(SAW)阵列传感器。
[0007]额外的方面将在以下的描述中被部分地阐述，并将部分地从该描述而变得明显，或者可以通过实践给出的实施例而掌握。
[0008]根据本发明的一个方面，一种声表面波(SAW)阵列传感器包括:输入叉指换能器(IDT);第一和第二输出IDT，分别设置在输入IDT的两侧；第一延迟线，在输入IDT与第一输出IDT之间；以及第二延迟线，在输入IDT与第二输出IDT之间，其中第一延迟线和第二延迟线具有不同的长度。
[0009]输入IDT、第一和第二输出IDT以及第一和第二延迟线可以沿SAW的传播方向布置在相同的线上。
[0010]具有与样品中的目标材料的特定结合的接收体可以设置在第一和第二延迟线的每个上。[0011]SAW阵列传感器可以包括布置在一个压电基板上的多个SAW传感器单兀，多个SAW传感器单兀的每个可以包括输入IDT、第一和第二输出IDT以及第一和第二延迟线,输入IDT、第一和第二输出IDT以及第一和第二延迟线沿SAW的传播方向布置在相同的线上。
[0012]多个SAW传感器单兀可以沿垂直于SAW的传播方向的方向布置。
[0013]具有与样品中的目标材料的特定结合的接收体可以设置在多个SAW传感器单元的第一和第二延迟线的每个上。
[0014]相邻SAW传感器单元中第一延迟线的长度和第二延迟线的长度可以互换。
[0015]根据本发明的另一个方面，一种声表面波(SAW)阵列传感器包括:第一和第二输入叉指换能器(IDT)，彼此面对；第一输出IDT，邻近第一输入IDT的侧表面设置；第二输出IDT，邻近第二输入IDT的侧表面设置；第一延迟线，在第一输入IDT与第一输出IDT之间；以及第二延迟线，在第二输入IDT与第二输出IDT之间，其中第一和第二输入IDT构造为使得在第一输入IDT中产生的SAW和在第二输入IDT中产生的SAW具有在相位上的180度的相位差，从而在第一输入IDT中产生的SAW和在第二输入IDT中产生的SAW在第一输入IDT与第二输入IDT之间的位置抵消。
[0016]第一输入IDT和第二输入IDT可以彼此轴对称,具有相同极性的电压可以施加到设置在第一输入IDT和第二输入IDT的相同侧的电极。
[0017]第一输入IDT和第二输入IDT可以关于彼此旋转对称，具有不同极性的电压可以施加到设置在第一输入IDT和第二输入IDT的相同侧的电极。
[0018]第一延迟线和第二延迟线可以具有不同的长度。
[0019]具有与样品中的目标材料的特定结合的接收体可以设置在第一和第二延迟线的每个上。
[0020]输入IDT、第一和第二输出IDT以及第一和第二延迟线可以沿SAW的传播方向布置在相同的线上。
[0021]SAff阵列传感器可以包括布置在一个压电基板上的多个SAW传感器单兀，多个SAW传感器单元的每个可以包括输入IDT、第一和第二输出IDT以及第一和第二延迟线，它们沿SAff的传播方向布置在相同的线上。
[0022]多个SAW传感器单元可以沿垂直于SAW的传播方向的方向布置。
[0023]具有与样品中的目标材料的特定结合的接收体可以设置在多个SAW传感器单元的第一和第二延迟线的每个上。
[0024]第一延迟线和第二延迟线可以具有不同的长度。
[0025]第一和第二输入IDT之间的距离和第一和第二延迟线的长度可以彼此不同。
[0026]相邻SAW传感器单元中第一延迟线的长度和第二延迟线的长度可以互换。
【专利附图】
【附图说明】
[0027]从以下结合附图对实施例的描述，这些和/或其他的方面将变得明显并更易于理解，附图中:
[0028]图1是根据不例实施例的声表面波(SAW)阵列传感器的原理的不意平面图；
[0029]图2是示出当反射波不在相邻的延迟线中产生时到达输出叉指换能器(IDT)的信号的曲线图；[0030]图3是示出当两个延迟线的长度相同时在相邻延迟线中产生反射波时到达输出IDT的信号的曲线图；
[0031]图4是根据另一示例实施例的SAW阵列传感器的示意平面图；
[0032]图5是根据另一示例实施例的SAW阵列传感器的示意平面图；
[0033]图6A和图6B是图5所示的输入IDT的电极结构的示意平面图；
[0034]图7是用于检测图4所示的SAW阵列传感器的操作特性的布置的示意平面图；
[0035]图8是示出根据图7的布置的SAW阵列传感器的操作特性的曲线图；
