相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准装置制造方法
【专利摘要】本实用新型公布一种相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准装置，包括箱体和相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准系统，相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准系统设在箱体内；相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准系统包括检测管路、高真空校准分系统、低真空校准分系统、机械泵和分子泵；检测管路包括导气管、电阻规G5、电磁隔断阀V10、手动隔断阀V1、微调阀V5和电磁隔断阀V9；电阻规G5、电磁隔断阀V10、分子泵、手动隔断阀V1、微调阀V5和电磁隔断阀V9通过导气管依次连接。本实用新型不仅可以对各种型号的真空规进行测量，还实现了一装置多用途，降低计量成本，节省设备占用空间。
【专利说明】相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准装置
【技术领域】
[0001] 本实用新型涉及一种真空校准装置，特别涉及一种相对法高真空、相对法低真空 及膨胀法一体式校准装置。
【背景技术】
[0002] 真空计校准是真空测量的基础，是研究和发展真空测量的有力工具。而真空计刻 度：是在一定条件下对一种类的气体进行的，从而得到校准系数或刻度曲线，借以确定相对 真空计的读数及其大致的测量量程及精度。气体种类、工作条件、仪器配置等改变，校准曲 线也改变，因此真空校准是必要的，定期的。而现有真空校准装置功能单一较多，即可以校 准高真空规的无法对低真空规进行校准，可以校准低真空规的无法对高真空规进行校准， 此外校准量程受限也导致常规真空校准装置无法对特定类的真空规进行校准。 实用新型内容
[0003] 有鉴于此，本实用新型在于提供一种即可以对高真空规进行校准又可以对低真空 规校准且具有较宽校准量程的相对法高真空、相对法低真空和膨胀法一体式校准装置。
[0004] 为解决上述问题，本实用新型采用如下技术方案：相对法高真空、相对法低真空及 膨胀法一体式校准装置，包括箱体和相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准系 统，所述相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准系统设在所述箱体内；所述相对 法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准系统包括检测管路、高真空校准分系统、低真 空校准分系统、机械泵和分子泵；所述检测管路包括导气管、电阻规G5、电磁隔断阀Vltl、手 动隔断阀V1、微调阀V5和电磁隔断阀V9 ;所述电阻规G5、所述电磁隔断阀Vltl、所述分子泵、 所述手动隔断阀V1、所述微调阀V5和所述电磁隔断阀V9通过导气管依次连接；所述机械泵 依次经过电磁放气阀V12和挡油阱与位于所述电阻规G5和所述电磁隔断阀V9之间的所述检 测管路导通连接，所述高真空校准分系统与位于所述手动隔断阀V1和所述微调阀V5之间的 所述检测管路导通连接，所述低真空校准分系统与位于所述微调阀V5和所述电磁隔断阀V9之间的所述检测管路导通连接，位于所述手动隔断阀V1和所述微调阀V5之间的所述检测管 路与位于所述微调阀V5和所述电磁隔断阀V9之间的所述检测管路经过手动隔断阀V6和膨 胀阀V7导通连接，位于所述微调阀V5和所述电磁隔断阀V9之间的所述检测管路微调阀V 11与氮气存储装置导通连接。
[0005] 上述相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准装置，所述高真空校准分 系统包括高真空室、监测高真空电离规G1、标准电离真空规G2和高真空校准接入端，所述监 测高真空电离规G1与所述高真空室导通连接，所述标准电离真空规G2与所述高真空室导通 连接，所述高真空室通过手动隔断阀V2与所述高真空校准接入端导通连接，所述高真空室 与位于所述手动隔断阀V1和所述微调阀V5之间的所述检测管路导通连接。
