采用并行积聚的俘获离子迁移谱仪的制作方法
【专利摘要】本发明涉及俘获离子迁移谱仪的操作，该俘获离子迁移谱仪通过气流对抗反作用直流电场势垒来推动离子，优选的是与作为离子检测器的质量分析器相结合。本发明提供了一种位于俘获离子迁移谱仪上游的附加射频离子阱，其中，该射频离子阱作为积聚单元而与俘获离子迁移谱仪并行工作，从而能够在离子迁移谱仪中分析第一组离子，同时在积聚单元中收集来自离子源的第二组离子。
【专利说明】
采用并行积聚的俘获离子迁移谱仪
技术领域
[0001]本发明涉及采集按迀移率分离的离子质谱的装置和方法。
【背景技术】
[0002]文献US 7,838,826 Bl(M.A.Park，2008年)中介绍了一种相对较小的离子迀移谱仪，其被称为“俘获离子迀移谱仪”(HMS)。若不计附加的入口漏斗和出口漏斗，基本迀移率分离单元(分离器通道)的长度仅为约五厘米。根据迀移率分离离子借助圆柱形分离器通道中的气流进行，在积聚阶段，气流对抗反作用直流电场势皇推动来自离子源中的离子，同时四极射频场径向地限定离子。停止进一步输送离子之后，开始扫描阶段，在此阶段直流电场势皇逐渐减小。在扫描阶段，气流推动离子穿过逐渐减小的直流电场势皇，从而相继释放从低迀移率到较高迀移率的被势皇俘获的离子。可在离子检测器中检测到这些离子，从而获得迀移谱。
[0003]图1示意性示出了US7,838,826 BI所述的俘获离子迀移谱仪的优选设计和工作。入口漏斗(10)和出口漏斗(12)间的管状分离器管道(11)的长度仅为约48毫米；内径为8毫米。离子迀移分离器通道(11)包含一系列扇形体电极(1)、(2)、(3)和(4)的分段隔膜，用于生成四极射频场。来自离子源(未显示)的离子(6)与气流(7)—道通过毛细管(8)引入到第一真空室内。推斥板(9)引导离子进入漏斗(10);气流(14)推动离子进入分离器通道(U)。图1底部显示了三个工作阶段中电场E(Z)沿z轴的分布:在积聚阶段(A)，离子被气流(16)吹向介于z轴位置(20)和(23)之间的电场分布上升沿。在只有一至二毫秒的俘获阶段(B)，停止离子流入，离子将根据其迀移率在上升沿上达到其平衡位置。在扫描阶段(C)，不断减小的分布电压按离子迀移率递增的顺序在位置(23)和(24)之间的电场平台上释放离子，使离子通过出口漏斗并进入离子检测器。具体地，可通过飞行时间质谱仪之类的质谱仪来测量这些离子，从而获得质量与迀移率的二维谱。与其他建立小型离子迀移谱仪的试验不同，M.A.Park的装置已经能够实现高达RMb = 250的离子迀移分辨率，而传统迀移谱仪则从未达到非常高的迀移分辨率。
[0004]仍需要使质谱仪离子源中产生的离子的利用率(占空比)达到最高的装置和操作方法，从而减少对迀移分辨率的限制，尤其是要与耦合到液相色谱的电喷雾离子源结合使用，以用于在自下而上蛋白质组学鉴定领域中分析复杂样本。
【发明内容】
[0005]在第一方面中，本发明提供了一种操作俘获离子迀移谱仪的方法，包含以下步骤:(a)在射频离子阱中积聚来自离子源的离子；(b)将至少一部分积聚的离子转移到俘获离子迀移分离器，转移的离子将在其中由射频场径向地限定，并被气流推向第一轴向直流电场势皇的上升沿，从而使转移的离子按离子迀移率在空间上沿上升沿分离；(C)在来自离子源的离子在射频离子阱中继续积聚的同时，通过降低直流电场势皇的高度来获得转移离子的离子迀移谱。
[0006]使用现有技术在离子源中产生、积聚并随后在俘获离子迀移谱仪中分离的离子的利用率被限制在q=ta/(ta+ts)，其中ta是俘获离子迀移分离器中的离子积聚时间，ts是直流电场势皇的扫描时间，在此期间离子将无法在俘获离子迀移分离器中积聚。此处的利用率也称“占空比”。根据本发明，在射频离子阱(积聚单元)和俘获离子迀移分离器(扫描单元)中不丢失任何离子时，占空比能够接近100%。
