电流复用相控阵接收机的制作方法

本发明涉及电流复用相控阵接收机，属于微电子与固体电子学技术以及模拟集成电路技术领域。

背景技术：

相控阵起先主要用于航天以及雷达领域，随着低成本微波技术的发展，相控阵的用途变得多元化，相控阵的使用变得日益普遍。各种波束成型技术被开发出来并投入使用。模拟波束成型主要通过相控阵发射机、相控阵接收机及信号处理模块来实现。相控阵接收机用于处理由天线接收的电磁信号，进行放大、变频、滤波，通常由以下几个部分构成：低噪声放大器、移相器、混频器、模拟基带。

相控阵接收机主要通过矢量合成的方式来实现移相，根据移相功能实现所处频段的不同，可以分为射频移相与中频移相。对于射频移相的相控阵接收机(Kwang-Jin Koh,et al.“An X-and Ku-Band 8-Element Phased-Array Receiver in 0.18-um SiGe BiCMOS Technology”,IEEE JOURNALOF SOLID-STATE CIRCUITS,VOL.43,NO.6,JUNE 2008.参考文献1)，天线接收的信号通过低噪声放大器放大，再通过正交产生电路产生两路正交的输出信号，再分经过可变增益放大器进行加权，两路信号合成后再通过混频器转换到中频，最后由模拟基带进行放大滤波；对于中频移相的相控阵接收机(Maryam Tabesh,et al.“A65nm CMOS 4-Element Sub-34mW/Element 60GHz Phased-Array Transceiver”,IEEE JOURNALOF SOLID-STATE CIRCUITS,VOL.46,NO.12,DECEMBER 2011.参考文献2)，天线接收的信号通过低噪声放大器放大，直接送入混频器，由复混频提供两路正交的输出信号，两路信号分别进行加权后合成移相后的两路正交信号，最后由模拟基带进行放大滤波。然而，无论是对于射频移相相控阵接收机还是中频移相相控阵接收机，目前的设计中，由天线接收的信号在接收机各个模块的处理过程中，主要是以电压的形式进行处理，由于多路电压信号无法直接合成，需要增加一级电路将电压转换成电流来实现多路信号的合成，从而增加了接收机的复杂度；此外，接收机的各个模块有独立的静态电流，功耗大，随着接收机通道数目的增加，功耗问题将更加突出。

以参考文献1的相控阵接收机芯片为例，射频移相相控阵接收机包含8个通道，使用了两个4路合成1路的合成器以及一个2路合成1路的合成器，将8路电压信号转换成电流信号后合成为1路。以参考文献2的相控阵收发机芯片为例，中频移相接收机包含4个通道，每一通道中的低噪声放大器、混频器、移相器均有独立的静态电流，功耗较大。随着接收机通道数的增加，功耗将会成为制约接收机通道数量的关键瓶颈。

通过对电流进行复用，可以降低接收机的复杂度并减小功耗(Fujian Lin,et al.“An RF-to-BB Current-Reuse Wideband Receiver with Parallel N-Path Active/Passive Mixers and a Single-MOS Pole-Zero LPF”,IEEE International Solid-State Circuits Conference,2014:74-75参考文献3.S.C.Blaakmeer,E.A.M.Klumperink,D.M.W.Leenaerts,and B.Nauta,“The Blixer,a Wideband Balun-LNA-I/Q-Mixer Topology”,IEEE JOURNALOF SOLID-STATE CIRCUITS,VOL.43,NO.12,DECEMBER,2008.参考文献4)，但是目前电流复用只在不包含移相功能或移相器的单通道接收机中实现。如何在多通道相控阵接收机中进行电流复用，实现低复杂度、低功耗相控阵接收机是本发明的主要研究课题。

技术实现要素：

发明目的：有鉴于上述现有技术之缺失，本发明目的在于提出电流复用相控阵接收机，在多通道相控阵接收机中进行电流复用，有效降低系统复杂度和系统功耗。

技术方案：为实现上发明目的，本发明采用如下技术方案：

一种电流复用相控阵接收机，在射频频段实现移相功能，为射频移相电流复用相控阵接收机，包含n个接收通道，n为大于1的整数，每个接收通道都包含一个低噪声放大器模块，一个正交产生电路模块和一个可变增益放大器模块，n个接收通道共用一个混频器模块和一个电流转电压模块；每个接收通道的低噪声放大器模块输入一路射频电压信号，输出两路差分射频电流信号至正交产生电路模块，所述正交产生电路模块输出四路差分正交射频电流信号至可变增益放大器模块进行加权合成，所述可变增益放大器模块输出两路移相的差分射频电流信号；n个可变增益放大器模块输出的移相的差分射频电流信号叠加后输入至混频器模块，所述混频器模块输出四路差分正交中频电流信号至电流转电压模块，所述电流转电压模块输出四路差分正交中频电压信号；所述电流转电压模块与电源正端VDD相连，电源提供的直流电流由电源正端流经电流转电压模块、混频器模块、可变增益放大器模块、正交产生电路模块、低噪声放大器模块，最后到地GND，在各个模块中进行了复用。

