具有离子改性的离子迁移谱仪的制作方法

本公开涉及装置和方法，并且尤其涉及谱仪和谱分析方法。

背景技术：

离子迁移谱仪(ims)可以通过使材料(例如，分子、原子)离子化并测量所得到的离子在已知电场下穿过漂移气体行进已知距离所花费的时间来从感兴趣样本中识别材料。每个离子的飞行时间可以通过检测器来测量，并且飞行时间与离子的迁移率相关联。离子的迁移率与其质量和几何结构有关。因此，通过测量检测器中离子的飞行时间，推断离子的身份是可行的。这些飞行时间可以图形地或数字地被显示为等离子图。其它类型的谱仪(诸如质谱仪)根据离子的质荷比来分析离子。

为了改善谱仪识别感兴趣样本中的离子的能力，建议使用射频(rf)电场来对些离子进行改性(modify)(例如通过分裂它们)以提供附加信息，该附加信息可以被用于推断离子的身份。这可以改善解决离子之间差异的能力。在存在污染物时执行测量的情况下，或在困难的操作条件下，或者在样本包括具有类似几何结构和质量的情况下等，离子改性是有助于离子迁移谱仪的检测和识别离子的能力的一种方式。通过离子改性的过程产生的离子可以被称为“子离子”，并且产生子离子所用的离子可以被称为“母离子”。

期望增加被改性以提供子离子的母离子的比例，并且还期望增加离子改性过程的能量效率。

附图说明

现在将仅通过参考附图的示例的方式来描述本公开的实施方式，其中：

图1是穿过谱仪的部分截面的图示；

图2示出谱仪的示意图；

图3a示出谱仪的第二示意图；以及

图3b示出谱仪的另一示意图

在附图中，相同的附图标记被用于指示相同的元件。

具体实施方式

本公开的方面涉及应用能量来对从感兴趣的样本获得的离子进行改性，其中能量诸如交变电场和/或热量。该能量通常升高离子的有效温度并且可以促使它们与其自身或与在其中运载它们的气体的分子发生更频繁和高能的碰撞。现在已经发现，在离子改性在低压(例如，低于大气压力)下被执行的情况下，被转换成子离子的母离子的比例可以被增加。

本公开的方面提供离子迁移谱仪，包括被布置成允许气体样本从环境压力区域通过而到达离子迁移谱仪的低压区域的样本入口，以及被布置成控制低压区域中的气压低于环境压力的的控制器。低压区域中的压力可以是低于环境压力至少200mb，例如在低于环境压力150mb和低于环境压力800mb之间。离子改性器(modifier)被布置成在低压区域中对离子进行改性。样本入口可以包括孔，诸如针孔入口，被布置成允许气体样本流过入口。在一些其它实施方式中，样本入口可以包括被布置成允许气体样本扩散通过入口的膜。

该低压区域可以包括离子迁移谱仪的漂移区域或者可以在谱仪的引入阶段(intakestage)中被提供。漂移气体流可以沿着漂移区域向着样本入口孔被提供。控制器可以控制漂移气体流以控制低压区域中的压力。

样本入口可以包括孔，该孔可以是可控制以打开来获得携带样本通过样本入口的气体流，并且还可控制以限制流通过样本入口，例如阻挡，例如关闭样本入口。操作离子改性器施加能量以对离子进行改性所用的定时可以基于打开和/或关闭样本入口所用定时而被选择。例如，离子改性器可以被操作以使得能量的施加与样本入口孔的打开一致。操作离子改性器的定时可以是基于样本入口孔的操作，例如两个可以是同步的。

控制器可以被配置成对低压区域进行抽吸以降低低压区域中的气压低于环境压力。

离子改性器可以被布置在离子发生器和检测器之间，在离子从离子发生器向着检测器行进的路径中。离子改性器可以包括两个电极，并且该电极可以被配置以使得穿过两个电极之间的区域行进的离子可以经受与离子向着检测器的行进方向对齐的交变电场。例如，每一个电极均可以包括导体网格，其被布置成横向于离子向着检测器的行进方向。这些和其它可能性现在将参考附图被更加详细地讨论。

图1是穿过这种离子迁移谱仪(ims)100的部分截面剖视图的图示。

图1中所示的离子迁移谱仪100包括通过门106与漂移区域104分离的离子发生器102。离子发生器可以被布置在离子化区域103中，气体可以流过样本入口108进入离子化区域。门106可以控制离子从离子发生器102和离子化区域103进入漂移区域104的通道。

