探头的制作方法

本实用新型涉及压电材料检测技术领域，尤其涉及一种探头。

背景技术：

压电材料是受到压力作用时会在两端面件出现电压的晶体材料，而压电材料最重要的材料参数就是压电参数D33。

现有的测量压电材料的压电参数的方式都是通过将压电膜制成小块状，对小块状的压电膜的上下表面施加一定的力，通过测试压电膜上下表面产生的电压来计算得到压电膜的压电参数D33。因此，每次检测时都需要破坏压电膜样品，而且一定要在压电膜的上下表面同时施加力，操作过程比较繁琐，只能单独一个一个位置去依次检测，无法同时针对压电膜的多个位置进行检测，检测效率低下，检测结果也很不精准。

技术实现要素：

针对上述问题，本实用新型提供一种探头。

本实用新型解决技术问题的方案是提供一种探头，其用于测试压电膜样品施压后产生的电压信号，所述压电膜样品一表面接地，所述探头包括连接的压电芯片和检测探针，所述压电芯片包括相对的两个表面，其中一个表面接地，当所述检测探针对压电膜样品任一表面施压时，压电膜所产生反作用力通过检测探针传给压电芯片使压电膜样品的非接地表面以及压电芯片的非接地表面上会分别产生电压信号并被探头检测。

优选地，所述探头进一步包括参比信号线和样品信号线，所述样品信号线与压电膜样品的非接地表面连接，所述参比信号线与压电芯片的非接地表面连接，所述样品信号线和参比信号线还用于与外部数据处理装置连接。

优选地，所述探头还包括绝缘层，所述绝缘层包裹在参比信号线、压电芯片、检测探针和样品信号线的外围，且压电芯片和检测探针之间通过绝缘层连接。

优选地，所述探头进一步包括金属外壳，所述金属外壳为中空结构，所述压电芯片、参比信号线、检测探针、绝缘层和样品信号线至少部分收容在该中空结构内，且所述绝缘层与金属外壳之间无空隙，所述金属外壳用于与位移装置连接，所述压电芯片的一个表面通过金属外壳接地。

优选地，所述压电膜样品远离检测探针的表面和压电芯片靠近检测探针的表面接地设置，所述样品信号线与检测探针连接，所述参比信号线与压电芯片远离检测探针的表面连接。

优选地，所述检测探针接地设置且与压电芯片靠近检测探针的表面连接，所述样品信号线与压电膜样品远离检测探针的表面连接，所述参比信号线与压电芯片远离检测探针的表面连接。

优选地，所述检测探针一端绝缘，相对的另一端导电，检测探针绝缘的一端与压电芯片靠近检测探针的表面连接，检测探针导电的一端靠近压电膜样品设置。

优选地，所述探头进一步包括弹性过渡件，所述弹性过渡件一端与压电芯片靠近检测探针的表面连接，另一端与检测探针连接，所述弹性过渡件为绝缘材质。

优选地，所述探头进一步包括连接件、弹性件和固定件，所述固定件用于与位移装置连接，所述弹性件一端与固定件连接，一端与连接件连接，所述连接件与金属外壳连接。

优选地，所述探头包括多个检测探针，多个检测探针呈阵列排布或线性排布。

与现有技术相比，本实用新型的探头包括连接的压电芯片和检测探针，所述压电芯片包括相对的两个表面，其中一个表面接地，当所述检测探针对压电膜样品任一表面施压时，压电膜所产生反作用力通过检测探针传给压电芯片使压电膜样品的非接地表面以及压电芯片的非接地表面上会分别产生电压信号并被探头检测。本实用新型的探头可以基于压电膜的一个表面去进行压电参数的检测，无须破坏压电膜，操作比较简单，检测效率高。

【附图说明】

图1是本实用新型第一实施例的测试压电系数的装置的结构示意图。

图2是本实用新型第一实施例的图1中的探头的结构示意图。

图3是本实用新型第一实施例的图2中检测头的剖视示意图。

图4是本实用新型第一实施例中检测头触碰压电膜时压电膜和压电芯片上的电压变化示意图。

图5是本实用新型第一实施例的图2中的检测头对压电膜样品进行检测的示意图。

图6是本实用新型第一实施例的图2中的检测头对压电膜样品进行检测的一种变形的示意图。

图7是本实用新型的第一实施例中测试压电系数的装置的控制程序的执行流程示意图。

图8是本实用新型的第三实施例中测试压电系数的方法的流程示意图。

图9是本实用新型的第三实施例中采用第一实施例的测试压电系数装置的测试压电系数方法的流程示意图。

附图标记说明：10、测试压电系数的装置；11、位移装置；13、探头；15、样品台；17、工作台；20、压电膜样品；21、压电膜；22、基底；131、检测头；133、连接件；135、固定件；137、弹性件；1311、金属外壳；1312、参比信号线；1313、压电芯片；1315、绝缘层；1317、检测探针；1319、样品信号线。