在优选的实施方案中，电源提供的直流电流由VDD先流经电流转电压模块，接着从混频器模块的漏极流入，从混频器模块的源极流出，再分成n路直流电流，每一路直流电流均先从可变增益放大器模块的漏极流入，从可变增益放大器模块的源极流出，再流经正交产生电路模块，最后从低噪声放大器模块的漏极流入，流经低噪声放大器模块到GND。

在优选的实施方案中，所述低噪声放大器模块包括一个共栅管和一个共源管，共栅管的源极输入所述射频电压信号同时连接偏置电感到GND，漏极为所述差分射频电流信号的一路信号输出端；共源管的栅极输入所述射频电压信号，源极接GND，漏极为所述差分射频电流信号的另一路信号输出端。

在优选的实施方案中，所述可变增益放大器模块包括12×k个NMOS管，k为大于1的整数；其中3×k个NMOS管为一组，每组中的3×k个NMOS管源极相连，输入所述四路差分正交射频电流信号中的一路信号；每组中第一路的k个NMOS管的漏极分别经电阻连接至VDD，第二路的k个NMOS管的漏极相连，作为所述移相的差分射频电流信号的一路信号输出端；第三路的k个NMOS管的漏极相连，作为所述移相的差分射频电流信号的另一路信号输出端；12×k个NMOS管的栅极经控制开关连接VDD或者GND。

在优选的实施方案中，所述混频器模块包括八个NMOS管，所述NMOS管的源极作为射频电流信号输入端，漏极作为中频电流信号输出端，栅极输入差分正交本振信号。

在优选的实施方案中，所述电流转电压模块包括四个电阻；每个电阻一端与VDD相连，另一端分别与所述混频器模块的一路输出相连。

本发明还提供一种电流复用相控阵接收机，在中频频段实现移相功能，为中频移相电流复用相控阵接收机，包含n个接收通道，n为大于1的整数，每一个接收通道都包含一个低噪声放大器模块，一个混频器模块和一个可变增益放大器模块，n个接收通道共用一个电流转电压模块；每个接收通道的低噪声放大器模块输入一路射频电压信号，输出两路差分射频电流信号至混频器模块，所述混频器模块输出四路差分正交中频电流信号至可变增益放大器模块进行加权合成，所述可变增益放大器模块输出四路移相的差分正交中频电流信号；n个可变增益放大器模块输出的移相的差分正交中频电流信号叠加后输入至电流转电压模块，所述电流转电压模块输出四路差分正交中频电压信号；所述电流转电压模块与电源正端VDD相连，电源提供的直流电流由电源正端流经电流转电压模块、可变增益放大器模块、混频器模块、低噪声放大器模块，最后到地GND，在各个模块中进行了复用。

在优选的实施方案中，电源提供的直流电流由VDD先流经电流转电压模块，再分成n路直流电流，每一路直流电流均先从可变增益放大器模块的漏极流入，从可变增益放大器模块的源极流出，接着从混频器模块的漏极流入，从混频器模块的源极流出，最后从低噪声放大器模块的漏极流入，流经低噪声放大器模块到GND。

在优选的实施方案中，所述低噪声放大器模块包括一个共栅管和一个共源管，共栅管的源极输入所述射频电压信号同时连接偏置电感到GND，漏极为所述差分射频电流信号的一路信号输出端；共源管的栅极输入所述射频电压信号，源极接GND，漏极为所述差分射频电流信号的另一路信号输出端。

