技术特征：
技术总结
本发明涉及一种用于制造用于检测测量介质（M）中的至少一种气态分析物的气体传感器设备（100）的方法。该方法包括以下步骤：在使用至少一种分离工艺和至少一种涂层工艺的情况下加工第一半导体衬底（101）和第二半导体衬底（102），以便在第一半导体衬底（101）和第二半导体衬底（102）中产生凹槽区段、固体电解质层和电极。该方法还具有以下步骤：将第一半导体衬底（101）和第二半导体衬底（102）拼接，以便在第一半导体衬底（101）和第二半导体衬底（102）之间产生用于调节测量介质（M）的气体组成的调节腔（111）、用于检测气态分析物的检测腔（112）和用于控制测量介质（M）在调节腔（111）和检测腔（112）之间的扩散的扩散区段（113）。
技术研发人员：D.利默斯多夫;D.孔茨
受保护的技术使用者：罗伯特·博世有限公司
技术研发日：2015.12.08
技术公布日：2017.10.13