三电平变流器的换流回路杂感的测量电路的制作方法

文档序号:6054780阅读:553来源:国知局
专利名称:三电平变流器的换流回路杂感的测量电路的制作方法
技术领域
本实用新型涉及电力电子应用领域,尤其涉及一种三电平变流器的换流回路杂感的测量电路。
背景技术
随着功率变换系统功率等级的提升以及电力电子技术的发展,IGBT (绝缘栅双极型晶体管)模块的功率密度越来越高,开通关断性能越来越好,这就意味着关断电流及其斜率越来越大。此时将在三电平变流器的换流回路的杂散电感上感生出电压,该电压连同直流母线电压直接附加在关断的IGBT两端,进而有可能超越IGBT的额定电压而导致器件的损坏。因此确切的掌握换流回路杂散电感的数值,可以有效推断不同功率等级下IGBT关断过电压的水平,有利于系统保护方案的设计以保证暂态过程中系统安全稳定的运行。三电平变流器存在两个大换流回路和两个小换流回路,由于换流回路中包含多个功率器件,且功率器件的等效杂感与叠层母排的杂感相差在一个数量级以内,因此仅仅依靠叠层母排的杂感数值,并不能精确地判断一定电流等级下IGBT的过电压水平。传统的叠层母排杂感测试方法依靠IGBT开通或者关断瞬间器件的压降,因此所测得的结果不包含该IGBT自身的等效杂感,并且测量过程中要求在压降保持稳定阶段内电流的变化率,测量的精确度与测试条件密切相关。

实用新型内容本实用新型的目的在于提供一种三电平变流器的换流回路杂感的测量电路,可以方便、精确地测量出三电平变流器的换流回路杂散电感。实现上述目的的技术 方案是:一种三电平变流器的换流回路杂感的测量电路,包括第一 IGBT、第二 IGBT、第三IGBT、第四IGBT、第一钳位二极管、第二钳位二极管、第一谐振电容、第二谐振电容、第一直流支撑电容、第二直流支撑电容、叠层母排、直流电源以及续流电抗器,其中:所述第一 IGBT的发射极连接所述第二 IGBT的集电极;所述第二 IGBT的发射极连接所述第三IGBT的集电极;所述第三IGBT的发射极连接所述第四IGBT的集电极;所述叠层母排的正端分别连接所述第一 IGBT的集电极、所述第一直流支撑电容的正极以及所述直流电源的正极;所述叠层母排的负端分别连接所述第四IGBT的发射极、所述第二直流支撑电容的负极以及所述直流电源的负极;所述第一直流支撑电容的负极连接所述第二直流支撑电容的正极;所述第一谐振电容与所述第一直流支撑电容并联;所述第二谐振电容与所述第二直流支撑电容并联;所述第一钳位二极管的阴极连接所述第一 IGBT的发射极;所述第一钳位二极管的阳极连接所述第二钳位二极管的阴极;所述第二钳位二极管的阳极连接所述第四IGBT的集电极;[0013]所述第一钳位二极管和第二钳位二极管的相接端连接所述第一直流支撑电容和第二直流支撑电容的相接端;所述续流电抗器连接在所述第一 IGBT的集电极和第二 IGBT的发射极之间,或者连接在所述第二钳位二极管的阴极和所述第四IGBT的集电极之间;所述叠层母排包括:正母排、负母排、零母排、交流母排、第一连接母排和第二连接母排,其中: 正母排连接第一 IGBT的集电极和第一直流支撑电容的正极;负母排连接第四IGBT的发射极和第二直流支撑电容的负极;零母排连接第一钳位二极管的阳极和第二钳位二极管的阴极;交流母排连接第二 IGBT的发射极和第三IGBT的集电极;第一连接母排连接第一 IGBT的发射极和第一钳位二极管的阴极;第二连接母排连接第四IGBT的集电极和第二钳位二极管的阳极。所述三电平变流器的换流回路包括第一换流回路和第二换流回路,其中:第一换流回路包括所述正母排、第一 IGBT、第二 IGBT、交流母排、第三IGBT、第二连接母排、第二钳位二极管、零母排和第一谐振电容;第二换流回路包括第二谐振电容、零母排、第二钳位二极管、第二连接母排、第四IGBT和负母排。