在优选的实施方案中，所述混频器模块包括八个NMOS管，所述NMOS管的源极作为射频电流信号输入端，漏极作为中频电流信号输出端，栅极输入差分正交本振信号。

在优选的实施方案中，所述可变增益放大器模块包括8×(k+2)个NMOS管，k为大于1的整数；其中2×(k+2)个NMOS管为一组，每组中的2×k个NMOS管的源极相连，输入所述四路差分正交中频电流信号中的一路信号；每组中第一路的k个NMOS管的漏极相连，并连接第一路的上层2个NMOS管的源极，第二路的k个NMOS管的漏极相连，并连接第二路的上层2个NMOS管的源极；每组中的上层4个NMOS管的漏极分别作为所述四路移相的差分正交中频电流信号中的一路信号输出；8×(k+2)个NMOS管的栅极经控制开关连接VDD或者GND。

在优选的实施方案中，所述电流转电压模块包括四个电阻，每个电阻一端与VDD相连，另一端分别与每个通道的可变增益放大器模块的一路输出相连。

有益效果：本发明采用以上技术方案与现有技术相比，通过在多通道相控阵接收机中进行电流复用，具有以下技术效果：(1)减少跨导、跨阻单元的使用，简化了低噪声放大器模块、可变增益放大器等模块的电路结构，降低了接收机的复杂度。(2)各个模块没有独立的静态电流，因此功耗低，并且随着通道数量的增加，这一优势愈加明显。

附图说明

图1是本发明实施例1的框架图。

图2是本发明实施例1中的应用示例电路图。

图3是本发明实施例2的框架图。

图4是本发明实施例2中的应用示例电路图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例，进一步阐明本发明，应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围，在阅读了本发明之后，本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求项要求所限定的范围。

实施例1

如图1所示，本发明实施例公开的一种电流复用相控阵接收机，在射频频段实现移相功能，是一种射频移相电流复用相控阵接收机，该相控阵接收机包含n个接收通道，分别输入n路射频信号(RF1，…，RFn)，最终输出中频信号(BB)。每一个接收通道都包含了一个低噪声放大器模块，一个正交产生电路模块，一个可变增益放大器模块，n个接收通道共用一个混频器模块和一个电流转电压模块；每个接收通道的低噪声放大器模块、正交产生电路模块和可变增益放大器模块在硬件上完全相同。电源提供的直流电流由电源正端(VDD)流经电流转电压模块、混频器模块、可变增益放大器模块、正交产生电路模块、低噪声放大器模块，最后到地(GND)，对电流进行了复用。每个接收通道输入的射频电压信号首先进入低噪声放大器模块，输出射频电流信号，接着将此射频电流信号送入正交产生电路模块，产生正交的射频电流信号，正交的电流信号经过可变增益放大器模块加权后合成，输出移相的射频电流信号，n个通道的可变增益放大器模块输出连接在一起，这些接收通道输出的移相的射频电流信号叠加后送入一个共用的混频器模块中完成射频电流信号到中频电流信号的转换，最后再将此中频电流信号送入一个共用的电流转电压模块，转换为中频电压信号输出。本实施例中，电源提供的直流电流由电源正端先流经电流转电压模块，接着从混频器模块的漏极流入，从混频器模块的源极流出，再分成n路直流电流，每一路直流电流均先从可变增益放大器模块的漏极流入，从可变增益放大器模块的源极流出，再流经正交产生电路模块，最后从低噪声放大器模块的漏极流入，流经低噪声放大器模块到地，该直流电流在整个相控阵接收机中的各个模块中进行了复用。

其中，低噪声放大器模块包括一个共栅管和一个共源管，共栅管的源极输入射频电压信号同时连接偏置电感到GND，漏极为差分射频电流信号的一路信号输出端；共源管的栅极输入射频电压信号，源极接GND，漏极为差分射频电流信号的另一路信号输出端。可变增益放大器模块包括12×k个NMOS管，k为大于1的整数；其中3×k个NMOS管为一组，每组中的3×k个NMOS管源极相连，输入四路差分正交射频电流信号中的一路信号；每组中第一路的k个NMOS管的漏极分别经电阻连接至VDD，第二路的k个NMOS管的漏极相连，作为移相的差分射频电流信号的一路信号输出端；第三路的k个NMOS管的漏极相连，作为移相的差分射频电流信号的另一路信号输出端；12×k个NMOS管的栅极经控制开关连接VDD或者GND。混频器模块包括八个NMOS管，NMOS管的源极作为射频电流信号输入端，漏极作为中频电流信号输出端，栅极输入差分正交本振信号。电流转电压模块包括四个电阻；每个电阻一端与VDD相连，另一端分别与混频器模块的一路输出相连。

