一种动态形变可控微镜的制作方法

本发明涉及微机电系统(MEMS:Micro-electromechanical Systems) 技术领域，具体涉及一种动态形变可控微镜。

背景技术：

激光雷达是一种高精度的距离测量设备。作为一种主动探测装置，激 光雷达不受白昼黑夜的影响，具有较强的抗干扰能力。除了在地形测绘等 领域的应用外，近年来在自动驾驶和无人机领域也引起了极大的关注。传 统激光雷达使用多路激光结合机械旋转结构的设计，不仅速度慢、体积大， 而且能耗高、成本高。使用微镜替代机械旋转结构，可以大幅减小设备体 积，提高扫描频率，并且耗能更少。此外，由于微镜既可以构成一维扫描 镜面，又可以在二维面内扫描，仅需一路激光就可以探测整个观测面。这 种结构紧凑的设计，使得基于微镜的激光雷达易于嵌入到便携设备中，大 大拓宽了其应用情景。

技术实现要素：

为了解决现有技术中存在的技术问题，本发明实施例提供了一种动态 形变可控微镜，技术方案如下：

一种动态形变可控微镜，其特征在于，所述微镜包括：外镜10，所述 外镜10具有第一结构；内镜11，所述外镜12具有第二结构；所述第一结 构和第二结构相互分离，且通过具有第三结构的连接机构12连接；所述第 一结构，第二结构，第三结构是通过在晶圆表面上蚀刻具有第四结构的凹 槽后形成的一体结构。

优选地，所述第三结构设置于所述第一结构的动态形变最小处。

优选地，所述第一结构和第二结构表面具有高反射率镜面层。

优选地，所述外镜(10)通过扭转轴(13)与外部固定锚点相连，所 述扭转轴(13)具有第一劲度系数K1，所述微镜具有第一转动惯量I1，所 述微镜固有转动频率F1由所述第一劲度系数K1和第一转动惯量I1决定； 所述连接机构(12)具有第二劲度系数K2，所述内镜(10)和连接机构(12) 具有第二转动惯量I2，所述内镜(10)和所述连接机构(12)构成的转子 结构的固有频率F2由所述第二劲度系数K2和第二转动惯量I2决定，通过 调整所述连接机构(12)所具有的第三结构使所述微镜固有转动频率F1小 于所述转子的固有频率F2。

优选地，所述第四结构为晶圆上以所述扭转轴13所在的直线为对称轴 的两个相互对称的半圆形槽。

优选地，所述半圆形槽具有第一宽度H1和第一半径R1，单个半圆形槽 两个端点的连线与对称轴平行，并且两个半圆槽之间的具有第一距离L1， 所述第一宽度H1、第一半径R1和第一距离R1定义了微镜镜面结构的基本 形状和尺寸。其中，第一半径R1定义了内镜(11)的尺寸；第一宽度H1和 第一距离L1定义了连接机构(12)的长度和宽度。

优选地，所述第四结构为晶圆上以所述内镜中心为对称点，在同一圆 周蚀刻的四个弧形槽。

优选地，所述四个弧形槽分为两组，每组中的两个弧形型槽关于的内 镜中心的对称点相互对称，相邻弧形槽之间的部分形成连接机构14；所述 弧形槽具有第二宽度H2和第二半径R2，并且相邻两个弧形槽之间的具有第 二距离L2，所述第二宽度H2、第二半径R2和第二距离R2定义了微镜镜面 结构的基本形状和尺寸。其中，第二半径R2定义了内镜的尺寸；第二宽度 H2和第二距离L2定义了连接机构14的长度和宽度，外镜的尺寸由选择性 蚀刻过程定义的外镜尺寸来决定。

优选地，所述的第四结构包括晶圆上以内镜中心为对称点，相互镜像 对称的第一槽和第二槽、以及相互对称的第三槽和第四槽结构。

优选地，所述第一槽和第二槽结构所具有的形状通过如下步骤获得： 设置外径为RA，内径为RB的圆环，使用半径为RC的圆弧对所述圆环进行 切割,所述切割圆弧与所述圆环围成两个部分，劣弧段所在的部分即为第一 槽；第二槽与所述第一槽关于所述内镜中心镜像对称；