[0007]在一个实施例中，在俘获离子迀移分离器中由四极射频场径向地限定离子。可在位于离子源和俘获离子迀移分离器之间的射频漏斗中积聚离子，其中射频漏斗的出口处的场优选地调节为俘获离子迀移分离器的入口处的四极射频场。离子优选地在具有径向地限定离子的四极射频场的线性射频阱中积聚。虽然具有六极或八极等更多极的射频场能够进一步提升线性射频离子阱的离子存储容量，但此处主要详细介绍射频离子阱与俘获离子迀移分离器的优选的四极射频场结合使用的情况。
[0008]在其他实施例中，重复步骤(b)和步骤(C)来获得一系列离子迀移谱，尤其是离子迀移谱的时间序列。根据之前的一个或多个离子迀移谱确定作为离子迀移率的函数的离子密度，并随后用于调整第一直流电场势皇上升沿的电场分布，以将步骤(b)和步骤(C)期间在俘获离子迀移分离器中的离子损失降至最低。优选的是，对电场分布进行调节以使确定具有高离子密度之处或确定待分析离子之处的离子被解压。
[0009]在步骤(a)和步骤(C)期间，通过对射频离子阱的出口电极施加排斥直流电势，可在射频离子阱的出口处轴向地俘获离子。优选地，积聚的离子由气流推向位于射频离子阱中的第二轴向直流电场势皇的上升沿。在步骤(a)和步骤(c)期间，第二直流电场势皇的高度调整为沿第二直流电场势皇的上升沿俘获离子，并按照离子迀移率对离子进行空间分离。在步骤(b)中，通过将第二电场势皇反转、关闭或降低其高度来将至少一部分积聚的离子转移到俘获离子迀移分离器。也可调整第二直流电场势皇上升沿的电场分布，以使步骤(a)和步骤(C)期间射频离子阱中的离子损失最小，尤其是在根据之前一个或多个离子迀移谱确定了作为离子迀移率的函数的离子密度之后。
[0010]在其他实施例中，在位于俘获离子迀移分离器下游的质量分析器中进一步分析转移的离子。优选的是，在位于离子俘获迀移率分离器下游的破碎池中破碎转移的离子，其中，将在位于破碎池下游的质量分析器中分析碎片离子。可在位于俘获离子迀移分离器和破碎池之间的附加质量分析器中选择母离子，然后在破碎池中将其破碎。
[0011]在第二方面中，本发明提供了包含离子源、射频离子阱和俘获离子迀移分离器的系统。俘获离子迀移分离器包含用于径向地限定离子的射频场、轴向作用的直流电场势皇(具有逐渐增大的直流电场的上升沿)和对抗上升沿处的直流电场的气流。射频离子阱(积聚单元)位于离子源和俘获离子迀移分离器之间，并且具有用于积聚来自离子源的离子的第一工作模式以及用于将离子向俘获离子迀移分离器转移的第二工作模式。
[0012]在一个实施例中，射频离子阱(积聚单元)是射频漏斗或线性射频离子阱。线性射频离子阱最好沿公共轴与离子俘获迀移分离器对齐，其中线性射频离子阱和俘获离子迀移分离器二者均包含用于沿公共轴径向地限定气流的管道。线性离子阱可设计为俘获离子迀移分离器的上游延伸部分，其长度大于3厘米，优选大于5厘米，不超过10厘米。线性射频离子阱可由图1所示的扇形体电极的分段隔膜组成。优选的是，线性离子阱的内径被调整为俘获离子迀移分离器的内径。优选的是，线性射频离子阱和俘获离子迀移分离器的径向限定射频场实质上是四极的。
[0013]线性射频离子阱可以包含直流电场势皇，该直流电场势皇具有逐渐升高的轴向直流电场的上升沿。优选的是，沿至少一个直流电场势皇的上升沿的电场强度的斜率(即轴向梯度)在上升沿的主要部分上不恒定。
[0014]在其他实施例中，系统还可包含至少一个位于俘获离子迀移分离器下游的质量分析器。质量分析器可以是正交飞行时间质量分析器、四极过滤器、射频离子阱、静电离子阱和离子回旋共振质谱仪之一，其位于离子迀移率分析器下游。所述系统还可包含位于俘获离子迀移率分析器和质量分析器之间的破碎池。破碎池可被配置为通过碰撞诱导解离(CID)、光子诱导解离(PID)、电子捕获解离(ECD)和电子转移解离(ETD)之一来破碎离子。可在俘获离子迀移分离器和破碎池之间布置附加的质量分析器，用于选择母离子。所述系统的离子源例如可以是电喷雾离子源(ESI)、化学电离离子源(Cl)、基质辅助激光解吸/电离离子源(MALDI)和电子轰击离子源(EI)之一。