图2为在本实施例的射频移相电流复用相控阵接收机的一个具体应用示例的电路图，如图2所示，射频移相电流复用相控阵接收机包含n个接收通道，分别输入n路射频信号(RF1，…，RFn)，最终输出四路差分正交中频信号(BBIP，BBIN，BBQP，BBQN)。每一个接收通道都包含一个低噪声放大器模块，一个正交产生电路模块，一个可变增益放大器模块，n个接收通道共用一个混频器模块和一个电流转电压模块；每个接收通道的低噪声放大器模块、正交产生电路模块和可变增益放大器模块在硬件上完全相同。电源提供的直流电流由电源正端(VDD)流经电流转电压模块、混频器模块、可变增益放大器模块、正交产生电路模块、低噪声放大器模块，最后到地(GND)，对电流进行了复用。

第m个接收通道的低噪声放大器模块(LNAm)的输入为射频电压信号(RFm)，输出为经过放大的差分射频电流信号。其由两个NMOS管(共栅管M1和共源管M2)，一个偏置电阻(R1)，一个隔直电容(C1)以及一个偏置电感(L1)构成。M1源极输入射频输入信号(RFm)，同时连接L1到GND；栅极连接共栅管偏置电压(VBIAS_CG)；漏极为LNAm的一路信号输出端。M2栅极输入RFm经过C1隔直后的射频信号，同时通过R1接共源管偏置电平(VBIAS_CS)；源极接GND；漏极为LNAm的另一路信号输出端。

第m个接收通道的正交产生电路模块(QGCm)的输入为LNAm输出的两路差分电流信号，输出为四路差分正交射频电流信号(RFIPm，RFQPm，RFINm，RFQNm)。QGCm可以采用传输线、正交全通滤波器或多相滤波器等方式实现。

第m个接收通道的可变增益放大器模块(VGAm)的输入信号为QGCm输出的四路差分正交射频电流信号，输出信号为对输入的差分正交射频电流信号进行加权合成后的差分射频电流信号。VGAm由12×k个NMOS管及4×k个电阻构成。k个NMOS管(MA1，…，MAk)，k个NMOS管(MB1，…，MBk)，以及k个NMOS管(MC1，…，MCk)的源极相连，输入信号RFIPm。k个NMOS管(MD1，…，MDk)，k个NMOS管(ME1，…，MEk)，以及k个NMOS管(MF1，…，MFk)的源极相连，输入信号RFINm。k个NMOS管(MG1，…，MGk)，k个NMOS管(MH1，…，MHk)，以及k个NMOS管(MI1，…，MIk)的源极相连，输入信号RFQPm。k个NMOS管(MJ1，…，MJk)，k个NMOS管(MK1，…，MKk)，以及k个NMOS管(ML1，…，MLk)的源极相连，输入信号RFQNm。k个NMOS管(MA1，…，MAk)的漏极分别与k个电阻(RA1，…，RAk)的一端相连，k个电阻(RA1，…，RAk)的另一端均与VDD相连。k个NMOS管(MF1，…，MFk)的漏极分别与k个电阻(RF1，…，RFk)的一端相连，k个电阻(RF1，…，RFk)的另一端均与VDD相连。k个NMOS管(MG1，…，MGk)的漏极分别与k个电阻(RG1，…，RGk)的一端相连，k个电阻(RG1，…，RGk)的另一端均与VDD相连。k个NMOS管(ML1，…，MLk)的漏极分别与k个电阻(RL1，…，RLk)的一端相连，k个电阻(RL1，…，RLk)的另一端均与VDD相连。k个NMOS管(MB1，…，MBk)，k个NMOS管(MD1，…，MDk)，k个NMOS管(MH1，…，MHk)以及k个NMOS管(MJ1，…，MJk)的漏极相连，作为VGAm的一路信号输出端。k个NMOS管(MC1，…，MCk)，k个NMOS管(ME1，…，MEk)，k个NMOS管(MI1，…，MIk)以及k个NMOS管(MK1，…，MKk)的漏极相连，作为VGAm的另一路信号输出端。12×k个NMOS管的栅极根据需要可以由控制信号控制连接VDD或者GND。