和/或，所述第三槽和第四槽结构所具有的形状通过如下步骤获得：设 置抛物线，在所述抛物线焦点同侧的对称轴上设置圆心,设置半径为RD的 圆，所述半径为RD的圆与抛物线顶点所在部分围成的图形构成第三槽。所 述第三槽与第四槽关于所述内镜中心镜像对称。

本发明能够达到的有益效果：

第一，本发明利用内外镜面分离结构，可以有效地减小外镜面动态形 变对内镜面的影响，从而将内镜面的动态形变降至最低。

第二，本发明内外镜面之间的连接机构可以放置于外镜面动态形变较 小处，从而有效减小动态形变的传递。该连接机构可以是多种不同的形状， 拥有较大的设计自由度。

第三，本发明的微镜结构设置于激光雷达系统光路中时，激光光束经 由内镜面扫描出射后，其光斑畸变可以得到最大程度的抑制。回波信号经 由内外镜面整体反射，使系统接收更多光场能量，从而增大信噪比。

第四，本发明的大镜面尺寸的微镜用于激光雷达系统中，既可以作为 激光出射的偏转装置，又可以作为采集回波光束的受光面，大大简化了现 有激光雷达出射窗口和接收窗口分立的复杂结构，减少了光学元件数量。 可以实现更小的系统尺寸，从而有利于将激光雷达系统搭载于便携设备中。

附图说明

下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明；

下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明；

图1是本发明实施例提供的动态形变可控微镜在激光雷达光路中实施 的方法原理示意图。

图2是本发明实施例提供的动态形变可控微镜镜面结构示意图。

图3是本发明实施例提供的动态形变可控微镜镜面结构示意图。

图4(a)是本发明实施例提供的动态形变可控微镜镜面结构示意图。

图4(b)是本发明实施例提供的动态形变可控微镜镜面结构示意图。

图5是本发明实施例提供的动态形变可控微镜结构示意图。

图6是本发明实施例提供的动态形变可控微镜结构示意图。

图7(a)-7(j)是本发明实施例提供的动态形变可控微镜梳齿加工的工 艺流程图。

图8是本发明实施例提供的动态形变可控微镜的垂直梳齿结构图。

图9是本发明实施例提供的动态形变可控微镜的焊盘结构示意图。

图10(a)-(d)是本发明实施例提供的动态形变可控微镜的驱动过程 示意图。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明 实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述， 显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施 例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动 前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本 发明实施方式作进一步地详细描述。

实施例一：

如图1所示的激光雷达系统中，出射光与回波信号共用同一光路。激 光器1发射激光光束2，经由微镜3反射到探测目标4上。在探测目标处形 成反射光束，并经沿着原光路返回，经由微镜3和中继光路反射到光探测 器9的受光面上。

激光器1可以是半导体边发射激光器、垂直表面腔发射半导体激光器、 光纤激光器等。

微镜3可以是一种动态形变可控的微镜，根据具体设计不同，可以是 一维或者二维扫描微镜，其驱动方式可以是静电驱动、电磁驱动、电热驱 动或者压电驱动等。

激光光束2经探测对象4反射以后由微镜3接收，在一般情况下，探 测距离5远大于系统尺寸，回波光束6可近似为平行光。系统受光面的大 小由微镜3的镜面尺寸定义。光束6经过反射镜7和透镜8以后被探测器9 接收，最终将光信号转换为电信号，输入到后端进行信号处理。探测器9 可以是PN或者PIN光电探测器、雪崩光电二极管、光电倍增管等。

实施例二：

在实施例一描述的激光雷达系统中，微镜3是光路中重要的光学中继 部件和扫描器件。一方面，微镜3的反射面尺寸定义了最大反射面积，另 一方面，微镜3基于自身的扫描式结构实现对于光束的扫描。

本实施例二中，微镜3镜面的基本结构如图2所示，包含外镜10、内 镜11，内镜11经由连接机构12与外镜10相连，外镜10通过扭转轴13与 外部固定锚点相连。外镜10、内镜11以及连接机构12构成一个整体绕旋 转轴转动，连接机构12关于微镜旋转轴呈对称分布。