【附图说明】
[0015]图1示意性示出了如US 7，838，826 BI(M.A.Park,2008年)所述的根据现有技术的离子迀移谱仪的设计和工作。
[0016]图2示出了根据本发明的迀移谱仪的实施例，其中具有分为积聚单元(Ila)和扫描单元(Ilb)的细长通道(11)，以及为两个通道单元(lla、llb)供电的两个电压源单元(未显示)，并在位置(31和位置(34)与隔膜相接触。两个通道单元中的隔膜之间的各电阻链产生两个轴向直流电场分布，如该图底部所示。工作过程包含两个阶段:在积聚和扫描阶段(D)，来自离子源(未显示)的离子在积聚单元(Ila)的电场分布的上升沿上积聚，而在同时通过降低供应到扫描单元(Ilb)位置(34)的电压来对扫描单元(Ilb)中的离子进行扫描，从而通过出口漏斗(13)向离子检测器释放迀移率越来越高的离子。在转移阶段(E)，首先恢复扫描单元(I Ib)的电压，然后关闭积聚单元(I Ia)的电压，让气流将离子推动到扫描(I Ib)的电场分布的上升沿。仅需一毫秒即可完成转移，然后可以通过开启位置(31)的电压来再次开始积聚和扫描阶段。
[0017]图3示出了图1所示装置中低迀移率(Ko? 0.5cm2/VS)离子的迀移分辨率R与扫描时间ts的相关性。扫描时间^包含从低迀移率(Ko ? 0.5cm2/VS)到高迀移率(Ko ?1.0cm2/Vs)的完整扫描。通常，人们普遍关注低迀移率的离子，因为其表现出最为多样的折叠状态。在整个迀移率范围内，60毫秒的扫描时间可达到的迀移分辨率为R ? 80；R? 125的迀移分辨率则需要360毫秒的扫描时间。
[0018]图4示出了两种不同的电场分布情况，它们在电场分布的顶部附近产生不同的离子密度。与图2相同，在上面的(D)部分中，电场强度沿装置的z轴线性升高，这表明在提供了迀移率分布均匀的离子混合物的情况下沿斜坡的离子密度相同。在底部分布(F)中，电场按z2/3的比例升高。如圆点所示，斜坡顶部附近的高质量离子将被与z2/3成比例的电场解压，而低质量离子则在斜坡底部被压缩。在斜坡顶部附近，空间电荷减少，高质量离子的损失也大幅降低。
[0019]图5同样示出两种不同的电场分布。上面的(D)部分可供与图2进行比较，电场强度沿装置的z轴线性增加。下面(F)部分的电场斜坡显示了在积聚单元和扫描单元中的三种线性场梯度。在积聚分布曲线中，线性场梯度分别位于Z轴位置(50)与(51)之间、(51)与(52)之间、以及(52)与(53)之间，顶部附近的梯度最低。在扫描分布曲线中，线性场梯度分别位于z轴位置(55)与(56)之间、(56)与(57)之间、以及(57)与(58)之间。与上面的(D)部分相比，二者顶部的离子密度和空间电荷均有所减少。在第二个电场分布中，通过缩短平台长度Lp，可实现进一步解压离子。
【具体实施方式】
[0020]本发明提供了文献US 7,838,826 Bl(M.A.Park，2008年)中所述类型的离子迀移谱仪，并在其前面额外配备了充当积聚单元的射频离子阱。该积聚单元与俘获离子迀移分离器并行工作，优选实施为分离器通道。即，在俘获离子迀移分离器被用于根据离子迀移率分析第一组离子时，积聚单元同时从离子源收集第二组离子。一旦第一组分析完成，就在约一毫秒内将第二组迅速转移到俘获离子迀移分离器。这使积聚单元能够几乎连续地收集离子，同时使俘获离子迀移分离器能够几乎连续地分析离子。在第一优选实施例中，积聚单元位于入口漏斗和分离通道之间。在第二实施例中，入口漏斗本身可设计为积聚单元。在第三实施例中，积聚单元位于入口漏斗上游。
