粗糙化的铜表面的表面积测定方法与流程

本发明例如涉及通过电化学测定来测定利用化学蚀刻液粗糙化的铜表面的表面积的方法。

背景技术：

作为在印刷电路板中的铜与树脂之间保持期望的密合性的方法，有如下方法：利用化学蚀刻液使铜表面粗糙化，形成图4～图6(蚀刻后的铜表面的sem观察图像)和图7(试样的截面的sem观察图像)那样的复杂形状的微小凹凸，利用锚固效果获得密合性。一般来说，对于化学电解铜，在使表面粗糙化后，层叠干膜抗蚀层。另外，对于电解铜，在图案形成后，使布线上部和侧面部粗糙化后，层叠积层薄膜。

边利用蚀刻液将铜表面沿深度方向微量蚀刻100nm～250nm左右边进行粗糙化形状的形成。以往，判断粗糙化形状形成的有无、优选的形状是通过目视、扫描型电子显微镜sem观察而进行的。然而，利用目视、sem观察的判断有不得不依赖于个人的经验的一面。进而，使用表面粗糙度计的测定方法中，求出表示表面粗糙度的参数即ra(算术平均粗糙度)、ry(最大高度)和rz(重点平均粗糙度)等，但由于是如图4～图6和图7那样极其复杂的粗糙化形状，因此，难以定量地把握其表面形状。

专利文献1的比较例中，即使ra值相等，也成为峰强度的值低、密合性差的结果。专利文献1中的表1的实施例1～3的ra值为0.25μm，峰强度成为1.10～1.20kgf/cm，0045段中有与层间绝缘体的密合性良好的记载。然而，表2的比较例的1～4的ra值为0.25μm、也与实施例相等，但峰强度为0.70kgf/cm，不是0027段中记载的优选的峰强度的范围，可知ra值与峰强度不处于正比例的关系。

专利文献2的比较例中，即使ra值相等，激光加工能量值也不会变为最小。专利文献2的0019段中记载有，ra值如果为0.20μm以上，则可以降低激光加工能量，表3的实施例1、4～7、9和10的ra值为0.52μm，用于孔形成的激光加工能量值为3mj。然而，专利文献2中的表3的比较例3的ra值为0.52μm、也相等，但激光加工能量值为5mj，尚未最小化，可知ra值与激光加工能量的关系不处于正比例的关系。

专利文献1和2的ra值是测定粗糙化的表面的结果，但由于是如图4～图6和图7所示那样复杂的粗糙化形状，因此，从测定面的垂直方向以光学的方式测定的方法或者利用探针以机械的方式测定的方法中，难以准确地求出表面粗糙度，有无法定量地评价表面的状态的担心。这样的情况下，实际上需要将干膜抗蚀层、积层薄膜等层叠来测定峰强度，操作繁琐并且直至评价为止耗费时间，因此，工序管理中存在无法使用等问题。

作为评价铜表面的凹凸的方法，有利用欠电位沉积法以电化学的方式测定铜的表面积的方法。

非专利文献1中，利用铊单分子层欠电位沉积法测定具有由太阳能发电中使用的化学氧化或电化学氧化形成的感光性纳米结构的氧化亚铜和氧化铜的活性表面积。首先，在-0.80vvsag/agcl下去除自然氧化铜，接着，在-0.69vvsag/agcl下形成铊单分子层，以50mv/秒将电位在阳极侧扫描，使铊溶解。

该方法中，通过将恒定电位法与扫描电位的循环伏安法组合，从而测定表面积。

非专利文献1中，利用恒定电位法和循环伏安法进行表面积的测定，但步骤繁琐，没有研究用于进行更高精度的定量的方法，期望开发出能够更简便地、重现性良好地定量的方法(参照比较例1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011-80131

专利文献2：日本特开2013-89675

非专利文献

非专利文献1：“evaluationofelectrochemicallyactivesurfaceareaofphotosensitivecopperoxidenanostructureswithextremelyhighsurfaceroughness”，electrochimicaacta，98，109-115(2013)

