一种新型声表面波温度传感器的制作方法

文档序号:12194143阅读:264来源:国知局
一种新型声表面波温度传感器的制作方法与工艺

本实用新型属于传感器技术领域,具体涉及一种新型声表面波温度传感器。



背景技术:

电流互感器二次侧端子连接片接触不良时导致电阻大,电流通过时发热,造成局部接触面温度逐渐升高,并使周围的材料受热升温,端子接触面氧化加快,电阻进一步加大。电流互感器二次侧端子过热到一定程度时,极易造成二次侧开路。保护用电流互感器二次回路断线时,差动保护、零序电流保护则可能因开路时产生不平衡电流而误动作。电流互感器二次侧开路,线圈会过热,一次电流将全部用于励磁,使铁芯严重饱和,交变的磁通在二次线圈上感应出高电势,其峰值可达几千伏甚至上万伏,将严重威胁人身和设备安全。

传统检测电流端子温度为红外测温枪手持方式,检测人员需要定期检测电流互感器二次侧端子。在这种检测方式下,既浪费人力和时间,也可能由检测人员的疏忽或对电流回路的不熟悉造成漏检。为解决上述问题,发明一种电流互感器二次侧端子声表面波温度在线监测新型传感器,去解决上述问题,很有实际意义。



技术实现要素:

本实用新型的目的在于提供一种新型声表面波温度传感器,以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种新型声表面波温度传感器,包括柜子本体,所述柜子本体的内部底端设有电流互感器二次侧端子,所述电流互感器二次侧端子的上方设有声表面温度传感器,所述声表面温度传感器包括金属感温底板,所述金属感温底板的上端设有压电晶体板,所述压电晶体板的上端从右到左依次设有反射器、微处理器、叉指换能器和声表面检测器,所述反射器通过导线与微处理器电性连接,所述叉指换能器通过导线与微处理器电性连接,所述声表面检测器通过导线与微处理器电性连接。

优选的,所述电流互感器二次侧端子通过螺母与柜子本体活动连接。

优选的,所述柜子本体为开关柜或保护柜。

优选的,所述金属感温底板的底端设有绝缘保护层。

本实用新型的技术效果和优点:该新型声表面波温度传感器,电流互感器二次侧端子通过螺母与柜子本体活动连接,拆卸和安装比较方便,柜子本体为开关柜或保护柜,用途广泛,金属感温底板的底端设有绝缘保护层,安全性能好,叉指换能器和声表面检测器分别与微处理器电性连接,可以使传感器同时具有声表面波温度在线监测和电流回路尾端在端子排上的封口连接片功能,金属感温底板的上端设有压电晶体板,数据采集精度高,无需电源,符合国家节能环保的政策,性能安全可靠。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图;

图2为本实用新型的声表面温度传感器结构示意图;

图3为本实用新型的电路原理模块示意图。

图中:1柜子本体、2电流互感器二次侧端子、3声表面温度传感器、31压电晶体板、32金属感温底板、33反射器、34微处理器、35叉指换能器、36声表面检测器。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。

本实用新型提供了如图1-3所示的一种新型声表面波温度传感器,包括柜子本体1,所述柜子本体1的内部底端设有电流互感器二次侧端子2,所述电流互感器二次侧端子2的上方设有声表面温度传感器3,所述声表面温度传感器3包括金属感温底板32,所述金属感温底板32的上端设有压电晶体板31,所述压电晶体板31的上端从右到左依次设有反射器33、微处理器34、叉指换能器35和声表面检测器36,所述反射器33通过导线与微处理器34电性连接,所述叉指换能器35通过导线与微处理器34电性连接,所述声表面检测器36通过导线与微处理器34电性连接。

进一步地,所述电流互感器二次侧端子2通过螺母与柜子本体1活动连接。

进一步地,所述柜子本体1为开关柜或保护柜。

进一步地,所述金属感温底板32的底端设有绝缘保护层。

该新型声表面波温度传感器,电流互感器二次侧端子2通过螺母与柜子本体1活动连接,拆卸和安装比较方便,柜子本体1为开关柜或保护柜,用途广泛,金属感温底板32的底端设有绝缘保护层,安全性能好,叉指换能器35和声表面检测器36分别与微处理器34电性连接,可以使传感器同时具有声表面波温度在线监测和电流回路尾端在端子排上的封口连接片功能,金属感温底板32的上端设有压电晶体板32,数据采集精度高,无需电源,符合国家节能环保的政策,性能安全可靠。

最后应说明的是:以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已,并不用于限制本实用新型,尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换,凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

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