图1所示的样本入口可以包括诸如针孔的孔108，例如毛细入口。孔可以具有小于1mm的直径，例如具有小于0.8mm的直径，例如至少0.2mm。例如至少0.4mm，例如至少0.6mm。流过该孔的气体可以运载物质的样本以被离子发生器102离子化。

在图1所示的示例中，漂移区域104位于离子发生器102和检测器118之间，如此使得离子可以穿过漂移区域104而到达检测器118。漂移区域104可以包括一系列漂移电极120a、120b，以用于沿着漂移区域104施加电压分布来沿着漂移区域104将离子从离子发生器102向着检测器118移动。

ims100可以被配置成在通常相反于离子至检测器118的行进路径的方向提供漂移气体流。例如，漂移气体可以从检测器118的邻近向着门106流动。如所示，漂移气体入口122和漂移气体出口124可以用于使漂移气体通过漂移区域104。漂移气体循环系统105适用于从漂移气体入口122向着漂移气体出口124移动漂移气体流通过漂移区域104，以及可以被配置成再循环该漂移气体，并且例如在其被再循环至漂移气体入口122以返回通过漂移区域104之前，对经由漂移气体出口再移动的气体进行过滤和净化。

真空供应器109可以由控制器200控制。真空供应器109可以控制ims的低压区域中的气体压力小于环境压力，例如控制气体压力为低于环境压力200mb或更低，例如，低于环境压力300mb或更低，例如低于环境压力400mb或更低。这些低于200mb或更低的低压可以在入口包括膜的示例中特别有用。低压区域可以包括离子化区域103，并且在一些示例中包括反应区域，和/或漂移区域104。

ims的低压区域可以包括通气口(vent)107，其可以被布置在漂移区域104的壁中，并被耦合至真空供应器109，真空供应器109诸如布置成对ims的低压区域进行抽吸以降低该区域的气压的抽吸装置(pump)。通气口107可以被布置在漂移区域104的壁中的位置，该位置被选择以降低沿着漂移区域104的漂移气体流的干扰。例如，通气口107可以被均匀地(或许对称地)围绕漂移区域104的周界分布，例如，通气口可以围绕漂移区域104的圆周被分布。

然而，实现这一点，控制器200可以被配置成在该区域中提供比低于环境压力150mb更低的气压，例如，至少低200mb，在一些实施方式中比低于环境压力300mb更低，在一些实施方式中，该区域中的气压是低于环境压力500mb。在一些实施方式中，气压比低于环境压力800mb的气压高，例如低于环境压力700mb，例如，比低于环境压力600mb的气压高。例如，压力可以在低于环境压力150mb和800mb的压力之间。

离子改性器被布置成施加能量来对离子迁移谱仪的低压区域中的离子进行改性。在图1所示的示例中，离子改性器包括电极126、127，被配置成通过使离子经受交变电场来施加能量。

离子改性器电极126、127可以与与门电极106间隔开。如所示，离子改性器电极126、127被布置在漂移区域104中，门电极和检测器之间。在一种实施方式中，离子改性器可以被布置在离子化区域103中，例如在入口108和门106之间。

离子改性器电极126、127中的每一者可以包括导体阵列，诸如网格，被布置跨越漂移区域104。如所示，每个离子改性器电极126、127的导体可以在它们之间具有间隙，如此使得离子可以通过穿过间隙行进来通过每个电极。在一种示例中，离子通过电极126的导体之间的间隙进入电极126、127之间的区域129，并且离开该区域穿过电极127的导体之间的间隙。当离子在电极126、127之间的区域中时，它们可以经受交变rf电场。该场可以与离子向着检测器的行进方向对齐。根据本公开的上下文将理解的是，该对齐并不必是完美的或一致的。离子改性器可以按照第一模式操作，其中通过离子改性器的离子可以经受交变电场以对所述离子进行改性，以及可以按照第二模式操作，其中交变电场的幅度较低，例如在其被关闭的情况下，允许离子在不进行改性的情况下通过离子改性器。

