机电组件、机电组件组装，利用机电组件检测电位差的方法以及机电组件的功能检查的方法与流程

本发明的实施例涉及一种机电组件。另一实施例涉及一种机电组件布置。其他实施例涉及对机电组件执行功能测试的操作程序及方法。本发明的实施例涉及一种用于借助于可机械偏转的板验证电位的装置。

背景技术：

为了实现集成组件的大小的进一步减小，必须不断地改良用于制造的技术(例如，微影)。除其他技术外，电子写入技术(电子束微影)可被视为极适合的，因为其保证对于极精细结构化是必要的极高分辨率。为加速写入过程，利用可被单独控制的众多电子束是有用的。

已在nuflare专利(us9,082,581b2)中描述具有任意数目的可独立控制的偏转单元的用于带电粒子束的偏转矩阵的一般设置。组件(此处所描述的偏转单元位于其上)的架构与nuflare的专利中描述的架构相当。在此状况下，也失去经由组件的操作模式进行证实的可能性。

偏转矩阵的本文中所描述的设置的主要问题为在将组件递送至客户端之前测试及验证偏转矩阵和/或个别单元的功能能力的可能性。

验证方法是必要的以便展示：一方面，实际上在偏转电极受控制时施加电压，且另一方面，不同偏转电极之间没有出现短路。因此，需要用于每个个别偏转单元的电位验证方法。

测试组件的操作模式的成本最高的方法为设置组件且将其安装在应用装置中。应用装置的简化设置也将是可行的。然而，在任何状况下，将需要产生众多个别电子束并引导电子束穿过孔/孔隙；随后，将需要通过控制组件以偏转电子束。某种检测器必须被安装在装置的另一侧上，该检测器能够实现验证个别电子束实际上是否可被偏转。设置此应用装置将牵涉极大量努力并且没有提供可利用简单手段实现的方法。因此，将有可能仅在递送组件之后在客户端就地执行此测试。

原则上，扫描电子显微镜(rem)提供借助于电位对比使组件内的带电区可视化的可能性。然而，需要大量努力以充分程度电气接触或控制组件，同时借助于扫描电子显微镜检查组件。

鉴于以上说明，需要提供一种机电组件、一种机电组件布置、一种操作方法以及一种执行功能测试的方法，以上所有均能够实现执行简单功能测试(例如，对偏转矩阵和/或对个别偏转单元)。

技术实现要素：

本发明的实施例提供一种机电组件，该机电组件包括第一电极、第二电极以及可弹性变形的验证结构。第一电极与第二电极被布置为在第一电极与第二电极之间存在电位差的情况下生成有用电场。验证结构被配置为在第一电极与第二电极之间存在电位差的情况下被偏转。机电组件被配置为具有由有用场引起的有用效应，该有用效应不同于验证结构的偏转。

因此，本发明提供了通过检测验证结构的偏转而直接验证电位差的存在的可能性。在此上下文中，本发明的重要特征在于，验证结构的偏转不同于组件的有用效应(净功效)。本发明的优点可因此在于，可以证实原则上可实现有用效应而无需在功能测试中再现有用效应。

根据机电组件的实施例，验证结构包括基表面且此外包括基本上垂直于基表面的另一表面；以及上表面，其基本上平行于基表面。利用验证结构的此设置，可实现如下情形：甚至在第一电极与第二电极之间存在小的电位差的状况下可检测地偏转验证结构。此外，上文所提及的设置可在验证结构被安装在这些电极中的一个上的状况下实现制造具有增大的高度的另一电极。因此，例如，可更自由地选择在验证结构的上表面与场生成电极之间产生的距离，该场生成电极负责验证结构的偏转。因此，例如，可以以较小电位差实现验证结构的增大的偏转。

根据机电组件的另一实施例，验证结构包括具有弹性材料的至少一个区。此处，也可导致验证结构可被更容易地偏转的效果。此外，可能归因于验证结构的部分或整个验证结构的弹性而达到疲劳强度，并且将不会出现或仅出现可忽略的材料疲劳。

根据机电组件的另一实施例，验证结构包括由钛或铝或钛铝或铝硅钛制成的至少一个区。所提及材料的利用可被认为是有利的，因为这些材料可展现若干期望特性。一方面，这些材料可包括期望弹性度，且另一方面，它们的电导率可实现对电场的屏蔽效应。

根据机电组件的另一实施例，验证结构与第一电极重叠，以使得验证结构的与验证结构的机械附接区分隔开的区被定位成与第一电极的区相对。此情形具有如下优点：验证结构的偏转程度可被增大，因为验证结构的更大有效区域可位于电极(例如，第一电极)的场的作用范围内。

根据机电组件的另一实施例，验证结构包括偏转促进结构，偏转促进结构促进验证结构的偏转和/或减小验证结构的弯曲强度。此情形提供如下优点：验证结构的偏转可被调整为具有期望程度。

根据机电组件的另一实施例，偏转促进结构被配置为使得验证结构实现除对有用场的屏蔽效应之外的对源自第一电极的场的期望屏蔽效应。此外，相较于不具有偏转促进结构的验证结构，偏转促进结构被配置为促进验证结构的偏转。此情形提供可改良验证结构的至少两个期望特性的优点。一方面，因此可以机械地制造验证结构，以使得在第一电极与第二电极之间的期望电位差下出现期望偏转程度，且另一方面，也可期望屏蔽效应。如果验证结构被被相应地制造，这将表示折衷。另一方面，出于促进偏转的目的而以针对性方式引入的结构可提供足够的弹性或塑性，同时仅小程度地降级屏蔽效应。

根据机电组件的另一实施例，偏转促进结构和/或偏转促进结构的部分被布置在验证结构的区内，其中相较于其在最大场强度的区内，电场强度小至少百分之50，该区位于第一电极与验证结构之间。此情形提供如下优点：偏转促进结构可被设置在验证结构的对由验证结构引起的屏蔽效应作出较小贡献的区中。

根据机电组件的另一实施例，验证结构包括至少两个隙缝，此外，验证结构包括自由端。

第一隙缝从验证结构的自由端延伸至验证结构的内部区。第二隙缝从验证结构的自由端延伸至验证结构的内部区。第一隙缝与第二隙缝以相互距离设置。

此实施例具有可实现验证结构的期望可偏转性的优点。如已提及，在此上下文中，也可以在验证结构与隙缝的设计中考虑并积极地影响屏蔽效应。通过以此方式制造包括至少两个隙缝的验证结构，可明显地改良偏转。此外，由于隙缝，屏蔽效应也有可能以期望程度存在和/或仅以可忽略程度减小。

根据机电组件的另一实施例，验证结构包括至少两个隙缝。此外，验证结构包括自由端。

在此上下文中，在第一隙缝的第一部分中，第一隙缝从验证结构的自由端延伸至验证结构的内部区。此后，在第一隙缝的第二部分中，第一隙缝在验证结构的内部区内延伸，第一隙缝的第一部分与第一隙缝的第二部分覆盖角度，所述角度大于45度，优选地大于70度。

此外，在第二隙缝的第一部分中，第二隙缝从验证结构的自由端延伸至验证结构的内部区。此后，在第二隙缝的第二部分中，第二隙缝在验证结构的内部区内延伸，第二隙缝的第一部分与第二隙缝的第二部分覆盖角度，所述角度大于45度，优选地大于70度。第一隙缝与第二隙缝以相互距离设置。

此实施例具有可实现验证结构的期望的、再次改良的可偏转性的优点。第一隙缝的第二部分与第二隙缝的第二部分分别可提供验证结构的再次增大的可偏转性。所述部分提供对偏转的进一步促进，因为可甚至更多地减少机械地紧固验证结构的区。如已提及，也可在验证结构与隙缝的设计中考虑屏蔽效应，且因此可在可忽略范围内实现屏蔽效应的减少。

根据机电组件的另一实施例，验证结构包括至少三个隙缝。此外，验证结构包括自由端。

在此上下文中，在第一隙缝的第一部分中，第一隙缝以基本上笔直方式从验证结构的自由端延伸至验证结构的内部区。此后，在第一隙缝的第二部分中，第一隙缝以基本上笔直方式在验证结构的内部区内延伸，第一隙缝的第一部分与第一隙缝的第二部分覆盖角度，所述角度大于45度，优选地大于70度。

在第二隙缝的第一部分中，第二隙缝以基本上笔直方式从验证结构的自由端延伸至验证结构的内部区。此后，在第二隙缝的第二部分中，第二隙缝以基本上笔直方式在验证结构的内部区内延伸，第二隙缝的第一部分与第二隙缝的第二部分覆盖角度，所述角度大于45度，优选地大于70度。

此外，第三隙缝在验证结构的内部区内延伸，所述第三隙缝与第一隙缝的第二部分及第二隙缝的第二部分相邻。

在此上下文中，第一隙缝的第二部分在与第三隙缝的第一部分相邻的区内基本上平行于第三隙缝的第一部分而延伸，且第二隙缝的第二部分在与第三隙缝的第二部分相邻的区内基本上平行于第三隙缝的第二部分而延伸。第三隙缝的第一部分并入第三隙缝的第二部分中。

此实施例具有可实现验证结构的期望的、再次改良的可偏转性的优点。所得结构可具有旋转接头的效果，所述效果被期望用于增大可偏转性的水平。此外，可利用屏蔽表面的极小减少来实现所述明显改良的可偏转性是有利的，因为可形成旋转接头的隙缝具有极小空间需求。如已提及，在此上下文中，也可能在验证结构与隙缝的设计中考虑屏蔽效应。

根据机电组件的另一实施例，验证结构被配置为实现除对有用场的屏蔽效应之外的对源自第一电极的场的期望屏蔽效应。此情形提供如下优点：基于有用电场的存在或可控性的有用效应不受限制，但源自(例如)第一电极的场的仅非期望部分被屏蔽掉。

根据机电组件的另一实施例，第一电极被布置在基体上，且验证结构与第一电极重叠，以使得第一电极至少部分地位于验证结构与基体之间，以便实现除对有用场的屏蔽效应之外的对源自第一电极的场的期望屏蔽效应。所描述的实施例可具有如下优点：可以通过以熟练方式相互地布置验证结构、第一电极及基体，仅小程度地影响有用效应，且同时可改良验证结构的可偏转性，以及也可改良由验证结构引起的屏蔽效应。

根据机电组件的另一实施例，验证结构包括若干部分，该若干部分被定位成与第一电极的若干侧向表面相对以便朝向若干方向屏蔽掉第一电极。此情形提供如下优点：可进一步改良屏蔽效应；也可改良验证结构的偏转，且因此，例如，也可改良第一电极与第二电极之间的电位差的可检测性。

根据机电组件的另一实施例，第一电极和/或第二电极相较于基体的主表面是凸起的。此情形提供如下优点：例如，验证结构可被应用于呈非基本平面表面的形式的第二电极，且因此，生产力可得以简化。由于将验证结构应用于第二电极，可改良第二电极至验证结构的电气耦接也是可能的。此外，第一电极与第二电极之间的有用电场可变得更明显。