【具体实施方式】

为了使本实用新型的目的，技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施实例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

请参考图1，本实用新型第一实施例提供一种测试压电系数的装置10，其用于测试压电材料的压电系数，尤其用于测试压电膜的压电系数，所述测试压电系数的装置10包括工作台17、样品台15、位移装置11和探头13，所述样品台15用于承载待检测的压电膜样品20且接地设置，所述位移装置11和样品台15均设置在工作台17上，所述位移装置11与探头13连接并可带动探头13相对于样品台15移动，所述探头13与外部数据处理装置(未图示)连接，当探头13触碰到压电膜样品20上的压电膜时会采集到压电膜非接地表面的电压信号并传输至外部数据处理装置。所述位移装置11至少可以带动探头13在垂直于压电膜样品20的方向上移动，所述位移装置11优选为三维移动装置，即可以带动探头13在三个维度方向上进行移动，便于灵活调整探头13的测试范围。所述探头13可在位移装置11的带动下朝靠近压电膜样品20的方向移动，当探头13触碰到压电膜样品20上的压电膜时，探头13可以检测到压电膜非接地表面产生的电压信号并传输至外部数据处理装置，外部数据处理装置经过进一步的数据分析处理可以得到压电膜的压电系数。(本实用新型中所提及的上下左右等方位词仅限于指定视图上的相对位置，而非绝对位置，可以理解，指定视图在平面内进行180°旋转后，位置词“下”即可以替换为位置词“上”。)可以理解，作为一种变形，所述样品台15可以省略，压电膜样品20直接放置在接地设置的工作台17上即可。可以理解，所述外部数据处理装置可以是示波器、计算机或者其它数据采集设备。

请参考图2，所述探头13包括检测头131、连接件133、固定件135和弹性件137，所述固定件135用于与位移装置11固定连接，所述弹性件137一端与固定件135连接，相对的另一端与连接件133连接，所述连接件133与检测头131连接，所述检测头131还用于与外部数据处理装置连接，所述检测头131用于触碰压电膜样品20靠近探头13的表面并获取压电膜样品20的压电膜的非接地表面上产生的电压信号且传输至外部数据处理装置。可以理解，所述弹性件137为弹簧，所述连接件133为直线轴承。

请一并参考图2和图3，所述检测头131包括金属外壳1311、参比信号线1312、压电芯片1313、绝缘层1315、检测探针1317及样品信号线1319。所述金属外壳1311与连接件133远离弹性件137的一端连接，所述金属外壳1311为一中空结构且接地设置，所述压电芯片1313、绝缘层1315整体收容在该中空结构内，所述参比信号线1312、检测探针1317和样品信号线1319部分收容在该中空结构内。绝缘层1315位于中空结构中，并填充在压电芯片1313、参比信号线1312、检测探针1317及样品信号线1319位于金属外壳1311中空结构中的外围，使检测探针1317、参比信号线1312、样品信号线1319、压电芯片1313分别与金属外壳1311内壁绝缘，且压电芯片1313与检测探针1317之间通过绝缘层1315隔开。另外，绝缘层1315与金属外壳1311内壁之间不存在空隙，防止在检测过程中出现两者发生相对晃动而导致检测结果不精准。所述压电芯片1313具有相对的两个表面，一个表面与参比信号线1312连接，另一个表面连接至金属外壳1311从而通过所述金属外壳1311接地。具体的，所述参比信号线1312一端与压电芯片1313远离检测探针1317的表面连接，另一端用于与外部数据处理装置连接，所述参比信号线1312可以获取压电芯片1313远离检测探针1317的表面上产生的参比电压信号大小并传输至外部数据处理装置。所述样品信号线1319一端与检测探针1317连接，另一端用于与外部数据处理装置连接，所述样品信号线1319可以获取压电膜样品20的非接地表面产生的样品电压信号大小并传输至外部数据处理装置。

