硅辐射探测器封装结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及印制电路板的技术领域，尤其是一种硅辐射探测器封装结构。
【背景技术】
[0002]制作一块PCB板，以绝缘材料为基板加工成一定尺寸的板，上面至少有一个导电图形及所设计好的孔，以实现电子元器件之间的电气连接，这样的板称为印制电路板。通常PCB能为已封装好电子元器件(电阻、电容、电感、二、三极管和集成电路)提供固定、装配的机械支撑，可实现电子元器件之间的电气连接，电子元件有很多种封装形式，不同封装形式的元件在PCB上的安装方式也是不同的。传统的电子元件大都是插针式的，体积较大，对于这种元件，需要在PCB上钻孔后才能安装。元件引脚从钻孔穿过焊接在PCB另一面的焊盘上，焊接完成后还要剪除多余的引脚。且以前的PCB版局限于封装好的电子元件，芯片(指裸芯片)绑定在PCB版上必须用黑胶保护，这种黑胶保护也是一种封装形式，即软包封，称非空封封装，可靠性较差，只能用于民品和工业品，不能应用于航天航空军品。
【实用新型内容】
[0003]为了克服现有的技术的不足，本实用新型提供了一种硅辐射探测器封装结构。
[0004]本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种硅辐射探测器封装结构，包括前覆盖层、中间主体层和后覆盖层，所述前覆盖层、中间主体层和后覆盖层依次连接在一起，所述中间主体层一面内嵌一个凹槽一，另一面设有孔一，所述中间主体层的两面分别设有不少于一个键合压块，所述中间主体层的两面分别设有不少于一个电极引出端，所述前覆盖层上设有一个与中间主体层上凹槽一相对应的凹槽二，所述后覆盖层上设有一个与中间主体层上孔一相对应的孔二，所述前覆盖层和后覆盖层上分别设有与中间主体层上键合压块位置相对应的焊盘切口，所述前覆盖层和后覆盖层上分别设有与中间主体层上电极引出端位置相对应的引出电缆切口。
[0005]根据本实用新型的另一个实施例，进一步包括所述前覆盖层、中间主体层和后覆盖层上分别设有不少于3个安装孔。
[0006]根据本实用新型的另一个实施例，进一步包括所述凹槽一为八边形，所述凹槽二为八边形。
[0007]本实用新型的有益效果是，硅辐射探测器封装结构既是一块PCB板又替代了一个封装外壳，有利于缩小体积，减轻重量，可靠性好，能满足航天电子产品的特点要求，特别适用于传感器、探测器的封装壳体。
【附图说明】
[0008]下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
[0009]图1是本实用新型的前覆盖层的结构示意图；
[0010]图2是本实用新型的中间主体层的内嵌凹槽一面的结构示意图；
[0011]图3是本实用新型的中间主体层的开孔的一面的结构示意图；
[0012]图4是本实用新型的后覆盖层的结构示意图；
[0013]图5是本实用新型的整体的结构示意图。
[0014]图中1.前覆盖层，2.中间主体层，3.后覆盖层，4.凹槽一，5.孔一，6.键合压块，7.电极引出端，8.焊盘切口，9.引出电缆切口，10.安装孔，11.凹槽二，12.孔二。
【具体实施方式】
[0015]如图1、图2、图3、图4和图5所示，一种硅辐射探测器封装结构，包括前覆盖层1、中间主体层2和后覆盖层3，前覆盖层1、中间主体层2和后覆盖层3依次连接在一起，中间主体层2 —面内嵌一个凹槽一 4，另一面设有孔一 5，中间主体层2的两面分别设有不少于一个键合压块6，中间主体层2的两面分别设有不少于一个电极引出端7，前覆盖层I上设有一个与中间主体层2上凹槽一 4相对应的凹槽二 11，后覆盖层3上设有一个与中间主体层2上孔一 5相对应的孔二 12，前覆盖层I和后覆盖层3上分别设有与中间主体层2上键合压块6位置相对应的焊盘切口 8，前覆盖层I和后覆盖层3上分别设有与中间主体层2上电极引出端7位置相对应的引出电缆切口 9。较优的，前覆盖层1、中间主体层2和后覆盖层3上分别设有不少于3个安装孔10。凹槽一 4为八边形，凹槽二 11为八边形。
[0016]本实用新型在使用时，将硅辐射探测器硅芯片切割成八边形(最大利用芯片有效面积，且方便芯片切割)，通过胶粘剂嵌入中间主体层2上的八边形凹槽一 4中，将硅芯片的电极分别与中间主体层2上键合压块6通过S1-Al丝超声键合工艺形成电气连接，电极引出端7实现该器件与外部的电气连接，前覆盖层I和后覆盖层3主要用于对中间主体层2上键合压块6和电极引出端7的保护，并起美观作用，同时可以实现多个硅辐射探测器的叠层应用，完成不同辐射程度的探测需要。
【主权项】
1.一种硅辐射探测器封装结构，包括前覆盖层(I )、中间主体层(2)和后覆盖层(3)，所述前覆盖层(1)、中间主体层(2)和后覆盖层(3)依次连接在一起，其特征是，所述中间主体层(2)—面内嵌一个凹槽一(4)，另一面设有孔一(5)，所述中间主体层(2)的两面分别设有不少于一个键合压块(6)，所述中间主体层(2)的两面分别设有不少于一个电极引出端(7 )，所述前覆盖层(I)上设有一个与中间主体层(2 )上凹槽一(4 )相对应的凹槽二( 11)，所述后覆盖层(3)上设有一个与中间主体层(2)上孔一(5)相对应的孔二(12)，所述前覆盖层(I)和后覆盖层(3)上分别设有与中间主体层(2)上键合压块(6)位置相对应的焊盘切口(8)，所述前覆盖层(I)和后覆盖层(3)上分别设有与中间主体层(2)上电极引出端(7)位置相对应的引出电缆切口( 9 )。
2.根据权利要求1所述的硅辐射探测器封装结构，其特征是，所述前覆盖层(1)、中间主体层(2)和后覆盖层(3)上分别设有不少于3个安装孔(10)。
3.根据权利要求1所述的硅辐射探测器封装结构，其特征是，所述凹槽一(4)为八边形，所述凹槽二( 11)为八边形。
【专利摘要】本实用新型涉及印制电路板的技术领域，尤其是一种硅探测器封装结构，包括依次连接的前覆盖层、中间主体层和后覆盖层，中间主体层一面内嵌一个八边形槽，另一面设有孔，中间主体层的两面分别设有不少于一个键合压块，中间主体层的两面分别设有不少于一个电极引出端，前覆盖层和后覆盖层上分别设有与中间主体层上键合压块位置相对应的焊盘切口和与电极引出端位置相对应的引出电缆切口。前覆盖层、中间主体层和后覆盖层上分别设有不少于3个安装孔。本实用新型的硅探测器封装结构既是一块PCB板又替代了一个封装外壳，有利于缩小体积，减轻重量，可靠性好，能满足航天产品的要求，特别适用于传感器、探测器的封装壳体。
【IPC分类】H01L31-0203, H01L31-02
【公开号】CN204303820
【申请号】CN201520000734
【发明人】吴佳, 张红, 孙瑞峰
【申请人】常州市华诚常半微电子有限公司
【公开日】2015年4月29日
【申请日】2015年1月4日