一种单层片式瓷介电容器高频s参数测试夹具的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种电容测试夹具，具体地说涉及一种单层片式瓷介电容器高频S参数测试夹具。
【背景技术】
[0002]单层片式瓷介电容器具有体积小、型号多、应用频率高等特点，广泛应用在电子对抗、雷达、导航、制导和卫星通讯等方面。用户或设计师在选用时比较关注单层片式瓷介电容器的高频性能，这就要求单层片式瓷介电容器生产厂家对不同型号的产品进行高频性能测量和监控。然而，单层片式瓷介电容器高频S参数测量精确一直是个难点，业内还没统一的测试方法以及测试的设备。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型要解决的技术问题是提供一种单层片式瓷介电容器高频S参数测试夹具，满足不同型号尺寸的单层片式瓷介电容器高频S参数测量，解决单层片式瓷介电容器专业生产难题。
[0004]为实现上述目的，本实用新型提供一种单层片式瓷介电容器高频S参数测试夹具，包括夹具主体和底座，所述底座上设有上压板和下压板，所述上压板设有第一连接器和弹性传输线，所述第一连接器连接所述弹性传输线;所述下压板设有测试载片和第二连接器，所述测试载片与所述第二连接器连接;所述上压板与压块连接;所述压块通过导轨与手柄连接。
[0005]优选地，所述测试载片数量为5个，型号各不相同，5组测试分夹具满足不同型号尺寸的单层片式瓷介电容器高频S参数测量。
[0006]优选地，所述第一连接器和第二数连接器的数量各为5个，满足不同电容测量时候连接方便。
[0007]本实用新型的有益效果是:1、应用广泛、方便使用，5组测试分夹具满足不同型号尺寸的单层片式瓷介电容器高频S参数测量。2、采用TRL校准，把参考面校准到待测件两端保证测试精确;3、采用垂直下压模式定位产品，测试重复性好;测试精度高，重复性好。
【附图说明】
[0008]附图用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的限制。在附图中:
[0009]图1为本实用新型单层片式瓷介电容器高频S参数测试夹具的立体图；
[0010]图2为本实用单层片式瓷介电容器高频S参数测试夹具的局部放大图；
[0011 ]图3为为本实用新型单层片式瓷介电容器高频S参数测试夹具使用示意图。
【具体实施方式】
[0012]以下结合附图对本实用新型的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
[0013]如图1至图2所示，本实用新型一种单层片式瓷介电容器高频S参数测试夹具，包括夹具主体I和底座2，所述底座2上设有上压板3和下压板4，所述上压板3设有第一连接器5和弹性传输线6，所述第一连接器5连接所述弹性传输线6;所述下压板4设有测试载片7和第二连接器55，所述测试载片7与所述第二连接器55连接;所述上压板3与压块8连接;所述压块8通过导轨9与手柄10连接。
[0014]测试不同尺寸规格的电容器时，只需要把相应的载片旋转至面前把待测件直接放在测试载片上，拉动手柄，使得压块下沉，压块下部有弹性的弹性传输线就可以把待测件压紧在测试载片上，不需要螺钉固定或焊接，同时完成射频连接。
[0015]测试载片数量为5个型号各不相同，为了与测试载片对应连接，所述第一连接器和第二数连接器的数量各为5个;5组测试分夹具满足不同型号尺寸的单层片式瓷介电容器高频S参数测量。
[0016]具体使用的操作步骤如下(如图2和图3所示):
[00?7] 第I步:测量校准:确定产品尺寸，选择校准件(open、short和through校准件)对网络分析仪进行校准，查看through状态，是否校准好。
[0018]第2步:抬起手柄，选择合适的分夹具，将待测产品放置到对应测试分夹具的载片中间位置。
[0019]第3步:用接在网络分析仪端口电缆连接至测试分夹具端口，固定好。
[0020]第4步:进行单层片式瓷介电容器高频S参数测量，从网络分析仪上读取S参数；
[0021 ]第5步:保存测得S参数数据或S2P文件。
[0022]对该实用新型结构描述:
[0023]该结构的设计主要由以下2个方面考虑:
[0024]1、方便使用
[0025]因为客户所需测试的产品涉及到大量的试验和筛选，因此要求待测件在夹具上的连接方便快捷，不能使用螺钉固定或焊接。该结构可以把待测件直接放在测试载片上，拉动手柄，使得压块下沉，压块下部有弹性的弹性传输线就可以把待测件压紧在测试载片上，同时完成射频连接。因待测电容尺寸种类较多，本方案设定5种规格尺寸的载片覆盖全部尺寸范围的芯片测试。测试不同尺寸规格的电容时，只需要把相应的载片旋转至面前和待测件的连接处参见图3。
[0026]2、测试精确，重复性
[0027]因客户是进行批量测试，对产品做大量试验和筛选，因此对测试精度，尤其是重复性要求较高。该结构采用垂直下压模式，使用导轨从夹具主体到测试载片定位，使得压块下压时横向移动分量在微米级，保证了每次连接的一致性。同时采用TRL校准，把参考面校准到待测件两端;待测件周边的材料选用介电常数尽量低的绝缘材料，将其影响降到最低。
[0028]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种单层片式瓷介电容器高频S参数测试夹具，包括夹具主体(I)和底座(2)，其特征在于:所述底座(2)上设有上压板(3)和下压板(4)，所述上压板(3)设有第一连接器(5)和弹性传输线(6)，所述第一连接器(5)连接所述弹性传输线(6);所述下压板(4)设有测试载片(7)和第二连接器(55)，所述测试载片(7)与所述第二连接器(55)连接;所述上压板(3)与压块(8)连接;所述压块(8)通过导轨(9)与手柄(10)连接。2.根据权利要求1所述单层片式瓷介电容器高频S参数测试夹具，其特征在于，所述测试载片(7)数量为5个，型号各不相同。3.根据权利要求2所述单层片式瓷介电容器高频S参数测试夹具，其特征在于，所述第一连接器(5)和第二数连接器(55)的数量各为5个。
【专利摘要】本实用新型公开了一种单层片式瓷介电容器高频S参数测试夹具，包括夹具主体和底座，所述底座上设有上压板和下压板，所述上压板设有第一连接器和弹性传输线，所述第一连接器连接所述弹性传输线；所述下压板设有测试载片和第二连接器，所述测试载片与所述第二连接器连接；所述上压板与压块连接；所述压块通过导轨与手柄连接。本实用新型应用广泛、方便使用；采用TRL校准，把参考面校准到待测件两端保证测试精确；采用垂直下压模式定位产品，测试重复性好，测试精度高。
【IPC分类】G01R1/04
【公开号】CN205384297
【申请号】CN201620159856
【发明人】刘剑林, 韩玉成, 潘甲东, 张烽, 严勇, 王利凯, 温占福, 尚超红, 魏栩曼, 孙鹏远
【申请人】中国振华集团云科电子有限公司
【公开日】2016年7月13日
【申请日】2016年3月3日