可以理解，所述检测探针1317为导电材料制成。可以理解，所述金属外壳1311的材质优选为不锈钢，所述绝缘层1315的材质优选为聚苯乙烯。另外，所述绝缘层1315可以省略，只要确保压电芯片1313与检测探针1317之间绝缘，且压电芯片1313、检测探针1317与金属外壳1311内壁绝缘即可，比如单独通过定位装置定位在金属外壳1311内。可以理解，所述压电芯片1313可以是基准压电膜，如基准PVDF膜，所述基准压电膜即其压电系数符合应用需求，且其厚度和压电系数已知，所述基准压电膜在受到压力后，其产生的电荷数量与力的大小成正比。可以理解，所述金属外壳1311可以省略，压电芯片1313靠近检测探针1317的表面通过一信号线单独接地，所述绝缘层1315与连接件133连接，此时绝缘层1315相当于一个绝缘外壳，压电芯片1313整体收容在绝缘层1315内，所述检测探针1317、参比信号线1312和样品信号线1319部分收容在绝缘层1315内。

工作时，当检测头131去触碰压电膜样品20上的压电膜时，检测探针1317会给压电膜施加一个力，由于压电膜本身的压电效应会在压电膜上产生一个电场，而且压电膜靠近样品台15的表面接地设置，因此压电膜与检测探针1317相接触的表面会产生样品电压信号，所述样品信号线1319会检测到该样品电压信号并传输至外部数据处理装置。另外，由于作用力与反作用力的效果，检测探针1317会受到压电膜样品20的反作用力，并通过绝缘层1315施加给压电芯片1313，由于压电芯片1313的压电效应会在压电芯片1313上产生一个电场，另外，所述压电芯片1313靠近检测探针1317的表面接地设置，故而会在压电芯片1313远离检测探针1317的表面上产生一个参比电压信号，所述参比信号线1312可以检测到该参比电压信号并传输至外部数据处理装置。外部数据处理装置通过采集到的参比电压信号以及样品电压信号经过进一步的数据分析处理即可得到压电膜样品20上的压电膜的压电系数。

请参考图4，可以理解，本实用新型的测试压电系数的装置10在进行压电膜样品20的实际测量时，通常会采取一个已知压电系数的标准样品来作为参考，接下来以具体计算过程来对外部数据处理装置的数据分析处理进行说明解释。

压电系数的计算公式为：压电系数D33＝k＊V1/V0，其中V1代表压电膜样品20产生的电压信号大小，V0代表压电芯片1313产生的电压信号大小，k代表一个比例系数。在对待测的压电膜样品20进行检测之前，先对一已知压电系数D33的标准压电膜样品进行检测，从而得到系数k，k＝D33标＊V0标/V1标，其中V0标和V1标可以通过检测得到，D33标属于已知参数。

再对待测的压电膜样品20进行检测以得到V1样和V0样，V1样代表待测的压电膜样品20上的压电膜21表面的电压信号，V0样代表对待测压电膜样品20进行检测时压电芯片1313上产生的电压信号，得到压电膜样品20上的压电膜的压电系数D33＝(D33标＊V0标＊V1样)/(V1标＊V0样)。可以理解，所述系数k经过一次标准压电膜样品20调试之后是已知的参数，即在检测待测的压电膜样品20的压电系数时，不需要再使用标准压电膜样品20来作为参考，可以直接对待测的压电膜样品20进行检测。

可以理解，作为一种变形，所述检测头131可以单独使用，即所述固定件135、弹性件137和连接件133可以省略。当检测探针1317去触碰压电膜样品20时，基于作用力和反作用力的原理，所述压电膜样品20也会给检测探针1317一个反作用力并通过绝缘层1315传导至压电芯片1313，从而同时在压电芯片1313和压电膜21上分别产生一个电压信号，参比信号线1312和样品信号线1319分别检测到压电芯片1313和压电膜21上的电压信号并传输至外部数据处理装置。

另外，还可以理解，作为另一种变形，所述检测探针1317与压电芯片1313靠近检测探针1317的表面通过一弹性过渡件(图未示)连接，且该弹性过渡件是绝缘材质，所述压电膜样品20施加给检测探针1317的反作用力可以直接通过弹性过渡件传导至压电芯片1313靠近检测探针1317的表面。还可以理解，直接将检测探针1317制作成一端绝缘一端导电，将检测探针1317绝缘的一端与压电芯片1313靠近检测探针1317的表面连接，检测探针1317导电的一端去触碰压电膜样品20。