所述外镜10、内镜11、连接机构12以及扭转轴13在SOI晶圆上形成。 SOI晶圆由顶部单晶硅器件层，中间二氧化硅掩埋层和底部单晶硅衬底层构 成。形成过程包括：通过选择性刻蚀顶部器件层定义微镜的整体结构，包 括形成外镜、内镜、连接机构以及扭转轴。内镜和外镜的划分和连接机构 的形成是通过选择性蚀刻指定区域实现的。

图2所示的结构中，在SOI上以扭转轴13所在的直线为对称轴，蚀刻 两个相互对称的半圆形槽，所述半圆形槽具有第一宽度(H1)和第一半径 (R1)，单个半圆形槽两个端点的连线与对称轴平行，并且两个半圆槽之间 的具有第一距离(L1)，所述第一宽度(H1)、第一半径(R1)和第一距离(R1)定义了微镜镜面结构的基本形状和尺寸。其中，第一半径(R1)定 义了内镜11的尺寸；第一宽度(H1)和第一距离(L1)定义了连接机构12 的长度和宽度。外镜10的尺寸由选择性蚀刻过程定义的外镜尺寸来决定。 在蚀刻结束后，在内镜和外镜上同时镀高反射率镜面层。高反射率镜面层 可以通过例如蒸发镀或者离子反应溅射镀的方式实现，镀层金属可以是金、 银、铝，通过控制镀层工艺，保证镜面层的平整度，以保证微镜在扫描过 程中呈镜面反射。在一个实例中，镜面平整度在20nm以内。镜面平整度可 基于AFM测量等手段来进行验证。

实施例三：

在图2中展示了微镜3的一种结构，在该结构中，内镜11围绕旋转轴 旋转。在旋转摆动过程中，微镜整体的固有转动频率由微镜的总转动惯量 和扭转轴13的劲度系数决定。因此，通过调整连接机构12的形状和尺寸， 以保证微镜整体的转动频率远小于由连接机构12和内镜11所构成振子的 固有频率。连接机构12的尺寸可以通过调整第一宽度(H1)和第一距离(L1)， 连接机构12的形状可以通过改变蚀刻的图案形成。

在图3展示的微镜结构中，在SOI上以内镜中心为对称点，在同一圆 周蚀刻四个弧形槽，四个弧形槽分为两组，每组中的两个弧形型槽关于的 内镜中心的对称点相互对称，相邻弧形槽之间的部分形成连接机构14。所 述弧形槽具有第二宽度(H2)和第二半径(R2)，并且相邻两个弧形槽之间 的具有第二距离(L2)，所述第二宽度(H2)、第二半径(R2)和第二距离 (R2)定义了微镜镜面结构的基本形状和尺寸。其中，第二半径(R2)定 义了内镜的尺寸；第二宽度(H2)和第二距离(L2)定义了连接机构14的 长度和宽度。外镜的尺寸由选择性蚀刻过程定义的外镜尺寸来决定。

在图3的实施例中，按照顺时针的顺序，四个弧形槽依次命名为第一 弧形槽、第二弧形槽、第三弧形槽、第四弧形槽。根据转动惯量的要求， 四个弧形槽之间两两之间的距离可以是相等的第二距离(L2)，也可以设置 为不相等(L21，L22，L23，L24)。

在上述实施例中，四个弧形槽是处于一个圆周上的，出于抑制动态形 变的目的，所述四个弧形槽的形状拼合成为一个圆周，其实际位置通过爆 炸图的形式展开而相互间隔。

在图4(a)展示的微镜结构中，在SOI上以内镜中心为对称点，刻蚀 相互对称的第一槽和第二槽、以及相互对称的第三槽和第四槽结构。

如图4(b)所示，所述第一槽结构具有如下形状：设置一个圆环，圆 环的圆心可以与内镜中心重合，也可以根据结构动态形变值与内镜中心偏 离一个单位距离，圆环的外径为RA，内径为RB，使用半径为RC的圆弧对 所述圆环进行切割,切割圆弧与圆环围成两个部分，劣弧段所在的部分即为 第一槽；第二槽与所述第一槽关于所述内镜中心镜像对称。