技术实现要素：

发明要解决的问题

本发明的课题在于，提供简便地且重现性良好地测定例如利用化学蚀刻粗糙化的铜表面的表面积的电化学方法。

用于解决问题的方案

本发明是基于上述发现而完成的。即，本发明如下所述。

<1>一种粗糙化的铜表面的表面积的测定方法，其包括如下工序：

第1工序，在恒定电位下去除在金属铜的表面生成的自然氧化铜；

第2工序，在恒定电位下在去除了前述自然氧化铜的金属铜的表面形成异种金属的单分子层；和，

第3工序，在恒定电位下将前述异种金属的单分子层溶解，

算出为了溶解前述异种金属的单分子层而使用的阳极电量，从而求出粗糙化的铜表面的表面积。

<2>根据上述<1>所述的测定方法，其中，去除前述自然氧化铜的第1工序中的恒定电位为-1.0v～-0.75vvsag/agcl的范围。

<3>根据上述<1>或<2>所述的测定方法，其中，前述异种金属为铊。

<4>根据上述<1>～<3>中任一项所述的测定方法，其中，形成前述异种金属的单分子层的第2工序中的恒定电位为-0.74v～-0.61vvsag/agcl的范围。

<5>根据上述<1>～<4>中任一项所述的测定方法，其中，第2工序中的处理时间为50～300秒。

<6>根据上述<1>～<5>中任一项所述的测定方法，其中，溶解前述单分子层的第3工序中的恒定电位为-0.50v～0.0vvsag/agcl的范围。

<7>根据上述<1>～<6>中任一项所述的测定方法，其中，测定在恒定电位下为了溶解前述单分子层所消耗的阳极电量5次，其变异系数为20％以下。

<8>根据上述<1>～<7>中任一项所述的测定方法，其中，前述阳极电量通过下述式(1)算出。

qa(mc/cm²)＝∫idt···式(1)

qa(mc/cm²)：阳极电量

i(ma/cm²)：腐蚀电流密度

t(s)：时间

<9>根据上述<8>所述的测定方法，其中，前述所得阳极电量依据下述式(2)换算为表面积因子即fsr。

fsr＝qa/qt1···式(2)

qa：所得阳极电量

qtl：112μccm-²

发明的效果

根据本发明的铜表面的表面积测定方法，可以简便地且重现良好地进行测定。

附图说明

图1为示出测定利用比较例1的方法(非专利文献1所示的循环伏安法)使铊溶解中使用的阳极电流5次而得到的结果的图

图2为示出测定利用实施例1的方法在恒定电位下、自然氧化铜溶解、铊的单分子形成和铊的溶解中使用的阳极电流5次而得到的结果的图

图3为实施例1中的蚀刻处理前的铜表面的sem照片

图4为实施例1中的蚀刻量为150nm时的铜表面的sem照片

图5为实施例1中的蚀刻量为200nm时的铜表面的sem照片

图6为实施例1中的蚀刻量为250nm时的铜表面的sem照片

图7为实施例1中的试样的截面的sem照片

图8为用于说明本发明的表面积的测定方法的示意图

具体实施方式

以下，对本发明进行详细说明。

图8为用于说明本发明的表面积的测定方法的示意图。本发明为测定粗糙化的铜表面的表面积的方法，其包括如下工序：第1工序，在恒定电位下去除在金属铜的表面生成的自然氧化铜；第2工序，在恒定电位下在去除了前述自然氧化铜的金属铜的表面形成异种金属的单分子层；和，第3工序，在恒定电位下将前述异种金属的单分子层溶解，算出为了溶解前述异种金属的单分子层而使用的阳极电量，从而求出粗糙化的铜表面的表面积。需要说明的是，事先将金属铜放置在大气环境下时，铜与空气中的氧直接反应，形成氧化亚铜的覆膜，本发明中将其称为自然氧化铜。

本发明的表面积可以在包含0.5×10^-3m的硫酸铊的1m的硫酸钠水溶液中测定。

本发明的第1工序是为了使在金属铜的表面容易生成的自然氧化铜溶解而进行恒定电位极化的工序。极化电位优选-1.0v～-0.75vvsag/agcl、更优选-0.90v～-0.77vvsag/agcl、特别优选-0.85v～-0.78vvsag/agcl。在小于-1.0vvsag/agcl的电位下极化时，有自然氧化铜的溶解变得不充分的担心，在大于-0.75vvsag/agcl的电位下极化时，有自然氧化铜的溶解变得不充分的担心。