可以理解，只要检测探针1317跟压电芯片1313连接，且压电膜样品20以及压电芯片1313均一侧接地，即可实现本实用新型的对压电膜样品20的单面接触式按压检测。此处的连接可以是直接连接，也可以是间接连接，只要检测探针1317跟压电膜样品20接触进行检测时候的作用力所产生的反作用力能对压电芯片1313施力，即可进行检测。

请一并参考图2和图5，本实用新型的压电膜样品20指的是原位形成在基底22上的PVDF(polyvinylidene fluoride，聚偏二氟乙烯)膜21，所述PVDF膜21即为压电膜21，即压电膜样品20同时包括基底22和PVDF膜21。可以理解，所述原位形成指的是将高分子薄膜通过化学气相沉积、物理气相沉积、涂覆等习知方式形成在基底表面，基本厚度可以维持在9μm以下，因此可以形成厚度很薄的高分子薄膜，大大提升了分辨率。而且对于很多半导体精密器件，基底22可能直接为晶圆等，可以考虑压电膜样品20直接用这种基底22和压电膜21的方式来进行测量。还可以理解，所述压电膜样品20也可以是单纯的压电膜，如目前市场上现有销售的压电高分子薄膜成品，通常，这种成品的压电高分子薄膜需要先被拉升具有一定应力然后再通过粘合在基底上，此种方法形成的高分子薄膜厚度均在30μm以上。

具体测试时，当压电膜样品20放置在样品台15上时，基底22靠近样品台15设置，由于基底22需要进行电信号传导，所述基底22须为导电材质，优选为金属材质。所述基底22通过样品台15接地，当所述检测探针1317去触碰按压压电膜21时，会在压电膜21靠近检测探针1317的表面和压电芯片1313远离检测探针1317的表面都产生一个电压信号，其中检测探针1317与压电芯片1313接地的表面之间通过绝缘层1315隔离。样品信号线1319会通过检测探针1317采集到压电膜21靠近检测探针1317的表面上产生的样品电压信号并传输至外部数据处理装置，参比信号线1312会采集到压电芯片1313远离检测探针1317的表面上产生的参比电压信号并传输至外部数据处理装置，外部数据处理装置比对两个电压信号并经过数据处理得到待测的压电膜21的压电系数。本实用新型的测试压电系数的装置10可以基于压电膜样品20设置有压电膜21的一个表面进行检测，实现了单面检测，不需要将压电膜21从基底22上取下来从而对压电膜样品20进行破坏，而现有的测试平台都需要将压电膜21从基底22上取下来后再同时在压电膜21的两个表面进行检测以得到压电膜21的压电系数，本实用新型的测试压电系数的装置10具有使用方便，可不破坏压电膜样品特别如精细的芯片样品等，以及检测效率高的优点。

另外，还可以理解，本实用新型的测试压电系数的装置10同样适用于对单独的压电膜21进行检测。将压电膜21放置于样品台15上，样品台15接地设置，当检测头131去触碰压电膜21时，会在压电膜21靠近检测头131的表面和压电芯片1313上分别产生一个样品电压信号和参比电压信号，参比信号线1312检测到该参比电压信号并传输至外部数据处理装置，样品信号线1319检测到该样品电压信号并传输至外部数据处理装置，外部数据处理装置经过进一步的数据分析处理即可得到压电膜21的压电系数。

请参考图6，作为一种变形，所述样品信号线1319也与样品台15或基底22连接，此时样品台15和基底22不接地，并将检测探针1317接地设置且检测探针1317与压电芯片1313靠近样品台15的表面连接。当所述检测探针1317去触碰压电膜21靠近检测探针1317的表面时，检测探针1317施加给压电膜21一个作用力，压电膜21由于本身的压电效应会产生一个电场，由于检测探针1317接地设置，故而压电膜21与检测探针1317接触的表面电势为零，因此会在压电膜21远离检测探针1317的表面上产生一个电压信号也即靠近样品台15表面产生样品电压信号，所述样品信号线1319检测到该样品电压信号之后传输至外部数据处理装置。另外，压电膜21会给检测探针1317一个反作用力，从而对压电芯片1313靠近检测探针1317的表面施加一个力，压电芯片1313上同样会产生一个电场，由于压电芯片1313与检测探针1317接触的表面接地设置，因此会在压电芯片1313远离检测探针1317的表面上产生一个参比电压信号，所述参比信号线1312可以检测到该参比电压信号并传输至外部数据处理装置。经过外部数据处理装置的比对分析同样可以得到压电膜21的压电系数。