根据机电组件的另一实施例，关于基体的主表面，第二电极比第一电极高。此情形可提供另一优点：验证结构可被制造为第二电极上的基本平面表面。此外，第一电极可被制造为使得其与第二电极相邻。以此方式，可实现验证结构与第一电极重叠，且可实现可偏转性的高水平。以此方式，也可增大由验证结构引起的屏蔽效应。

根据机电组件的另一实施例，第一电极与第二电极被定位成彼此相对。此情形提供如下优点：甚至在低电位差下也可以以期望程度实现有用效应。

根据机电组件的另一实施例，第一电极与第二电极被配置为使得有用场适于影响至少一个机械结构，机械结构不同于验证结构。此情形提供如下优点：有用效应实施类似于验证结构的偏转的功能。因此，机械元件的调整也将是可行的。

根据机电组件的另一实施例，第一电极与第二电极被配置为使得有用场适于影响电磁辐射和/或个别光子。此情形提供可实现影响电磁辐射的优点。此情形可实现使用机电组件的许多其他模式。

根据机电组件的另一实施例，第一电极与第二电极被配置为使得有用场适于影响粒子束。关于此情形的优点将为(例如)可以分离带电粒子与不带电粒子。

根据机电组件的另一实施例，第一电极与第二电极被配置为使得有用场适于使带电粒子的粒子束偏转或影响带电粒子的粒子束。此情形提供如下优点：例如，其中粒子束被引导至另一材料上以便使所述材料结构化的使用模式是可行的。

根据机电组件的另一实施例，机电组件包括基体。第一电极与第二电极被定位成以一距离彼此相对。该基体包括在第一电极与第二电极之间的区中的开口。此情形提供粒子束可穿过开口且因此(例如)也穿过基体的优点。

根据机电组件的另一实施例，开口被配置为使粒子束能够穿过机电组件。第一电极与第二电极被配置为使得有用电场适于影响粒子束。此情形提供如下优点：粒子束可受第一电极与第二电极之间的有用场影响，且所述粒子束可随后穿过(例如)开口且因此穿过整个基体。借助于此实施例，粒子束的轨迹可朝向任意期望方向改变，例如，而无需以任意方式直接影响粒子束的源。

根据机电组件的另一实施例，第一电极与第二电极被配置为使得有用场适于使粒子束偏转，且开口被配置为使得粒子束在第一操作电位差下穿过开口。此外，开口被配置为使得粒子束在第二操作电位差下被消除。第一操作电位差不同于第二操作电位差。此情形提供如下优点：机电组件可通过第一电极及第二电极或照此类推的影响来“接通”和“切断”带电粒子的粒子束，而无需影响粒子束的源。

根据机电组件的另一实施例，第二电极与验证结构被电气耦接至电路的参考电位供应。此外，第一电极被配置为包括不同于电路的参考电位的电位。此情形提供如下可能性：验证结构的偏转可提供第一电极与第二电极之间的电位差存在的证据。此外，此装置可使验证结构能够对第一电极的场施加改良的屏蔽效应。此外，借助于此装置，可实现可明显地简化控制。

根据机电组件的实施例，机电组件布置包括多个机电组件。此情形提供众多机电组件可实现有用效应的优点。举例而言，众多电子束可按照需要而被独立地“接通”或“切断”的应用将是可行的。

根据机电组件的实施例，机电组件被布置在基体上，且机电组件被布置在基体的表面的两个空间方向上。此情形提供如下优点：例如，以与机电组件的分布相当的分布布置的电子束可受影响。

根据机电组件的实施例，机电组件布置包括行和/或列结构，且各个行和/或各个列包括多个机电组件。此情形提供如下优点：例如，可按某种矩阵布置的若干电子束可同时受影响。在此上下文中，应用不限于同时影响所有电子束；在该实施例中，个别电子束可以以针对性方式受影响也是可行的。

根据机电组件的实施例，机电组件布置包括至少两个机电组件，且第一机电组件包括第一电极、第二电极以及可弹性变形的验证结构。

第一机电组件的第一电极与第一机电组件的第二电极被布置为在第一机电组件的第一电极与第一机电组件的第二电极之间存在电位差的情况下生成第一有用电场。

此外，第一机电组件的验证结构被配置为在第一机电组件的第一电极与第一机电组件的第二电极之间存在电位差的情况下被偏转，且第一机电组件被配置为具有由有用场引起的有用效应，该有用效应不同于第一机电组件的验证结构的偏转。

第二机电组件包括第一电极和第二电极以及可弹性变形的验证结构。

第二机电组件的第一电极与第二机电组件的第二电极被布置为在第二机电组件的第一电极与第二机电组件的第二电极之间存在电位差的情况下生成第二有用电场。

此外，第二机电组件的验证结构被配置为在第二机电组件的第一电极与第二机电组件的第二电极之间存在电位差的情况下被偏转。此外，第二机电组件被配置为具有由有用场引起的有用效应，该有用效应不同于第二机电组件的验证结构的偏转。

此外，第一机电组件的第二电极与第二机电组件的第一电极相邻地设置。

此情形提供如下优点：第一组件的第二电极可屏蔽掉第二组件的第一电极，使得可屏蔽掉非期望电场对其他区的串扰。

根据机电组件的实施例，第二机电组件的验证结构被设置在第一机电组件的第二电极上。此情形提供可实现空间节省的优点，因为验证结构可被布置在相邻的机电组件的第二电极上而无需布置在(例如)基体上。

根据机电组件的实施例，第一机电组件的第二电极被制造为使得第二机电组件的第一电极的三侧中的每个具有第一机电组件的第二电极的一侧被定位成与其相对。此情形提供如下优点：可实现对第一电极的非期望场的极好屏蔽，因为朝向若干侧，该第一电极被相邻的机电组件的第二电极包围，该第二电极可被切换至(例如)整个组件布置的参考电位。

根据机电组件的实施例，第二机电组件的验证结构被设置在第一机电组件的第二电极上，且第二机电组件的第一电极至少部分地位于第二机电组件的验证结构与基体之间。此情形提供如下优点：验证结构可实现极高屏蔽效应，且同时可在第一电极与第二电极之间的低电位差下实现验证结构的高度偏转。

所提及的方法实施上文所描述的机电组件和/或机电组件布置的预期操作。

实施例提供一种操作用于检测电位差的机电组件的方法。机电组件包括第一电极、第二电极以及可弹性变形的验证结构。

第一电极与第二电极被布置为在第一电极与第二电极之间存在电位差的情况下生成有用电场，且验证结构被配置为在第一电极与第二电极之间存在电位差的情况下被偏转。此外，机电组件被配置为具有由有用场引起的有用效应，该有用效应不同于验证结构的偏转。

此外，该方法包括驱动机电组件以便获得电位差；检测验证结构的偏转以便检测第一电极与第二电极之间的电位差的存在。

此方法提供可因此提供第一电极与第二电极之间的电位差的证据的优点。

另一实施例提供一种对机电组件执行功能测试的方法，该方法包含：

控制机电组件，以使得利用功能组件在第一电极与第二电极之间产生电位差，该电位差适于生成有用电场。此外，检测验证结构的偏转，及依据偏转的检测而决定机电组件是否起作用。

此方法提供可确定机电组件的功能性的优点。在此上下文中，以下情况也将是可行的：定量地检测个别验证结构的偏转，且因此可推断机电组件的可能制造缺陷的类型。举例而言，验证结构的偏转缺失能够指示电极的有缺陷接触或接触缺失将是可行的。

另一实施例提供一种对机电组件执行功能测试的方法，其中不考虑有用效应是否存在而作出决定，该有用效应不同于验证结构的偏转。此情形提供如下优点：可用最少量支出来确定机电组件的功能性而无需再现(例如)测试装置的有用效应。

另一实施例提供一种操作机电组件的方法，其中光学地和/或电气地检测验证结构的偏转。此方法提供可依据应用领域而以合适方式检测偏转的优点。光学或电气检测可展现优于各个其他类型的检测的优点。

另一实施例提供一种操作机电组件的方法，其中借助于白光干涉计或光显微镜检测验证结构的偏转。此方法提供易于应用的检测类型适于证实验证结构的偏转的优点。

另一实施例提供一种操作机电组件的方法，其中归因于第一电极与第二电极之间的电位差的验证结构的偏转为至少3nm，优选地为5nm至100nm，最优选地为20nm至40nm。此方法提供如下优点：归因于验证结构的显著偏转，测量误差的误解可不包括在广泛范围内。

另一实施例提供一种操作机电组件的方法，其中在第一电极与第二电极之间的至多为10v，优选地至多为5v的电位差下，验证结构的偏转将在期望范围内。此方法提供可避免验证结构和/或机电组件的过度应力的优点。

另一实施例提供一种操作机电组件的方法，其中第一电极与第二电极之间的电位差在操作期间在0v与5v之间切换。

附图说明

下文将参考附图更详细地解释本发明的实施例，其中：

图1展示根据本发明的第一实施例的机电组件的示意性截面图；

图2展示根据本发明的第二实施例的机电组件的示意性截面图；

图3展示根据本发明的第三实施例的机电组件的示意性俯视图及两个示意性截面图；

图4展示根据本发明的第三实施例的机电组件的两个示意性俯视图及两个示意性截面图；

图5展示根据本发明的第五实施例的机电组件的两个示意性俯视图及两个示意性截面图；

图6展示根据本发明的第三实施例的机电组件的两个示意性俯视图及两个示意性截面图；

图7展示根据本发明的第七实施例的机电组件的示意性截面图；

图8展示根据本发明的第八实施例的机电组件的示意性截面图；

图9展示根据本发明的第九实施例的机电组件的示意性截面图；

图10展示根据本发明的第十实施例的机电组件布置的两个示意性俯视图；

图11展示根据本发明的实施例的方法的流程图。

具体实施方式

下文将列出根据本发明的可实施(例如)验证结构(例如，可偏转串扰屏蔽件)的发明的各种可能实施例。

图1的实施例

图1展示根据本发明的第一实施例的机电组件100的示意性截面图。机电组件100包括第一电极110、第二电极120以及可弹性变形的验证结构130。第一电极110及第二电极120被布置为在第一电极110与第二电极120之间存在电位差的情况下生成有用电场。验证结构130被配置为在第一电极110与第二电极120之间存在电位差的情况下被偏转(例如，通过静电力)。机电组件100被配置为具有由有用场引起的有用效应，该有用效应不同于验证结构130的偏转。

换言之，可以说借助于上文所描述的验证结构130，给出对可导电地连接至电极(例如，第二电极120)且位于距第一电极110所定义距离处的板(即，验证结构130)的机械设置的描述。可选择该设置使得一旦在两个电极(即，第一电极110及第二电极120)之间存在某一最小电位差，板130就可被偏转。

制造其中若干电极也可负责板130的偏转的相当组件也将是可行的。此可被理解为意味着(例如)若干电极承担第一电极110的任务。所谓的电极110、120显然也可由导电轨或其类似者替代。