当然，根据具体的动态形变抑制情况，用于切割所述同心圆的还可以 是抛物线结构，抛物线与同心圆围成的劣弧所在部分构成第一槽，第二槽 与所述第一槽关于所述内镜中心镜像对称。

所述第三槽具有如下结构：设置一个抛物线y＝ax²+b，在抛物线对称轴 上抛物线焦点侧的对称轴上设置圆心,设置半径为RD的圆，所述圆与抛物线 顶点所在部分围成的图形构成第三槽。所述第三槽与第四槽关于所述内镜 中心镜像对称。

实施例四：

在本实施例中，为了将内镜11的动态形变降至最低，采用如下步骤进 行处理：

在确定外镜10、内镜11以及扭转轴13的形状尺寸之后，对结构进行 有限元计算分析。基于有限元分析，得出外镜10中心孔边缘的动态形变分 布，再将连接机构12靠近外镜10的一端设置在形变最小处。

然后再进行整体的动态形变计算，进一步检查连接机构靠近外镜一端 附近的动态形变分布，移动连接机构到新的最小值附近。

如此重复数次，直至达到要求的形变数值。

对于不同的内镜结构，基于有限元实验得到的结果并不相同。图2所 示的单一矩形连接轴12，该连接轴设置的位置位于外镜10边缘，与扭转轴 处于同一直线的位置，由此达到轴向转动的动态形变最低。

图3展示了分别连接在内镜和外镜边缘4个不同位置的4根横梁构成 连接机构14，此结构方案适用于外镜动态形变最小值不在边缘中心的情况。

图4(a)展示了连接机构15由两个C型连接机构组成，分别连接在外 镜边缘的两个中心位置和内镜边缘的4个不同位置。此设计方案适用于外 镜动态形变最小值位于边缘中心的情况。

在图3、图4(a)展示的结构中，内镜和外镜之间具有四个接触点多， 四个接触点的合理选择也有利于进一步压制内镜动态形变。

实施例五：

以上的实施例中的微镜镜面可以由不同原理进行驱动，包括且不限于 静电驱动、电磁驱动、电热驱动和压电驱动。

图5展示了一种一维静电驱动微镜的驱动结构，微镜镜面经由扭转轴 被固定于锚点16上，并与外部电源相连。

动梳齿18位于外镜两侧与静梳齿17交叉分布，静梳齿17经由焊接区 19与外部电源的另一极相连。当外部电源施加周期性电压激励时，微镜镜 面即可进行一维旋转。

在一个示例中，动静梳齿为平面梳齿。

在一个示例中，动静梳齿为垂直梳齿。

基于梳齿结构，该微镜既可以工作于谐振模式也可以工作于准静态模 式。

在本实施例中，动梳齿18直接设置于外镜镜面两侧会增大外镜的动态 形变。利用前述实施例中，内镜和外镜分离，以及将连接机构12设置于动 态形变最小的设计可以有效地削弱该动态形变向内镜的传递。

实施例六：

如图6所示，通过将镜面与可旋转的平衡架结构23相连，并提供二对 梳齿阵列20和22，即可搭建一个二维静电驱动微镜。其中第二对梳齿阵列 22与第一对梳齿阵列20的排列方向相垂直。由于隔离凹槽24和25的存在， 该二维微镜由21、26和27三个微电极控制，从而实现在两个互相垂直的 方向上独立地偏转。梳齿阵列20/22可以是平面梳齿也可以是垂直梳齿， 分别对应李萨如扫描模式和逐行扫描模式。

实施例七：

本实施例将具体描述实施例一至六中的微镜结构的特征尺寸。如前所 述，在本发明实施例中，内镜和外镜采用了相互分离的结构，微镜的特征 尺寸由外镜的尺寸来定义，因此微镜镜面的总尺寸是常见产品数倍，这样 可以提供足够大的回波信号接收面积。