另外，在本实用新型的其它实施例中，所述测试压电系数的装置10还进一步包括控制器(图未示)，所述控制器与位移装置11连接并可控制位移装置11的运作。可以理解，所述控制器上设置有操作界面(图未示)，使用者可以通过该操作界面去设定位移装置11的控制程序，从而设定位移装置11的运动行程和轨迹。例如，使用者在控制器上设定好需要检测次数和检测范围后，控制器即控制位移装置11按照设定的程序对压电膜样品20进行扫描式检测，可以执行一次程序即对压电膜21进行逐点扫描测试，测试结果更精确，测试效率显著提升。接下来以图7中所示的一个控制程序来做示范性说明，在此不做限定。将某一位置设置为原点，以原点建立空间三维(XYZ)坐标系，如图7所示，在开始执行检测动作时，控制器控制位移装置11带动探头13移动至原点，再控制探头13移动至XY方向的扫描起点，随后控制探头13移动至Z方向上行程的初始点，再控制探头13移动至Z方向最大位置处。可以理解，探头13移动至Z方向最大位置处时探头13会以一定的速度与压电膜21发生触碰。控制器再控制位移装置11带动探头13移动至Z方向上行程的初始点，从而完成了检测调试阶段。随后在控制器的操作界面上设定检测次数、间隔距离和检测范围，所述检测范围指的是XY方向上的检测范围。随后控制器控制位移装置11带动探头13按照预设间隔距离进行X方向上的逐点扫描检测，X方向上的检测完成之后，控制器控制探头13移动至原点，再执行Y方向的逐点扫描检测，等到Y方向上的扫描检测完成后整个检测过程即结束。可以理解，所述XY方向是平行于压电膜21表面的坐标轴，Z方向是垂直于压电膜21表面的坐标轴。

可以理解，位移装置11也可带动探头13按照预设间隔距离进行X方向上的逐点扫描检测，扫描完一行之后再在Y方向上移动一定的间隔距离，再执行X方向上的逐点扫描检测，直至完成检测范围内的全部扫描。还可以理解，具体的检测行程可以通过在控制器上来进行设定，在此不一一列举。

可以理解，作为一种变形，所述测试压电系数的装置10可以包括多个探头13，当测试压电系数的装置10对压电膜样品20进行扫描式测试时，其可以在一次Z方向的运作即可对压电膜样品20完成检测，或者可以对压电膜样品20进行逐行扫描检测，相对于单个探头13的逐点扫描式检测大大提升了检测效率。作为另一种变形，所述探头13包括多个检测探针1317，多个检测探针1317呈阵列排布或者线性排布，当测试压电系数的装置10对压电膜样品20进行扫描式测试时，其可以在一次Z方向的运作即可对压电膜样品20完成检测，或者可以对压电膜样品20进行逐行检测，相对于单个检测探针1317的逐点扫描式检测大大提升了检测效率。

本实用新型第二实施例还提供一种测试压电系数的系统，其包括第一实施例所述的测试压电系数的装置和数据处理装置(图未示)，所述探头13与数据处理装置信号连接，探头13采集压电膜样品的非接地表面和压电芯片的非接地表面的电压信号并传送给数据处理装置，数据处理装置接收并基于探头13采集到的压电膜样品的非接地表面和压电芯片的非接地表面的电压信号来分析得到压电膜样品的压电系数。所述信号连接可以是有线连接或者无线连接，例如通过蓝牙传输、wifi传输、或者信号线传输等。

请参考图8，本实用新型第三实施例还提供一种测试压电系数的方法，所述测试压电系数的方法包括以下步骤：

提供检测探针以及压电芯片，其中压电芯片具有相对两表面，压电芯片与检测探针连接且压电芯片其中一表面接地设置；

提供待检测压电膜样品并使压电膜样品的一表面接地；

通过检测探针对压电膜样品其中一表面进行接触式按压检测得到该压电膜样品非接地表面产生的电压信号以及压电芯片非接地表面产生的参比电压信号；

通过该两电压信号得到压电膜样品的压电系数。

可以理解，上述对压电膜样品的检测可以是单纯对压电膜本身直接进行检测，也可以是对形成在导电基底上的压电膜产品一并进行检测，只要满足使压电膜一表面接地即可。当压电膜样品为单纯的压电膜时，可以基于压电膜的任一表面进行按压检测；当压电膜样品为包含导电基底和形成在导电基底上的压电膜时，优选基于按压具有压电膜的表面去进行检测。

