技术总结
本发明实施例提供了一种GaN基半导体激光芯片检测装置及方法，所述装置包括：芯片装载模块、电源模块、显微成像模块和激光打标模块；通过电源模块为待检测芯片施加一定的电流使待检测芯片从p面和前腔面分别发出两束荧光，显微成像模块接收这两束荧光后对待检测芯片的p面和前腔面进行荧光成像，并判断待检测芯片的有源区是否存在失效区域、前腔面是否有灾变性光学损伤点，最后再通过激光打标模块对待检测芯片的有源区的失效区域正上方的p面进行打标以便后续处理。所述装置结构简单，且能够实现对待检测芯片的有源区的失效区域的正上方的p面区域打标，以此来定位失效区域在有源区中的位置，功能更加丰富，具有更好的实用价值。
技术研发人员：尧舜;郎陆广;兰天;周广正;吕朝晨;于洪岩;王智勇
受保护的技术使用者：北京工业大学
技术研发日：2017.12.30
技术公布日：2018.07.24