在一系列具体的微镜结构中，外镜特征尺寸选自2毫米-20毫米之间的 尺寸，内镜的特征尺寸选自0.5毫米-4毫米。外镜尺寸较大仅用于接收回 波信号，内镜尺寸较小，用于偏转出射激光光束和接收一部分回波信号。

通过前述实施例中描述的方式，内镜和外镜之间有特定形状和尺寸的 连接机构，通过将连接机构靠近外镜的一端设置在外镜动态形变较小的位 置，削弱外镜动态形变向内镜的传递。从而保证内镜动态形变较小，压制 出射激光的光斑畸变。外镜动态形变相对较大，但由于微镜到光电探测器 的距离很近，回波信号的光斑畸变绝对值很小，回波能量的损失可以忽略 不计。

就微镜的尺寸而言，较大的镜面尺寸会增大微镜的转动惯量，进而减 小固有转动频率和最大转动角度，此时可以通过使用较薄的器件层来减小 转动惯量。在一个具体的示例中，微镜的特征厚度被减薄到10-80微米。

实施例八：

在前述实施例中提及了扫描镜的梳齿结构，本实施例则着重介绍前述 具有垂直梳齿结构的微镜并阐述其加工方法。

微镜结构设置在SOI晶圆上，所述SOI晶元从上到下依次为第一层单 晶硅器件层、第一层氧化硅绝缘层、第二层单晶硅器件层、第二层氧化硅 绝缘层和单晶硅衬底层。按照如下步骤制造所述微镜边缘的梳齿结构：

步骤1，通过一次光刻，形成动梳齿和静梳齿的掩膜。

步骤2，再通过干刻工艺依次刻蚀穿透第一层单晶硅器件层、第一层氧 化硅绝缘层、第二层单晶硅器件层，并在第二层氧化硅绝缘层表面处停止。

步骤3，在步骤2的刻蚀过程结束后，在晶圆表面形成光刻胶，光刻胶 的种类和厚度要能够遮盖住干刻形成的缝隙。具体地，所述涂胶过程，可 以一次涂胶形成，也可多次涂胶完成缝隙的覆盖。

步骤4，也可以先沉积一层介质封住干刻缝隙，再进行涂胶。

步骤5，然后光刻裸露出动梳齿和镜面部分，以光刻胶为掩膜刻蚀掉动 梳齿和镜面结构上的第一层单晶硅器件层和第一层氧化硅绝缘层，并去除 光刻胶。

步骤6，接着沉积金属薄膜形成反射镜面和焊盘。

步骤7，最后进行背腔刻蚀，释放微镜的可动结构。

通过以上步骤形成的微镜，其静梳齿有上下两层，因此驱动电压的施 加至少有如下三种情况：

第一种情况，在上层静梳齿与动梳齿之间施加电压，实现谐振式、准 静态或数字式扫描；

第二种情况，下层静梳齿与动梳齿之间，实现谐振式扫描；

第三种情况，上下层静梳齿交替施加驱动电压，不间断地对动梳齿施 加静电力。

在上述驱动方式中，静梳齿的某一层或两层的某一部分或全体可以施 加静偏压，实现谐振频率的调节和偏转角度的反馈。本发明提出的垂直梳 齿微镜，工艺简单、成本可控、功能丰富，并且无需牺牲器件性能，适用 于多样的应用场景。

实施例九：

在本实施例中，将对实施例八中的工艺流程进行进一步描述。如图 7(a)-7(j)所示，步骤包括：

步骤(a)，准备晶圆。

本实施例所使用的单片SOI晶圆片共有5层。顶层701是单晶硅器件 层，拥有高掺杂浓度和良好的导电性，优选厚度在30-100微米之间。第一 绝缘层702为氧化硅材料，厚度为0.1-20微米。中间层703为第二层单晶 硅器件层，与顶层701类似，拥有良好的导电性，优选厚度在30-100微米 之间，其厚度可以与701相同，也可以不同。第二绝缘层704与第一绝缘 层702类似，为氧化硅材料，优选厚度为0.1-20微米。衬底层705为低掺 杂的单晶硅层，优选厚度为300-700微米。

