真空容器中的碎屑通量测量系统的再生的制作方法
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本申请要求于2017年12月15日提交的美国申请62/599,139的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
所公开的主题涉及一种用于测量系统的再生的系统和方法，该测量系统测量在极紫外光源的腔室内产生的碎屑的量或通量(flux)。
背景技术：
在光刻工艺中可以使用极紫外线(euv)光(例如，波长约为50nm或更小的电磁辐射(有时也称为软x射线)，并且包括波长约为13nm的光)来在衬底(例如，硅晶片)中产生极小的特征。
产生euv光的方法包括但不限于将具有例如氙、锂或锡等元素的材料转换成等离子状态的euv范围内的发射线。在一种这样的方法中，可以通过用放大光束以小滴、板、带、流或材料团簇的形式照射目标材料来产生所需要的等离子体(通常称为激光产生的等离子体(“lpp”))。对于这个过程，通常在密封容器(例如，真空室)中产生等离子体，并且使用各种类型的量测装置对其进行监测。
技术实现要素：
在一些一般方面，一种装置包括：容器；将目标引向容器中的交互区域的目标传递系统，目标包括在处于等离子体状态时发射极紫外光的目标物质；以及量测装置。量测装置包括具有被配置为测量目标物质的通量的测量表面的测量系统和被配置为再生测量系统的再生工具。再生包括：防止测量表面变为饱和，和/或如果测量表面已经变为饱和，则使测量表面去饱和。
实现可以包括以下特征中的一个或多个。例如，量测装置可以包括与测量系统和再生工具通信的控制装置。控制装置可以被配置为基于来自测量系统的输出来激活再生工具。
测量表面可以被配置为与目标物质交互。目标物质与测量表面之间的交互产生测量信号。测量系统还可以包括被配置为接收测量信号并且跨测量表面计算目标物质的通量的测量控制器。
量测装置可以包括晶体微量天平。晶体微量天平可以是石英晶体微量天平。
容器可以限定腔体，并且容器腔体可以保持在低于大气压的压力下。
交互区域可以接收放大光束，并且目标可以被转换成在目标与放大光束交互时发射极紫外光的等离子体。
该装置还可以包括光学元件，该光学元件包括在容器内的光学元件表面。量测装置可以相对于光学元件表面定位。光学元件可以是光收集器，在该光收集器中，光学元件表面在目标被转换成等离子体时与发射的至少一些极紫外光交互。
再生工具可以被配置为：在无需从容器中去除量测装置的情况下，再生测量系统。再生工具可以包括清洁工具，该清洁工具被定位为与测量系统交互，并且被配置为：根据测量控制器的指令，来去除已经沉积在测量表面上的目标物质。清洁工具可以包括被配置为在测量表面附近产生自由基的自由基产生单元。自由基可以与所沉积的目标物质发生化学反应，以形成从测量表面释放的新的化学物质。自由基产生单元可以包括邻近测量表面的丝线和向丝线提供电流的电源。丝线可以具有与测量表面的形状相匹配的形状。自由基产生单元可以包括在测量表面附近生成在等离子体状态下的等离子体材料的等离子体发生器，该等离子体材料包括自由基。自由基可以是从容器内的天然氢分子产生的氢的自由基。测量表面上的目标物质可以包括锡，使得从测量表面释放的化学物质包括氢化锡。
该装置还可以包括被配置为从容器中去除释放的新的化学物质的去除装置。去除装置可以包括与容器的内部流体连通的气体端口，并且释放的新的化学物质通过气体端口从容器的内部被传递。
再生工具可以被配置为：在容器中存在氢并且没有需要氧气的反应的情况下，从测量表面去除目标物质。
在其他一般方面，一种方法包括：在容器的腔体内提供目标；在容器腔体内的测量表面上测量目标物质的通量；以及再生测量表面。目标包括在转换成等离子体时发射极紫外光的物质。再生包括以下至少之一：防止测量表面变为饱和；和/或如果测量表面已经变为饱和，则使其去饱和。
实现可以包括以下特征中的一个或多个。例如，该方法还可以包括基于在测量表面上测得的目标物质的通量来激活测量表面的再生。
可以通过使目标物质与测量表面交互从而将目标物质沉积在测量表面上来测量目标物质的通量。
通过将多个目标引向真空容器中的交互区域，可以在容器腔体内提供目标。交互区域还接收放大光束，使得目标与放大光束之间在交互区域中的交互将目标转换成发射极紫外光的等离子体。
可以通过在不从容器去除测量表面的情况下从测量表面去除沉积的目标物质，来再生测量表面。通过在测量表面附近产生元素的自由基，可以从测量表面去除沉积的目标物质，所产生的自由基与所沉积的目标物质发生化学反应以形成从测量表面释放的新的化学物质。所沉积的目标物质可以包括锡，元素可以是氢，自由基可以是氢自由基，新的化学物质可以是氢化锡。邻近测量表面的元素可以是容器腔体固有的。可以通过在不存在氧气的情况下去除沉积的目标物质来去除沉积的目标物质。该方法可以包括从容器腔体去除释放的新的化学物质。