换言之，可陈述也可被称作板的验证结构130可经几何建构使得实现可测量的偏转。因此，验证结构130的偏转可用作两个电极(即，第一电极110及第二电极120)之间的电位差存在的证据。

如图1中所描绘，验证结构130可被细分成若干区或部分；在此上下文中，所描绘的实施并非强制性的—取决于电极110、120的布置或取决于其他要求，验证结构130的不同设置可以是有利的。在图1中，验证结构130包含基表面131，其可表示(例如)与底层结构的机械锚固。举例而言，基表面131被安装在基体或其类似者上将是可行的。其他实施例(例如，图2、图3、图4的实施例)展示验证结构被安装在电极110、120中的任一个上的可能性。此外，验证结构包含另一表面133，其基本上垂直于基表面，这意味着另一表面与垂直于基表面131偏离最大20度。此外，验证结构包含上表面135，其基本上平行于基表面131，这意味着上表面135可与关于基表面131的确切平行性偏离至多10度。

在该实施例中，验证结构130与第一电极110相邻地布置，使得验证结构130的上表面135与第一电极110部分地重叠。这意味着在上表面135的投影与上表面135的表面的适当法线一致的情况下，可发现所投影表面与第一电极110的表面的至少部分匹配。此外，验证结构130可被布置为使得在验证结构130的期望偏转的区中，验证结构130的一个部分或若干部分与第一电极110的一个部分或若干部分之间无接触点产生。第二电极120与第一电极110相邻地布置，使得(例如)归因于第一电极110与第二电极120之间的电位差，可在第一电极110与第二电极120之间以适当程度形成有用电场。

至此尚未提及验证结构130也可用作屏蔽结构。出于此原因，以下也可将验证结构130称作串扰屏蔽件。也可在机电组件100的设计中考虑验证结构130的此任务。基本上，可陈述可尝试找到屏蔽效应与验证结构功能之间的折衷。该折衷尤其与验证结构130的几何实施有关。举例而言，可易于偏转的验证结构130可通过由窄、有弹性的且因此可易于变形的表面构成的设置来实现。然而，窄表面的利用转而可能伴有较差屏蔽效应。关于验证结构130的置放，由于验证结构130无论如何应置放于具有相对较高场强度的区中以便实现显著偏转，验证结构130的屏蔽效应原则上可被认为是极好的。因此，有可能借助于所呈现的本发明，可在很大程度上彼此组合两个上文所提及的目标(偏转及屏蔽效应)。

同时，验证结构130也可执行串扰屏蔽件的功能。这些验证结构及其屏蔽效应可被应用于(例如)如专利us8,618,496b2中所述的区域中用于多光束微影系统。

举例而言，本发明的验证结构130可充当静电微机电系统(mems)内的验证结构(串扰屏蔽件)，该验证结构将减少两个相邻电极之间的串扰，因为接地平面覆盖电极的相对侧。可用类似于(例如)专利us7,723,810b2中所描述的方式的方式设计屏蔽效应。

此处所指示的本发明提供(例如)借助于串扰屏蔽件实施电位验证方法及因此的功能验证方法，和/或使验证结构130也执行屏蔽任务。

在图1中，通过从第一电极110指向第二电极120的三个箭头190指示有用效应。所述箭头190也可被视为有用电场的场线。箭头190的分布不认可关于实际上形成的电场的定性或定量结论。与验证结构130相关联的另一个别箭头192将指示验证结构130的可能偏转。

可由机电组件100实现的有用效应可以为(例如)带电粒子的粒子束(诸如，电子束)的偏转。也可实现的有用效应将为(例如)微机电结构(mems)的偏转。由于机电组件100经由有用电场施加有用效应，因此原则上基于电场的存在或可控性的基础前提的应用将是可行的。

图2的实施例

图2展示根据本发明的第二实施例的机电组件布置201的示意性截面图。

该实施例包含多个第一电极210b、210c、210d；多个第二电极220a、220b、220c以及多个验证结构230b、230c、230d。各个验证结构230b、230c、230d包含：基表面231b、231c、231d；基本上垂直于基表面231b、231c、231d的另一表面233b、233c、233d；以及基本上平行于基表面231b、231c、231d的上表面235b、235c、235d。

在图2中，描绘基体(块体)240，归因于两个开口250b、250c的存在，该基体在截面图的表示中被细分为三个部分240b、240c、240d。第一电极210b、210c、210d及第二电极220a、220b、220c分别位于三个部分中的每个上。各个第二电极220a、220b、220c具有安装于其上的验证结构230b、230c、230d，该验证结构又包含：基表面231b、231c、231d；另一表面233b、233c、233d以及上表面235b、235c、235d。

此外，在图2中，第一机电组件200b由虚线指示，且第二机电组件200c由点线指示。

元件与机电组件200b的关联可定义如下：验证结构230b被机械地设置在第二电极220a上，所述第二电极220a不属于机电组件200b但属于其向左可邻接的机电组件。然而，验证结构230b可被电气耦接至第二电极220a，该第二电极转而又可被耦接至参考电位供应。验证结构230b与第一电极210b相关联，该第一电极位于基体240b与验证结构230b的上表面235b之间。有用效应可源自有用电场，该有用电场可归因于第一电极210b与第二电极220b之间的电位差而形成在写有“信号”的第一电极210b与向右相邻、位于开口250b的另一侧且写有“接地”的第二电极220b之间。

图2还展示布置在两个电极210b、220b之间的开口250b。可能受有用电场影响的粒子束可穿过此开口250b且因此也穿过基体240。

在该实施例中，第二电极220a可具有对第一电极210b的电场的非期望部分的屏蔽效应，以便减少串扰。验证结构230b也可具有相当的效应，且可减少第一电极210b的电场的串扰。在该实施例中，第二电极220b用于机械地紧固与机电组件200c相关联的另一验证结构230c。

元件与机电组件200c的关联可定义如下：验证结构230c被机械地设置在第二电极220b上，所述第二电极220b不属于机电组件200c但属于其向左邻接的机电组件200b。然而，验证结构230c可被电气耦接至第二电极220b，该第二电极转而又可被耦接至参考电位供应。验证结构230c与第一电极210c相关联，该第一电极210c位于基体240c与验证结构230c的上表面235c之间。有用效应可源自有用电场，该有用电场可归因于第一电极210c与第二电极220c之间的电位差而形成在第一电极210c与向右相邻且位于开口250c的另一侧的第二电极220c之间。

图2还展示布置在两个电极210c、220c之间的开口250c。可能受有用电场影响的粒子束可穿过此开口250c且因此也穿过基体240。

在该实施例中，第二电极220b可具有对第一电极210c的电场的非期望部分的屏蔽效应，以便减少串扰。验证结构230c也可具有相当的效应，且可减少第一电极210c的电场对(例如)机电组件200b的串扰。在该实施例中，第二电极220c用于机械地紧固可与(例如)未经描绘的机电组件200d相关联的另一验证结构230d。

通过以倍增相邻方式布置机电组件200b、200c，整个布置的大小可减小，例如，因为验证结构230b、230c、230d可被安装在相邻的第二电极220a、220b、220c上。就验证结构230b、230c、230d的操作模式而言，在此上下文中，可能有用的是，验证结构230b、230c、230d具有与第二电极220a、220b、220c相同的电位，这可借助于机械连接而容易实现。

此外，机电组件200b、200c被制造为使得验证结构230b、230c、230d与第一电极210b、210c、210d重叠，使得验证结构230b、230c、230d的与验证结构230b、230c、230d的机械附接区分隔开(例如，与基表面231b、231c、231d分隔开)的区(例如，上表面235b、235c、235d)被定位成与第一电极210b、210c、210d的各个区相对，例如，平行或形成例如小于或等于10度的小角度。

在此上下文中，可选择各个验证结构230b、230c和/或各个上表面235b、235c与各个第一电极210b、210c之间的距离，使得在第一电极210b、210c与第二电极220b、220c之间存在操作电位差的情况下，作用于验证结构230b、230c的静电力足够大以超过10nm实现验证结构230b、230c或(例如)验证结构230b、230c的区(例如，上表面235b、235c)的偏转。

换言之，图2描绘(例如)用于使电子束偏转的电极210b、210c、210d、220a、220b、220c的设置。第二电极220a、220b、220c(可选地称作接地电极)可分别具有位于其上的验证结构230b、230c、230d(可选地称作串扰屏蔽件)。此处，验证结构230b、230c、230d可与第一电极210b、210c、210d相关联。第一电极210b、210c可连同第二电极220b、220c一起形成偏转单元。验证结构230b、230c、230d可被安装在各个第二电极220a、220b、220c上。然而，此情形并非强制性的。在该实施例中，可见的是，验证结构230b、230c、230d被安装在相邻偏转单元的第二电极220a、220b、220c上。第一电极210b、210c、210d至少部分地由对应的验证结构230b、230c、230d覆盖。可连同第一电极210b、210c一起生成有用电场的第二电极220b、220c可用作验证结构230c、230d的机械附接位置，该验证结构转而与相邻偏转单元相关联。此布置也并非强制性的。取决于有用电场的有用效应，相较于上文所指示的布置，不同布置可能是有利的。

在此上下文中，也应参考如下可能性：第二电极220a、220b、220c可在操作期间被永久地切换至参考电位(即，接地电位)，也可被称作板的验证结构230b、230c、230d可以以导电方式锚固在该第二电极上。因此，验证结构230b、230c、230d及第二电极220a、220b、220c两者可定义为具有共同参考电位。此情形可提供对如下效果的优势：任意第一电极210b、210c、210d可归因于关于参考电位的电位差而引起相关联的验证结构230b、230c、230d的偏转。

各个验证结构230b、230c、230d也可用作串扰屏蔽件。在附注上，可指示所谓的串扰屏蔽件防止电场的串扰。图2说明电极210b、210c、210d、220a、220b、220c与可能的串扰屏蔽件230b、230c、230d的设置。串扰屏蔽件230b、230c、230d可以以导电方式连接至参考电位，且可由导电材料自身组成。钛、铝或其合金(例如，钛铝、tial或alsiti)可用于实施串扰屏蔽件。

在所描述的实施中应注意，电极210b、210c、210d被串扰屏蔽件230b、230c、230d的架构覆盖，因此，不再有可能借助于扫描电子显微镜(sem)的电位对比而提供对带电区的证实。因此，借助于验证结构230b、230c、230d((例如)也借助于出于此目的而设计的串扰屏蔽件)检测电位差可呈现合理的替代方案。

在图2中，点线和/或虚线分别表征“单元”或机电组件200b、200c，“单元”或机电组件的可能功能将再次简要地予以解释。在选定实施例中，通过有用场实现的有用功能可表示对电子束施加影响。所述电子束由位于第一电极210b、210c与第二电极220b、220c之间的箭头表示。因此，在基体240中，各个第一电极210b、210c可连同各个第二电极220b、220c且连同各个开口250b、250c一起表示“偏转单元”，例如，该“偏转单元”执行使粒子束偏转的功能。当然，有用功能并不限于使粒子束偏转。确切而言，该设置可实现需要电场(其在本发明中被称作有用(电)场)的存在和/或可控性的效果。