检测器118可以被耦合以向控制器200提供信号。来自检测器118的电流可以被控制器200用于推断离子已经到达检测器118，并且离子的特性可以基于离子通过门106沿着漂移区域104到达检测器118的时间而被确定。检测器118的示例被配置成提供指示离子已经到达检测器118的信号。检测器可以包括导电电极(诸如法拉第盘)。

漂移电极120a、120b可以被布置成向着检测器118引导离子，例如，漂移电极120a、120b可以包括可以被围绕漂移区域104布置以向着检测器118移动离子的环。尽管图1的示例仅包括两个漂移电极120a、120b，但是在一些示例中多个电极可以被使用，或者单个电极可以结合检测器118而被使用以施加电场来向着检测器118引导离子。如图1所示，电压供应器202被耦合以由控制器200控制。电压供应器202还可以被耦合来向离子发生器102提供电压以使得来自样本的材料能够被离子化。在一种实施方式中，电压供应器202被耦合至门电极106以控制离子从离子化区域103进入至漂移区域104的通道。

电压供应器202可以被耦合至漂移电极120a、120b，用于提供电压分布以从离子发生器102向着检测器118移动离子。如图1所示，电压供应器202可以被耦合以向离子改性器电极126、127提供时变的例如交变rf电压。通过相对于彼此控制两个离子改性器电极126、127中的一者或二者的电压，电压供应器可以提供第一电极和第二电极之间的时变电压。控制离子改性器电极的电压可以包括控制施加至电极126、127中的一者或二者的电压的相位。例如，两个电极的电压可以被改变并且施加至每个电极的电压之间存在相位差，例如电压可以是反相的。

如将理解的，控制器200可以控制抽吸装置的操作以选择ims的低压区域中的压力。气体流入该区域和从该区域流出，例如气体流通过样本入口孔108和漂移气体入口122，可以然后被选择以维持该压力，同时提供期望的气体流。例如，入口孔108可以包括执行器(诸如压电驱动的隔膜)，可选择地可操作以将气态流体抽入至离子化区域103，以及真空供应器的操作可以被选择以平衡关联于正被通过孔抽入至离子化区域中的样本的压力变化。沿着漂移区域104的漂移气体流然后可以被提供，除了来自孔的任何流动之外，并且可以调节真空供应器109的操作以解决它。这仅仅是一种可行方式，并且其它方式可以被使用，例如压力控制可以通过控制气体流入至ims的低压区域和流出低压区域中的一者或多者而被提供，例如，通过样本入口孔108、漂移气体入口122和漂移气体出口124的气体流。例如，执行器可以包括可控制的阻挡器，例如快门，其是可控制的以禁止(例如阻止)气态流体流过孔。

在一些实施方式中，入口108可以包括膜入口，适用于允许样本蒸汽渗透(例如扩散通过)膜进入低压区域。

图2示出离子迁移谱仪100'的示意图。为了清楚起见，电压供应器及其与各种电极的连接在图2中未示出。

图2所示的离子迁移谱仪100'包括打开的样本入口孔108，例如针孔入口或毛细入口。通过该孔的气体流通过气体可以流过的其横截面的面积以及其长度来确定。样本入口孔可以包括膜。

在图2所示的示例，控制器被耦合以控制漂移气体的循环，例如以控制气体经由漂移气体入口和出口来流入至漂移区域104和/或流出漂移区域104。这可以通过以下项来实现：控制漂移气体循环系统105，或者控制漂移气体被通过漂移气体入口引入至漂移区域104所用的速率，和/或漂移气体通过漂移气体出口离开漂移区域104所用的速率。

漂移气体循环系统105可以参考环境压力，例如，漂移气体系统105的输出可以参考环境压力，例如通过通气口101。漂移气体入口可以包括限流器(restrictor)111，诸如抽头状可变收缩件，例如可控制的阀门，并且控制器可以被配置成控制该限流器111来调节漂移气体的相对流入和流出漂移区域104。在该方式中，ims100'的低压区域的压力可以被调节成小于环境压力，并且离子改性器126、127可以施加能量以对该低压区域中的离子进行改性。

图3a和图3b示出可能性，其中样本入口孔108可以包括限流器113，其可操作地被关闭以禁止气体流通过样本入口孔108，并且可操作地被打开以允许气流流过样本入口孔108。图3a和图3b所示的控制器200可操作地控制样本入口限流器113以控制气体流通过样本入口孔108。控制器200可以操作该限流器113以获得携带将被离子化的样本的气体样本，以及还控制(例如调节)ims100"、100"'的低压区域中的压力。

