技术总结
本实用新型公开了一种抑制高频发射信号尖峰的装置，包括：驱动控制系统和逆变桥路，驱动控制系统包括第一驱动芯片、第二驱动芯片，第一驱动芯片的HIN管脚和第二驱动芯片的LIN管脚为信号输入端口，HO管脚和LO管脚为输出端口，逆变桥路由+72V电源驱动，包括4个MOS管，其中，M1和M2的栅极分别与第一驱动芯片的HO管脚和LO管脚连接，M3和M4的栅极分别与第二驱动芯片的HO管脚和LO管脚连接，M1和M3的快恢复二极管与无感电容之间引出后分别经5Ω电阻与地相连，M2和M4的引出线分别经5Ω电阻与+72V电源的正极相连。该装置能够降低高频发射信号的电压尖峰，提升高频电磁发射机的实际应用能力。
技术研发人员：程彦雨;唐陆瑶;喻胜
受保护的技术使用者：吉林大学
技术研发日：2018.03.20
技术公布日：2018.10.12