图3的实施例

以下在俯视图中描述的机电组件(偏转单元)与验证结构的设置(诸如，如在图7的发明示例中描绘的验证结构的设置)有关，但也可照此类推转移至图8的发明实例。

图3展示根据本发明的第三实施例的机电组件300或其部分的示意性俯视图及两个示意性截面图。在顶部区中，在俯视图中描绘个别(例如)偏转单元。在底部区中，沿截面a及b展示对应截面图。

在此上下文中，俯视图展示第一电极310及第二电极320的可能表现形式，该第二电极也用以附接验证结构330。在该实施例中，第二电极320在俯视图中被描绘为椭圆形；以π(pi)的形状产生第二电极320也将是可行的，两种情况皆可改良由第二电极320施加的期望屏蔽效应。π的形状意味着对应元件包含三个结构元件，其中第一基本上笔直的结构在各个端处包含基本上垂直于第一结构布置的两个基本上笔直的结构。此第二结构及第三结构基本上仅在第一结构的一侧延伸。此外，此第二结构及第三结构关于第一结构的对称轴线基本上对称地布置。

此外，俯视图描绘第二电极320与验证结构330之间的接合表面325，该接合表面可被认为是机械接合表面，可能也被认为是指向电气耦接的表面。根据图1中的基表面131和/或图2中的基表面231和/或其他实施例的验证结构的基表面，此接合表面325也可对应于基表面；在此上下文中，验证结构330将对应于(例如)验证结构130具有无限小的另一表面133的特殊状况。此外，俯视图指示验证结构330可包含偏转促进结构332，该偏转促进结构可促进验证结构330(例如)由于静电力的偏转。

图3中的两个底部截面图展示机电组件300的与截面a及b一致的截面图。这些截面图各自也描绘第一电极310，该第一电极在此实施例中被制造成不如第二电极320高且在三侧由第二电极320围绕。由于此选择，有可能产生验证结构330作为基本平面表面，即，与平面表面的偏差小于10％。相较于图2的验证结构230，此情形可(例如)导致(例如)验证结构330的明显简化制造，该验证结构230包含基表面231、基本上垂直于基表面的另一表面233及基本上平行于基表面的上表面235。

在该实施例中，验证结构330可经由表面325连接至第二电极320。如图3的俯视图中所描绘，此连接可跨越第二电极320的若干表面部分而伸展，然而，这并非是强制性的。图1中可指示反例。在图1中，验证结构130或基表面131并未被机械地连接至第二电极120，即使验证结构130与第二电极120之间的电气耦接可能是有意义的。通过在第二电极320上设置验证结构330，可实现机电组件300的大小的所期望的减小，且此可表示图3的所描绘实施例相较于验证结构并未被设置在第二电极上的不同实施例的优点。

机电组件300可被制造为使得验证结构330包含具有弹性材料的至少一个区。机电组件300也有可能被制造为使得验证结构330包含由钛或铝或钛铝或铝硅钛制成的至少一个区。

换言之，可以说板330可由导电材料构成。板330将由诸如钛、铝或其合金(例如，钛铝、tial或alsiti)的金属制成也将是可行的。在此上下文中，也可提及从非晶金属(诸如，tial)产生板330可能是有帮助的。

可考虑这些装置(即，在上文段落中所提及的弹性区及材料)，使得可产生机电组件300，使得验证结构330包含偏转促进结构332，该偏转促进结构促进验证结构330的偏转和/或减小验证结构330的弯曲强度。

在此上下文中，可在设计中考虑各种重要特性。可产生机电组件300，使得偏转促进结构332被配置为使得验证结构330实现除对有用场的屏蔽效应之外的对源自第一电极310的场的期望屏蔽效应，且相较于不包含偏转促进结构332的验证结构330，偏转促进结构332可被配置为促进验证结构330的偏转。

以下情形也可为有用的：机电组件300被设计为使得偏转促进结构332和/或偏转促进结构332的部分被布置在验证结构330的一个或多个区内，其中相比在具有存在于第一电极310与验证结构330之间的最大场强度的区内，电场强度小至少百分之50。

在图3的发明示例中，在上部区中描绘(例如)用作偏转单元的简化机电组件300或其部分。出于简化目的，已省去偏转电极310以及基体内的可能开口(孔隙)。此外，绘制两个截面a及b。在图3的下部区中，描绘对应截面的截面图a及b。图3中的截面图a展示偏转电极310，该偏转电极在两侧由较高参考电位电极(接地电极)320包围。参考电位电极(接地电极)320具有安装于其上的串扰屏蔽件330跨越接触/附接表面325的区域，该串扰屏蔽件330以所定义距离覆盖偏转电极310。在图3中的截面图b中，再次描绘设置以与图7的设置相当。参考电位电极(接地电极)320具有安装于其上的串扰屏蔽件330在接触区域325上，该串扰屏蔽件330以所定义距离覆盖偏转电极310。

如果在所描绘的实施例中位于参考电位电极(接地电极)320上的串扰屏蔽件330归因于形状、机械悬置、厚度等而足够机械稳定以使得通过施加对操作惯用的电压而无法充分偏转或根本不偏转串扰屏蔽件330，则可借助于可被认为是偏转促进结构432的隙缝而降低串扰屏蔽件330的机械稳定性。

图4的实施例

图4展示根据本发明的第四实施例的机电组件400的示意性俯视图及两个示意性截面图。在上部区中，在俯视图中描绘(例如)用作偏转单元的个别机电组件400或其部分。在下部区中，描绘沿a及b截面的对应截面图。在该实施例中，可通过可被认为是偏转促进结构432的两个隙缝432a、432b降低也可用作串扰屏蔽件的验证结构430的机械稳定性。

图4中的表示朝向图3中的选定表示定向自身。在此上下文中，俯视图展示第二电极420的可能表现形式，第二电极在该实施例中也用以附接验证结构430。在图4a的实施例中，第二电极420被描绘为椭圆形或描绘为椭圆形结构的部分，且此可改良由第二电极420引起的期望屏蔽效应。在图4b中，第二电极420被描绘为使得第二电极420围绕由第一电极410及开口450构成的布置，且因此也改良由第二电极420引起的期望屏蔽效应。此外，俯视图描绘第二电极420与验证结构430之间的接合表面425，该接合表面可被认为是机械接合表面，可能也被认为是指向电气耦接的表面。根据图1中的基表面131和/或图2中的基表面231和/或其他实施例的验证结构的基表面，此接合表面425也可对应于基表面；在此上下文中，验证结构430将对应于(例如)验证结构130具有无限小的另一表面133的特殊状况。此外，俯视图描绘偏转促进结构432，该偏转促进结构可促进验证结构430(例如)由于静电力的偏转。验证结构430进一步包含与附接表面425分隔开的自由端434。

图4中的两个底部截面图展示机电组件400的与截面a及b一致的截面图。这些截面图各自还描绘第一电极410，该第一电极在该实施例的状况下被制造成不如第二电极420高。由于此选择，有可能产生验证结构430作为基本平面表面，即，与平面表面的偏差小于10％。相较于图2的验证结构230，此情形可(例如)导致(例如)验证结构430的明显简化制造，该验证结构230包含基表面231、基本上垂直于基表面的另一表面233及基本上平行于基表面的上表面235。

图4描绘具有两个隙缝的串扰屏蔽件430。因此，稳定性及因此的偏转可在两个外侧变得独立于板430的接触区域425。此处在图4中所描绘的示例中，接触区域425在右侧及左侧(例如)与验证结构430中的可移动部分机械解耦。

机电组件400被制造为使得验证结构430包含至少两个隙缝432a、432b，且验证结构430包含自由(即，非附接)端434。第一隙缝432a(例如)基本上以笔直的方式(即，与平均方向偏差最大10度)从验证结构430的自由端434延伸至验证结构430的内部区。

第二隙缝432b也(例如)以基本上笔直的方式从验证结构430的自由端434延伸至验证结构430的内部区。

第一隙缝432a及第二隙缝432b在该实施例中以相互距离设置，使得(例如)第一隙缝432a与第二隙缝432b之间的区可表示在至少三侧由层的附接区包围的柔性结构432。

换言之，可陈述也被称作板的验证结构430中的隙缝432a、432b导致如此设计，以使得在给定低电压(电位差)下，该板相比不具有隙缝432a、432b但在设计上其他方面相同的板可被进一步偏转。

图4a与图4b之间可见的差异在于，图4a中的隙缝432a、432b以基本上笔直的方式延伸，而图4b中的隙缝432a、432b展现弧形形状。然而，基本的操作模式及作用模式不受此变化实施的影响。

然而，若此情形未导致机械稳定性的充分降低，则可通过布置若干隙缝而建构板，如图5中所描绘。

图5的实施例

图5展示根据本发明的第五实施例的机电组件500的示意性俯视图及两个示意性截面图。在上部区中，在俯视图中描绘(例如)用作偏转单元的个别机电组件500或其部分。在下部区中，描绘沿a及b截面的对应截面图。可通过布置可被认为是偏转促进结构532的隙缝532a、532b降低串扰屏蔽件或验证结构530的机械稳定性。

图5中的表示朝向图3中的选定表示定向自身。在此上下文中，俯视图展示第二电极520的可能表现形式，该第二电极也用以附接验证结构530。在图5a的实施例中，第二电极520被描绘为椭圆形或描绘为椭圆形结构的部分，且此可改良由第二电极520引起的期望屏蔽效应。在图5b中，第二电极520被描绘为使得第二电极520围绕由第一电极510及开口550构成的布置，且因此也改良由第二电极520引起的期望屏蔽效应。此外，俯视图描绘第二电极520与验证结构530之间的接合表面525，该接合表面可被认为是机械接合表面，可能也被认为是指向电气耦接的表面。根据图1中的基表面131和/或图2中的基表面231和/或其他实施例的验证结构的基表面，此接合表面525也可对应于基表面；在此上下文中，验证结构530将对应于(例如)验证结构130具有无限小的另一表面133的特殊状况。此外，俯视图描绘偏转促进结构532，该偏转促进结构可促进验证结构530(例如)由于静电力的偏转。验证结构530进一步包含与附接表面525分隔开的自由端534。

图5中的两个底部截面图展示机电组件500的与截面a及b一致的截面图。这些截面图各自还描绘第一电极510，该第一电极在该实施例的状况下被制造成低于第二电极520。由于此选择，有可能产生验证结构530作为基本平面表面，即，与平面表面的偏差小于10％。相较于图2的验证结构230，此情形可(例如)导致(例如)验证结构530的明显简化制造，该验证结构230包含基表面231、基本上垂直于基表面的另一表面233及基本上平行于基表面的上表面235。