图3a所示的装置不必包括通气口101以使漂移系统105参考环境压力，但是其他方面类似于图2所示，以及图3a的控制器200可以被配置成使用可控制的限流器111或通过控制漂移气体循环系统105来控制漂移气体流入和流出的相对速率，可控制的限流器111被布置成限制漂移气体入口122和漂移气体出口124中的一者或二者。

在图3b所示的示例中，ims100"'包括真空供应器109，诸如被配置为如上参考图1所述的真空供应器109操作的抽吸装置。如图3a所示的示例中，该ims100"的控制器200被配置成通过以下来控制ims的低压区域中的压力：控制真空供应器109以及通过样本入口孔108将漂移气体引入至漂移区域104的速率。例如，控制器200可以控制限流器113的操作，以控制通过样本入口孔108的气体流。

在本公开的这些和其他实施方式中，可以提供压力传感器用于感测ims的低压区域中的压力，并且控制器200可以被配置成基于所感测到的压力来控制压力。在一些实施方式中，真空供应器和/或漂移气体入口/出口和/或样本入口孔108提供的相对流入/流出速率可以基于标定(calibration)被预先确定和/或基于环境压力来选择，以提供ims的低压区域中期望的压力。

施加到离子改性器的时变电压可以具有至少2.5mhz的频率。在一种实施方式中，频率至少为3mhz，或至少5mhz，在一些实施方式中为至少6mhz。在一种实施方式中，频率小于100mhz，在一些实施方式中，频率小于50mhz，在一些实施方式中小于25mhz，在一些实施方式中小于15mhz或小于10mhz。例如，频率可以在3mhz和20mhz之间，或者在6mhz和12mhz之间。在一些示例中，频率约为8mhz。

在一种实施方式中，电压供应器被配置为控制第一电极的电压变化小于第二电极的电压。在一个示例中，离子改性器电极126、127中的一个的电压的变化幅度可以小于另一离子改性器电极的变化幅度。例如，电压供应器202可以基于直流dc参考电压来控制离子改性器电极126、127中一者的电压，使得一个电极的电压是恒定的，而另一个电极的电压变化。在一个示例中，电压供应器可以控制离子改性电极126、127的电压，使得每一者的变化是正弦曲线、或方波、锯齿或脉冲串，以及一个离子改性器电极的电压变化幅度可以小于另一个离子改性器电极的电压变化。在一种实施方式中，向离子改性器电极126、127施加不对称电压可以减少rf电场与谱仪的其它组件的不必要的耦合，并且这可以减少来自谱仪的不必要的电磁干扰泄漏。

电压供应器202可以控制两个离子改性器电极126、127的电压以选择的相位差变化，例如，电压控制器可以控制两个离子改性器电极126、127的电压，使得一个电极的正电压偏移在另一个电极的负电压偏移期间发生。例如，电压供应器202可以控制两个离子改性器电极126、127的电压以反相变化。两个电极的电压偏移可以具有相同的幅度。

在一些示例中，电压供应器可以控制离子改性器电极126、127中的一个的电压比另一个离子改性器电极126、127的电压更快地变化。例如，离子改性器电极126、127中的一者可以被耦合到参考电压，该参考电压可以包括直流电压，而另一离子改性器电极可以被耦合到诸如rf电压的交变电压。

如上所述，漂移电极120a、120b可以提供电压分布，该电压分布沿着漂移区域104移动离子，使得离子从离子发生器向着检测器行进。如图1所示，第一离子改性器电极126和第二离子改性器电极127可以在离子的行进方向上间隔开。在一种实施方式中，电压供应器被配置为基于沿着漂移区域104的离子改性器电极126、127的位置并且基于由漂移电极120a、120b提供的电压分布来控制离子改性器电极126、127中的至少一个的电压。在一种实施方式中，基于该电压分布选择离子改性器电极126、127的电压的时间平均值。在一种实施方式中，电压供应器202在离子改性器电极126、127之间提供dc电压偏移。该dc电压偏移可以基于离子改性器电极126、127之间的间隔和电压分布。