步骤(b)，在晶圆表面涂覆一层光刻胶706。

步骤(c)，经标准光刻工艺裸露出刻蚀区域707。

在步骤(b)和(c)中，此步骤中使用的掩膜版同时定义了静梳齿、 动梳齿和镜面的平面排布。然后以光刻胶为掩膜对裸露区域实施干刻，穿 透所述晶圆的顶层701、第一绝缘层702和中间层703。

对单晶硅的刻蚀可以使用ICP刻蚀工艺，对氧化硅的刻蚀可以使用RIE 刻蚀工艺，由于单晶硅刻蚀工艺对硅与氧化硅有较大的选择比，刻蚀过程 由绝缘层704截止。

步骤(b)和步骤(c)完成后，静梳齿已经形成。

步骤(d)，去除光刻胶706，并重新涂覆一层光刻胶708。光刻胶708 的种类和厚度要使其能够遮盖住干刻形成的缝隙。

在步骤(d)中，光刻胶708可以一次涂胶形成，也可多次涂胶完成缝隙 的覆盖；也可以先沉积一层介质封住干刻缝隙，再进行涂胶。

具体地，在一个示例中，光刻胶708通过一次涂胶形成。

具体地，在一个示例中，光刻胶708通过多次涂胶完成对所述干刻步 骤形成的缝隙。

具体地，在一个示例中，通过沉积工艺在所述干刻缝隙中形成一层介 质，然后在所述介质层上涂覆光刻胶708。

在所述步骤二中，对于光刻精度的要求不高，可以使用粘稠度较大的 光刻胶。

步骤(f)，通过光刻工艺裸露出动梳齿、镜面和联通动梳齿的焊盘区域 709。

在步骤(f)中，为保证刻蚀的成功率，裸露区域709需要从对应结构 向外延伸一段距离。

步骤(g)，以光刻胶为掩膜刻蚀掉裸露区域下的器件层701和绝缘层 702。

为保证绝缘层4不在此步骤中被破坏，其厚度可以比绝缘层702更大。 完成此步后，动梳齿710和镜面711都已形成。

具体地，在一个示例中，裸露区域709从对应结构向外延伸的距离可 以是0.5-4微米。

步骤(h)，去除光刻胶，重新进行光刻并在特定区域沉积一层金属薄 膜。

其中，沉积在器件层1上的金属层712可以充当上层静梳齿的焊盘， 沉积在器件层703上的金属层713构成反射镜面，沉积在器件层3上金属 层714是下层静梳齿或动梳齿的焊盘。

步骤(i)，反转SOI晶圆，利用光刻工艺在衬底层705的底面形成掩 膜715，

步骤(j)，深刻蚀穿透衬底层705，去除绝缘层704，释放微镜可动部 分。

实施例十：

在实施例九中，除了上述工艺流程以外，金属的蒸镀也可以分为两步 进行。在进行干法刻蚀之前，先执行焊盘4的蒸镀。

此后的流程与7图(b)至图7(g)相同。

在完成图7(g)所示的干刻后，直接继续蒸镀一层金属，并使用liftoff 工艺去除光刻胶8和其上的金属，形成微镜镜面4和焊盘4。

此后的工艺与图7(i)至图7(j)一致。由于光刻胶708同时充当了 干刻和金属蒸镀的掩膜，避免了在高低不平的梳齿形貌上重新涂覆光刻胶， 有效地降低了工艺难度。

实施例十一：

经过以上实施例的工艺，形成如图8所示的垂直梳齿结构图。

动梳齿16与镜面的外镜部分相连，外镜部分与扭转轴相连，外镜与扭 转轴之间的连接方式包括但是不限于之前实施例介绍的方式。

动梳齿16与下层静梳齿18构成平面梳齿对。

下层静梳齿与上层静梳齿之间由氧化硅绝缘层分隔，彼此电隔离。动 梳齿16与静梳齿17构成垂直梳齿对。下层静梳齿与上层静梳齿之间由氧 化硅绝缘层分隔，彼此电隔离，动梳齿16与静梳齿17构成垂直梳齿对。