[0036]图9是用于检测图5所示的SAW阵列传感器的操作特性的布置的示意平面图；以及
[0037]图10是示出根据图9的布置的SAW阵列传感器的操作特性的曲线图。
【具体实施方式】
[0038]现在将详细参照实施例，实施例的示例在附图中示出，其中相似的附图标记始终指代相似的元件。在这点上，本发明的实施例可以具有不同的形式，而不应被解释为限于这里阐述的描述。因而，以下通过参照附图仅描述了实施例，用于解释本说明书的方面。此外，在以下的层结构中的表述，诸如“在...上方”或“在...上”，可以包括元件或层被称为以接触的方式直接在另一元件或层上或者以非接触的方式在另一元件或层上方的情形。
[0039]图1是根据不例实施例的声表面波(SAW)阵列传感器的原理的不意平面图。
[0040]参照图1，根据当前实施例的SAW阵列传感器可以包括设置在压电基板10上的输入叉指换能器(IDT)ll、第一输出IDT12和第二输出IDT13。输入IDT11、第一输出IDT12和第二输出IDT13中的每个具有两个电极，其中多个突出的薄指部相互交叉在一起。当电压施加到输入IDTll的两个电极时，压电基板10由于电刺激而振动，因此产生SAW。以此方式产生的SAW的波长可以由输入IDTll的指部节距确定，SAff的波数可以与输入IDTll的指部数目成比例。在输入IDTll中产生的SAW沿压电基板10的表面在输入IDTll的两个方向上(也就是，输入IDTll的向右和向左方向)传播。
[0041]输入IDTll和第一输出IDT12之间的部分是第一延迟线14，SAW经过第一延迟线14到达第一输出IDT12。此外，输入IDTll和第二输出IDT13之间的部分是第二延迟线15，SAW经过第二延迟线15到达第二输出IDT13。因此，如图1所示，输入IDT11、第一和第二输出IDT12和13以及第一和第二延迟线14和15沿SAW的传播方向布置在相同的线上。具有与样品中目标材料的特定结合的接收体(未示出)可以设置在第一和第二延迟线14和15的每个上。
[0042]在SAW阵列传感器的以上结构中，当向输入IDTll的左边传播的SAW经过第一延迟线14时，SAW的强度、相位或中心波长根据将与设置在第一延迟线14上的接收体结合的目标材料的量而变化。类似地，当向输入IDTll的右边传播的SAW经过第二延迟线15时，SAff的强度、相位或中心波长根据将与设置在第二延迟线15上的接收体结合的目标材料的量而变化。因此，根据本实施例的SAW阵列传感器可以同时进行两个独立目标材料的分析，因此可以减小SAW阵列传感器的尺寸。
[0043]然而，由于输入IDT11、第一和第二输出IDT12和13以及第一和第二延迟线14和15沿SAW的传播方向布置在相同的线上，所以存在当向输入IDTll的右侧传播的SAW被第二输出IDT13反射然后到达第一输出IDT12时发生信号的串扰的可能性。类似地，存在当向IDTll的左侧传播的SAW被第一输出IDT12反射然后到达第二输出IDT13时发生信号的串扰的可能性。在两个相邻延迟线14和15中产生的反射波引起的串扰会妨碍精确的分析。
[0044]例如，到达第一输出IDT12的SAW可以包括直接来自输入IDTll的SAW、被第一输出IDT12反射然后被输入IDTll再次反射的SAW(在图1中由①表示，该SAW具体被称为三级活动目标回波(triple transient echo, TTE))、在第一输出IDT12和输入IDTll之间被反射三次或更多次的SAW、以及被第二输出IDT13反射的SAW (由图1中的②表示)。存在被第二输出IDT13反射然后到达第一输出IDT12的SAW会干扰TTE信号的较大可能性，特别是当第一延迟线14的长度dl和第二延迟线15的长度d2相同时。
[0045]图2是示出当反射波不在第二延迟线15中产生时到达第一输出IDT12的信号的曲线图。在图2的曲线图中，垂直轴表示以dB为单位示出的插入损耗(IL)，水平轴表示时间。参照图2的曲线图，第一峰由于直接来自输入IDTll的SAW而产生，第二峰由于被第一输出IDT12反射然后被输入IDTll再次反射的TTE信号而产生。由于TTE信号经过其上设置接收体的第一延迟线14三次直到TTE信号到达第一输出IDT12，所以在第二峰处的TTE信号的变化大于在第一峰处的SAW的变化，在第一峰处的SAW仅经过第一延迟线14 一次。在第三峰处(在该处的SAW经过第一延迟线14五次)的信号的变化大于第二峰处的TTE信号的变化，但是SAW的强度比TTE信号的强度小很多。由于这些原因，所以TTE信号用作分析样品中的目标材料的信号。