机电组件500被制造为使得验证结构530包含至少两个隙缝532a、532b，且验证结构530包含自由端534。

在第一隙缝532a的第一部分中，第一隙缝532a(例如)基本上以笔直的方式(即，与平均方向偏差最大10度)从验证结构530的自由端534延伸至验证结构530的内部区。此后，(例如)在第一隙缝532a的第二部分中，第一隙缝532a在此处也基本上以笔直的方式在验证结构530的内部区内延伸。在该实施例中，第一隙缝532a的第一部分与第一隙缝532a的第二部分形成大约90度的角度。其他实施例也是可行的，该角度大于45度，优选地大于70度。

在第二隙缝532b的第一部分中，第二隙缝532b(例如)基本上以笔直的方式从验证结构530的自由端534延伸至验证结构530的内部区。此后，在第二隙缝532b的第二部分中，隙缝532b(例如)以基本上笔直的方式在验证结构530的内部区内延伸。在该实施例中，第二隙缝532b的第一部分与第二隙缝532b的第二部分形成大约90度的角度。其他实施例也是可行的，该角度大于45度，优选地大于70度。此外，通过图5b中的表示定向自身的实施例是可行的，其中隙缝532a、532b各自具有弧形形状。

此外，在所描述的实施中，第一隙缝532a及第二隙缝532b以相互距离设置。

此外，也可见如此布置使得验证结构530或所谓的板的几何设计也可由板内的隙缝532a、532b预定义。

在该实施例中，各个隙缝532a、532b的两个部分之间的角度被呈现为具有大约90度。这并不表示优于具有(例如)70度的角度的基本优点。确切而言，验证结构530的机械稳定性可由隙缝532a、532b之间的最小距离预定义。

举例而言，隙缝532a、532b的如下表现形式也将是可行的：其中隙缝在其各个第一部分中朝向彼此延伸且在其各个第二部分中远离彼此延伸。此可表示偏转促进结构，该偏转促进结构以针对性方式将验证结构的可偏转区细分成不同区。

图5a与图5b之间可见的差异在于，图5a中的隙缝532a、532b以基本上笔直的方式延伸，而图5b中的隙缝532a、532b描述弧形。然而，基本的操作模式及作用模式不受此变化实施影响。

若根据所描述的实施例的偏转促进结构未实现足够的可偏转性，则如图6中所展示的隙缝的替代布置也将是可行的。此处，可以机械地形成一种旋转接头，其可实现串扰屏蔽件的较容易偏转。

图6的实施例

图6展示根据本发明的第六实施例的机电组件600的示意性俯视图及两个示意性截面图。在上部区中，在俯视图中描绘(例如)用作偏转单元的个别机电组件600。在下部区中，描绘沿a及b截面的对应截面图。可通过布置可被认为是偏转促进结构632的隙缝632a、632b、632c降低串扰屏蔽件或验证结构630的机械稳定性。

图6中的表示朝向图3中的选定表示定向自身。在此上下文中，俯视图展示第二电极620的可能表现形式，该第二电极也用以附接验证结构630。在图6a的实施例中，第二电极620被描绘为椭圆形或描绘为椭圆形结构的部分，且此可改良由第二电极620引起的期望屏蔽效应。在图6b中，第二电极620被描绘为使得第二电极620围绕由第一电极610及开口650构成的布置，且因此也改良由第二电极620引起的期望屏蔽效应。此外，俯视图描绘第二电极620与验证结构630之间的接合表面625，该接合表面可呈现用于机械连接可能也用于电气连接的表面。根据图1中的基表面131和/或图2中的基表面231和/或其他实施例的验证结构的基表面，也可见此接合表面625为基表面；因此，平面验证结构630将表示(例如)图1的验证结构130的特殊状况。因此，照此类推利用具有无限小的另一表面133的验证结构130可见平面表面。此外，俯视图描绘偏转促进结构632，该偏转促进结构可促进验证结构630(例如)由于静电力的偏转。验证结构630进一步包含与附接表面625分隔开的自由端634。

图6中的两个底部截面图展示与截面a及b一致的机电组件600。这些截面图各自还描绘第一电极610，该第一电极在该实施例的状况下被制造成不如第二电极620高。由于此选择，有可能产生验证结构630作为基本平面表面，即，与平面表面的偏差小于10％。相较于图2的验证结构230，此情形可(例如)导致(例如)验证结构630的明显简化制造，该验证结构230包含基表面231、基本上垂直于基表面的另一表面233及基本上平行于基表面的上表面236。

机电组件600被制造为使得验证结构630包含至少三个隙缝632a、632b、632c，且验证结构630进一步包含自由端634。

在第一隙缝632a的第一部分中，第一隙缝632a基本上以笔直的方式从验证结构630的自由端634延伸至验证结构630的内部区，且此后，(例如)在第一隙缝632a的第二部分中，第一隙缝基本上以笔直的方式在验证结构630的内部区内延伸。在此上下文中，第一隙缝632a的第一部分与第一隙缝632a的第二部分形成大约90度的角度。其他实施例也是可行的，该角度大于46度，优选地大于70度。在所描绘的实施例中，选择角度的方向使得第一隙缝632a的第二部分指向更接近定位的附接表面625。

在第二隙缝632b的第一部分中，第二隙缝632b基本上以笔直的方式从验证结构630的自由端634延伸至验证结构630的内部区，且此后，在第二隙缝632b的第二部分中，第二隙缝以基本上笔直的方式在验证结构630的内部区内延伸。在此上下文中，第二隙缝632b的第一部分与第二隙缝632b的第二部分形成大约90度的角度。其他实施例也是可行的，该角度大于46度，优选地大于70度。在所描绘的实施例中，选择角度的方向使得第二隙缝632b的第二部分指向更接近定位的附接表面625。

第三隙缝632c在验证结构630的内部区内延伸，第三隙缝632c与第一隙缝632a的第二部分及第二隙缝632b的第二部分相邻。在所描绘的实施例中，隙缝632c位于隙缝632a、632b的各自第二部分与附接表面625之间。

在与第三隙缝632c的第一部分相邻的区中，第一隙缝632a的第二部分基本上平行于第三隙缝632c的第一部分而延伸。在与第三隙缝632c的第二部分相邻的区中，第二隙缝632b的第二部分基本上平行于第三隙缝632c的第二部分而延伸。此处，基本上平行意味着隙缝632a、632b、632c的所考虑部分的平均方向可与平行性偏离至多10度。

此外，第三隙缝632c的第一部分并入至第三隙缝632c的第二部分中。在所描绘的实施例中，第三隙缝632c被配置成基本上笔直的。因此，在该实施例中，在第三隙缝632c的第一部分与第三隙缝632c的第二部分之间可能不产生光学微分。

此外，通过图6b中的表示定向自身的实施例是可行的，其中隙缝632a、632b、632c各自具有弧形形状。

图6a与图6b之间可见的差异在于，图6a中的隙缝632a、632b、632c以基本上笔直的方式延伸，而图6b中的隙缝632a、632b、632c描述弧形。然而，基本的操作模式及作用模式不受此变化实施影响。

图7的实施例

图7展示根据本发明的第七实施例的机电组件布置701的示意性截面图。特定而言，此处也展示(例如)用于使电子束偏转的电极710b、710c、710d、720a、720b、720c的设置。也可被视为串扰屏蔽件的验证结构730b、730c、730d位于较高接地电极(即，第二电极720a、720b、720c)上。第二电极720a、720b、720c(接地电极)被选择为足够高，以使得验证结构730b、730c、730d(串扰屏蔽件)可具有距偏转电极710b、710c、710d的足够大距离。在此上下文中，验证结构730b、730c、730d可被配置为具有除对有用场的屏蔽效应之外的对源自第一电极710b、710c、710d的场的期望屏蔽效应。

图7中所展示的实施例的表示通过图2中的描述定向自身。该实施例包含多个第一电极710b、710c、710d；多个第二电极720a、720b、720c以及多个验证结构730b、730c、730d。

图7描绘基体740，在截面图的表示中，该基体因两个开口750b、750c的存在而被细分成三个部分740b、740c、740d。第一电极710b、710c、710d及第二电极720a、720b、720c分别位于三个部分中的每个上。验证结构730b、730c、730d被安装在各个第二电极720a、720b、720c上。

此外，在图7中，第一机电组件700b由虚线指示，且第二机电组件700c由点线指示。

元件与机电组件700b的关联可指定如下：验证结构730b被机械地设置在第二电极720a上，该第二电极720a不属于机电组件700b但属于其向左可邻接的机电组件。然而，验证结构730b可被电气耦接至第二电极720a，该第二电极转而可被耦接至参考电位供应。验证结构730b与位于基体740b与验证结构730b之间的第一电极710b相关联。有用效应可源自有用电场，该有用电场可归因于第一电极710b与第二电极720b之间存在的电位差而形成在第一电极710b与向右相邻且位于开口750b的另一侧的第二电极720b之间。

布置在两个电极710b、720b之间的开口750b被描绘为机电组件700b的构成部分。粒子束可穿过该开口750b且因此穿过基体740射出，该粒子束可能受有用电场影响。

在该实施例中，第二电极720a可具有对第一电极710b的电场的非期望部分的屏蔽效应，以便减少串扰。验证结构730b也可具有相当的效应，且减少第一电极710b的电场的串扰。在该实施例中，第二电极720b用于机械地附接与机电组件700c相关联的另一验证结构730c。

元件与机电组件700c的关联可指定如下：验证结构730c被机械地设置在第二电极720b上，该第二电极720b不属于机电组件700c但属于其向左紧跟/联接的机电组件700b。然而，验证结构730c可被电气耦接至第二电极720b，该第二电极转而可被耦接至参考电位供应。验证结构730c与位于基体740c与验证结构730c之间的第一电极710c相关联。有用效应可源自有用电场，该有用电场可归因于第一电极710c与第二电极720c之间存在的电位差而形成在第一电极710c与向右相邻且位于开口750c的另一侧的第二电极720c之间。

图7进一步描绘布置在两个电极710c、720c之间的开口750c。粒子束可穿过该开口750c且因此也穿过基体740射出，该粒子束可能受有用电场影响。

在该实施例中，第二电极720b可具有对第一电极710c的电场的非期望部分的屏蔽效应，以便减少串扰。验证结构730c也可具有相当的效应，且减少第一电极710c的电场(例如)对机电组件700b的串扰。在该实施例中，第二电极720c用于机械地附接可与(例如)未被描绘的机电组件700d以及第一电极710d相关联的另一验证结构730d。

图7描绘基体740，该基体因两个开口750b、750c的存在被细分成三个部分740b、740c、740d。第一电极710b、710c、710d及第二电极720a、720b、720c位于三个部分中的每个上。验证结构730b、730c、730d被安装在第二电极720a、720b、720c上。根据此情形，机电组件布置701包含多个第一电极710b、710c、710d；多个第二电极720a、720b、720c以及多个验证结构730b、730c、730d，各个验证结构730b、730c、730d被配置为基本平面表面。在此上下文中，将第二电极720a、720b、720c配置为高于第一电极710b、710c、710d可能是有用的，以便确保验证结构730b、730c、730d与第一电极710b、710c、710d之间的足够大距离。