恒定电位极化的时间是任意的，如果进行5秒以上则可以使自然氧化铜充分溶解。优选为5秒～20秒、更优选为5秒～10秒。

本发明的第2工序是在上述工序中溶解(去除)了自然氧化铜的金属铜的表面形成异种金属的单分子层的工序。极化电位优选-0.74v～-0.61vvsag/agcl、更优选-0.72v～-0.61vvsag/agcl、特别优选-0.70v～-0.61vvsag/agcl。在小于-0.74vvsag/agcl的电位下极化时，有时异种金属离子不会特意地以单分子析出而析出成块，在大于-0.61vvsag/agcl的电位下极化时，有时不会析出异种金属的单分子层。

进而，异种金属的析出时间优选50秒～300秒、更优选50秒～200秒、特别优选100秒～200秒。异种金属的析出时间短于50秒时，有异种金属的单分子层无法形成于金属铜的表面的整个面的担心。另外，即使为了以单分子析出而耗时300秒以上的时间，阳极电量也不会变化。

本发明的第3工序是上述工序中形成异种金属的单分子层后、在恒定电位下溶解该异种金属的工序。溶解的电位只要比析出电位高即可，优选-0.5v～0.0vvsag/agcl、更优选-0.5v～-0.1vvsag/agcl、特别优选-0.4v～-0.2v。在小于-0.5vvsag/agcl的电位下极化时，无法使异种金属的单分子层充分溶解，有阳极电流不流动的担心。另外，在大于0.0vvsag/agcl的电位下极化时，有不仅要测定异种金属的溶解中使用的阳极电流，而且还要测定铜的溶解中使用的阳极电流的可能性。

使异种金属的单分子层溶解的时间优选30秒～60秒、特别优选30秒～45秒。使异种金属的单分子层溶解的时间短于30秒时，有异种金属的单分子层全部不溶解的担心。使异种金属的单分子层溶解的时间即使长于60秒，阳极电量也不会变化。

一般而言，具有小的功函数的金属的离子在具有大的功函数的金属上发生欠电位沉积。本发明中，具有功函数比铜小的金属可以举出铊。因此，本发明中，作为异种金属，可以特别优选使用铊。

本发明中，测定在恒定电位下为了溶解异种金属的单分子层所消耗的阳极电量5次，其变异系数优选为20％以下、更优选为15％以下。

本发明中，阳极电量可以通过下述式(1)算出。

qa(mc/cm²)＝∫idt···式(1)

qa(mc/cm²)：阳极电量

i(ma/cm²)：腐蚀电流密度

t(s)：时间

进而，所得阳极电量可以依据下述式(2)换算为表面积因子即fsr。

fsr＝qa/qt1···式(2)

qa：所得阳极电量

qtl：112μccm-²

实施例

利用实施例对本发明进一步进行具体说明。需要说明的是，本发明不限定于下述实施例而被解释。

实施例和比较例中使用的蚀刻粗糙化剂

蚀刻粗糙化剂：三菱瓦斯化学株式会社制的emr5100(注册商标)或emr2000(注册商标)

电解液

作为铊离子源，使硫酸铊以0.5×10^-3m溶解于1m的硫酸钠水溶液中。

硫酸铊：和光纯药工业株式会社制特级试剂

硫酸钠：和光纯药工业株式会社制特级试剂

测定方法

1.恒定电位极化测定

使用电化学测定装置(北斗电工株式会社、hz-5000)，利用三电极法进行测定。将利用蚀刻粗糙化剂以规定的蚀刻量(蚀刻深度、150nm、200nm和250nm)蚀刻了的铜作为工作电极，将铂作为对电极，将带鲁金毛细管型盐桥的银/氯化银电极(北斗电工株式会社、hx-rag)作为参比电极，在1m硫酸钠水溶液中以0.5×10^-3m溶解有硫酸铊的电解液中进行测定。测定在固定电极上进行。

2.表面的sem观察

利用扫描型电子显微镜(sem：hitachihigh-technologiescorporation、s3400)，在加速电压5kv、倍率20000倍的条件下观察。

3.截面的sem观察

使用离子研磨，进行试样的截面露出，使用扫描型电子显微镜(sem：hitachihigh-technologiescorporation、s3400)，在加速电压10kv、倍率3000倍的条件下观察。