[0046]图3是示出当两个延迟线(也就是，第一和第二延迟线14和15)的长度相同时当反射波在第二延迟线15中产生时到达第一输出IDT12的信号的曲线图。SAW被第二输出IDT13反射然后到达第一输出IDT12的路径的长度几乎与TTE信号的相同。因此，如图3的曲线图所示，由②表示的被第二输出IDT13反射的SAW可以在与TTE信号被第一输出IDT12反射并到达第一输出IDT12的时间几乎相似的时间到达第一输出IDT12。因此，由第二输出IDT13反射的信号和TTE信号不能彼此区分，因此不能容易地进行精确的分析。
[0047]因此，为了消除或最小化本实施例中由第二输出IDT13反射的信号产生的串扰，第一延迟线14的长度dl和第二延迟线15的长度d2被设计为彼此不同。由于TTE信号在样品的分析中是重要的，所以被第二输出IDT13反射的信号足够早于或足够晚于TTE信号到达第一输出IDT12，或者被第一输出IDT12反射的信号足够早于或足够晚于TTE信号到达第二输出IDT13，从而识别TTE信号。
[0048]图4是根据另一示例实施例的SAW阵列传感器100的示意平面图。参照图4，SAff阵列传感器100可以包括布置在一个压电基板10上的多个SAW传感器单元110和120。尽管为了描述的方便在图4中示出两个SAW传感器单元110和120，但是可以布置三个或更多SAff传感器单元。多个SAW传感器单元110和120可以例如沿垂直于SAW的传播方向的方
向布置。
[0049]SAff传感器单元110和120的每个可以具有与图1所示的SAW阵列传感器相同的结构。例如，第一 SAW传感器单元110可以包括输入IDTl 11、设置在输入IDTlll两侧的第一和第二输出IDT112和113、在输入IDTlll与第一输出IDT112之间的第一延迟线114、以及在输入IDTlll与第二输出IDT113之间的第二延迟线115。这里，第一延迟线114的长度Dl和第二延迟线115的长度D2彼此不同。如上所述，输入IDT111、第一和第二输出IDT112和113、以及第一和第二延迟线114和115沿SAW的传播方向布置在相同的线上。此外，具有与样品中的目标材料的特定结合的接收体(未示出)可以设置在第一和第二延迟线114和115的每个上。
[0050]类似地，第二 SAW传感器单元120可以包括输入IDT121、分别设置在输入IDT121两侧的第一和第二输出IDT122和123、在输入IDT121与第一输出IDT122之间的第一延迟线124、以及在输入IDT121与第二输出IDT123之间的第二延迟线125。这里，第一延迟线124的长度D2和第二延迟线125的长度Dl彼此不同。
[0051]如图4所示，第一 SAW传感器单元110的第一和第二延迟线114和115的长度分别为Dl和D2，第二 SAW传感器单元120的第一和第二延迟线124和125的长度分别为D2和Dl。也就是，相邻的SAW传感器单元110和120的第一延迟线114和124的长度及第二延迟线115和125的长度可以互换。然而，这仅是示例，第一延迟线114和124的长度可以相同，第二延迟线115和125的长度可以相同。
[0052]图5是根据另一示例实施例的SAW阵列传感器200的示意平面图。参照图5，SAff阵列传感器200可以包括布置在一个压电基板10上的多个SAW传感器单元210和220。尽管为了说明的方便在图5中仅示出两个SAW传感器单元210和220，但是可以布置三个或更多SAW传感器单元。多个SAW传感器单元210和220可以例如沿垂直于SAW的传播方向的
方向布置。