如图1所示，离子改性器电极126、127的每个包括导体网格。离子改性器电极126、127可以彼此并行。在一种实施方式中，网格被布置跨越(例如，横向于，例如垂直于)离子从离子发生器向着检测器的行进方向。

向着检测器行进的离子可以通过离子改性器电极126的导体之间的间隙，并进入离子改性器电极126、127之间的区域129，在该区域129中，它们可以经受射频rf电场。

靠近检测器118的离子改性器电极127可以被布置以使得电极127的导体位于离子通过另一离子改性器电极中的间隙的行进路径中。一个电极的导体127可以至少部分阻塞另一电极126中的间隙。已经发现，这可以增加通过离子改性器变换成子离子的母离子的数量。电极126的导体被显示为并行于电极127的导体。在一种实施方式中，电极126、127可以被布置在并行平面中，但是两个电极126、127中的导体可以彼此有角度的偏移(例如，不成直线的)，使得一个离子改性器电极的导体位于离子穿过另一离子改性器电极的间隙的行进路径中。在一种实施方式中，电极126、127可以布置在并行平面中，但是两个电极126、127的导体可以在横向于离子行进方向的方向中彼此横向地偏移，使得一个离子改性器电极126的导体位于离子穿过另一改性器电极127的间隙的行进路径中。在一些实施方式中，这些特征被结合，使得两个离子改性器电极126、127的导体都横向地及有角度地偏移。

在一些实施方式中，本公开提供用于将样本引入至谱仪的引入阶段(intakestage)装置。该引入阶段可以包括低压区域，该低压区域具有比低于环境压力200mb的压力小的压力，例如比低于环境压力300mb的压力小的压力，例如，比低于环境压力400mb的压力小的压力。在一些实施方式中，该低压区域中的气压低于环境压力500mb。在一些实施方式中气压比低于环境压力800mb的压力大，例如比低于环境压力700mb的压力大，例如比低于环境压力600mb的压力大。例如，压力可以在低于环境压力150mb和800mb的压力之间。低压区域可以包括用于获得气态流体样本的入口、用于获得来自样本的母离子的离子发生器以及被配置成对低压区域中母离子进行改性以提供子离子的离子改性器。离子改性器可以具有于此描述的任何离子改性器的任何特征，并且尤其是在上述段落中描述的电极的特征。该引入阶段可以包括布置成向谱仪提供子离子用于分析的出口。

在一种实施方式中，ims和电压供应器可以被包含在公共壳体中。在一种实施方式中，离子改性器电极126、127可以放置在漂移区域104中。离子改性器电极可以沿着漂移区域104与门电极具有间隔。该间隔可以是距离门电极106至少0.5mm，例如至少2mm，在一种实施方式中，至少4mm，在一种实施方式中至少6mm，或者至少7mm。在一种实施方式中，所述间隔可以小于150mm，或者小于100mm，例如小于50mm。

离子改性器电极126、127可以包括网格，诸如丝网(mesh)。该丝网可以是导体格子，其可以以重复的正方形模式布置。导体可以具有至少10μm的厚度，例如小于30μm。网格的间距可以至少为200μm，例如小于500μm。两个网格可以彼此分开至少0.1mm，例如至少0.15mm，例如小于0.4mm，例如小于0.3mm。

在一种实施方式中，最近的电极126被布置在距离门1067mm的漂移区域104中。在该实施方式中，离子改性器电极126、127之间的间隔为0.2mm，并且电极包括具有正方形模式的丝网。在该实施方式中，丝网的导体的厚度为21μm，并以363μm的间距被布置。导体可以包括导线。

不希望被理论束缚，相信在1.9mhz的频率下，离子在rf波形的一半中行进的距离相当于两个改性器电极126、127之间的距离。因此，离子不像在频率增加时那样经历与rf一样多的周期(cycle)。换句话说，如果离子的速度为每秒1000米，那么在2mhz周期的一半中，如果施加的电压为方波，则将行进0.25mm，如果施加的电压为正弦波，则将行进0.176mm。如果离子改性器电极126、127之间的间隙为0.25mm或者更少，则可以看出，仅在几个周期之后离子将从离子改性器中排出。当频率增加到例如6mhz或8mhz时，在周期的一半中行进的距离减小(例如，在8mhz处变为0.044mm)。因此，离子可以在其离开改性器之前经历许多周期，并且可以增加其经历具有足够高的能量的碰撞的可能性，以使键发生破裂或进行一些其它分子转化。