实施例1

作为蚀刻粗糙化剂，使用三菱瓦斯化学株式会社制的emr5100(注册商标)，进行化学电解铜(金属铜)膜的蚀刻粗糙化使得距离表面的深度成为150nm、200nm和250nm。为了确认粗糙化状态，进行表面和截面的sem观察。图3为未进行蚀刻处理的化学电解铜表面的sem照片。图4为蚀刻量为150nm时的铜表面的sem照片，图5为蚀刻量为200nm时的铜表面的sem照片，图6为蚀刻量为250nm时的铜表面的sem照片。图7为试样的截面的sem照片。

作为铊离子源，使用1m的硫酸钠水溶液中以0.5×10^-3m溶解有硫酸铊的溶液。

将化学电解铜浸渍在包含铊的电解液中，为了溶解在蚀刻了的化学电解铜(金属铜)的表面容易生成的自然氧化铜，在-0.80vvsag/agcl的恒定电位下将化学电解铜(金属铜)的工作电极极化5秒(第1工序)。接着，为了将铊以单分子层析出(形成)，在-0.69vvsag/agcl的恒定电位下极化200秒(第2工序)。接着，为了将析出的铊单分子层溶解，在-0.30vvsag/agcl的恒定电位下极化30秒(第3工序)。

将为了溶解铊单分子层而使用的阳极电流以时间积分，求出阳极电量qa。

阳极电量通过下述式(1)算出。

qa(mc/cm²)＝∫idt···式(1)

qa(mc/cm²)：阳极电量

i(ma/cm²)：腐蚀电流密度

t(s)：时间

所得阳极电量依据下述式(2)换算为表面积因子即fsr。

fsr＝qa/qt1···式(2)

qa：所得阳极电量

qtl：112μccm-²

112μccm-²是指，铊在1cm²的异种金属上形成单分子层所需的阳极电量的理论值。

进行该操作5次，求出阳极电量的平均值、标准偏差和变异系数。将其结果归纳于表1。

阳极电量和fsr如以下所述。

蚀刻粗糙化前的平均qa0＝0.225mc/cm²

标准偏差：0.024mc/cm²

变异系数：11％

平均fsr0＝2.01

标准偏差：0.21

变异系数：11％

150nm蚀刻粗糙化后的平均qa150＝0.330mc/cm²

标准偏差：0.028mc/cm²

变异系数：9％

平均fsr150＝2.95

标准偏差：0.25

变异系数：9％

200nm蚀刻粗糙化后的平均qa200＝0.532mc/cm²

标准偏差：0.061mc/cm²

变异系数：11％

平均fsr200＝4.75

标准偏差：0.55

变异系数：11％

250nm蚀刻粗糙化后的平均qa250＝0.780mc/cm²

标准偏差：0.073mc/cm²

变异系数：9％

平均fsr250＝6.97

标准偏差：0.65

变异系数：9％

利用本发明的恒定电位法测定阳极电量，结果可知，根据蚀刻量而fsr所示的表面积增大。进而，变异系数不根据蚀刻粗糙化前后、蚀刻量的大小而有差异，约为10％。

对于阳极电量和fsr，为了确认蚀刻前和各自各蚀刻量间是否有显著性差异，进行了tukey-kramer的hsd检验。此时，双侧5％的tukey检验的临界值成为2.861。下述表2中的p值为0.05以下时，可以说有显著性。根据检验的结果示出了如下结果：蚀刻粗糙化前的组、150nm蚀刻粗糙化后、200nm蚀刻粗糙化后、250nm蚀刻粗糙化后的全部组间有显著性差异(表2)。这证明变异系数小，可以重现性良好地测定。

[表1]

[表2]

比较例1

作为蚀刻粗糙化剂，使用三菱瓦斯化学株式会社制的emr5100(注册商标)，进行化学电解铜(金属铜)膜的蚀刻粗糙化使得距离表面的深度成为150nm、200nm和250nm。与实施例1同样地，为了确认粗糙化状态，进行表面和截面的sem观察。

作为铊离子源，使用1m的硫酸钠水溶液中以0.5×10^-3m溶解有硫酸铊的溶液。

将化学电解铜浸渍在包含铊的电解液中，为了溶解化学电解铜(金属铜)的表面容易生成的自然氧化铜，将化学电解铜(金属铜)的工作电极在-0.80vvsag/agcl的恒定电位下极化5秒。接着，为了将铊以单分子层析出，在-0.69vvsag/agcl的恒定电位下极化200秒。接着，为了将析出的铊单分子层溶解，以50mv/秒从-0.70v扫描至-0.30vvsag/agcl(不是恒定电位)。