[0053]SAW传感器单元210和220的每个可以包括两个输入IDT211、212、221和222以及两个输出IDT213、214、223和224。例如，第一 SAW传感器单元210可以包括彼此面对的第一和第二输入IDT211和212、邻近第一输入IDT211的侧表面设置的第一输出IDT213、邻近第二输入IDT212的侧表面设置的第二输出IDT214、在第一输入IDT211与第一输出IDT213之间的第一延迟线215、以及在第二输入IDT212与第二输出IDT214之间的第二延迟线216。这里，第一和第二输入IDT211和212、第一和第二输出IDT213和214、以及第一和第二延迟线215和216可以沿SAW的传播方向布置在相同的线上。类似地，第二 SAW传感器单元220可以包括彼此面对的第一和第二输入IDT221和222、邻近第一输入IDT221的侧表面设置的第一输出IDT223、邻近第二输入IDT222的侧表面设置的第二输出IDT224、在第一输入IDT221与第一输出IDT223之间的第一延迟线225、以及在第二输入IDT222与第二输出IDT224之间的第二延迟线226。
[0054]在本实施例中，两个输入IDT211和212设置在第一 SAW传感器单元210中，两个输入IDT221和222设置在第二 SAW传感器单元220中。例如，在第一 SAW传感器单元210中，在第一输入IDT211中产生、经过第一延迟线215并到达第一输出IDT213的SAW与在第一输入IDT211中产生、经过第二输入IDT212和第二延迟线216、被第二输出IDT214反射然后到达第一输出IDT213的SAW之间的串扰可能产生。此外，在第一输入IDT211中产生、经过第二输入IDT212和第二延迟线216并到达第二输出IDT214的SAW与在第二输入IDT212中产生并到达第二输出IDT214的SAW之间的串扰可能产生。
[0055]在本实施例中，为了防止这样的串扰，在第一输入IDT211中产生的SAW和在第二输入IDT212中产生的SAW可以在第一输入IDT211与第二输入IDT212之间的空间中抵消。例如，第一和第二输入IDT211和212可以配置为使得在第一输入IDT211中产生的SAW和在第二输入IDT212中产生的SAW可以具有约180度的相位差。然后，在第一和第二输入IDT211和212中产生的SAW可以在第一和第二输入IDT211和212之间的空间中抵消，并可以在SAW被传输到第一和第二输出IDT213和214之前被消除。因而，在第一输入IDT211中产生的SAW可以仅到达第一输出IDT213，在第二输入IDT212中产生的SAW可以仅到达第二输出IDT214。第一输入IDT211和第二输入IDT212可以同时开启/关闭使得在两个输入IDT211和212中产生的SAW可以被正好抵消。
[0056]在输入IDT211和212中产生的SAW的相位可以由输入IDT211和212的指部的布置和施加电压的极性确定。例如，参照图6A，第一输入IDT211和第二输入IDT212可以彼此轴对称。也就是，在图5中，第一和第二输入IDT211和212的右电极中的指部可以设置在SAff阵列传感器200的前部处。尽管没有示出，但是第一和第二输入IDT211和212的左电极中的指部可以设置在SAW阵列传感器200的前部处。在此情形下，当具有相同极性的电压施加到设置在第一输入IDT211和第二输入IDT212的相同侧处的电极时，具有约180度的相位差的SAW可以在第一输入IDT211和第二输入IDT212中产生。例如，在图6A中，正电压施加到第一输入IDT211和第二输入IDT212的右电极，负电压施加到第一输入IDT211和第二输入IDT212的左电极。然而，与此相反，负电压可以施加到第一输入IDT211和第二输入IDT212的右电极，正电压可以施加到第一输入IDT211和第二输入IDT212的左电极。
[0057]此外，参照图6B，第一输入IDT211和第二输入IDT212可以关于彼此旋转对称。例如，如图6B所示，第一输入IDT211的右电极中的指部可以设置在SAW阵列传感器200的前部处，第二输入IDT212的左电极中的指部可以设置在SAW阵列传感器200的前部处。与此相反，第一输入IDT211的左电极中的指部可以设置在SAW阵列传感器200的前部处，第二输入IDT212的右电极中的指部可以设置在SAW阵列传感器200的前部处。在此情形下，当具有相反极性的电压施加到设置在第一输入IDT211和第二输入IDT212的相同侧处的电极时，具有约180度的相位差的SAW可以在第一输入IDT211和第二输入IDT212中产生。例如，在图6B中，正电压施加到第一输入IDT211的右电极，负电压施加到第二输入IDT212的右电极。然而，与此相反，负电压可以施加到第一输入IDT211的右电极，正电压可以施加到第二输入IDT212的右电极。