[0006] 上述相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准装置，所述低真空校准分 系统包括低真空室、IOOOTorr标准薄膜规G3、ITorr标准薄膜规G4和低真空校准接入端，所 述IOOOTorr标准薄膜规G3与所述低真空室导通连接，所述ITorr标准薄膜规G4经过手动 隔断阀V8与所述低真空室导通连接，所述低真空室通过手动隔断阀V4与所述低真空校准接 入端导通连接，所述低真空室与位于所述电磁隔断阀V9和所述微调阀V5之间的所述检测管 路导通连接，所述低真空室通过手动隔断阀V3与所述高真空校准接入端导通连接。
[0007] 上述相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准装置，所述高真空校准接 入端和所述低真空校准接入端均设有盲板。
[0008] 上述相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准装置，还包括微机、标准电 离计、IOOOTorr电容薄膜计、ITorr电容薄膜计和复合真空计，所述微机分别与所述标准电 离计、所述IOOOTorr电容薄膜计、所述ITorr电容薄膜计和所述复合真空计通信连接。
[0009] 上述相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准装置，所述标准电离计设 在所述标准电离真空规G2上；所述IOOOTorr电容薄膜计设在所述IOOOTorr标准薄膜规G3上；所述ITorr电容薄膜计设在所述ITorr标准薄膜规G4上；所述监测高真空电离规G1和 所述电阻规G5上分别设有一个所述复合真空计。
[0010] 上述相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准装置，其特征在于，所述微 机配有19寸显示屏。
[0011] 上述相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准装置，所述分子泵配有加 热装置；所述挡油阱配有加热装置。
[0012] 上述相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准装置，所述箱体的箱壁上 设有电源开关，所述电源开关包括机械泵电源开关、电磁隔断阀V9电源开关、电磁隔断阀 Vltl电源开关、分子泵开关、挡油阱加热装置电源开关、分子泵加热装置电源开关、电容薄膜 计电源开关和总电源开关。
[0013] 本实用新型的有益效果是：
[0014] 1.本实用新型满足一装置多用途的要求，有利于降低计量部门的计量设备成本， 节省设备占用空间。
[0015] 2.采用本实用新型可以对各种高、低真空规和/或真空计进行校准，不仅可以用 相对法对真空度测量范围在IXio5?IXKT5Pa内的各种真空计进行校准，而且还可在 I X IO2?I X KT2Pa内随时用膨胀法对装置上的高、低标准真空计进行校准。
【专利附图】
【附图说明】
[0016] 图1为本实用新型相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准装置的箱体 外观结构示意图；
[0017] 图2为本实用新型相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准装置的相对 法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准系统工作原理图。
[0018] 图中：100-箱体，101-总电源开关，102-分子泵电源，103-机械泵电源开关， 104-电磁隔断阀V9电源开关，105-电磁隔断阀Vltl电源开关，106-分子泵电源开关， 107-挡油阱加热装置电源开关，108-分子泵加热装置电源开关，109-电容薄膜计电源开 关，110-显示屏，200-相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准系统，201-机械 泵，202-分子泵，203-高真空校准分系统，204-低真空校准分系统，205-手动隔断阀V1, 206-手动隔断阀V2, 207-手动隔断阀V3, 208-手动隔断阀V4, 209-微调阀V5, 210-手动隔 断阀V6, 211-膨胀阀V7, 212-电磁隔断阀V9, 213-电磁隔断阀V1(l，214-微调阀Vn，215-电 磁放气阀V12, 216-挡油阱，217-高真空室，218-监测高真空电离规G1, 219-标准电离真空 规G2, 220-1000Torr标准薄膜规G3, 221-手动隔断阀V8, 222-lTorr标准薄膜规G4, 223-电 阻规G5, 225-高真空校准接入端，226-低真空校准接入端，227-氮气存储装置。
【具体实施方式】
[0019] 为清楚说明本实用新型中的方案，下面给出优选的实施例并结合附图详细说明。
