用于测量低温介质的铂电阻温度传感器封装结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型提供一种用于测量低温介质的铂电阻温度传感器封装结构。其包括传感器壳体，在传感器壳体内放置陶瓷铂电阻敏感元件和测量引线，传感器壳体端部通过密封胶密封；测量引线的一端连接陶瓷铂电阻敏感元件，测量引线的另一端延伸出密封胶；所述的测量引线中间部分绕成螺旋状填充于传感器壳体中部内；传感器壳体两端内、且在测量引线的两端采用填充材料填充。本实用新型结构可用于低温氦气（最低温度77K）的温度监测，将测量引线绕成螺旋状置入传感器壳体内，使更长的测量引线和陶瓷铂电阻敏感元件同时进行充分预冷，这样可消除或减少敏感元件与测量引线的热传导，以缩短铂电阻敏感元件的响应时间。
【专利说明】用于测量低温介质的铂电阻温度传感器封装结构
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及钼电阻温度传感器，具体涉及一种用于测量低温介质的钼电阻传感器。
【背景技术】
[0002]钼电阻温度传感器是利用其电阻与温度成一定函数关系而制成的温度传感器，因有较宽的测温范围(_260°C?650°C)而被广泛地使用在低温介质温度的测量，用陶瓷钼电阻敏感元件封装后的温度传感器的响应时间是影响测量精度的重要因素，因其封装结构不同传感器响应时间产生的误差会有很大的差异。
【发明内容】
[0003]本实用新型的目的在于提供一种可减少或消除响应时间所产生的测量误差的用于测量低温介质的钼电阻温度传感器封装结构。
[0004]实现本实用新型目的的技术方案:一种用于测量低温介质的钼电阻温度传感器封装结构，其包括传感器壳体，在传感器壳体内放置陶瓷钼电阻敏感元件和测量引线，传感器壳体端部通过密封胶密封；测量引线的一端连接陶瓷钼电阻敏感元件，测量引线的另一端延伸出密封胶；所述的测量引线中间部分绕成螺旋状填充于传感器壳体中部内；传感器壳体两端内、且在测量弓I线的两端采用填充材料填充。
[0005]如上所述的一种用于测量低温介质的钼电阻温度传感器封装结构，其所述的传感器壳体壁厚为0.5mm ;所述的传感器壳体为lCrl8Ni9Ti材料制成；所述的填充材料为氧化招。
[0006]本实用新型的效果在于:本实用新型所述的用于测量低温介质的钼电阻温度传感器封装结构，可用于低温氦气(最低温度77K)的温度监测。将测量引线绕成螺旋状置入传感器壳体内，使更长的测量引线和陶瓷钼电阻敏感元件同时进行充分预冷，这样可消除或减少敏感元件与测量引线的热传导，以缩短钼电阻敏感元件的响应时间。在灌封填充材料氧化铝充实内部空隙，以提高钼电阻敏感元件的热响应。
【专利附图】
【附图说明】
[0007]图1为现有的钼电阻温度传感器封装结构示意图；
[0008]图2为本实用新型所述的用于测量低温介质的钼电阻温度传感器封装结构示意图。
[0009]图中:1.传感器壳体；2.填充材料；3.陶瓷钼电阻敏感元件；4.测量引线；5.密封胶。
【具体实施方式】
[0010]下面结合附图和具体实施例对本实用新型所述的用于测量低温介质的钼电阻温度传感器封装结构作进一步描述。
[0011]如图2所示，本实用新型所述的一种用于测量低温介质的钼电阻温度传感器封装结构，可用于低温氦气(最低温度77K)的温度监测。它包括lCrl8Ni9Ti材料制成的传感器壳体I，在传感器壳体I内放置陶瓷钼电阻敏感元件3和测量引线4，传感器壳体I端部通过密封胶5密封。
[0012]测量引线4中间部分绕成螺旋状填充于传感器壳体I中部内；传感器壳体I两端内、且在测量引线4的两端采用氧化铝填充材料2填充。
[0013]测量引线4的一端连接陶瓷钼电阻敏感元件3，测量引线4的另一端延伸出密封胶5。
[0014]传感器壳体I壁厚设计为0.5mm, 一方面满足冷氦管路高压气体流对传感器冲击的强度要求，另一方面尽量减小敏感元件部位热容值，以提高热传导效率。
[0015]考虑到冷氦管路高压气体流对传感器的冲击而产生的振动，在封装过程中使用了氧化铝填充材料2，以避免陶瓷钼电阻敏感元件3因抖动而造成的敏感元件的断裂。
[0016]测量引线4是陶瓷钼电阻敏感元件3与外接电缆的过渡引线，首先测量引线要满足温度要求，其次在保证敏感元件电流容量、机械强度的要求下应尽量选用截面积小的测量引线，以减小敏感元件与测量引线的热传导。
【权利要求】
1.一种用于测量低温介质的钼电阻温度传感器封装结构，其包括传感器壳体(1)，在传感器壳体(I)内放置陶瓷钼电阻敏感元件(3)和测量引线(4)，传感器壳体(I)端部通过密封胶(5)密封；测量引线(4)的一端连接陶瓷钼电阻敏感元件(3)，测量引线(4)的另一端延伸出密封胶(5);其特征在于:所述的测量引线(4)中间部分绕成螺旋状填充于传感器壳体(I)中部内；传感器壳体(I)两端内、且在测量引线(4)的两端采用填充材料(2)填充。
2.根据权利要求1所述的一种用于测量低温介质的钼电阻温度传感器封装结构，其特征在于:所述的传感器壳体(I)壁厚为0.5_。
3.根据权利要求1所述的一种用于测量低温介质的钼电阻温度传感器封装结构，其特征在于:所述的传感器壳体为ICrlSNiOTi材料制成；所述的填充材料为氧化铝。
【文档编号】G01K7/18GK203572589SQ201320677798
【公开日】2014年4月30日 申请日期:2013年10月30日 优先权日:2013年10月30日
【发明者】周绍志, 崔文德, 章洁平, 王瑞芳, 王立, 张波, 李春林 申请人:北京航天发射技术研究所, 中国运载火箭技术研究院