[0058]假设第一输入IDT211和第二输入IDT212中仅一个被开启的情形，第一延迟线215和第二延迟线216的长度可以彼此不同，如图1和图4所示。参照图5，第一输入IDT221和第二输入IDT222之间的距离为D，第一延迟线225在第一输入IDT221与第一输出IDT223之间的长度为D2，第二延迟线226在第二输入IDT222与第二输出IDT224之间的长度为Dl。这样，第一输入IDT221和222之间的距离以及第一和第二延迟线225和226的长度彼此不同，使得可以减小由反射波引起的串扰。在此情形下，即使当第一输入IDT211和第二输入IDT212被同时开启，也可以减小没有被抵消而保留的SAW的反射的影响。此外，如图4所示，在相邻的SAW传感器单元210和220中，第一延迟线215和225的长度和第二延迟线216和226的长度可以互换。
[0059]图7至图10示出上述SAW阵列传感器100和200的操作特性。图7是用于检测图4所示的SAW阵列传感器100的操作特性的布置的示意平面图，图8是示出根据图7的布置的SAW阵列传感器的操作特性的曲线图，图9是用于检测图5所示的SAW阵列传感器200的操作特性的布置的示意平面图，图10是示出根据图9的布置的SAW阵列传感器200的操作特性的曲线图。[0060]参照图7，网络分析仪连接在输入IDTlll与第一输出IDT112之间从而测量从输入IDTlll到达第一输出IDT112的SAW的插入损耗。例如，为了检测第二输入IDT113中的反射波的影响，在输入IDTlll与第二输出IDT113之间的第二延迟线115上什么也不放的情况下首先测量输入IDTlll和第一输出IDT112之间的插入损耗，然后通过在第二延迟线115上放置具有预定质量的物体而测量输入IDTlll和第一输出IDT112之间的插入损耗。图8是示出插入损耗的测量结果的曲线图。如图8所示，分别在物体的质量在第二延迟线115中增加之前和之后，在第二峰处的TTE信号没有变化。因此，由经过第二延迟线115的反射波引起的串扰被有效去除，使得第二延迟线115中的TTE信号的变化不影响第一延迟线114中的TTE信号的变化的测量。
[0061]此外，参照图9，网络分析仪连接在第一输入IDT211和第一输出IDT213之间从而测量从第一输入IDT211到达第一输出IDT213的SAW的插入损耗。这里，为了检测经过第二输入IDT212和第二延迟线216的SAW的影响，在不放置什么在第二延迟线216上的情形下首先测量插入损耗，然后通过在第二延迟线216上放置具有预定质量的物体来测量第一输入IDT211与第一输出IDT213之间的插入损耗。图10是插入损耗的测量结果的曲线图。如图10所示，即使在此情形下，在物体的质量在第二延迟线216中增加之前和之后，在第二峰处的TTE信号几乎没有变化。因此，由第二输入IDT212中产生的SAW或经过第二延迟线216的反射波引起的串扰被有效去除，使得第二延迟线216中的TTE信号的变化不影响第一延迟线215中TTE信号的变化的测量。
[0062]应当理解，这里描述的示范性实施例应当仅以描述性含义来理解，而不是为了限制的目的。在每个实施例中的特征或方面的描述应当通常被认为可用于其他实施例中的其他类似特征或方面。
[0063]本申请要求于2012年6月27日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请N0.10-2012-0069475的权益，其公开内容通过引用整体结合于此。
【权利要求】
1.一种声表面波阵列传感器，包括: 输入叉指换能器； 第一和第二输出叉指换能器，分别设置在所述输入叉指换能器的两侧； 第一延迟线，在所述输入叉指换能器与所述第一输出叉指换能器之间；以及 第二延迟线，在所述输入叉指换能器与所述第二输出叉指换能器之间， 其中所述第一延迟线和第二延迟线具有不同的长度。
