1.一种反康普顿反宇宙射线高纯锗谱仪，其特征在于：包括铅屏蔽室(7)和安装于铅屏蔽室(7)内的主探测器(1)，环探测器(2)和符合探测器(4)，符合探测器(4)位于主探测器(1)的上方；所述环探测器(2)是BGO闪烁体探测器；
环探测器(2)的中部设有空腔，空腔的上部形成用于安装符合探测器(4)的第一安装腔(201)，空腔的下部形成用于安装主探测器(1)的第三安装腔(203)，空腔的中部形成用于盛放待检测样品(3)的第二安装腔(202)。
2.根据权利要求1所述的反康普顿反宇宙射线高纯锗谱仪，其特征在于：所述符合探测器(4)上安装有第一光电倍增管(5)，环探测器(2)上安装有第二光电倍增管(6)，第一光电倍增管(5)和第二光电倍增管(6)的输出端与电子光学电路的输入端连接；当主探测器(1)和环探测器(2)都有信号输出时、符合探测器(4)和主探测器(1)中都有输出时、或者三个探测器均有信号输出时，主探测器(1)中的输出信号不被处理。
3.根据权利要求2所述的反康普顿反宇宙射线高纯锗谱仪，其特征在于：所述电子光学电路包括第一光学电路，第二光学电路，第三光学电路和符合反符合电路，第一光学电路、第二光学电路和第三光学电路的输入端分别与第一光电倍增管(5)和第二光电倍增管(6)的输出端连接，第一光学电路、第二光学电路和第三光学电路的输出端与符合反符合电路的输入端连接，符合反符合电路的输出端与单片机连接。
4.根据权利要求3所述的反康普顿反宇宙射线高纯锗谱仪，其特征在于：
所述第一光学电路包括相加前放电路，第一放大器电路和第一单道电路；相加前放电路的输入端与第一光电倍增管(5)和第二光电倍增管(6)的输出端连接，第一放大器电路的输入端与相加前放电路的输出端连接，第一放大器电路的输出端与第一单道电路的输入端连接，第一单道电路的输出端与符合反符合电路的输入端连接；
所述第二光学电路包括第二放大器电路和第二单道电路；所述第二放大器电路的输入端与第一光电倍增管(5)和第二光电倍增管(6)的输出端连接，第二放大器电路的输出端与第二单道电路的输入端连接，第二单道电路的输出端与符合反符合电路的输入端连接；
所述第三光学电路包括混频器，第三放大器，第三单道电路和谱放大器；混频器的输入端与第一光电倍增管(5)和第二光电倍增管(6)的输出端连接，第三放大器的输入端与混频器的输出端连接，第三放大器的输出端与第三单道电路的输入端连接，第三单道电路的输出端与符合反符合电路的输入端连接，谱放大器的输入端与混频器的输出端连接，谱放大器的输出端与单片机连接。
5.根据权利要求3所述的反康普顿反宇宙射线高纯锗谱仪，其特征在于：所述符合反符合电路包括符合电路和反符合电路，符合电路和反符合电路连接；
符合电路包括第一成形电路，第一与非门，第一反相器，第二与非门，第二成形电路和第二反相器；第一成形电路的输入端与第二单道电路的输出端连接，第一与非门的输入端与第一成形电路的输出端连接，第一反相器的输入端与第一与非门的输出端连接，第二与非门的输入端与第一反相器的输出端连接，第二与非门的输出端与第二成形电路的输入端连接，第二成形电路的输出端与单片机连接，第二反相器的输入端与第三单道电路的输出端连接，第二反相器的输出端与第一与非门的输入端连接，第二与非门的输入端与反符合电路连接；
反符合电路包括第三成形电路，第三与非门U18，积分电路，第四与非门U19，第四成形电路和第三反相器U23；第三成形电路的输入端与第一单道电路的输出端连接，第三与非门U18的输入端与第三成形电路的输出端连接，第四与非门U19的输入端与第三与非门U18的输出端连接，第四成形电路的输入端与第四与非门U19的输出端连接，第四成形电路的输出端与单片机连接，积分电路的输出端与第三与非门U18的输入端连接，第三反相器U23的输入端与第三单道电路的输出端连接，第三反相器U23的输出端与第四与非门U19的输入端连接，第三与非门U18的输出端与符合电路的第二与非门的输入端连接。