[0021]具体来说，在积聚单元位于入口漏斗和俘获离子迀移分离器之间的第一实施例的情况中，积聚单元优选设计为与俘获离子迀移分离器(扫描单元)相同，仅仅是通过分段隔膜电极将扫描单元加倍以产生四极射频场，并(通过分压器)将电压源单元加倍，用于产生两个独立的轴向直流电场势皇。电场势皇的上升沿可能无法作为单一线性斜坡升高，而是在势皇顶部附近表现为更加平缓的梯度，从而减小低迀移率离子的密度。这种解压(密度减小)可用于积聚势皇和扫描势皇两者中的轴向直流电场势皇，以减少离子的损失。经验表明，通过气流将离子从装置的积聚单元转移到扫描单元仅需一毫秒。需要不停地从离子源输送更多离子。如果能将积聚时间增加到大约300毫秒，则可使用300毫秒的扫描时间，从而获得高迀移分辨率Rmcib - 120。如果积聚单元和扫描单元中无离子损失，则离子的利用率可达 100% ο
[0022]积聚单元不必与装置中的扫描单元相同。例如，除了四极射频场，离子也可在八极射频场或六极射频场中积聚。六极射频场和八极射频场能够积聚更多离子。它们可以比扫描单元更短，因为收集的离子数若超出装置的扫描单元中能够容下的离子数则将毫无用处。
[0023]如果将图1的入口漏斗(10)用作积聚单元，则只需略微更改设计即可调整其大小和功能以积聚充足离子用于后续迀移率分析。位于入口漏斗上游的积聚单元可设计为包含四极、六极或八极射频杆系统的通用射频线性离子阱。
[0024]图2所示实施例中，积聚单元(Ila)位于入口漏斗(10)和分离器通道(Ilb)之间。积聚单元(Ila)与迀移分离器通道(Ilb)(扫描单元)的设计相同，只是通过其分段隔膜电极将分离器通道(Ilb)加倍，以产生四极射频场，并(通过分压器)将电压源单元加倍，以产生两个独立的轴向串联直流电场势皇。图2下部显示了两个工作阶段中的电场分布曲线:积聚与扫描阶段(D)以及离子转移阶段(E)。
[0025]图2中，电场分布曲线的两个上升沿(斜坡)均为线性，这会导致在分布曲线的顶部附近出现不利的高密度低迀移率离子，从而由于库伦排斥(“空间电荷效应”)而导致这些离子大量损失。积聚时间较长时，高质量离子由于截面大而通常具有较低迀移率，而低质量离子由于截面小而具有较高迀移率，因此在四极射频场的赝势作用下，高质量离子比低质量离子的聚集强度更低，因此会先丢失。对应于赝势的有效力与z2/m成比例，其中z是离子的元电荷数量，m为其质量。高质量离子聚集力较弱，因而对于空间电荷排斥更加敏感，这种排斥会使离子沿径向脱离装置。使用标准高性能电喷雾离子源时，积聚时间超过40毫秒后，就将开始大量损失高质量离子。如果将积聚和扫描时间限制为仅40毫秒，则迀移分辨率将被限制为仅Rmcib - 65，因为俘获离子迀移谱仪的迀移分辨率取决于扫描时间ts。此处扫描时间ts定义为扫描从低迀移率(Ko ? 0.5cm2/VS)到高迀移率(Ko ? 1.0cm2/VS)的一般迀移率范围所需的时间。迀移分辨率与扫描时间的相关性如图3所示。由于迀移分辨率Rmcib还取决于迀移率K本身，因此所示相关性针对Ko ? 0.5cm2/VS的离子。
[0026]为消除高质量离子的损失，本发明进一步提出的是:降低顶点附近的低迀移率离子的密度，并在轴向直流电场势皇的底部附近接受更高密度的高迀移率离子。可利用轴向直流电场势皇上升沿处的电场E(Z)的非常数梯度(斜率)实现这一目的。优选实施例如图4的部分(F)的分布曲线所示。其中，电场按照函数E(z)?zp非线性升高，指数p = 2/3。这种形式的电场斜坡在顶点附近降低电场梯度，从而降低高质量离子的密度，并增加底部附近的电场梯度，增大低质量离子的密度。数值P = 2/3仅是一个示例;实际上，P可以假设为任何小于1.0的值。指数P的最理想范围是0.3 SpS 0.9。如果离子混合物包含很多高质量离子，则P=1/2可能更加理想;在极端情况下，即使P = 1/3也能达到最佳效果。
