一种智能电能表非接触式开盖电路的制作方法

文档序号:11374876阅读:314来源:国知局
一种智能电能表非接触式开盖电路的制造方法与工艺

本实用新型涉及一种检测电路,具体说是一种智能电能表非接触式开盖电路。



背景技术:

随着国家对智能电网的大力推进,目前安装在现场的智能电表已有4亿只以上,智能电表具有计量准确,小电流计量精度高,通讯交互功能,多项事件记录功能等功能。但目前窃电现象仍然普遍存在,在表计外部窃电处理很容易观测和取证,但若在表计内部做窃电处理,如:修改电压回路取样电阻或是修改电流回路取样电阻,从表计外部很难观测,只能更换表计,拆下后做分析。这样会给分析带来一定风险,有误判可能,若能准确知道表计在运行中产生过非正常开盖记录,会给窃电分析带来极大的辅助证据,会大大提高窃电事件查处的成功率。但目前智能电能表采用的机械式开盖记录存在一定比例的误记录,大大降低了此事件记录的可信度。



技术实现要素:

本实用新型所要解决的技术问题是,克服现有技术的缺点,提供一种智能电能表非接触式开盖电路,通过采用普通的霍尔器件配合小型磁片,实现非接触式开盖电路设计,有效解决原智能电能表机械式开盖检测抖动,产生误检测的问题。

为了解决以上技术问题,本实用新型提供一种智能电能表非接触式开盖电路,包括电能表箱、磁片以及磁场检测电路,所述电能表箱包括表壳上盖和表壳底座,所述表壳上盖和表壳底座之间采用机械式压杆结构进行密封,在所述表壳上盖设有压杆,所述磁场检测电路包括结构相同的第一磁场检测电路和第二磁场检测电路,在所述压杆上安装磁片,所述压杆正下方的表壳底座上安装第一磁场检测电路,在所述第一磁场检测电路一侧安装第二磁场检测电路,所述第一磁场检测电路与所述磁片之间产生5-10mT的磁场强度,所述第二磁场检测电路与所述磁片之间产生小于5 mT的磁场强度。

本实用新型进一步限定的技术方案是:前述的智能电能表非接触式开盖电路,所述第一磁场检测电路或第二磁场检测电路的检测单元采用三脚磁场检测芯片,所述三脚磁场检测芯片的VDD引脚与处理器VDD引脚相连,且设有支路通过电容C5接地;三脚磁场检测芯片的OUT引脚通过电阻R4与处理器CHK引脚相连,所述三脚磁场检测芯片的GND引脚接地。

前述的智能电能表非接触式开盖电路,所述磁片的直径与压杆的直径相同;所述三脚磁场检测芯片为HAL95A或HAL49E霍尔元件。

本实用新型的有益效果是:本实用新型通过采用普通的霍尔器件配合小型磁片,实现非接触式开盖电路设计,设计方案非常简单,对原表壳结构基本不需要大的改动,所用器件为通用器件,十分方便大批量采购和生产,而且实现非常简单可靠,有效解决原智能电能表机械式开盖检测抖动,产生误检测的问题。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图。

图2为本实用新型磁场检测电路图。

具体实施方式

实施例1

本实施例提供一种智能电能表非接触式开盖电路,结构如图1和图2所示,包括电能表箱、磁片以及磁场检测电路,电能表箱包括表壳上盖5和表壳底座6,表壳上盖和表壳底座之间采用机械式压杆结构进行密封,在表壳上盖设有压杆1,磁场检测电路包括结构相同的第一磁场检测电路3和第二磁场检测电路4,在压杆上安装磁片2,压杆正下方的表壳底座上安装第一磁场检测电路,在第一磁场检测电路一侧安装第二磁场检测电路,第一磁场检测电路与磁片之间产生5-10mT的磁场强度,第二磁场检测电路与磁片之间产生小于5 mT的磁场强度。

本实施例的第一磁场检测电路或第二磁场检测电路的检测单元采用三脚磁场检测芯片,三脚磁场检测芯片的VDD引脚与处理器VDD引脚相连,且设有支路通过电容C5接地;三脚磁场检测芯片的OUT引脚通过电阻R4与处理器CHK引脚相连,三脚磁场检测芯片的GND引脚接地;在磁场检测电路中,使用了市面已大批量应用的3脚HAL49E霍尔元件作为磁场检测芯片,芯片灵敏度选择5-10mT值,电路非常简单,方便生产和测试。

本实施例的电能表箱仍旧采用原机械式压杆,不同的是在压杆上固定安装小磁片,磁片大小与压杆直径相当,磁片到正下方第一磁场检测电路产生5~10mT的磁场强度,调整旁边第二磁场检测电路距离压杆磁片的距离,使第二磁场检测电路处磁场强度小于5mT,选择同样敏感强度的磁场检测芯片,当表壳上盖正常安装时,第一磁场检测电路检测到磁场存在,而第二磁场检测电路检测不到,此时可确认是合盖状态。当上盖打开时,第一磁场检测电路和第二磁场检测电路均检测不到磁场,此时可认为发生开盖事件,做开盖记录。采用此方案可有效防止使用磁场干扰,当外部有强磁时,由于第一磁场检测电路和第二磁场检测电路距离很近,两个检测电路的距离与壳体尺寸相比,可以认为基本在同一点,第一磁场检测电路和第二磁场检测电路均检测到有磁场,此时表计可以判断发生了磁干扰事件,做磁干扰事件记录。

以上实施例仅为说明本实用新型的技术思想,不能以此限定本实用新型的保护范围,凡是按照本实用新型提出的技术思想,在技术方案基础上所做的任何改动,均落入本实用新型保护范围之内。

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