1.一种方法，包括：
制造辐射检测结构，所述制造包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底包括从其表面延伸到所述半导体衬底中的多个凹腔；及
将辐射检测材料的辐射检测粒子电泳式沉积至延伸到所述半导体衬底中的所述多个凹腔中，其中所述电泳式沉积用所述辐射检测粒子填充所述多个凹腔。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述提供包括通过电化学蚀刻所述半导体衬底以形成延伸到所述半导体衬底中的所述多个凹腔。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述提供进一步包括用多个表面缺陷区域图案化所述半导体衬底的所述表面，且所述电化学蚀刻包括使用所述多个表面缺陷区域来便于穿过所述多个表面缺陷区域电化学蚀刻到所述半导体衬底中，以形成延伸到所述半导体衬底中的所述多个凹腔。
4.根据权利要求2所述的方法，进一步包括将所述半导体衬底连接到电解设备的电极，及使用所述电解设备以用于所述电化学蚀刻及所述电泳沉积两者。
5.根据权利要求2所述的方法，其中所述电化学蚀刻包括形成宽度针对从所述半导体衬底的所述表面开始的所述多个凹腔的长度大致恒定的所述多个凹腔，其中所述半导体衬底的所述多个凹腔的所述大致恒定宽度便于将所述辐射检测材料电泳沉积到所述多个凹腔中。
6.根据权利要求2所述的方法，其中所述半导体衬底的所述表面包括(111)表面且所述电化学蚀刻便于形成穿过所述半导体衬底的所述(111)表面的所述多个凹腔。
7.根据权利要求2所述的方法，其中所述电化学蚀刻包括在所述电化学蚀刻期间将所述半导体衬底用作电极。
8.根据权利要求1到7中任一项所述的方法，其中所述电泳沉积包括：
将所述辐射检测粒子分散在所述半导体衬底的所述多个凹腔所暴露到的液体内；及
施加电磁场，所述电磁场基本上沿着其中所述多个凹腔延伸到所述半导体衬底的方向定向，其中所述电磁场便于将所述辐射检测粒子沉积在所述半导体衬底的所述多个凹腔内。
9.根据权利要求8所述的方法，其中选择所述电磁场的强度以达到所述辐射检测粒子在所述半导体衬底的所述多个凹腔内的目标填充比。
10.根据权利要求1到7中任一项所述的方法，其中所述电泳沉积包括：
用所述辐射检测粒子过填充所述半导体衬底的所述多个凹腔；及
将在所述多个凹腔上方的过填充的辐射检测粒子向下移动到延伸到所述半导体衬底的所述多个凹腔中，以进一步增加安置于其中的所述辐射检测粒子的量。
11.根据权利要求10所述的方法，其中所述移动包括以机械方式迫使所述过填充的辐射检测粒子进入所述半导体衬底的所述多个凹腔中。
12.根据权利要求10所述的方法，其中所述移动包括使所述辐射检测结构退火以将所述过填充的辐射检测粒子扩散到所述半导体衬底的所述多个凹腔中。
13.根据权利要求1到7中任一项所述的方法，其中所述电泳沉积包括将所述辐射检测材料的在1nm到3μm的范围中的不同大小的辐射检测粒子安置到所述半导体衬底的所述多个凹腔中，其中所述不同大小的辐射检测粒子的组合便于用所述辐射检测材料填充到所述半导体衬底的所述多个所述凹腔。
14.根据权利要求1到7中任一项所述的方法，其中所述提供包括提供特征开口在3μm到5μm的范围中的所述半导体衬底的所述多个凹腔，其中所述电泳沉积便于驱动在1nm到3μm的范围中的所述辐射检测粒子进入所述多个凹腔中。
15.根据权利要求1到7中任一项所述的方法，其中所述电泳沉积包括在所述电泳沉积期间将所述半导体衬底用作电极。
16.根据权利要求1到7中任一项所述的方法，进一步包括在所述电泳沉积之前在所述半导体衬底内形成连续p-n结，且所述连续p-n结部分平行于所述多个凹腔从其延伸到所述半导体衬底中的所述半导体衬底的所述表面而安置，并与在其中界定所述多个凹腔的所述半导体衬底的内腔壁成间隔对置的关系，其中所述连续p-n结与所述半导体衬底的所述表面间隔的距离大于所述连续p-n结以对置关系与所述半导体衬底的所述内腔壁间隔的距离。
17.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中所述辐射检测材料通过释出带电反应产物对辐射作出响应，且所述辐射检测结构感测所述带电反应产物来检测所述辐射。
18.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中所述辐射检测结构是中子检测结构，且所述辐射检测材料包括硼。
19.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中所述辐射检测结构是γ辐射检测结构，且所述辐射检测材料包括CdTe或CdZnTe中的一个。
20.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中所述提供包括在所述半导体衬底的所述表面内形成在其开口处具有瓶颈的所述多个凹腔，且所述电泳沉积包括使用电磁场来驱动所述辐射检测粒子穿过所述多个凹腔的所述开口处的所述瓶颈以用所述辐射检测粒子来填充所述多个凹腔。