上述三电平变流器的换流回路杂感的测量电路,其中,在对第一换流回路进行测试时,续流电抗器连接在第一 IGBT的集电极和第二IGBT的发射极之间;在对第二换流回路进行测试时,续流电抗器连接在第二钳位二极管的阴极和第四IGBT的集电极之间。本实用新型的有益效果是:本实用新型利用LC并联谐振测试三电平变流器换流回路杂感,不依靠IGBT开通或关断瞬间的电压和电流,而是利用器件开通的整个过程,且只使用集电极电流的频率值,从而使得测试结果包含回路中所有的功率器件的等效杂感以及叠层母排的杂感,更加精确、可信。同时,本实用新型只需要测量器件的电流,变量少,有利于实际操作,便于准确把握三电平变流器在不同电流等级下,功率器件的过电压水平,以指导系统控制策略的制定。

图1为本实用新型的测试电路示意图;图2为本实用新型的第一换流回路实验波形图;图3为传统测试方法第一换流回路的实验波形图;图4为本实用新型的第二换流回路实验波形图。
具体实施方式
下面将结合附图对本实用新型作进一步说明。请参阅图1,本实用新型的三电平变流器的换流回路杂感的测量电路,包括第一IGBT S1、第二 IGBT S2、第三IGBT S3、第四IGBT S4、第一钳位二极管D1、第二钳位二极管D2、第一谐振电容Csl、第二谐振电容Cs2、第一直流支撑电容Cl、第二直流支撑电容C2、叠层母排(图中未示)、直流电源DCs以及续流电抗器L,其中:第一 IGBT、第二 IGBT、第三IGBT和第四IGBT同向串联,即:第一 IGBTSl的发射极连接第二 IGBT S2的集电极;第二 IGBT S2的发射极连接第三IGBT S3的集电极;第三IGBTS3的发射极连接第四IGBT S4的集电极;叠层母排的正端DC+分别连接第一 IGBT SI的集电极、第一直流支撑电容Cl的正极以及直流电源DCs的正极;叠层母排的负端DC-分别连接第四IGBT S4的发射极、第二直流支撑电容C2的负极以及直流电源DCs的负极;第一直流支撑电容Cl的负极连接第二直流支撑电容C2的正极;第一谐振电容Csl与第一直流支撑电容Cl并联;第二谐振电容Cs2与第二直流支撑电容C2并联;第一钳位二极管Dl的阴极连接第一 IGBT SI的发射极;第一钳位二极管Dl的阳极连接第二钳位二极管D2的阴极;第二钳位二极管D2的阳极连接第四IGBTS4的集电极;第一钳位二极管Dl和第二钳位二极管D2的相接端连接第一直流支撑电容Cl和第二直流支撑电容C2的相接端;续流电抗器L连接在第一 IGBT SI的集电极和第二 IGBT S2的发射极之间,或者连接在第二钳位二极管D2的阴极和第四IGBT S4的集电极之间;第一IGBT S1、第二 IGBT S2、第三 IGBT S3、第四 IGBT S4、第一钳位二极管 Dl 和第二钳位二极管D2组成单相三电平电路 ;叠层母排包括:正母排、负母排、零母排、交流母排、第一连接母排和第二连接母排,其中:正母排连接第一 IGBT SI的集电极和第一直流支撑电容Cl的正极;负母排连接第四IGBT S4的发射极和第二直流支撑电容C2的负极;零母排连接第一钳位二极管Dl的阳极和第二钳位二极管D2的阴极;交流母排连接第二 IGBT S2的发射极和第三IGBT S3的集电极;第一连接母排连接第一 IGBT SI的发射极和第一钳位二极管Dl的阴极;第二连接母排连接第四IGBT S4的集电极和第二钳位二极管D2的阳极;三电平变流器的换流回路包括第一换流回路、第二换流回路、第三换流回路和第四换流回路,其中:第一换流回路由正母排、第一 IGBT S1、第二 IGBT S2、交流母排、第三IGBT S3、第二连接母排、第二钳位二极管D2、零母排和第一谐振电容Csl构成;第二换流回路包括第二谐振电容Cs2、零母排、第二钳位二极管D2、第二连接母排、第四IGBT S4和负母排构成;第三换流回路由第二谐振电容Cs2、零母排、第一箝位二极管D1、第一连接母排、第二 IGBT S2、交流母排、第三IGBT S3、第四IGBT S4和负母排构成;第四换流回路由第一谐振电容Csl、正母排、第一 IGBT S1、第一连接母排、第一钳位二极管Dl和零母排构成;两个大换流回路(第一换流回路和第三换流回路)在结构上对称,等效杂感相等;两个小换流回路(第二换流回路和第四换流回路)在结构上也是对称分布,其等效杂感相等;因此,分别测试其中的一个大换流回路和小换流回路即可,本实用新型测试其中的第一换流回路和第二换流回路。