[0020] 如图1和图2所示，相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准装置，包括 箱体100和相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准系统200,所述相对法高真 空、相对法低真空及膨胀法一体式校准系统200设在所述箱体100内；如图2所示，所述 相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准统200包括检测管路、高真空校准分系 统203、低真空校准分系统204、机械泵201和分子泵202 ;所述检测管路包括导气管、电阻 规65223、电磁隔断阀Vltl、手动隔断阀VP05、微调阀V5209和电磁隔断阀V 9212 ;所述电阻规 G5209、所述电磁隔断阀V1(l213、所述分子泵202、所述手动隔断阀Vi205、所述微调阀V 5209和 所述电磁隔断阀V9212通过导气管依次连接；所述机械泵201依次经过电磁放气阀V12215 和挡油阱216与位于所述电阻规G5209和所述电磁隔断阀V9212之间的所述检测管路导通 连接，所述高真空校准分系统203与位于所述手动隔断阀％205和所述微调阀V5209之间 的所述检测管路导通连接，所述低真空校准分系统204与位于所述微调阀V5209和所述电 磁隔断阀V9212之间的所述检测管路导通连接，位于所述手动隔断阀'205和所述微调阀 V5209之间的所述检测管路与位于所述微调阀V5209和所述电磁隔断阀V9212之间的所述检 测管路经过手动隔断阀V6210和膨胀阀V7211导通连接，位于所述微调阀V5209和所述电磁 隔断阀V9212之间的所述检测管路微调阀V11 (214)与氮气存储装置227导通连接。其中， 所述挡油阱216不仅可以避免校准结束后打开所述电磁放气阀V12215时，环境中的有害气 体成分（如S02、N02等酸性气体分子进入所述检测管路对所述分子泵202造成损坏，而且还 可以阻止所述机械泵201中的油性分子挥发物进入检测管路对所述分子泵202造成损坏。
[0021] 其中，如图2所示，所述高真空校准分系统包括高真空室217、监测高真空电离规 G:218、标准电离真空规62219和高真空校准接入端225,所述监测高真空电离规6 :218与所 述高真空室217导通连接，所述标准电离真空规62219与所述高真空室217导通连接，所述 高真空室217通过手动隔断阀V2206与所述高真空校准接入端225导通连接，所述高真空室 217与位于所述手动隔断阀VP05和所述微调阀V5209之间的所述检测管路导通连接；所述 低真空校准分系统204包括低真空室224、IOOOTorr标准薄膜规G3220、ITorr标准薄膜规 G4222和低真空校准接入端226,所述IOOOTorr标准薄膜规G3220与所述低真空室224导通 连接，所述ITorr标准薄膜规G4222经过手动隔断阀V8221与所述低真空室224导通连接， 所述低真空室224通过手动隔断阀V4208与所述低真空校准接入端226导通连接，所述低真 空室224与位于所述电磁隔断阀V9212和所述微调阀V5209之间的所述检测管路导通连接， 所述低真空室224通过手动隔断阀V3207与所述高真空校准接入端225导通连接。其中为 了避免杂物落入所述高真空校准接入端225的通气管和所述低真空校准接入端226的通气 管中，所述高真空校准接入端225和所述低真空校准接入端226的通气管均设有盲板。不 使用所述高真空校准分系统203和/或所述低真空校准分系统204时，可用所述盲板盖住 所述高真空校准接入端225的通气管和/或所述低真空校准接入端226的通气管。
[0022] 为了提高所述相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准系统200的操控 性，本实施例中，还包括微机、标准电离计、IOOOTorr电容薄膜计、ITorr电容薄膜计和复合 真空计，所述微机分别与所述标准电离计、所述IOOOTorr电容薄膜计、所述ITorr电容薄膜 计和所述复合真空计通信连接，其中，所述标准电离计设在所述标准电离真空规62219上； 所述IOOOTorr电容薄膜计设在所述IOOOTorr标准薄膜规G3220上；所述ITorr电容薄膜 计设在所述ITorr标准薄膜规G4222上；所述监测高真空电离规G:218和所述电阻规G 5223 上分别设有一个所述复合真空计；所述微机配有显示屏110。