实施例十二：

前述实施例中加工工艺适用于各种微镜平面设计，如图9所示，其展 示了一维微镜的俯视结构。镜面通过扭转轴连接在两侧的锚点上，动梳齿 分布在镜面两侧，并与静梳齿间错分布。焊盘20分布在两侧的锚点上，可 对动梳齿施加电压。焊盘19和21分布在第二次干刻形成的裸露器件层3 上，可对下层静梳齿施加电压。焊盘22和23分布在器件层1表面，可对 上层静梳齿施加电压。

通过第一次干刻工艺，可以将下层静梳齿分隔为相互电隔离的若干部 分，分别施加不同的电压。通过第二次干刻工艺，可以将上层静梳齿分隔 为互相电隔离的若干部分，分别施加不同的电压。

需要注意的是，如果采用前述实施例的两次蒸镀金属的工艺方案，金 属将分布于微镜可动部分和锚点的整个上表面，但不影响微镜的功能。

实施例十三

如截面图10(a)-(d)所示，上层静梳齿17、下层静梳齿18和动梳 齿16构成了至少两组电容电极，其中动梳齿可以保持接地。当动梳齿16 处于零度静止状态时，在静梳齿17上施加一个静偏压即可使镜面开始转动。

第一种驱动方式是在上层静梳齿和动梳齿16之间施加周期驱动电压， 该电压可以是正弦波、方波、锯齿波等。

此时，梳齿17和17’可以交替施加电压，当动梳齿处于10(b)所示 的状态时，在17上施加驱动电压，而17’上施加零偏压；当动梳齿开始反 向转动，处于10(c)所示的状态时，17上施加零偏压，17’上施加驱动 电压；每次微镜改变转动方向时，17和17’实施电压的交替。根据驱动电 压的频率、波形和幅值，微镜在第一种驱动方式下，可以作谐振式扫描、 准静态扫描和数字式扫描。此时梳齿18和18’的全体或者一部分可以施加 一个非零的静偏压，并通过提取该电极输出的电流，反推该电极与动梳齿 之间的电容，并得到实时的偏转角度值；当处于谐振式扫描的情形下，不 同的静态电压还可以调节微镜的共振频率，提高器件的环境适应性。该静 偏压越大，共振频率越大。

第二种驱动方式是在下层静梳齿和动梳齿16之间施加周期驱动电压， 该电压可以是正弦波、方波、锯齿波等。此时梳齿18和18’保持等电势， 并仅当微镜由最大偏转位置向平衡位置回复时，才施加该驱动电压，例如 10(c)所处的情形。此时，微镜作谐振式扫描。当在梳齿17上施加非零 的静偏压时，可以通过17和16之间的电容变化，实时推断出微镜的偏转 位置和转动方向；当在17和17’上同时施加某一非零的静偏压时，可以降 低共振频率。

第三种驱动方式是在下层静梳齿和动梳齿16之间施加周期驱动电压的 同时，在上层静梳齿17和17’上交替施加驱动电压。此时梳齿18和18’ 保持等电势，并仅当微镜由最大偏转位置向平衡位置回复时，才施加该驱 动电压，该电压可以是正弦波、方波、锯齿波等。当动梳齿处于10(b)所 示的状态时，在17上施加驱动电压，而17’上施加零偏压；当动梳齿开始 反向转动，处于10(c)所示的状态时，17上施加零偏压，17’上施加驱 动电压；每次微镜改变转动方向时，17和17’实施电压的交替。此时微镜 作谐振式扫描。由于微镜无论是远离零度角位置还是靠近零度角位置都有 驱动电压发生作用，这一驱动方式可以提高驱动效率，降低驱动电压。与 此同时，上层和下层静梳齿可以分为互相电隔离的若干部分。下层静梳齿 的一部分可以施加非零的静偏压，以增大共振频率；上层静梳齿的一部分 可以施加非零的静偏压，以减小共振频率；角度反馈信号可以从施加非零 的静偏压的电极处获取。

以上三种驱动方式可以由同一个微镜结构实现，而不需要改变微镜的 结构。因此采用上述工艺加工的微镜器件可用作谐振式扫描、准静态扫描 和数字式扫描，适用于各种应用场合。

以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发 明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在 本发明的保护范围之内。