此外，机电组件700b、700c可被描述为使得第一电极710b、710c、710d被布置在基体740上。验证结构730b、730c、730d各自与各个第一电极710b、710c、710d重叠，使得各个第一电极710b、710c、710d至少部分地位于各个验证结构730b、730c、730d与基体740或各个基体部分740b、740c、740d之间。可实现此重叠以便具有除对有用场的屏蔽效应之外的对源自各个第一电极710b、710c、710d的场的期望屏蔽效应。

由于截面表示，以下情形并不直接显而易见：各个验证结构730b、730c、730d可包含被定位成与各个第一电极710b、710c、710d的若干侧向表面相对的若干部分，以便朝向若干方向屏蔽掉电极710b、710c、710d。

然而，可见的是，机电组件700b、700c被制造为使得第一电极710b、710c、710d及第二电极720a、720b、720c关于基体740的主表面是凸起的。主表面意味着基体740的中心表面。

在该实例中可见，机电组件700b、700c被制造为使得关于基体740的主表面，各个第二电极720a、720b、720c比各个第一电极710b、710c、710d高。以此方式，各个验证结构730b、730c、730d有可能被制造为易于处理的大致平面表面。图8描绘也是可能的验证结构830b、830c、830d的不同实施。在此上下文中，验证结构包含基表面、垂直于基表面的另一表面以及基本上平行于基表面的上表面。两个实施可具有优于各个另一者的优点。另外，验证结构的未提及实施也是可行的且因此不应被排除。

为形成可归因于第一电极710b、710c与相关联的第二电极720b、720c两者之间的电位差而形成的有用电场，以下情形是有用的：第一电极710b、710c及第二电极720b、720c被定位成彼此相对，或第一电极及第二电极两者也可在预定区内被定位成彼此相对。

在此上下文中，各个第一电极710b、710c及各个第二电极720b、720c也有可能被配置为使得有用场适合于影响至少机械结构，所述机械结构不同于验证结构730b、730c、730d。此实施例在图7中也并非直接显而易见的，但可借助于该图来良好地解释。其他机械结构的安装位置可有用地被选择为位于具有尽可能高的场强度的区内。举例而言，所述区可为位于各个第一电极710b、710c与各个第二电极720b、720c之间的区。因此，以下情形也将是可行的：使用一个或多个电极710b、710c、720b、720c以便机械地影响诸如mems结构(微机电系统结构)的小型机械结构。在该部分中未提及电极720a及710d，因为在选定呈现中，未描绘各个互补电极，即，可能的电极710a及720d。原则上，这些电极可存在，且机电组件布置701可包含其他机电组件。

所描绘的机电组件700b、700c也可被制造为使得第一电极710b、710c及第二电极720b、720c被配置为使得有用场适合于影响电磁辐射和/或个别光子。此可以直接是可能的，或可经由插入至(例如)可存在于第一电极710b、710c与第二电极720b、720c之间的电场中的“调节”结构而是可能的。因此，电光结构的利用也是可行的，例如，电光结构的折射率可由于电场而改变。此可展现进一步的一系列可能性。当然，对电磁辐射的影响并不限于所提及的示例。确切而言，可通过利用机电组件700b、700c或其有用场来甚至影响光子而展现众多不同可能性。换言之，电极可用于影响电磁辐射或甚至影响个别光子。

类似于图7中所描绘的设置的设置展示于图8的发明示例中。两个设置的差异在于，在

图7中，参考电位电极(接地电极)720a、720b、720c被设置为高于偏转电极710b、710c、710d，使得串扰屏蔽件730b、730c、730d可作为扁平平面板安装在参考电位电极(接地电极)720a、720b、720c上而不会由于偏转而触碰到偏转电极710b、710c、710d。

图8的实施例

图8展示根据本发明的第八实施例的机电组件布置801的示意性截面图。特定而言，此处还展示(例如)用于使电子束偏转的电极810、820的设置。也可执行串扰屏蔽件的功能且可被设计为距偏转电极810足够大距离的验证结构830位于第二电极820上，该第二电极取决于其利用而还可被称作接地电极。

图8中所展示的实施例的表示通过图2中的表示定向自身。

该实施例包含多个第一电极810b、810c、810d；多个第二电极820a、820b、820c以及多个验证结构830b、830c、830d。各个验证结构830b、830c、830d包含：基表面831b、831c、831d；另一表面833b、833c、833d，其基本上垂直于基表面831b、831c、831d；以及上表面835b、835c、835d，其基本上平行于基表面831b、831c、831d。

图8描绘基体840，在截面图的表示中，该基体因两个开口850b、850c的存在而被细分成三个部分840b、840c、840d。第一电极810b、810c、810d及第二电极820a、820b、820c分别位于三个部分中的每个上。各个第二电极820a、820b、820c具有安装于其上的验证结构830b、830c、830d，该验证结构转而包含：基表面831b、831c、831d；另一表面833b、833c、833d以及上表面835b、835c、835d。

此外，在图8中，第一机电组件800b由虚线指示，且第二机电组件800c由点线指示。

元件与机电组件800b的关联可指定如下：验证结构830b被机械地设置在第二电极820a上，该第二电极820a不属于机电组件800b但属于其向左可邻接的机电组件。然而，验证结构830b可被电气耦接至第二电极820a，该第二电极转而可被耦接至参考电位供应。验证结构830b与第一电极810b相关联，该第一电极位于基体840b与验证结构830b的上表面835b之间。有用效应可源自有用电场，该有用电场可归因于第一电极810b与第二电极820b之间存在的电位差而形成在第一电极810b与向右邻相邻且位于开口850b的另一侧的第二电极820b之间。

图8进一步描绘布置在两个电极810b、820b之间的开口850b。粒子束可穿过该开口850b且因此也穿过基体840射出，该粒子束可受有用电场影响。

在该实施例中，第二电极820a可具有对第一电极810b的电场的非期望部分的屏蔽效应，以便减少串扰。验证结构830b也可具有相当的效应，且可减少第一电极810b的电场的串扰。在该实施例中，第二电极820b用于机械地附接与机电组件800c相关联的另一验证结构830c。

元件与机电组件800c的关联可指定如下：验证结构830c被机械地设置在第二电极820b上，该第二电极820b不属于机电组件800c但属于其向左可邻接的机电组件800b。然而，验证结构830c可被电气耦接至第二电极820b，该第二电极转而可被耦接至参考电位供应。验证结构830c与第一电极810c相关联，该第一电极位于基体840c与验证结构830c的上表面835c之间。有用效应可源自有用电场，该有用电场可归因于第一电极810c与第二电极820c之间存在的电位差而形成在第一电极810c与向右相邻且位于开口850c的另一侧的第二电极820c之间。

图8进一步描绘布置在两个电极810c、820c之间的开口850c。粒子束可穿过该开口850c且因此也穿过基体840射出，该粒子束可受有用电场影响。

在该实施例中，第二电极820b可具有对第一电极810c的电场的非期望部分的屏蔽效应，以便减少串扰。验证结构830c也可具有相当的效应，且减少第一电极810c的电场(例如)对机电组件800b的串扰。在该实施例中，第二电极820c用于机械地附接可与此处未被描绘的机电组件800d以及第一电极810d相关联的另一验证结构830d。

总之，可以说，图8描绘基体840，该基体因两个开口850b、850c的存在被细分成三个部分840b、840c、840d。第一电极810b、810c、810d及第二电极820a、820b、820c分别位于三个部分中的每个上。验证结构830b、830c、830d被安装在第二电极820a、820b、820c上。根据此情形，机电组件布置801包含多个第一电极810b、810c、810d；多个第二电极820a、820b、820c以及多个验证结构830b、830c、830d，各个验证结构830b、830c、830d包含基表面831b、831c、831d；基本上垂直于基表面831b、831c、831d的另一表面833b、833c、833d以及基本上平行于基表面831b、831c、831d的上表面835b、835c、835d。在该实施例中，第一电极810b、810c、810d及第二电极820a、820b、820c被描绘为具有基本上相等的高度。此可排除对验证结构的利用，该验证结构基本上由平面表面构成，类似于验证结构730b、730c、730d。

机电组件800b、800c可被制造为使得各个第一电极810b、810c及各个第二电极820b、820c被配置为使得有用场适合于影响(例如)带电粒子的粒子束。此也可反映在粒子束的偏转中。

因此，该设置可被理解为意味着机电组件800b、800c，其中第一电极810b、810c及第二电极820b、820c被配置为使得有用场适合于使带电粒子的粒子束偏转。因此，可利用本发明实现带电粒子束的某角度的偏转，该角度尤其可取决于电场强度，且因此取决于第一电极810b、810c与第二电极820b、820c之间的电位差的程度。出于此原因，能够尽可能容易地确定组件的功能性是有用的。如已提及，此可借助于验证结构830b、830c来实现。验证结构830b、830c也可用作屏蔽装置，以便减少期望电场对其他结构和/或机电组件的串扰。此处尚未提及电极820a及810d，因为未描绘其互补电极810a及820d。然而，此并不排除以下情形：所述电极可存在且因此，其他机电组件800a及800d可存在且因此可经受相同现象。

此外，机电组件800b、800c也可被描述为机电组件800b、800c包含基体840的效果。基体可用于允许第一电极810b、810c、810d及第二电极820a、820b、820c被定位成以一距离彼此相对。基体840可包含(例如)在位于第一电极810b、810c与第二电极820b、820c之间的区内的开口850b、850c。

开口850b、850c可被配置为允许粒子束穿过机电组件800b、800c的通路。此开口也可被称作孔隙；基本上，孔隙及开口850b、850c可执行相同任务。因此，开口850b、850c(孔隙)可在预定区内位于电极810b、810c、820b、820c之间，所述开口表示穿过各个机电组件800b、800c的通路。

出于逻辑原因，在此状况下，各个第一电极810b、810c及各个第二电极820b、820c也可被配置为使得有用电场适合于影响粒子束或使粒子束偏转。

开口850b、850c可被制造为使得其可实现使电子束能够(例如)穿过整个组件和/或穿过基体840的通路，这也可意味着电子束在机电组件800b、800c的后侧或底侧射出，且可以几乎未受影响的方式继续其路径。

在该实施例中，第一电极810b、810c、810d及第二电极820a、820b、820c的高度大致相同。出于此原因，可能有用的是，以选定实施来制造验证结构830b、830c、830d，即，具有基表面831b、831c、831d；另一表面833b、833c、833d以及上表面835b、835c、835d。所描绘的验证结构830b、830c、830d可归因于其设置而具有可偏转性的高水平。

在此实施例中，也可出现串扰效应问题。关于机电组件的问题在于：当将电位差(电压)施加至电极时，电场可串扰相邻单元，例如，从机电组件800c至机电组件800b。所谓的串扰效应出现。因此，电子束的轨迹(例如，其不应受影响)可能受影响。在此上下文中，也可被称作串扰屏蔽件的验证结构(在所提及的示例中，验证结构830c)可减少串扰。