[0027]本发明的另一个实施例如图5的部分(G)所示，其示出以三种不同梯度分段线性增加的电场。z轴位置(52)与(53)以及(57)与(58)之间顶部附近的电场梯度最为平缓，从而解压低迀移率离子并减少空间电荷排斥。当然，也可施加三个以上的梯度。
[0028]在其他实施例中，相对于之前一次或多次测量确定的迀移谱中的离子密度来调整电场分布。对于可变电场分布，例如，上升沿分段线性部分的梯度可被两个电压发生器改变，这两个电压发生器分别供应三个可调节电压V51、V52和V54以及V56、V57和V59，它们在Z轴上的相应位置施加于隔膜，如图5的部分(G)所示。例如，通过相对于电压V54调节电压V51与V52，可为积聚单元产生多种电场分布。如果之前的测量显示低迀移率离子的密度较高，则可将位置(52)和(53)之间的电场梯度尽可能调节得平缓，以避免损失。之前的测量也可用来调整扫描单元的电场分布。当然，可在z轴上的更多位置施加更多可调节电压。
[0029]使用更为复杂的装置时，沿z轴的所有或大部分隔膜上的电压可通过一系列数字模拟转换器(DAC)产生。然后，能够产生任何电场分布，从而实现在工作中对任何迀移率范围的任何密度分布的离子做出准确反应。
[0030]为进行比较，图4和图5中的上部(D)显示了线性增加的电场斜坡，其中可以看出迀移率分布均匀的混合离子沿上升沿均匀分布。但在实际中，离子迀移率很难均匀分布。
[0031]经验显示，当气体速率为100m/S、压力为几毫巴时，离子被气流从装置的积聚单元转移至扫描单元仅需数毫秒甚至更少。需要不停地通过离子源提供更多离子。如果在没有大量损失离子的情况下能将积聚时间增加到300毫秒，则可使用300毫秒的扫描时间，从而获得较高的迀移分辨率Rmcib - 120。如果积聚单元和扫描单元中完全没有离子损失，则占空比可达100%。
[0032]装置的积聚单元并非必须与扫描单元的设计相同。例如，除了四极射频场，离子也可在八极射频场或六极射频场中积聚。六极场和八极场能够积聚更多离子。用于生成六极射频场或八极射频场的分段隔膜可设计为类似于扫描单元(Ilb)所用的分段隔膜(1、2、3、4)，只需使用更多径向电极段。因为收集的离子超过扫描单元(Ilb)中可容纳的数量将毫无用处，所以可布置更短的多极积聚单元。
[0033]如果将入口漏斗用作积聚单元，则只需略微更改图1中所示的布置设计即可从离子源积聚数量充足的离子。可布置更长的漏斗(10)来增加其容积，额外电压源单元可向漏斗(10)的最后一个隔膜提供可切换的排斥直流电势(遏止电压)。
[0034]位于入口漏斗上游的积聚单元可实现为包含四极、六极或八极射频杆系统的通用线性射频离子阱。业内专业人员熟知这种类型的存储装置，在此无需赘述。
[0035]应当注意，不必一定通过线性降低电场分布电压来执行扫描。在专利US 8,766,176 B2(M.A.Park等，2011年)中，介绍了不同的扫描模式。尤其是使用局部慢速扫描的扫描模式，可以在更小的迀移率范围内提高离子迀移分辨率。“缩放扫描”包括三个阶段:第一阶段，用最高扫描速度进行局部扫描;第二阶段，用降低的扫描速度进行“缩放”扫描以获得最高分辨率;第三阶段，用快速扫描速度清空离子阱。
[0036]当然，还可通过增大装置的内径来提高积聚单元和扫描单元的容量。质谱仪仍可以接受具有更高射频电压的更大离子迀移谱仪，但随内径四阶增大的气流需要更大且更加昂贵的真空栗。
【主权项】