在对第一换流回路(大换流回路)进行测试时,续流电抗器L连接在第一 IGBTSl的集电极和第二 IGBT S2的发射极之间;在对第二换流回路(小换流回路)进行测试时,续流电抗器L连接在第二钳位二极管D2的阴极和第四IGBT S4的集电极之间,即第一直流支撑电容Cl和第二直流支撑电容C2的相接端与第三IGBTS3和第四IGBT S4的相接端之间。另外,图1中,1^。1、1^。2、1^。3、1^。4、1^。5、]^。6分别为正母排、负母排、零母排、交流母排、上连接母排和下连接母排的等效杂散电感;Lsl、Ls2、Ls3> Ls4分别为第一 IGBT S1、第二 IGBTS2、第三IGBT S3、第四IGBT S4的等效杂散电感;Ldl、Ld2分别为第一、第二钳位二极管D1、D2的等效杂感;直流电源DCs施加于叠层母排的正端DC+和负端DC-;其中,DCO表示第一直流支撑电容Cl和第二直流支撑电容C2的相交点,即直流中线端;AC表示输出交流。本实用新型的测试电路的工作原理,如下:对第一换流回路进行测试时:续流电抗器L连接在第一 IGBT SI的集电极和第二 IGBT S2的发射极之间;此时,使得第一 IGBT SI和第四IGBT S4保持关断,第二 IGBT S2保持开通,对第三IGBT S3施加双脉冲,即:使得第三IGBT S3在t0时刻开通,tl时刻关断,t2时刻再次开通,t3时刻再次关断;如图2所示,为本实用新型的第一换流回路实验波形图;图2中Vpulse为第三IGBTS3的驱动电压,Ic为流过第三IGBT S3集电极的电流;Vce表示第三IGBT S3集电极和发射极之间的电压,即第三IGBT S3的端电压;t0时刻第三IGBT S3开通,叠层母排的正端DC+通过续流电抗器L向端点DCO放电,Ic线性上升;由图1可以看出,此时Csl与L。外+L。4+Ls3+U6+Ld2+L。3组成LC并联谐振,在Ic上表现为衰减振荡。tl和t3时刻第三IGBT S3关断,流经续流电抗器L的电流通过第一、第二 IGBT S1、S 2的反并联二极管续流,Ic为杂散电感中的储能与第一谐振电容Csl谐振,并最终衰减至O。t2时刻第三IGBT S3再次开通,续流电抗器L中的电流通过第三IGBT S3流向端点DC0,第一 IGBT SI的反并联二极管进入反向恢复过程,此时第一 IGBT SI等效为开通;由此可得LC谐振电路中的杂感L1=L。J [L// (Ls1+Ls2) ] +L。4+Ls3+L。6+Ld2+L。3,式中L// (Lsl+Ls2)表示第一、第二 IGBT S1、S2的等效杂感串联后再与L并联,通常Ls1+Ls2与 L 相差在二个数量级左右,因此 L// (Ls1+Ls2)=Ls1+Ls2,即 L1=L 0 !+L^+L^+L 0 4+Ls3+L 0 6+Ld2+L。3,说明在此过程中第一换流回路内所有杂感都包含在内:正母排、第一 IGBT S1、第二 IGBTS2、交流母排、第三IGBT S3、第二连接母排、第二钳位二极管D2和零母排各自的杂感。由图2可得,Ic电流在At时间内的频率为,f=4.5/At=730kHz,At表示图中所示4.5个周波的时长;f即为第一谐振电容Csl与第一换流回路的杂散电感形成的并联谐
振电流的频率;已知第一谐振电容Csl=0.22uF,根据LC并联谐振的特性/ =,则得