换言之，该设置可被描述为如下效果：各个验证结构830b、830c、830d(即，板)可以以所定义距离位于各个第一电极810b、810c、810d上方，且可几乎完全覆盖所述第一电极。因此，可导电地连接至电极(例如，各个第二电极820a、820b、820c)的验证结构830b、830c、830d(即，板)可同时用作串扰屏蔽件。

在图8的发明示例中，因此描绘可能设置的截面图。在个别偏转单元中，展示飞越芯片的块体硅840的孔隙850b、850c的电子束。偏转电极810b、810c在孔隙850b、850c的一侧被设置在基体840(芯片)上。在孔隙850b、850c的另一侧，参考电位电极(接地电极)820b、820c被定位成与偏转电极810b、810c相对。如此处所描绘，各个偏转电极810b、810c、810d及各个参考电位电极(接地电极)820a、820b、820c被设置为高度相等。串扰屏蔽件830b、830c、830d通过锚固而被安装在参考电位电极(接地电极)820a、820b、820c上，且也可导电地连接至参考电位电极(接地电极)820a、820b、820c。串扰屏蔽件830b、830c、830d被成形及设置为距偏转电极810b、810c、810d所定义距离，使得足够空间可供用于偏转，且串扰屏蔽件830b、830c、830d与偏转电极810b、810c、810d之间不会由于偏转而可出现短路。

机电组件800b、800c(偏转单元)可以以任何数目及在两个空间方向(x及y)上布置在基体840(芯片)的表面上。

图9的实施例

图9展示根据本发明的第九实施例的机电组件布置901的示意性截面图。特定而言，此处还展示(例如)用于使电子束偏转的电极910、920的设置或布置。此处所描绘的状况可转而被视为本发明的可行利用。左手侧偏转电极(即，第一电极910b)受控制，此以电极上的“5v”为特征。以此方式，以粗箭头为特征的电子束可被偏转。同时，也可被称作串扰屏蔽件的验证结构930b可在电极910b上方被偏转。

图9中所展示的实施例的表示通过图2中的表示定向自身。该实施例包含多个第一电极910b、910c、910d；多个第二电极920a、920b、920c以及多个验证结构930b、930c、930d。各个验证结构930b、930c、930d包含：基表面931b、931c、931d；另一表面933b、933c、933d，其基本上垂直于基表面931b、931c、931d；以及上表面935b、935c、935d，其基本上平行于基表面931b、931c、931d。

图9描绘基体940，在截面图的表示中，该基体因两个开口950b、950c的存在被细分成三个部分940b、940c、940d。第一电极910b、910c、910d及第二电极920a、920b、920c分别位于三个部分中的每个上。各个第二电极920a、920b、920c具有安装于其上的验证结构930b、930c、930d，该验证结构转而包含：基表面931b、931c、931d；另一表面933b、933c、933d以及上表面935b、935c、935d。

此外，在图9中，第一机电组件900b由虚线指示，且第二机电组件900c由点线指示。

元件与机电组件900b的关联可指定如下：验证结构930b被机械地设置在第二电极920a上，该第二电极920a不属于机电组件900b但属于其向左可邻接的机电组件。然而，验证结构930b可被电气耦接至第二电极920a，该第二电极转而可被耦接至参考电位供应。验证结构930b与第一电极910b相关联，该第一电极位于基体940b与验证结构930b的上表面935b之间。有用效应可源自有用电场，该有用电场可归因于第一电极910b与第二电极920b之间存在的电位差而形成在写有“5v”的第一电极910b与写有“0v”、向右相邻且位于开口950b的另一侧的第二电极920b之间。

图9进一步描绘布置在两个电极910b、920b之间的开口950b。粒子束可穿过所述开口950b且因此也穿过基体940射出，该粒子束可受有用电场影响。

在该实施例中，第二电极920a可具有对第一电极910b的电场的非期望部分的屏蔽效应，以便减少串扰。验证结构930b也可具有相当的效应，且可减少第一电极910b的电场的串扰。在该实施例中，第二电极920b用于机械地附接与机电组件900c相关联的另一验证结构930c。

元件与机电组件900c的关联可指定如下：验证结构930c被机械地设置在第二电极920b上，该第二电极920b不属于机电组件900c但属于其向左可邻接的机电组件900b。然而，验证结构930c可被电气耦接至第二电极920b，该第二电极转而可被耦接至参考电位供应。验证结构930c与第一电极910c相关联，该第一电极位于基体940c与验证结构930c的上表面935c之间。有用效应可源自有用电场，该有用电场可归因于第一电极910c与第二电极920c之间存在的电位差而形成于写有“0v”的第一电极910c与写有“0v”、向右相邻且位于开口950c的另一侧的第二电极920c之间。

图9进一步描绘布置在两个电极910c、920c之间的开口950c。粒子束可穿过所述开口950c且因此也穿过基体940射出，该粒子束可能受有用电场影响。

在该实施例中，第二电极920b可具有对第一电极910c的电场的非期望部分的屏蔽效应，以便减少串扰。验证结构930c也可具有相当的效应，且减少第一电极910c的电场(例如)对机电组件900b的串扰。在该实施例中，第二电极920c用于机械地附接可与(例如)未经描绘的机电组件900d相关联的另一验证结构930d。

在此上下文中，图9描绘基体940，该基体因两个开口950b、950c的存在被细分成三个部分940b、940c、940d。第一电极910b、910c、910d及第二电极920a、920b、920c分别位于三个部分中的每个上。各个第二电极920a、920b、920c具有安装于其上的验证结构930b、930c、930d，该验证结构转而包含：基表面931b、931c、931d；另一表面933b、933c、933d以及上表面935b、935c、935d。

在图9中，由于电位差或有用电场而被偏转的粒子束被描绘在左手侧“偏转单元”900b中，该偏转单元由写有“5v”的第一电极910b及向右相邻的第二电极920b形成。此外，例如，相较于其他验证结构930c、930d，验证结构930b的偏转由箭头指示。此外，引起偏转的电场将由从第一电极910b指向验证结构930b的四个箭头描绘。所述四个箭头指示形成在第一电极910b与验证结构930b之间的电场。由第一电极910c及第二电极920c形成的右手侧“偏转单元”不具有存在于电极910c、920c之间的电位差。因此，不出现验证结构930c的偏转及粒子束的偏转。

在该实施例中，描绘被布置在两个电极910b、910c、920b、920c之间的两个开口950b、950c。可受有用电场影响的粒子束可穿过所述开口950b、950c且因此也穿过基体940。在机电组件900b、900c的实施例中，因此存在如下可能性：各个第一电极910b、910c与各个第二电极920b、920c可被配置为使得各个有用电场适合于影响粒子束或使粒子束偏转。开口950b、950c可被配置为使得粒子束在第一操作电位差下穿过开口950b、950c。举例而言，机电组件可被设计为使得此状况在0v的电位差下出现。

为实现互补效应，开口950b、950c可被进一步配置为使得粒子束在第二操作电位差下被消除。可选择此操作电位差为(例如)5v；其他电位差也将是可行的。取决于粒子束的类型，相较于上文所提及的5v的电位差，较高或较低电位差可能是有利的。

基本上，第一操作电位差不同于第二操作电位差。以此方式，之间定位有开口950b、950c(孔隙)的各个两个电极910b、910c、920b、920c可形成偏转单元。如所描述，电极910b、910c、920b、920c可因此用于使(例如)带电粒子的粒子束偏转，且也用于消除粒子束。

电极910b、910c、920b、920c也可用于影响带电或不带电粒子或粒子束。粒子束(光子、离子、带电或不带电粒子)也有可能飞越孔隙950b、950c且受电极910b、910c、920b、920c影响。此处未提及电极920a及910d，因为未描绘其互补电极910a及920d。机电组件布置901可大体被制造为使得偏转单元900a及900d也存在。当然，尚未提及的其他偏转单元900也是可行的。

该实施例也可包括如下可能性：机电组件被制造为使得第二电极920a、920b、920c及验证结构930b、930c、930d被电气耦接至电路的参考电位供应。举例而言，此可被实施为使得第二电极920a、920b、920c及验证结构930b、930c、930d始终具有参考电位，该参考电位可被定义为(例如)0v。在此上下文中，第一电极910b、910c、910d被配置为包含不同于电路的电位的电位可能是有用的。此可被实施为使得电路被配置为使得第一电极910b、910c、910d的电位可在操作期间被设定为在期望范围内。

在上文所提及的状况下，将由串扰屏蔽件930b、930c、930d防止或减少电场对相邻电极的串扰。图9示出具有可能的串扰屏蔽件930b、930c、930d的电极的设置。串扰屏蔽件930b、930c、930c可被导电地连接至参考电位，且可由导电材料自身构成。为实施串扰屏蔽件930b、930c、930d，可使用钛、铝或其合金(例如，钛铝、tial或alsiti)。举例而言，验证结构930c可减少源自第一电极910c的场对机电组件900b的串扰。

本发明因此包括板930b、930c、930d(其同时可用作串扰屏蔽件)，其位于偏转电极910b、910c、910d上方且可被设计为使得其可在电压施加于偏转电极910b、910c、910d时被偏转。此处，可通过在受控制的偏转电极910b、910c、910d与参考电位(接地电位)下的板930b、930c、930d之间的静电吸引力实现偏转。归因于在偏转电极910b、910c、910d上方的布置、与周围参考电位电极920a、920b、920c(接地电极)的牢固连接以及弹性材料(tial、alsiti或其类似者)的选择，可容易地实施如此设计。板930b、930c、930d可被配置为能够在施加5v的偏转电压时大程度地偏转大约20至40nm。然后可(例如)借助于白光干涉计(wli)或在光显微镜内测量此偏转。

图10的实施例

图10展示根据本发明的第十实施例的机电组件布置1001的示意性俯视图。在此上下文中，机电组件布置1001包含多个机电组件1000a、1000b、1000c、1000d，或机电组件的部分。该俯视图展示2×2偏转单元或机电组件1000a、1000b、1000c、1000d的布置。

机电组件布置1001可被制造为使得机电组件1000a、1000b、1000c、1000d被布置在基体1040上；在图10中所描绘的状况下，基体1040可被视为机电组件1000a、1000b、1000c、1000d下方的整个表面。

有可能在基体1040的表面的两个空间方向上布置机电组件1000a、1000b、1000c、1000d而不使其具有几何次序。确切而言，机电组件1000a、1000b、1000c、1000d的次序可由(例如)电子束的次序定向自身，电子束的次序又可能由应用状况预定义。然而，取决于应用，以下情形也可为有用的：机电组件布置1001被制造为使得如图10中所展示，机电组件布置1001包含行和/或列结构。此处，各个行和/或各个列包含多个机电组件1000a、1000b、1000c、1000d。因此，例如，用作偏转元件的任何数目的机电组件1000a、1000b、1000c、1000d可在两个空间方向上以任何期望布置而被布置在表面(如，芯片、基体或其类似者)上。在此状况下，也可论及偏转矩阵。

