超低温铂电阻传感器的制造方法
【专利摘要】本实用新型涉及低温温度信息采集的传感器，公开了一种超低温铂电阻传感器，包括封装座（1）、铂电阻（2）、封装盖（3）与封装套环（4），封装套环（4）扣接在封装座（1）上，封装盖（3）盖在封装套环（4）上，铂电阻（2）焊接在封装座（1）内，铂电阻（2）通过引出线（5）引出。本实用新型通过采用纽扣式结构，同时将铂电阻等易损坏的部分封装在封装座的内部，具有便于装拆，传感器使用寿命长等优点。
【专利说明】超低温铂电阻传感器
【技术领域】
[0001] 本实用新型涉及低温温度信息采集的传感器，尤其涉及了一种超低温钼电阻传感 器。
【背景技术】
[0002] 目前，用于超低温温度信息采集的传感器有两点要求，第一要实现准确的采集温 度信息：为了 Ptiooo传感器采集数据的真实性最好是使用裸装的传感器，但裸装的传感器 极易损坏而且不易安装，这无疑增大了操作的难度和成本，故采用封装的传感器，这就涉及 到裸装Ptiooo的封装；第二封装好的PtlOOO不仅要满足采集的信息准确可靠，而且还得满 足便于安装，外购的封装Ptiooo适用性有限。
[0003] 在超低温情况下，为了准确采集冷头上的温度信息多采用裸装的PtlOOO和根据 自己的实用需要开发适合的封装形式，因为这样可以将温度信息及时准确的反映出来。在 制冷机的冷头上安装传感器的空间有限，因此需要结构小巧紧凑而且还要保证安全可靠、 经济实惠和操作过程的方便可行。
【发明内容】
[0004] 本实用新型针对现有技术中制冷机的冷头上安装传感器的空间有限，传统的传感 器具有结构复杂，不易拆装等缺点，提供了一种采用纽扣式结构，实现了便于装拆从而延长 了传感器的使用寿命，同时将钼电阻等易损坏的部分封装在封装座的内部的超低温钼电阻 传感器。
[0005] 为了解决上述技术问题，本实用新型通过下述技术方案得以解决：
[0006] 超低温钼电阻传感器，包括封装座、钼电阻、封装盖与封装套环，封装套环扣接在 封装座上，封装盖盖在封装套环上，钼电阻焊接在封装座内，钼电阻通过引出线引出。
[0007] 作为优选，封装座包括凸台，凸台的侧面设置侧开孔，引出线穿过侧开孔与钼电阻 连接。凸台为圆柱形凸台切去部分，其切去部分用于安装引出引线及漆包线。
[0008] 作为优选，凸台上设置上开口。
[0009] 作为优选，引出线与漆包线连接。
[0010] 作为优选，封装套环上设置开槽，漆包线由开槽处引出。
[0011] 作为优选，漆包线外包覆热缩管，热缩管外套接护套管，热缩管与护套管之间及封 装座内通过低温胶填充密封。
[0012] 作为优选，钼电阻为Ptiooo钼电阻。钼电阻与引出线之间焊接剂或焊接线为铟。 经过多次试验后，选用铟这种热的良导体作为焊剂时，测量效果最佳。
[0013] 作为优选，引出线与漆包线通过铟焊接，钼电阻通过铟焊接在封装座上。
[0014] 本实用新型由于采用了以上技术方案，具有显著的技术效果：本实用新型通过采 用纽扣式结构，同时将钼电阻等易损坏的部分封装在封装座的内部，具有便于装拆，传感器 使用寿命长等优点。
【专利附图】
【附图说明】
[0015] 图1是本实用新型实施例1的结构图。
[0016] 图2是图1中封装座的结构示意图。
[0017] 图3是图1中封装套环的结构示意图。
[0018] 以上附图中各数字标号所指代的部位名称如下：其中1 一封装座、2-钼电阻、3- 封装盖、4一封装套环、5-引出线、6-热缩管、7-护套管、8-漆包线、11-凸台、12-上开 口、13-侧开孔、41-开槽。
【具体实施方式】
[0019] 下面结合附图1至图3与实施例对本实用新型作进一步详细描述：
[0020] 实施例1
[0021] 超低温钼电阻传感器，如图1至图3所示，包括封装座1、钼电阻2、封装盖3与封 装套环4,封装套环4扣接在封装座1上，封装盖3盖在封装套环4上，钼电阻2焊接在封装 座1内，钼电阻2通过引出线5引出。