1.一种操作俘获离子迀移谱仪的方法，包括步骤: (a)在射频离子阱中对来自离子源的离子进行积聚； (b)将至少一部分积聚的离子转移到俘获离子迀移分离器中，转移的离子将在其中被射频场径向地限定，并被气流推向第一轴向直流电场势皇的上升沿，从而使转移的离子按离子迀移率在空间上沿上升沿分离；以及 (C)在来自离子源的离子进一步在射频离子阱中积聚的同时，通过降低直流电场势皇的高度来获得转移的离子的离子迀移谱。2.根据权利要求1的方法，其中，在所述俘获离子迀移分离器中由四极射频场径向地限定离子。3.根据权利要求2的方法，其中，离子在线性射频阱中积聚。4.根据权利要求3的方法，其中，通过四极射频场、六极射频场和八极射频场之一径向地限定所述线性射频离子阱中积聚的离子。5.根据权利要求2的方法，其中，离子在射频漏斗中积聚，其中，将射频漏斗的出口处的电场调节为俘获离子迀移分离器的入口处的四极射频场。6.根据权利要求1的方法，其中，在步骤(a)和步骤(C)期间，通过对所述射频离子阱的出口电极施加排斥直流电势，在所述射频离子阱的出口处轴向地俘获离子。7.根据权利要求1的方法，其中，重复步骤(b)和步骤(C)以获得一系列离子迀移谱。8.根据权利要求7的方法，其中，根据之前的一个或多个离子迀移谱确定作为离子迀移率的函数的离子密度，并调节第一直流电场势皇的上升沿的电场分布以将步骤(b)和步骤(c)期间在所述俘获离子迀移分离器中的离子损失降至最低。9.根据权利要求7的方法，其中，在步骤(a)和步骤(C)期间，离子在轴向上被气流推向第二直流电场势皇的上升沿，其中，第二直流电场势皇的高度被调整为沿第二直流电场势皇的上升沿俘获离子，并按照离子迀移率对离子进行空间分离。10.根据权利要求9的方法，其中，在步骤(b)中，通过将第二电场势皇反转、关闭或降低其高度，来将离子转移到所述俘获离子迀移分离器中。11.根据权利要求9的方法，其中，根据之前的一个或多个离子迀移谱确定作为离子迀移率的函数的离子密度，并调节第二直流电场势皇的上升沿的电场分布以将步骤(a)和步骤(C)期间在所述射频离子阱中的离子损失降至最低。12.根据权利要求1的方法，其中，在位于所述俘获离子迀移分离器下游的质量分析器中进一步分析转移的离子。13.根据权利要求1的方法，其中，在位于离子俘获迀移率分离器下游的破碎池中破碎转移的离子，然后在质量分析器中分析碎片离子。14.一种系统，包含: -离子源； -射频离子阱;和 -俘获离子迀移分离器，包含用于径向地限定离子的射频场、轴向作用的直流电场势皇和气流，所述直流电场势皇具有逐渐增大的直流电场的上升沿，所述气流对抗所述上升沿处的直流电场； 其中，所述射频离子阱位于所述离子源和所述俘获离子迀移分离器之间，并且其中，所述射频离子阱具有用于对来自离子源的离子进行积聚的第一工作模式，和用于将离子向俘获离子迀移分离器转移的第二工作模式。15.根据权利要求14的系统，其中，射频离子阱是射频漏斗。16.根据权利要求14的系统，其中，所述射频离子阱是线性射频离子阱，其沿公共轴与所述俘获离子迀移分离器对齐，并且其中线性射频离子阱和俘获离子迀移分离器二者均包含用于沿公共轴径向地限定气流的管道。17.根据权利要求16的系统，其中，所述线性射频离子阱包含直流电场势皇，所述直流电场势皇具有逐渐增大的轴向直流电场的上升沿。18.根据权利要求17的系统，其中，沿至少一个直流电场势皇的上升沿的电场强度的斜率，即轴向梯度，在上升沿的主要部分处不恒定。19.根据权利要求18的系统，其中，所述线性射频离子阱和所述俘获离子迀移分离器的径向限定射频场二者均实质上是四极的。20.根据权利要求14的系统，还包含破碎池和位于离子迀移分离器下游的质量分析器中的至少一个。
【文档编号】H01J49/04GK105869983SQ201610082658
【公开日】2016年8月17日
【申请日】2016年2月5日
【发明人】梅尔文·安德鲁·帕克, 迈克尔·舒伯特
【申请人】布鲁克道尔顿有限公司