混频器模块(MIXER)的输入信号为VGAm输出的差分射频电流信号，输出信号为四路差分正交中频电流信号。其由八个NMOS管(M3，…，M10)构成，栅极输入四路差分正交本振信号(LOIP，LOIN，LOQP，LOQN)。其中M3和M5的栅极输入LOIP；M4和M6的栅极输入LOIN；M7，M9的栅极输入为LOQP；M8和M10栅极输入为LOQN。M3，M4，M7，M8的源极相连，并输入VGAm输出的差分射频电流信号的一路；M5，M6，M8，M10的源极相连，并输入VGAm输出的差分射频电流信号的另一路。M3与M5的漏极相连，M4与M6的漏极相连，M7与M9的漏极相连，M8与M10的漏极相连，作为MIXER的四路差分正交中频电流信号输出端。

电流转电压模块(I2V)，由四个电阻(R2，R3，R4，R5)构成。MIXER输出的四路差分正交中频电流信号分别流经R2，R3，R4，R5，汇聚到VDD，产生四路差分正交中频电压信号(BBIP，BBIN，BBQP，BBQN)。该四路差分正交中频电压信号(BBIP，BBIN，BBQP，BBQN)为射频移相电流复用相控阵接收机的输出。

实施例2

如图3所示，本发明实施例公开的一种电流复用相控阵接收机，在中频频段实现移相功能，是一种中频移相电流复用相控阵接收机，该相控阵接收机包含n个接收通道，分别输入n路射频信号(RF1，…，RFn)，最终输出中频信号(BB)。每一个接收通道都包含一个低噪声放大器模块，一个混频器模块，一个可变增益放大器模块，n个接收通道共用一个电流转电压模块；每个接收通道的低噪声放大器模块、混频器模块和可变增益放大器模块在硬件上完全相同。电源提供的直流电流由电源正端(VDD)流经电流转电压模块、可变增益放大器模块、混频器模块、低噪声放大器模块，最后到地(GND)，对电流进行了复用。每个接收通道输入的射频电压信号首先进入低噪声放大器模块中，输出射频电流信号，接着将此射频电流信号送入混频器模块中，输出正交中频电流信号，正交的中频电流信号经过可变增益放大器加权后合成，输出移相的中频电流信号，n个接收通道的可变增益放大器模块输出连接在一起，这些接收通道输出的中频移相电流信号叠加后送入一个共用的电流转电压模块，转换为中频电压信号输出。本实施例中，电源提供的直流电流由电源正端先流经电流转电压模块，再分成n路直流电流，每一路直流电流均先从可变增益放大器模块的漏极流入，从可变增益放大器模块的源极流出，接着从混频器模块的漏极流入，从混频器模块的源极流出，最后从低噪声放大器模块的漏极流入，流经低噪声放大器模块到地，该直流电流在整个相控阵接收机中的各个模块中进行了复用。

其中，低噪声放大器模块包括一个共栅管和一个共源管，共栅管的源极输入射频电压信号同时连接偏置电感到GND，漏极为差分射频电流信号的一路信号输出端；共源管的栅极输入射频电压信号，源极接GND，漏极为差分射频电流信号的另一路信号输出端。混频器模块包括八个NMOS管，NMOS管的源极作为射频电流信号输入端，漏极作为中频电流信号输出端，栅极输入差分正交本振信号。可变增益放大器模块包括8×(k+2)个NMOS管，k为大于1的整数；其中2×(k+2)个NMOS管为一组，每组中的2×k个NMOS管的源极相连，输入四路差分正交中频电流信号中的一路信号；每组中第一路的k个NMOS管的漏极相连，并连接第一路的上层2个NMOS管的源极，第二路的k个NMOS管的漏极相连，并连接第二路的上层2个NMOS管的源极；每组中的上层4个NMOS管的漏极分别作为四路移相的差分正交中频电流信号中的一路信号输出；8×(k+2)个NMOS管的栅极经控制开关连接VDD或者GND。电流转电压模块包括四个电阻，每个电阻一端与VDD相连，另一端分别与每个通道的可变增益放大器模块的一路输出相连。

图4为在本实施例的中频移相电流复用相控阵接收机的一个具体应用示例的电路图，如图4所示，带有中频移相电流复用相控阵接收机包含n接收通道，分别输入n路射频信号(RF1，…，RFn)，最终输出四路差分正交中频信号(BBIP，BBIN，BBQP，BBQN)。每一个接收通道都包含一个低噪声放大器模块，一个混频器模块，一个可变增益放大器模块，n个接收通道共用一个电流转电压模块；每个接收通道的低噪声放大器模块、混频器模块和可变增益放大器模块在硬件上完全相同。电源提供的直流电流由电源正端(VDD)流经电流转电压模块、可变增益放大器模块、混频器模块、低噪声放大器模块，最后到地(GND)，从而实现了电流的复用。