[0022] 封装座1包括凸台11，凸台11的侧面设置侧开孔13,引出线5穿过侧开孔13与 钼电阻2连接。凸台11上设置上开口 12。通过设置凸台11，凸台11内安置钼电阻2,由于 凸台11的边缘被切去一部分，切去部分的侧面设置侧开孔13,其结构更加紧凑。
[0023] 引出线5与漆包线8连接。封装套环4上设置开槽41，漆包线8由开槽41处引 出。漆包线8外包覆热缩管6,热缩管6外套接护套管7,热缩管6与护套管7之间及封装 座1内通过低温胶填充密封。封装套环4上设置开槽41，其作用一方面为作为引出线5与 漆包线8的引出口，另一方面，起到固定的作用，可以有阻止免引出线5或漆包线8左右移 动，避免引出线5与钼电阻2之间发生脱落，保证设备正常运行及延长设备使用寿命。
[0024] 钼电阻2为PtlOOO钼电阻。钼电阻2与引出线5之间焊接剂或焊接线5为铟。经 过多次试验后，选用铟这种热的良导体作为焊剂时，测量效果最佳。引出线5与漆包线8通 过铟焊接，钼电阻2通过铟焊接在封装座1上。
[0025] 采用纽扣式结构，实现了便于装拆从而延长了传感器的使用寿命；同时在封装座 的内部，其一经过多次测试实验，决定采用铟这种热的良导体来实现裸装PtlOOO与封装座 之间的热传导，其二采用适当的热缩管、铁氟龙管和漆包线将信号从封装座内准确的引出， 其三是采用了低温胶、封装套环和封装盖将PtlOOO的引出线可靠地封装住，最重要的是将 易损坏的部分固定在结构内部。
[0026] 这样就既可以很方便的装拆还可以顺利准确地将温度信息传导到测量仪器上。而 且在焊接时：一要保证PtlOOO钼电阻2与封装座1的焊接处要焊实；二要保证PtlOOO的 引出线5不要与周围的其他金属部件接触，以免引起测量误差。接下来就是将选好的漆包 线8与PtlOOO的引出线5对焊，然后用合适的热缩管6将对焊处分别绝缘隔离，再用合适 的铁氟龙套管7将漆包线套起来并将一端伸到封装套环4内部，然后用封装套环4上的开 槽41将铁氟龙护套管7卡住，这样可以很好的保护漆包线不受到外力的损坏。然后用低温 胶将封装组件内部的空隙填实，再压上封装盖待其固化。最后根据安装的冷头的需要打封 装组件的安装孔。
[0027] 总之，以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，凡依本实用新型申请专利范围所 作的均等变化与修饰，皆应属本实用新型专利的涵盖范围。
【权利要求】
1. 超低温钼电阻传感器，包括封装座（1)、钼电阻（2)、封装盖（3)与封装套环（4)，其特 征在于：封装套环（4)扣接在封装座（1)上，封装盖（3 )盖在封装套环（4)上，钼电阻（2 )焊 接在封装座（1)内，钼电阻（2)通过引出线（5)引出。
2. 根据权利要求1所述的超低温钼电阻传感器，其特征在于：封装座（1)包括凸台 (11) ，凸台（11)的侧面设置侧开孔（13)，引出线（5)穿过侧开孔（13)与钼电阻（2)连接。
3. 根据权利要求2所述的超低温钼电阻传感器，其特征在于：凸台（11)上设置上开口 (12) 。
4. 根据权利要求1所述的超低温钼电阻传感器，其特征在于：引出线（5 )与漆包线（8 ) 连接。
5. 根据权利要求4所述的超低温钼电阻传感器，其特征在于：封装套环（4)上设置开槽 (41)，漆包线（8)由开槽（41)处引出。
6. 根据权利要求4所述的超低温钼电阻传感器，其特征在于：漆包线（8)外包覆热缩管 (6)，热缩管（6)外套接护套管（7)，热缩管（6)与护套管（7)之间及封装座（1)内通过低温 胶填充密封。
7. 根据权利要求1所述的超低温钼电阻传感器，其特征在于：钼电阻（2)为PtlOOO钼 电阻。
8. 根据权利要求1所述的超低温钼电阻传感器，其特征在于：引出线（5 )与漆包线（8 ) 通过铟焊接，钼电阻（2 )通过铟焊接在封装座（1)上。
【文档编号】G01K7/18GK203869788SQ201420147540
【公开日】2014年10月8日 申请日期:2014年3月28日 优先权日:2014年3月28日
【发明者】陈家富 申请人:浙江博开机电科技有限公司