到整个第一换流回路的杂散电感L1=I/ (4Csl Ji 2f2) =216nH。请参阅图3,为传统测试方法第一换流回路的实验波形图,即图2中t2时刻第三IGBT S3开通时的波形,图3中Vge为第三IGBT S3的门极电压;AVm为S3发射极与集电极电压的变化值;△ I。为S3集电极电流的变化值;△ t’表示Vm保持稳定的时间长度。根据楞次定律,叠层母排的等效杂散电感中Lm、U6会感生出左正右负的电压,Lsl, Ls2, L04,Ls3、Ld2、U3会感应出上正下负的电压。此时第三IGBT S3的端电压Vce表现为较直流母线电压DCs会有所降低,该电压差为第一换流回路中LM、Lsl、Ls2、L“、I^6、Ld2、U3的压降,并不包括Ls3自身的杂感引起的压降。同时为了测得精确的杂感数值,应保证Vce有一个稳定、明显的电压阶梯。必须保证t20至t21时间内Vce获得一个稳定的电压,就要求续流电抗器L中的电流足够大,势必要提高直流电源DCs的供电电压或者大幅度减小续流电抗器L的电感数值,这就要求IGBT在测试过程中需要承受过高的电压和电流,进而有可能造成测试器件的损坏。根据电感的动态特性得出杂感数值,Ll=AVce/ ( AIe/At’)=300V/(297A/198ns)=199nH。与本实用新型的方法,两者之间的差值17nH为第三IGBT S3自身的杂散电感,与所使用IGBT ABB 5SNA 1200G450300数据手册中18nH的杂感值吻合。对第二换流回路进行测试时:续流电抗器L连接在第二钳位二极管D2的阴极和第四IGBT S4的集电极之间;此时,使得第一、第二、第三IGBT S1、S2、S3保持关断,对第四IGBT S4施加双脉冲,S卩:使得第四IGBT S4在t0’时刻开通,tl’时刻关断,t2’时刻再次开通,t3’时刻再次关断。如图4所示,为本实用新型的第二换流回路实验波形图;图4中,Vpulse’为第四IGBT S4的驱动电压,Ic’为流过第四IGBT S4集电极的电流;Vce’表示第四IGBT S4集电极和发射极之间的电压,即第四IGBT S4的端电压;Vge’表示第四IGBT S4的门极电压:t0’时刻第四IGBT S4开通,端点DCO通过续流电抗器L向叠层母排的负端DC-放电,Ic’线性上升。由图1可以看出,此时Cs2与L+Ls4+U2组成LC并联谐振,在Ic’上表现为衰减振荡。tl’和t3’时刻第四IGBT S4关断,流经续流电抗器L的电流通过第二钳位二极管D2续流,Ic’为杂散电感中的储能与第二谐振电容Cs2谐振,并最终衰减至O。t2’时刻第四IGBT S4再次开通,流电抗器L中的电流通过第四IGBT S4流向叠层母排的负端DC-,第二钳位二极管D2进入反向恢复过程,此时第二钳位二极管D2等效为开通。由此可得LC谐振电路中的杂感L2=U3+[L// (Ld2+LQ6)]+Ls4+LQ2,式中L// (Ld2+U6)表示第二钳位二极管D2、第二连接母排的等效杂感串联后再与L并联,通常Ld2+U6与L相差在三个数量级左右,因此L// (Ld2+Lo6)=Ld2+Lo6,即 2=Ι^3+Ι^2+Ι^6+Ι^4+Ι^2,说明在此过程中第二换流回路内所有杂感都包含在内 :零母排、第二钳位二极管D2、第二连接母排、第四IGBT S4和负母排各自的杂感。由图4可得,Ic’电流在八七”时间内的频率为,广=7/八俨=8011^,At”表示图中所示7个周波的时长;f ’即为第二谐振电容Cs2与第二换流回路的杂散电感形成的并联
谐振电流的频率;已知第一谐振电容Cs2=0.22uF,根据LC并联谐振的特性/ =,则
整个第二换流回路的杂散电感L2=I八4Cs2 Ji 2f2)=177nH。对比第一换流回路的杂感有39nH的差值,主要是因为第一换流回路比第二换流回路多包含2只IGBT和交流母排的杂感,其中2只IGBT大约为36nH (由IGBTABB 5SNA 1200G450300数据手册得出),进一步说明了本实用新型所公开方法的准确性。以上实施例仅供说明本实用新型之用,而非对本实用新型的限制,有关技术领域的技术人员,在不脱离本实用新型的精神和范围的情况下,还可以做出各种变换或变型,因此所有等同的技术方案也应该属于本实用新型的范畴,应由各权利要求所限定。