再次不希望被理论束缚，在一些实施方式中，甚至更高的频率(例如在8mhz和10mhz之间)可以减少离子改性器中的离子损失，这可能是因为在离子达到“不返回点”之前(它们将被吸到导体上)，离子能够更靠近离子改性器电极的导体。如此，较少的离子可能击中导线，并且更多因此在通过改性器的旅途中幸存下来，从而进一步增加灵敏度。

根据本公开的上下文应该理解的是，rf电场包括具有适用于施加能量来对离子进行改性的频率特性的任何交变电场(例如，通过把能量分给它们以升高它们的有效温度)。

根据本公开的上下文，其它示例和变形对于技术人员读者将是显而易见的。

本公开的实施方式包括用于样本离子化的方法和装置，例如气态流体的样本，诸如气体、蒸汽和喷雾。示例漂移气体包括但不限于，氮气、氦气、空气、再循环的空气(例如，被净化和/或被干燥的空气)。漂移气体不必被使用，本公开的一些示例可以被用于系统中，在该系统中，离子的平均自由路径相当于漂移室的长度，例如大于或等于漂移室的长度。除了迁移率，本公开的这些示例可以测量离子的质荷比，例如基于飞行时间测量或基于使离子经受磁场以使它们的行进方向偏转来测量。

总之参考附图，将理解的是示意性功能块图示被用于指示于此描述的系统和装置的功能。然而，将理解的是，所述功能不必按照该方式来区分，并且不应该被认为在所描述的和以下所要求权利的以外暗示硬件的任何特定结构。附图所示的一个或多个元件的功能可以被进一步细分，和/或分布在本公开的整个装置。在实施方式中，附图所示的一个或多个元件的功能可以被集成在单个功能单元中。

上述实施方式将被理解为说明性示例。可以设想其它实施方式。将理解的是，关于任何一种实施方式描述的特征可以被单独使用，或者结合所描述的其它特征来使用，并且还可以结合任何其它实施方式中的一个或多个特征被使用，或者利用与任何其它实施方式的任何结合而被使用。此外，在不背离本发明的范围的情况下(所述范围在随附权利要求中限定)，以上未描述的等效方案和改进也可以被采用。

在一些示例中，一个或多个存储器元件可以存储数据和/或程序指令，以用于实施与此描述的操作。本公开的实施方式提供计算机程序产品，诸如机器可读指令和/或包括程序指令有形的、永久性存储媒介，所述程序指令可操作以对处理器进行编程来执行于此描述的和/或于此要求权利的方法中的任何一者或多者和/或提供如于此描述的和/或于此要求权利的数据处理装置。

于此描述的装置的使用和操作也旨在作为所述方法的公开，以及装置的特殊结构可能不相关，因此装置实施方式的特征可以与于此描述的和要求权利的方法实施方式相结合。同样地，于此描述的方法可以通过于此公开的装置的合适配置而被实施。

于此概述的行为和装置可以使用可以通过固定逻辑提供的控制器和/或处理器来实施，诸如逻辑门或可编程逻辑的程序集，例如软件和/或由处理器执行的计算机程序指令。其它类型的可编程逻辑包括可编程处理器、可编程数字逻辑(例如，现场可编程门阵列(fpga))、可擦除可编程序只读存储器(eprom)、电可擦除可编程序只读存储器(eeprom)、专用集成电路、asic、或任何其它类型的数字逻辑、软件、代码、电子指令、闪存、光盘、cd-rom、dvdrom、磁卡或光卡、适用于存储电子指令的其它类型的机器可读媒介、或它们的任何组合。

在参考电极的情况下，应当理解，可以使用导体的任何布置，例如电极可以包括金属或其它导体，并且可以至少部分地暴露和/或部分绝缘。于此描述的电压供应器可以包括ac电源，其可以包括一个或多个升压或降压变压器，电压供应器还可以包括诸如电池或燃料电池或电容性功率存储器的dc电源。可以使用ac和dc电力的组合，并且电压供应器可以包括用于基于dc电源提供ac电压的逆变器。在一些实施方式中，电压供应器可以包括用于基于ac电源提供dc电压的整流器。可以使用ac和dc电源和电压提供组件的任何组合。在一些实施方式中，电压供应器也可以作为电流源来操作。