技术特征：
技术总结
用于探测电离辐射的闪烁探测器，该电离辐射尤其是电子、X射线或粒子辐射，该闪烁探测器包括单晶基底（1）、至少一个缓冲层（2）、至少一个氮化物半导体层（3、4、5、6），该至少一个氮化物半导体层被施加至具有外延的基底（1）上，该氮化物半导体层用通式AlyInxGa1‑x‑yN描述，其中0≤x≤1、0≤y≤1和0≤x+y≤1有效，其中至少两个氮化物半导体层（3、4）被设置在层状异质结构中，该层状异质结构的结构包含至少一个势阱，该至少一个势阱用于电子和空穴的辐射重组。在该结构中，设有大体上相同极化的氮化物半导体层（3、4）的至少一个活性双层，该至少一个活性双层由AlybInxbGa1‑xb‑ybN型的阻挡层（4）和表示势阱的AlywInxwGa1‑xw‑ywN型的层（5）组成，其中xb≤xw和yb≤yw有效；或者存在厚度（t3）小于2nm、AlydInxdGa1‑xd‑ydN型的至少一个载体吸引层（7），其中yd≤yw和xd≥xw+0.3，该至少一个载体吸引层（7）嵌入氮化物半导体层（4、5）的至少一个活性双层中，以减小发光衰减时间。
技术研发人员：爱丽丝·霍斯波德科娃;卡雷尔·布拉泽克;爱德华·胡利休斯;扬·托斯;马丁·尼克尔
受保护的技术使用者：克莱托斯波尔公司;费兹卡尼厄斯达AVCR公司
技术研发日：2016.02.08
技术公布日：2017.09.26