[0023] 在对真空计等真空度计量仪器进行校检时，所述高真空校准分系统203或所述低 真空校准分系统204的动态极限真空度达不到校检要求，为了使所述相对法高真空、相对 法低真空及膨胀法一体式校准系统200的动态极限真空度达到校验要求，本实施例中，所 述分子泵202配有加热装置；所述挡油阱216配有加热装置。
[0024] 如图1所示，所述箱体100的箱壁上设有电源开关，所述电源开关包括括机械泵电 源开关103、电磁隔断阀V9电源开关104、电磁隔断阀Vltl电源开关105、分子泵开关106、挡 油阱加热装置电源开关107、分子泵加热装置电源开关108、电容薄膜计电源开关109和总 电源开关101。
[0025] 实施例1相对法高真空校准
[0026] 使用本实用新型采用相对法对高真空规进行校准的具体步骤如下：
[0027] (1)将被校高真空规与所述高真空校准接入端225连接，并保证所述被校高真空 规的仪表与所述高真空校准接入端225的通气管连接；
[0028] (2)将所有阀门关闭；
[0029] (3)接通所述总电源，打开所述总电源开关101，并接通所述分子泵202的冷却用 水水源；
[0030] (4)开启所述机械泵201，然后依次打开所述电磁放气阀V12215、所述电磁隔断阀 V9212和所述手动隔断阀V3207,对所述手动隔断阀V2206与所述高真空校准接入端225之 间的管路进行抽真空，时间为4?6分钟，然后依次关闭所述手动隔断阀V3207和所述电磁 隔断阀V9212 ;
[0031] (5)依次打开所述电磁隔断阀V1(l213、所述手动隔断阀L205和所述手动隔断阀 V2206对所述高真空室217进行抽真空；
[0032] (6)当所述电阻规G5223读数小于20Pa时，启动所述分子泵202 ;
[0033] (7)待所述分子泵202正常工作（715Hz)4?6分钟后接通所述监测高真空电离规 匕218,待所述监测高真空电离规G:218读数小于或等于IXKT2Pa时，接通所述标准电离真 空规G2219和所述被校高真空规的电源；
[0034] (8)关闭所述监测高真空电离规匕218,然后用所述标准电离真空规G2219测得动 态极限真空度Ptl和被校高真空规测得动态极限真空度Pc/ ;
[0035] (9)打开所述手动隔断阀V8221并接通所述IOOOTorr标准薄膜规G 3220和所述 ITorr标准薄膜规G4222的电源；
[0036] (10)关闭所述电磁隔断阀V1(l213,接着打开所述电磁隔断阀V9212,对所述低真空 室224抽真空，当所述ITorr标准薄膜规G4222的读数不大于5Pa时关闭所述电磁隔断阀 V9212,然后再打开所述电磁隔断阀V1(l213 ;
[0037] (11)关闭所述手动隔断阀V8221，调节所述微调阀Vn214,使得所述低真空室224 内气压在2000Pa左右；
[0038] (12)调节所述微调阀V5209,从高真空到低真空，得到一系列稳定的真空校准点， 设每个点有所述标准电离真空规G2219测得的标准值为Pp相应由所述被校高真空规测得 的被校值为Ptt，然后根据下列公式分别得到被校高真空规各点的误差S或校准系数K :
[0039]
【权利要求】
1. 相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准装置，其特征在于，包括箱体 (100)和相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准系统（200)，所述相对法高真 空、相对法低真空及膨胀法一体式校准系统（200)设在所述箱体（100)内；所述相对法 高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准系统（200)包括检测管路、高真空校准分系统 (203)、低真空校准分系统（204)、机械泵（201)和分子泵（202);所述检测管路包括导气管、 电阻规G5 (223)、电磁隔断阀V1(l (213)、手动隔断阀Vi (205)、微调阀V5 (209)和电磁隔断阀 V9(212);所述电阻规G5(223)、所述电磁隔断阀V1CI(213)、所述分子泵（202)、所述手动隔断 阀％ (205)、所述微调阀V5(209)和所述电磁隔断阀V9(212)通过导气管依次连接；所述机械 泵（201)依次经过电磁放气阀V12 (215)和挡油阱（216)与位于所述电阻规G5(223)和所述 电磁隔断阀V9(212)之间的所述检测管路导通连接，所述高真空校准分系统（203)与位于 所述手动隔断阀'(205)和所述微调阀V5(209)之间的所述检测管路导通连接，所述低真空 校准分系统（204)与位于所述微调阀V5(209)和所述电磁隔断阀V9(212)之间的所述检测 管路导通连接，位于所述手动隔断阀'(205)和所述微调阀V5(209)之间的所述检测管路与 位于所述微调_V5(209)和所述电磁隔断阀V9(212)之间的所述检测管路经过手动隔断阀 V6(210)和膨胀_V7(211)导通连接，位于所述微调阀V5(209)和所述电磁隔断阀V 9(212)之 间的所述检测管路微调阀Vn (214)与氮气存储装置（227)导通连接。