举例而言，所述偏转矩阵可使众多电子束偏转。归因于大量电子束，转而具有证明单个机电组件1000a、1000b、1000c、1000d的功能性的简单方法是有用的。借助于验证结构1030能够实现此，而无需再现用于执行功能测试的复杂有用效应。

下文最初将仅考虑两个机电组件1000a、1000b或两个机电组件1000a、1000b的部分的相互作用。所关注的机电组件的所有部分具有与机电组件相同的最后字母(即，a或b)。在下文实施例中，机电组件1000a的第二电极1020a用以附接机电组件1000b的验证结构1030b。在此上下文中，验证结构1030b也可屏蔽掉源自第一电极1010b且将串扰(例如)机电组件1000a的场。第二电极1020a可具有对第一电极1010b的场的相当的(也为屏蔽的)效应。验证结构1030b及第二电极1020a可被电气耦接，且也可具有共同电位，例如，机电组件布置1001的参考电位。

归因于机电组件1000b的第一电极1010b与第二电极1020b之间的电位差，可存在有用电场。两个电极1010b及1020b具有位于其间的开口1050b，其可用作(例如)供可受第一电极1010b与第二电极1020b之间的有用场影响的粒子束穿过基体1040的通路。第二电极1020b转而可具有安装于其上的验证结构1030c，其与未经描绘的机电组件1000c相关联且可用于(例如)证明未被描绘在图10中的第一电极1010c与第二电极1020c之间的电位差的存在。照此类推，也可描述两个机电组件1000c、1000d的相互作用。

此外，第二电极1020a及第二电极1020c也可屏蔽掉源自机电组件1000c的第一电极1010c的场。两个电极1020a及1020d对第一电极1010d的场具有类似效应。此简要描述机电组件布置的一行内且关于彼此对角地定位的两个机电组件的屏蔽效应。此也可以类似方式在扩展矩阵中继续。

可考虑机电组件布置1001的实施例使得机电组件布置1001包含至少两个机电组件1000a、1000b。第一机电组件1000a转而包含第一电极1010a、第二电极1020a及可弹性变形的验证结构1030a。

第一机电组件1000a的第一电极1010a及第一机电组件1000a的第二电极1020a被布置为在第一机电组件1000a的第一电极1010a与第一机电组件1000a的第二电极1020a之间存在电位差的情况下生成第一有用电场。第一机电组件1000a的验证结构1030a被配置为在第一机电组件1000a的第一电极1010a与第一机电组件1000a的第二电极1020a之间存在电位差的情况下被偏转。

第一机电组件1000a被进一步配置为归因于有用场而具有有用效应，所述有用效应不同于第一机电组件1000a的验证结构1030a的偏转。

第二机电组件1000b进一步包含第一电极1010b及第二电极1020b以及可弹性变形的验证结构1030b。

第二机电组件1000b的第一电极1010b及第二机电组件1000b的第二电极1020b被布置为在第二机电组件1000b的第一电极1010b与第二机电组件1000b的第二电极1020b之间存在电位差的情况下生成第二有用电场。第二机电组件1000b的验证结构1030b被配置为在第二机电组件1000b的第一电极1010b与第二机电组件1000b的第二电极1020b之间存在电位差的情况下被偏转。

第二机电组件1000b被进一步配置为归因于有用场而具有有用效应，所述有用效应不同于第二机电组件1000b的验证结构1030b的偏转。

第一机电组件1000a的第二电极1020a的部分与第二机电组件1000c的第一电极1010b相邻地设置。

此外，描绘机电组件布置1001被配置为使得第一机电组件1000a的第二电极1020a被制造为使得第一机电组件1000a的第一电极1010a的三侧中的至少每一个具有第一机电组件1000a的第二电极1020a的一侧与其定位成相对。

此外，图10的底部部分描绘机电组件1001使得第二机电组件1000b的验证结构1030b被设置在第一机电组件1000a的第二电极1020a上。在该实施例中，第一机电组件1000a的第二电极1020a、第二机电组件1000b的验证结构1030b以及第二机电组件1000b的第一电极1010b被布置为使得第一电极1010b位于第二机电组件1000b的验证结构1030b与基体1040之间。

在下文中，不具有最后字母的附图标记可被视为例示对应机电组件或其部分的有用实施。将再次提及，可导电地连接至电极(例如，第二电极1020)的各个验证结构1030(即，所谓的板)可位于另一电极(例如，第一电极1010)的一侧、上方或下方。验证结构1030也有可能包围另一电极(例如，第一电极1010)的若干侧。

此外，验证结构1030(板)可被设置在可用作(例如)偏转单元的机电组件1000内的一个电极(例如，第一电极1010)上方，不仅在相对电极(即，例如，第二电极1020)上，而且所述验证结构1030(板)可被设置在也可用作(例如)偏转单元的相邻机电组件1000的电极(例如，第二电极1020)上。验证结构1030(板)不仅可被设置在偏转单元1000自身内或相邻偏转单元1000内或其第二电极1020上，而且可被设置在偏转单元之外。此可与(例如)偏转矩阵的边限相关。

总之，可陈述图10描绘偏转单元的俯视图。被描绘为半透明的串扰屏蔽件1030可由tial板(或诸如alsiti的类似材料)构成，其位于参考电位电极(接地电极)1020上方且覆盖偏转电极1010。经由锚固/接触区域，串扰屏蔽件1030可被导电地连接至参考电位电极(接地电极)1020。在该实施例中，孔隙1050不被串扰屏蔽件1030覆盖，使得电子束可(例如)无阻碍地飞越该孔隙。在俯视图中描绘的偏转单元1000可在两个空间方向(x及y)上以任何数目布置。

偏转矩阵的实施例

根据另一发明实例，例如，可开发具有512×512个可单独控制单元的电子偏转矩阵，这些单元中的每个可使电子束偏转。经由两个相对定位的电极实现偏转，根据其他实施例的通知，两个相对定位的电极为第一电极及第二电极。电极具有位于其间的开口(孔隙)，个别电子束在各状况下被引导穿过该开口。

另外，偏转矩阵的一种类型的操作是可行的，其中在接通状态期间，电子束并未被偏转且将无阻碍地飞越孔/孔隙。此处，将0v电压(参考电位)施加至两个电极。将不同于0v的电位施加至两个电极也将是可行的。

在断开状态下，两个电极中的一个(偏转电极)具有施加至其的5v电压，根据前述实施例的通知，该电极为第一电极。相对(第二)电极在任何时间被切换至0v(参考电位)。此情形在两个电极之间产生电场，借此电子束被偏转且通过位于光学路径内的隔膜而被消除。

意图在于可在512×512个电子束中的每个飞越各个单元时个别地使其偏转及将其消除。此情形(例如)通过扩展图10的实施例可能在于总计512列中的每个转而具有512个行形成的机电组件位于其中。

图11的实施例

下文将参看图11解释操作用于检测电位差的机电组件的方法1100，该机电组件具有以下特征：机电组件包含第一电极、第二电极以及可弹性变形的验证结构。第一电极及第二电极被布置为在第一电极与第二电极之间存在电位差的情况下生成有用电场。

举例而言，验证结构包含导电结构且被配置为在第一电极与第二电极之间存在电位差的情况下(例如)通过静电力而被偏转。此外，机电组件被配置为具有由有用场引起的有用效应，该有用效应不同于验证结构的偏转。

方法1100自身包含第一步骤1110，该第一步骤包含控制机电组件以便获得电位差。此外，方法包含第二步骤1120，该第二步骤包括检测验证结构的偏转以便检测第一电极与第二电极之间的电位差的存在。可(例如)经由受(例如)次级电路的逻辑信号控制的集成电路实现控制机电组件。因此，可借助于所描述的操作使用影响功能的整个系统的那些元件的主要部分。可(例如)在光显微镜下或借助于白光干涉计实现第二步骤及因此实现检测。此整个操作可为高度自动化的。

借助于此操作方法1100，原则上可执行机电组件的可能操作。下文将解释若干其他操作方法/功能测试方法。

功能测试方法

在此上下文中，测试机电组件的功能的方法也将是可行的。此类方法在有用扩展的情况下也可对机电组件布置执行功能测试。功能测试方法包含以下步骤：

最初，控制机电组件使得利用功能组件在第一电极与第二电极之间产生电位差，该电位差适于生成有用电场。因此，检测验证结构的偏转。为确定功能能力，依据偏转的检测，决定机电组件是否起作用。在此上下文中，作出定性及定量决定两者可能是合适的。在定量决定的情况下，偏转强度可允许得出关于验证结构的弯曲强度的结论，且因此可验证可能是意欲执行屏蔽效应的验证结构的校正制造。

当然，借助于偏转的定性检测，也可验证有用场是否变得显而易见，且因此除其他外，也可验证可能存在的逻辑电路的校正制造和/或电气连接的校正制造。

对机电组件执行功能测试的方法的决定性特性可在于，不考虑有用效应是否存在而作出决定，该有用效应不同于验证结构的偏转。这意味着(例如)无需检测电子束的偏转以便执行功能测试。这可能意味着功能测试中所涉及的支出量明显减少。

操作方法

在操作机电组件的方法中，可光学地和/或电气地检测验证结构的偏转。利用电气检测，检测由可偏转验证结构产生的电容改变将是可行的。可实现此检测，因为最初测量小信号电容，其(例如)经由电位差的高频改变而被测量到。此后，测量另一小信号电容，然而，在此状况下具有dc电压部分在电位差的高频改变上的同时叠加。此dc电压部分可使功能验证结构偏转，且可因此改变机电组件的几何形状。结果，可测量的小信号电容也将改变。

操作机电组件的方法也将是可行的，其中借助于白光干涉计或光显微镜来检测验证结构的偏转。因此，可获得检测验证结构的偏转的至少两种不同可能性。取决于应用状况及机电组件的制造，各种可能性可提供优于各个其他可能性的优点。

为简化检测，以下情形是有用的：操作机电组件的方法被配置为使得验证结构的由于第一电极与第二电极之间的电位差的偏转为至少3nm，优选地为5nm至100nm，最优选地为20nm至40nm。换言之，验证结构(所谓的板)可被设计为由于在操作期间所使用的电压而可偏转大约20至40nm。若大量机电组件待被测试，则此可明显简化及加速检测。

此外，可发现操作机电组件的方法，其中在第一电极与第二电极之间的至多10v(优选地，多5v)的电位差下验证结构的偏转在期望范围内。将电位差限于(例如)在操作期间也是有用的值可避免机电组件(例如)在功能测试期间过载。

在此上下文中，如下操作机电组件的方法也是有用的：其中第一电极与第二电极之间的电位差在操作期间在0v与5v之间切换。在此状况下，也可注意确保(例如)在操作期间不存在机电组件的过载。换言之，可陈述定位成与接地的第二电极相对的第一电极在操作期间在0v与5v之间切换。