将电位为-0.59v～-0.30vvsag/agcl的范围的阳极电流以时间积分，求出阳极电量。

求出的阳极电量除以铊在1cm²的铜上以单分子生成时所需的理论阳极电量，作为fsr。进行该操作5次，求出阳极电量的平均值和标准偏差。将其结果归纳于表3。

阳极电量和fsr如以下所述。

蚀刻粗糙化前的平均qa0＝0.227mc/cm²

标准偏差：0.097mc/cm²

变异系数：43％

平均fsr0＝2.02

标准偏差：0.87

变异系数：43％

150nm蚀刻粗糙化后的平均qa150＝0.300mc/cm²

标准偏差：0.108mc/cm²

变异系数：36％

平均fsr150＝2.68

标准偏差：0.97

变异系数：36％

200nm蚀刻粗糙化后的平均qa200＝0.658mc/cm²

标准偏差：0.179mc/cm²

变异系数：27％

平均fsr200＝5.87

标准偏差：1.60

变异系数：27％

250nm蚀刻粗糙化后的平均qa250＝0.889mc/cm²

标准偏差：0.227mc/cm²

变异系数：25％

平均fsr250＝7.94

标准偏差：2.03

变异系数：25％

可知，利用依据非专利文献1的方法的循环伏安法测定阳极电量时，随着蚀刻量的增大，fsr所示的表面积增大，但对于变异系数，在蚀刻粗糙化前为测定值的43％、蚀刻量为150nm时为36％、蚀刻量为200nm时为27％、蚀刻量为250nm时为25％，值较大，且其值可见较大差异。

对于阳极电量和fsr，为了确认蚀刻前和各自各蚀刻量间是否存在显著性差异，进行tukey-kramer的hsd检验。此时，双侧5％的tukey检验的临界值成为2.861。下述表4中的p值超过0.05时，不能说有显著性。根据检验的结果示出如下结果：蚀刻粗糙化前的组与150nm蚀刻粗糙化后的组之间没有显著性差异，200nm蚀刻粗糙化后的组与250nm蚀刻粗糙化后的组之间没有显著性差异。(表4)。这是由于，变异系数的值大，而且在全部组中有差异，重现性差。

[表3]

[表4]

实施例2

作为蚀刻粗糙化剂，使用三菱瓦斯化学株式会社制的emr2000(注册商标)，进行电解铜(金属铜)膜的蚀刻粗糙化使得距离表面的深度成为200nm。作为铊离子源，使用1m的硫酸钠水溶液中以0.5×10^-3m溶解有硫酸铊的溶液。

将化学电解铜浸渍在包含铊的电解液中，为了溶解电解铜(金属铜)的表面容易生成的自然氧化铜，将电解铜(金属铜)的工作电极在-0.8vvsag/agcl的恒定电位下极化5秒(第1工序)。接着，为了将铊以单分子层析出(形成)，在-0.69vvsag/agcl的恒定电位下极化200秒(第2工序)。接着，为了溶解析出的铊单分子层，在-0.30vvsag/agcl的恒定电位下极化30秒(第3工序)。

与实施例1同样地，将使铊单分子层溶解所使用的阳极电流以时间积分，求出阳极电量qa。

进行该操作5次，求出阳极电量的平均值、标准偏差和变异系数。将其结果归纳于表5。

阳极电量和fsr如以下所述。

蚀刻粗糙化前的平均qa0＝0.199mc/cm²

标准偏差：0.019mc/cm²

变异系数：9.6％

平均fsr0＝1.77

标准偏差：0.17

变异系数：10％

200nm蚀刻粗糙化后的平均qa200＝0.317mc/cm²

标准偏差：0.034mc/cm²

变异系数：11％

平均fsr200＝2.83

标准偏差：0.31

变异系数：11％

利用本发明的恒定电位法测定阳极电量，结果可知，随着蚀刻量而fsr所示的表面积增大。进而，变异系数不根据蚀刻粗糙化前后、蚀刻量的大小而有差异，约为10％。

[表5]