2. 根据权利要求1所述的相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准装置，其 特征在于，所述高真空校准分系统（203)包括高真空室（217)、监测高真空电离规匕(218)、 标准电离真空规62 (219)和高真空校准接入端（225)，所述监测高真空电离规匕(218)与所 述高真空室（217)导通连接，所述标准电离真空规62 (219)与所述高真空室（217)导通连 接，所述高真空室（217)通过手动隔断_V2(206)与所述高真空校准接入端（225)导通连 接，所述高真空室（217)与位于所述手动隔断阀％ (205)和所述微调阀V5(209)之间的所述 检测管路导通连接。
3. 根据权利要求1所述的相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准装置， 其特征在于，所述低真空校准分系统包括低真空室（224)、lOOOTorr标准薄膜规G3(220)、 ITorr标准薄膜规G4(222)和低真空校准接入端（226)，所述lOOOTorr标准薄膜规G3(220) 与所述低真空室（224)导通连接，所述ITorr标准薄膜规G4(222)经过手动隔断_V8(221) 与所述低真空室（224)导通连接，所述低真空室（224)通过手动隔断_V4(208)与所述低 真空校准接入端（226)导通连接，所述低真空室（224)与位于所述电磁隔断_V9(212)和 所述微调阀V5(209)之间的所述检测管路导通连接，所述低真空室（224)通过手动隔断阀 V3 (207)与所述高真空校准接入端（225)导通连接。
4. 根据权利要求1所述的相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准装置，其 特征在于，所述高真空校准接入端（225)和所述低真空校准接入端（226)均设有盲板。
5. 根据权利要求1所述的相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准装置，其 特征在于，还包括微机、标准电离计、lOOOTorr电容薄膜计、ITorr电容薄膜计和复合真空 计，所述微机分别与所述标准电离计、所述lOOOTorr电容薄膜计、所述ITorr电容薄膜计和 所述复合真空计通信连接。
6. 根据权利要求5所述的相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准装置，其 特征在于，所述标准电离计设在所述标准电离真空规62 (219)上；所述lOOOTorr电容薄膜 计设在所述lOOOTorr标准薄膜规G3(220)上；所述ITorr电容薄膜计设在所述ITorr标准 薄膜规G4(222)上；所述监测高真空电离规匕(218)和所述电阻规G5(223)上分别设有一个 所述复合真空计。
7. 根据权利要求5所述的相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准装置，其 特征在于，所述微机配有显示屏（110)。
8. 根据权利要求1所述的相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准装置，其 特征在于，所述分子泵（202)配有加热装置；所述挡油阱（216)配有加热装置。
9. 根据权利要求1所述的相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准装置， 其特征在于，所述箱体（100)的箱壁上设有电源开关，所述电源开关包括机械泵电源开关 (103)、电磁隔断阀％电源开关（104)、电磁隔断阀V1(l电源开关（105)、分子泵开关（106)、 挡油阱加热装置电源开关（107)、分子泵加热装置电源开关（108)、电容薄膜计电源开关 (109)和总电源开关（101)。
【文档编号】G01L27/00GK204142418SQ201420626210
【公开日】2015年2月4日 申请日期:2014年10月27日 优先权日:2014年10月27日
【发明者】陈俊华 申请人:北京麦克思拓测控科技有限公司