可以理解，当压电膜样品远离检测探针的表面和压电芯片靠近检测探针的表面接地时，检测探针为导电材质，检测探针与压电芯片之间可以通过绝缘层连接或者通过绝缘的弹性过渡件连接以实现两者之间的绝缘连接，或者检测探针的一端绝缘，相对的另一端导电，且检测探针导电的一端用于触碰压电膜样品靠近检测探针的表面，其绝缘的一端与压电芯片连接，压电膜样品上产生的电压信号通过压电膜样品靠近检测探针的表面继而通过检测探针传递出去，压电芯片上产生的电压信号通过压电芯片远离检测探针的表面传递出去。当所述检测探针为接地设置时，所述检测探针一端与压电芯片连接，相对的一端去触碰压电膜样品靠近检测探针的表面，压电膜样品上产生的电压信号通过压电膜样品远离检测探针的表面传递出去，压电芯片上产生的电压信号通过压电芯片远离检测探针的表面传递出去。

在本实用新型的第三实施例中，压电系数的计算公式为：压电系数D33＝k＊V1/V0，其中V1代表压电膜21表面的电压信号大小，V0代表压电芯片1313产生的电压信号大小，k代表一个比例系数。由于使用的是标准压电膜样品，故而D33标为已知参数，V0标和V1标通过本实用新型第一实施例的测试压电系数的装置10测试得到。因此，可以理解，所述步骤S1和S2的目的是为了得到比例系数k＝D33标＊V0标/V1标。

请参考图9，具体地，采用如上所述的测试压电系数的装置10，所述测试压电系数的装置10包括检测探针1317、参比信号线1312、压电芯片1313和样品信号线1319，压电芯片1313具有两个相对的表面，其中一个表面接地，另一个表面与参比信号线连接，所述样品信号线1319通过检测探针1317或者直接与压电膜21非接地表面连接，当检测探针1317去触碰压电膜21靠近检测探针1317的表面时会在压电膜21和压电芯片1313上均产生一个电压信号。

采用上述测试压电系数的装置10对压电膜样品测试压电系数的方法包括以下步骤：

步骤S1：放置标准压电膜样品；

步骤S2：对标准压电膜样品进行检测；

步骤S3：放置待测的压电膜样品；

步骤S4：根据待测的压电膜样品的大小设置检测探针的检测范围；及

步骤S5：移动探针对待测的压电膜样品进行扫描式检测使得同时输出待测的压电膜样品表面以及压电芯片表面的电压信号从而得到待测的压电膜样品的压电系数。

可以理解，所述步骤S1和步骤S2可以省略，所述系数k经过一次标准压电膜样品调试之后则是已知的参数，即在检测待测的压电膜样品的压电系数时，不需要再使用标准压电膜样品来作为参考，可以直接对待测的压电膜样品进行检测。

可以理解，在所述步骤S4中，可以在压电膜的面积范围内设定多个检测点和/或多个检测位置，从而确保检测结果更加精确，检测效率更高。

可以理解，在所述步骤S5中也可以移动检测探针对压电膜样品进行单点检测，同样可以得到压电膜样品的压电系数。另外，还可以理解，当所述步骤S5中进行扫描式检测后得到一系列的检测结果，可以基于现有的K均值聚类算法、加权平均法或者其它算法来计算得到多个检测结果的平均值，使得检测结果更精准。

与现有技术相比，本实用新型的探头包括连接的压电芯片和检测探针，所述压电芯片包括相对的两个表面，其中一个表面接地，当所述检测探针对压电膜样品任一表面施压时，压电膜所产生反作用力通过检测探针传给压电芯片使压电膜样品的非接地表面以及压电芯片的非接地表面上会分别产生电压信号并被探头检测。本实用新型的探头可以基于压电膜的一个表面去进行压电参数的检测，无须破坏压电膜，操作比较简单，检测效率高。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的原则之内所作的任何修改，等同替换和改进等均应包含本实用新型的保护范围之内。