本发明涉及现代电子技术领域，具体地涉及一种基于门替换技术的电路老化检测预防系统。
背景技术：
nbti效应指的是一系列电学参数退化过程，具有可逆性，该效应产生的原因主要是由于硅⁃氧化层出现塌陷，促使电荷被氧化。一般情况下，该效应发生在pmos管中，如果器件栅极处是负电压，那么电流输出值将会持续减小，阈值电压绝对值将会不断增加，进而出现时延，缓解nbti引起的电路老化问题，提高电路生命周期的可靠性是十分重要的。低耗能集成电路设计是重要指标之一，其待机技术是设计电路关键所在，在待机状态下，电路模块具有活动和待机两种模式，影响电路时延可能是由于pmos长期处于nbti效应下引起的，如果影响严重，将会加速电路老化。
技术实现要素：
本发明旨在针对上述问题，提出一种基于门替换技术的电路老化检测预防系统。
本发明的技术方案在于：
基于门替换技术的电路老化检测预防系统，包括主控处理器、总线控制器、激励信号模块、响应模块及被测对象，其中，所述主控处理器与被测对象之间分别通过总线控制器、激励信号模块以及响应模块进行连接，所述激励信号模块与响应模块实现连接。
所述的总线控制器为jtag控制器，总线包括地址总线、数据总线及控制总线，所述的址总线、数据总线及控制总线均通过jtag控制器实现主控处理器与被测对象连通。
所述的激励信号模块包括交流激励部分及直流激励部分，还包括二路复用器，所述交流激励部分包括依次连接的ad9834及二路复用器，ad9834与主控处理器连接，二路复用器与被测对象连接；所述直流激励部分包括依次连接的dac7512及二路复用器，dac7512与主控处理器连接，二路复用器与被测对象连接。
所述的激励信号模块包括依次连接的电路放大模块及信号调理模块，所述电路放大模块与被测对象连接，信号调理模块与主控处理器连接；所述的经信号调理后还与二路复用器实现连接。
所述的主控处理器内置有转换器，所述的信号调理模块与转换器连接。
本发明的技术效果在于：
本发明根据电路老化检测预防原理，提出一种基于门替换技术的电路老化检测预防系统，经检测得到，该基于门替换技术的电路老化检测预防系统对电路老化数据收集准确，且检测预防效果较好。
具体实施方式
基于门替换技术的电路老化检测预防系统，包括主控处理器、总线控制器、激励信号模块、响应模块及被测对象，其中，所述主控处理器与被测对象之间分别通过总线控制器、激励信号模块以及响应模块进行连接，所述激励信号模块与响应模块实现连接。
所述的总线控制器为jtag控制器，总线包括地址总线、数据总线及控制总线，所述的址总线、数据总线及控制总线均通过jtag控制器实现主控处理器与被测对象连通。
所述的激励信号模块包括交流激励部分及直流激励部分，还包括二路复用器，所述交流激励部分包括依次连接的ad9834及二路复用器，ad9834与主控处理器连接，二路复用器与被测对象连接；所述直流激励部分包括依次连接的dac7512及二路复用器，dac7512与主控处理器连接，二路复用器与被测对象连接。
所述的激励信号模块包括依次连接的电路放大模块及信号调理模块，所述电路放大模块与被测对象连接，信号调理模块与主控处理器连接；所述的经信号调理后还与二路复用器实现连接。
所述的主控处理器内置有转换器，所述的信号调理模块与转换器连接。