权利要求1.一种三电平变流器的换流回路杂感的测量电路,其特征在于,包括第一 IGBT、第二IGBT、第三IGBT、第四IGBT、第一钳位二极管、第二钳位二极管、第一谐振电容、第二谐振电容、第一直流支撑电容、第二直流支撑电容、叠层母排、直流电源以及续流电抗器,其中: 所述第一 IGBT的发射极连接所述第二 IGBT的集电极;所述第二 IGBT的发射极连接所述第三IGBT的集电极;所述第三IGBT的发射极连接所述第四IGBT的集电极; 所述叠层母排的正端分别连接所述第一 IGBT的集电极、所述第一直流支撑电容的正极以及所述直流电源的正极;所述叠层母排的负端分别连接所述第四IGBT的发射极、所述第二直流支撑电容的负极以及所述直流电源的负极; 所述第一直流支撑电容的负极连接所述第二直流支撑电容的正极; 所述第一谐振电容与所述第一直流支撑电容并联; 所述第二谐振电容与所述第二直流支撑电容并联; 所述第一钳位二极管的阴极连接所述第一 IGBT的发射极;所述第一钳位二极管的阳极连接所述第二钳位二极管的阴极;所述第二钳位二极管的阳极连接所述第四IGBT的集电极; 所述第一钳位二极管和第二钳位二极管的相接端连接所述第一直流支撑电容和第二直流支撑电容的相接端; 所述续流电抗器连接在所述第一 IGBT的集电极和第二 IGBT的发射极之间,或者连接在所述第二钳位二极管的阴极和所述第四IGBT的集电极之间; 所述叠层母排包括:正母排、负母排、零母排、交流母排、第一连接母排和第二连接母排,其中: 正母排连接第一 IGBT的集电极和第一直流支撑电容的正极; 负母排连接第四IGBT的发射极和第二直流支撑电容的负极; 零母排连接第一钳位二极管的阳极和第二钳位二极管的阴极; 交流母排连接第二 IGBT的发射极和第三IGBT的集电极; 第一连接母排连接第一 IGBT的发射极和第一钳位二极管的阴极; 第二连接母排连接第四IGBT的集电极和第二钳位二极管的阳极; 所述三电平变流器的换流回路包括第一换流回路和第二换流回路,其中: 第一换流回路包括所述正母排、第一 IGBT、第二 IGBT、交流母排、第三IGBT、第二连接母排、第二钳位二极管、零母排和第一谐振电容; 第二换流回路包括第二谐振电容、零母排、第二钳位二极管、第二连接母排、第四IGBT和负母排。
2.根据权利要求1所述三电平变流器的换流回路杂感的测量电路,其特征在于, 在对第一换流回路进行测试时,续流电抗器连接在第一 IGBT的集电极和第二 IGBT的发射极之间; 在对第二换流回路进行测试时,续流电抗器连接在第二钳位二极管的阴极和第四IGBT的集电极之间。
专利摘要本实用新型公开了一种三电平变流器的换流回路杂感的测量电路,包括第一IGBT、第二IGBT、第三IGBT、第四IGBT、第一钳位二极管、第二钳位二极管、第一谐振电容、第二谐振电容、第一直流支撑电容、第二直流支撑电容、叠层母排、直流电源以及续流电抗器。本实用新型通过续流电抗器构成不同的续流回路,对相应IGBT施加双脉冲,取开通和关断时刻谐振电流频率的平均值,利用谐振电容与回路杂散电感形成的LC并联谐振特性,精确地计算换流回路的杂感。本实用新型利于实际操作,可以精确地测量出三电平变流器的换流回路杂散电感,便于准确把握三电平变流器在不同电流等级下,功率器件的过电压水平,以指导系统控制策略的制定。
文档编号G01R27/26GK203101521SQ20132004729
公开日2013年7月31日 申请日期2013年1月29日 优先权日2013年1月29日
发明者张鲁华, 尹正兵, 宋小亮, 吴竞之, 陈国栋, 董祖毅 申请人:上海电气集团股份有限公司
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