实施例3

作为蚀刻粗糙化剂，使用三菱瓦斯化学株式会社制的emr2000(注册商标)，进行电解铜(金属铜)膜的蚀刻粗糙化使得距离表面的深度成为200nm。作为铊离子源，使用1m的硫酸钠水溶液中以0.5×10^-3m溶解有硫酸铊的溶液。

将实施例2的第1工序中的、用于溶解金属铜的表面容易生成的自然氧化铜的恒定电位极化在-1.5vvsag/agcl的电位下进行，除此之外，在与实施例2同样的条件下操作。所得阳极电量的平均为0.242mc/cm²。认为这是由于，自然氧化铜的溶解变得不充分，铊的单分子层在铜整面形成是不充分的。

实施例4

作为蚀刻粗糙化剂，使用三菱瓦斯化学株式会社制的emr2000(注册商标)，进行电解铜(金属铜)膜的蚀刻粗糙化使得距离表面的深度成为200nm。作为铊离子源，使用1m的硫酸钠水溶液中以0.5×10^-3m溶解有硫酸铊的溶液。

将实施例2的第1工序中的、用于溶解金属铜的表面容易生成的自然氧化铜的恒定电位极化在-0.70vvsag/agcl的电位下进行，除此之外，在与实施例2同样的条件下操作。所得阳极电量的平均为0.252mc/cm²。认为这是由于，自然氧化铜的溶解变得不充分，铊的单分子层在铜整面形成是不充分的。

实施例5

作为蚀刻粗糙化剂，使用三菱瓦斯化学株式会社制的emr2000(注册商标)，进行电解铜(金属铜)膜的蚀刻粗糙化使得距离表面的深度成为200nm。作为铊离子源，使用1m的硫酸钠水溶液中以0.5×10^-3m溶解有硫酸铊的溶液。

为了在实施例2的第2工序中的、去除了自然氧化铜的金属铜的表面形成铊的单分子层，将恒定电位极化在-0.8vvsag/agcl的电位下进行，除此之外，在与实施例2同样的条件下操作。所得阳极电量的平均为2.339mc/cm²。认为这是由于，铊离子的一部分不会特意地以单分子析出而析出成块。

实施例6

作为蚀刻粗糙化剂，使用三菱瓦斯化学株式会社制的emr2000(注册商标)，进行电解铜(金属铜)膜的蚀刻粗糙化使得距离表面的深度成为200nm。作为铊离子源，使用1m的硫酸钠水溶液中以0.5×10^-3m溶解有硫酸铊的溶液。

为了在实施例2的第2工序中的、去除了自然氧化铜的金属铜的表面形成铊的单分子层，将恒定电位极化在-0.6vvsag/agcl的电位下进行，除此之外，在与实施例2同样的条件下操作。所得阳极电量的平均为0.167mc/cm²。认为这是由于，铊的单分子层在铜整面形成是不充分的。

实施例7

作为蚀刻粗糙化剂，使用三菱瓦斯化学株式会社制的emr2000(注册商标)，进行电解铜(金属铜)膜的蚀刻粗糙化使得距离表面的深度成为200nm。作为铊离子源，使用1m的硫酸钠水溶液中以0.5×10^-3m溶解有硫酸铊的溶液。

以30秒进行用于在实施例2的第2工序中的、去除了自然氧化铜的金属铜的表面而形成铊的单分子层的析出时间，除此之外，在与实施例2同样的条件下操作。所得阳极电量的平均为0.176mc/cm²。认为这是由于，铊的单分子层在铜整面形成是不充分的。

实施例8

作为蚀刻粗糙化剂，使用三菱瓦斯化学株式会社制的emr2000(注册商标)，进行电解铜(金属铜)膜的蚀刻粗糙化使得距离表面的深度成为200nm。作为铊离子源，使用1m的硫酸钠水溶液中以0.5×10^-3m溶解有硫酸铊的溶液。

将实施例2的第3工序中的、用于溶解铊的单分子层的恒定电位极化在0.1vvsag/agcl的电位下进行，除此之外，在与实施例2同样的条件下操作。所得阳极电量的平均为57.6mc/cm²。认为这是由于，不仅铊的单分子层溶解了，而且铜也溶解了。

[表6]

利用本发明的表面积测定方法测定表面积时，如上述那样可以简便地且重现性良好地以高精度测定表面积。

产业上的可利用性

本发明的表面积测定方法在由铜、铜合金形成的制品中，可以简便地且以高精度测定表面积，产业上的可利用性高。