一种抑制高频发射信号尖峰的装置的制作方法

文档序号:15652260发布日期:2018-10-12 23:19阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种抑制高频发射信号尖峰的装置,其特征在于,包括:驱动控制系统和逆变桥路,驱动控制系统包括第一驱动芯片IR2110、第二驱动芯片IR2110,第一驱动芯片IR2110的HIN管脚和第二驱动芯片IR2110的LIN管脚相连后与10-50kHz频率可调相位为0°的方波信号连接,第一驱动芯片IR2110的LIN管脚和第二驱动芯片IR2110的HIN管脚相连后与10-50kHz的频率可调相位为180°的方波信号连接,两路输入信号的频率一致,第一驱动芯片IR2110和第二驱动芯片IR2110的VCC管脚、VB管脚、VS管脚之间构成自举电路,其中,所述自举电路包括连接于VB管脚和VS管脚之间的0.22uF独石电容和连接于VCC管脚和VB管脚之间的MUR8100快恢复二极管,VCC管脚与+15V稳压电源连接,VCC管脚和GND管脚之间接1uF电容,然后与逆变桥路的地相连,VDD管脚和VSS管脚之间接0.22uF电容,VDD管脚的上端与VCC管脚连接,VSS管脚下端连控制信号的地,HO管脚和LO管脚为输出端口,与逆变桥路连接,逆变桥路由+72V电源驱动,包括型号为IRFP450的MOS管M1、M2、M3、M4,其中,M1和M2的栅极分别经22Ω电阻与第一驱动芯片IR2110的HO管脚和LO管脚连接,M3和M4的栅极分别经22Ω电阻与第二驱动芯片IR2110的HO管脚和LO管脚连接,M1、M2、M3、M4均并联一个IN4007二极管,IN4007二极管均并联一个由5uF的无感电容和MUR8100快恢复二极管组成的串联电路,M1和M3和源极分别与第一驱动芯片IR2110和第二驱动芯片IR2110的VS管脚连接,M1和M3的MUR8100快恢复二极管与5uF的无感电容之间引出后分别经5Ω电阻与地相连,M2和M4的MUR8100快恢复二极管与5uF的无感电容之间引出后分别经5Ω电阻与+72V电源的正极相连。

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