2.如权利要求1所述的声表面波阵列传感器，其中所述输入叉指换能器、所述第一和第二输出叉指换能器以及所述第一和第二延迟线沿声表面波的传播方向布置在相同的线上。
3.如权利要求1所述的声表面波阵列传感器，其中具有与样品中的目标材料的特定结合的接收体设置在所述第一和第二延迟线的每个上。
4.如权利要求1所述的声表面波阵列传感器，包括布置在一个压电基板上的多个声表面波传感器单元，并且 所述多个声表面波传感器单元的每个包括所述输入叉指换能器、所述第一和第二输出叉指换能器以及所述第一和第二延迟线，所述输入叉指换能器、所述第一和第二输出叉指换能器以及所述第一和第二延迟线沿声表面波的传播方向布置在相同的线上。
5.如权利要求4所述的声表面波阵列传感器，其中所述多个声表面波传感器单元沿垂直于所述声表面波的传播方向的方向布置。
6.如权利要求4所述的声表面波阵列传感器，其中具有与样品中的目标材料的特定结合的接收体设置在所述多个声表`面波传感器单元的所述第一和第二延迟线的每个上。
7.如权利要求4所述的声表面波阵列传感器，其中相邻声表面波传感器单元中所述第一延迟线的长度和所述第二延迟线的长度互换。
8.—种声表面波阵列传感器,包括: 第一和第二输入叉指换能器，彼此面对； 第一输出叉指换能器，邻近所述第一输入叉指换能器的侧表面设置； 第二输出叉指换能器，邻近所述第二输入叉指换能器的侧表面设置； 第一延迟线，在所述第一输入叉指换能器与所述第一输出叉指换能器之间；以及 第二延迟线，在所述第二输入叉指换能器与所述第二输出叉指换能器之间， 其中所述第一和第二输入叉指换能器构造为使得在所述第一输入叉指换能器中产生的声表面波和在所述第二输入叉指换能器中产生的声表面波具有在相位上的180度的相位差，从而在所述第一输入叉指换能器中产生的声表面波和在所述第二输入叉指换能器中产生的声表面波在所述第一输入叉指换能器与所述第二输入叉指换能器之间的位置抵消。
9.如权利要求8所述的声表面波阵列传感器，其中所述第一输入叉指换能器和所述第二输入叉指换能器彼此轴对称，具有相同极性的电压施加到设置在所述第一输入叉指换能器和所述第二输入叉指换能器的相同侧的电极。
10.如权利要求8所述的声表面波阵列传感器，其中所述第一输入叉指换能器和所述第二输入叉指换能器关于彼此旋转对称，具有不同极性的电压施加到设置在所述第一输入叉指换能器和所述第二输入叉指换能器的相同侧的电极。
11.如权利要求8所述的声表面波阵列传感器，其中所述第一延迟线和第二延迟线具有不同的长度。
12.如权利要求8所述的声表面波阵列传感器，其中具有与样品中的目标材料的特定结合的接收体设置在所述第一和第二延迟线的每个上。
13.如权利要求8所述的声表面波阵列传感器，其中所述输入叉指换能器、所述第一和第二输出叉指换能器以及所述第一和第二延迟线沿声表面波的传播方向布置在相同的线上。
14.如权利要求8所述的声表面波阵列传感器，其中所述声表面波阵列传感器包括布置在一个压电基板上的多个声表面波传感器单兀，并且 所述多个声表面波传感器单元的每个包括所述输入叉指换能器、所述第一和第二输出叉指换能器以及所述第一和第二延迟线，所述输入叉指换能器、所述第一和第二输出叉指换能器以及所述第一和第二延迟线沿声表面波的传播方向布置在相同的线上。
15.如权利要求14所述的声表面波阵列传感器，其中所述多个声表面波传感器单元沿垂直于所述声表面波的传播方向的方向布置。
16.如权利要求14所述的声表面波阵列传感器，其中具有与样品中的目标材料的特定结合的接收体设置在所述多个声表面波传感器单元的所述第一和第二延迟线的每个上。
17.如权利要求14所述的声表面波阵列传感器，其中所述第一延迟线和第二延迟线具有不同的长度。
18.如权利要求14所述的声表面波阵列传感器，其中所述第一和第二输入叉指换能器之间的距离和所述第一和第二延迟线的长度彼此不同。
19.如权利要求17所述的声表面波阵列传感器，其中相邻声表面波传感器单元中所述第一延迟线的长度和所述第二延`迟线的长度互换。
【文档编号】G01N29/22GK103512957SQ201310049080
【公开日】2014年1月15日 申请日期:2013年2月7日 优先权日:2012年6月27日
【发明者】李列镐, 崔伦硕, 李泰汉, 李守叔 申请人:三星电子株式会社