6.根据权利要求5所述的反康普顿反宇宙射线高纯锗谱仪，其特征在于：所述反符合电路还包括电容C15，电容C18，电容C40；所述第三成形电路包括处理芯片U13A，电容C13，电容C43，电容C55和可调电阻VR3；第四成形电路包括处理芯片U13B，电阻R43，电容C44和电容C56；
可调电阻VR3的两端分别与处理芯片U13A的第二管脚和处理芯片U13A的第十五管脚连接，可调电阻VR3的调节端与处理芯片U13A的第三管脚连接，电容C43和电容C55并联后的一端与处理芯片U13A的第十五管脚连接，另一端与处理芯片U13A的第十四管脚连接，电容C13并联连接于处理芯片U13A的第八管脚和处理芯片U13A的第十六管脚之间，处理芯片U13A的第十三管脚与第三与非门U18输入端第一管脚连接，第三与非门U18输入端第二管脚与积分电路的输出端连接，第三与非门U18输出端与第四与非门U19的输入端第一管脚连接，第四与非门U19的输出端与处理芯片U13B的第九管脚连接，电容C44和电容C56并联连接于处理芯片U13B第六管脚和处理芯片U13B第七管脚之间，电容C44和电容C56并联后的一端经过电阻R43连接至处理芯片U13B的第十管脚和处理芯片U13B的第十一管脚之间，处理芯片U13B的第五管脚与单片机连接，第三反相器U23的第二管脚与第三单道电路的输出端连接，电容C40的一端接地，另一端与第三反相器U23的第五管脚连接，第三反相器U23的第三管脚接地，第三反相器U23的第四管脚与第四与非门U19的第二管脚连接，电容C15的一端与第三与非门U18的第五管脚连接，另一端接地，第三与非门U18的第三管脚接地，电容C18的一端与第四与非门U19的第五管脚连接，另一端接地，第四与非门U19的第三管脚接地。
7.根据权利要求1-4任一所述的反康普顿反宇宙射线高纯锗谱仪，其特征在于：所述环探测器(2)的中部形成正六棱柱状空腔，所述环探测器(2)通过六块形状相同的长方体状的BGO闪烁体和六块形状相同的三角柱状的BGO闪烁体拼接形成，六块长方体状的BGO闪烁体一次连接呈环状，六块三角柱状的BGO闪烁体分别安装于相邻两块长方体状的BGO闪烁体的间隙中。
8.根据权利要求7所述的反康普顿反宇宙射线高纯锗谱仪，其特征在于：所述环探测器(2)的上方设有六个第二光电倍增管(6)。
9.根据权利要求1-4任一所述的反康普顿反宇宙射线高纯锗谱仪，其特征在于：所述铅屏蔽室(7)包括铅屏蔽室本体(72)和扣合在铅屏蔽室本体(72) 上的上铅盖(71)，铅屏蔽室本体(72)上的上铅盖(71)扣合后在铅屏蔽室(7)内部形成用于安装主探测器(1)、环探测器(2)和符合探测器(4)的密闭空间。
10.根据权利要求9所述的反康普顿反宇宙射线高纯锗谱仪，其特征在于：所述铅屏蔽室(7)呈长方体状，铅屏蔽室本体(72)为长方体状，上铅盖(71)为与铅屏蔽室本体(72)配合的长方体状。
11.根据权利要求9所述的反康普顿反宇宙射线高纯锗谱仪，其特征在于：所述上铅盖(71)为浇筑方式加工而成的铅结构，所述铅屏蔽室本体(72)包括交错叠放而成的铅结构层，铅结构层的内侧壁依次设有隔片层和铜层，铅屏蔽室本体(72)的内外均采用铁板固定。
12.根据权利要求1所述的反康普顿反宇宙射线高纯锗谱仪，其特征在于：所述主探测器(1)是BGO闪烁体、或者NaI闪烁体、或者LaBr3闪烁体；符合探测器(4)为BGO闪烁体、或者NaI闪烁体、或者塑料闪烁体或者LaBr3闪烁体。