第m个接收通道的低噪声放大器模块(LNAm)的输入为射频电压信号(RFm)，输出为经过放大的差分射频电流信号。其由两个NMOS管(共栅管M1和共源管M2)，一个偏置电阻(R1)，一个隔直电容(C1)以及一个偏置电感(L1)构成。M1源极输入射频输入信号(RFm)，同时连接L1到GND；栅极连接共栅管偏置电压(VBIAS_CG)；漏极为LNAm的一路信号输出端。M2栅极输入RFm经过C1隔直后的射频信号，同时通过R1接共源管偏置电平(VBIAS_CS)；源极接GND；漏极为LNAm的另一路信号输出端。

第m个接收通道的混频器模块(MIXERm)的输入信号为LNAm输出的差分射频电流信号，输出信号为四路差分正交中频电流信号(IFIPm，IFQPm，IFINm，IFQNm)。其由八个NMOS管(M3，…，M10)构成，栅极输入四路差分正交本振信号(LOIP，LOIN，LOQP，LOQN)。其中M3和M5的栅极输入LOIP；M4和M6的栅极输入LOIN；M7，M9的栅极输入为LOQP；M8和M10栅极输入为LOQN。M3，M4，M7，M8的源极相连，并输入LNAm输出的差分射频电流的一路；M5，M6，M8，M10的源极相连，并输入LNAm输出的差分射频电流的另一路。M3与M5的漏极相连，M4与M6的漏极相连，M7与M9的漏极相连，M8与M10的漏极相连，作为MIXERm的四路差分正交中频电流信号输出端。

第m个接收通道的可变增益放大器模块(VGAm)的输入信号为MIXERm输出的四路差分正交中频电流信号，输出信号为对输入的四路差分正交中频信号进行加权合成后的四路差分正交中频电流信号。VGAm由8×(k+2)个NMOS管构成。k个NMOS管(MA1，…，MAk)以及k个NMOS管(MB1，…，MBk)的源极相连，输入信号IFIPm；k个NMOS管(MC1，…，MCk)以及k个NMOS管(MD1，…，MDk)的源极相连，输入信号IFINm；k个NMOS管(ME1，…，MEk)以及k个NMOS管(MF1，…，MFk)的源极相连，输入信号IFQPm；k个NMOS管(MG1，…，MGk)以及k个NMOS管(MH1，…，MHk)的源极相连，输入信号IFQNm。k个NMOS管(MA1，…，MAk)的漏极相连，并连接M11和M12的源极；k个NMOS管(MB1，…，MBk)的漏极相连，并连接M13和M14的源极；k个NMOS管(MC1，…，MCk)的漏极相连，并连接M15和M16的源极；k个NMOS管(MD1，…，MDk)的漏极相连，并连接M17和M18的源极；k个NMOS管(ME1，…，MEk)的漏极相连，并连接M19和M20的源极；k个NMOS管(MF1，…，MFk)的漏极相连，并连接M21和M22的源极；k个NMOS管(MG1，…，MGk)的漏极相连，并连接M23和M24的源极；k个NMOS管(MH1，…，MHk)的漏极相连，与连接M25和M26的源极。M11，M16，M19，M24的漏极相连，作为VGAm的一路输出；M12，M15，M20，M23的漏极相连，作为VGAm的一路输出；M13，M18，M22，M25的漏极相连，作为VGAm的一路输出；M14，M17，M21，M26的漏极相连，作为VGAm的一路输出。8×(k+2)个NMOS管的栅极根据需要可以由控制信号控制连接VDD或者GND。

电流转电压模块(I2V)，由四个电阻(R2，R3，R4，R5)构成。VGAm输出的四路差分正交中频电流信号分别流经R2，R3，R4，R5，汇聚到VDD，产生四路差分正交中频电压信号(BBIP，BBIN，BBQP，BBQN)。该四路差分正交中频电压信号(BBIP，BBIN，BBQP，BBQN)为中频移相电流复用相控阵接收机的输出。

上述实施例公开的射频移相电流复用相控阵接收机和中频移相电流复用相控阵接收机，通过在多通道相控阵接收机中进行电流复用，减少跨导、跨阻单元的使用，简化了低噪声放大器模块、可变增益放大器等模块的电路结构，降低了接收机的复杂度；此外，各个模块没有独立的静态电流，因此功耗低，随着通道数量的增加，这一优势愈加明显。