可以通过在没有从测量表面去除沉积的目标物质的时间测量目标物质的通量，来测量目标物质的通量。
可以从测量表面去除沉积的目标物质，从而防止测量表面达到其饱和极限。
该方法还可以包括将由容器限定的腔体保持处于低于大气压的压力。该方法还可以包括基于所测量的通量来估计在目标物质被转换成等离子体时发射的极紫外光的量。该方法还可以包括基于所测量的通量来估计沉积在容器腔体内的表面上的目标物质的量。
在其他一般方面，一种极紫外光源包括：被配置为产生放大光束的光源；限定腔体并且被配置为在腔体中的交互区域处接收放大光束的容器；被配置为产生沿着目标路径朝着交互区域行进的目标的目标传递系统；以及量测装置。腔体被配置为保持处于低于大气压的压力。目标包括在等离子体状态下发射极紫外光的目标物质。量测装置包括具有被配置为测量目标物质的通量的测量表面的测量系统和被配置为再生测量系统的再生工具。再生包括：防止测量表面变为饱和；和/或如果测量表面变为饱和，则使其去饱和。
实现可以包括以下特征中的一个或多个。例如，测量表面可以被配置为与目标物质交互，其中目标物质与测量表面之间的交互产生测量信号；测量系统还可以包括测量控制器，该测量控制器接收测量信号并且跨测量表面计算目标物质的通量。再生工具可以包括定位为与测量系统交互的清洁工具。清洁工具可以被配置为通过去除已经沉积在测量表面上的目标物质来再生测量系统。
极紫外光源还可以包括光收集器，该光收集器收集至少一些所发射的极紫外光以供外部光刻装置使用。
在其他一般方面，一种量测系统用于极紫外线光源中。量测系统包括被配置为跨容器内的测量表面测量目标物质的通量的量测装置和耦合到量测装置的再生工具。量测装置包括：具有被配置为与目标物质交互的测量表面的测量系统，其中目标物质与测量表面之间的交互产生测量信号；以及被配置为接收测量信号并且基于所接收的测量信号来跨测量表面计算目标物质的通量的测量控制器。再生工具被配置为再生测量系统。再生包括：防止测量表面变为饱和；和/或如果测量表面已经变为饱和，则使其去饱和。再生工具包括清洁工具，该清洁工具被定位为与测量表面交互并且根据来自测量控制器的指令来去除已经沉积在测量表面上的目标物质。
在其他一般方面，一种装置包括：容器；用于向容器中的交互区域传递目标的部件，目标包括在处于等离子体状态时发射极紫外光的目标物质；以及量测装置。量测装置包括：用于跨容器内的测量表面测量目标物质的通量的部件；以及用于再生测量表面的部件。用于再生的部件包括：用于防止测量表面变为饱和的部件；以及用于在测量表面已经变为饱和的情况下将其去饱和的部件。
附图说明
图1是装置的框图，该装置包括在由容器限定的腔体内的自再生量测装置；
图2是在图1的量测装置的实现的a处截取的侧视截面图和放大图；
图3a是图1和2的量测装置的实现的透视图，其中量测装置设计有测量系统，该测量系统包括具有测量表面的晶体微量天平以及具有邻近该测量表面的丝线的自由基再生工具；
图3b是图3a的量测装置的框图；
图3c是邻近图3a和3b的晶体微量天平的测量表面的丝线的透视图；
图3d是邻近图3a-3c的晶体微量天平的测量表面的丝线的侧视截面图；
图4是极紫外(euv)光源的实现，其中诸如图1-3d的装置等自再生量测装置可以在euv光源内实现；
图5a是作为光收集器的光学元件的后部透视图，其中图1-4的自再生量测装置可以邻近光收集器；
图5b是图5a的光学元件的前透视图；
图5c是图5a的光学元件的侧视截面图；
图5d是图5a的光学元件的平面图；
图6是用于再生测量表面的过程的框图；
图7是示出在图6的过程期间测量表面的侧视截面图的示意图；
图8是在测量表面上的涂层的沉积厚度与时间的关系的曲线图，其描绘了图6的过程和图3a-3d的量测装置的应用；
图9是任意单位表示的去除率与针对每分钟标准升的不同值的图3a-3d的丝线与图3a-3d的测量表面之间的距离的关系的曲线图；
图10是接收图4的euv光源的输出的光刻装置的框图；以及
图11是接收图4的euv光源的输出的光刻装置的框图。
具体实现
参考图1，装置100包括在由容器120限定的腔体118内的自再生量测装置105。量测装置105包括测量系统110，测量系统110具有被配置为测量目标物质125的通量的测量表面112。目标物质125的通量是在特定时间量内穿过一区域的目标物质125的质量。此外，因为目标物质125的密度可以是已知的，所以可以通过确定沉积在测量表面112上的目标物质125的厚度来确定或估计目标物质125的通量。
随着时间的流逝，目标物质125在测量表面112上堆积为涂层127，这导致测量表面112变为饱和。当测量表面112不再能够产生关于目标物质125的通量的任何有用信息时，测量表面112就饱和了。测量表面112上的饱和极限与目标物质125的涂层127的饱和厚度有关，并且与容器120内的附近材料的饱和厚度相比，该饱和厚度可以相对较小，并且因此在容器120内的附近材料由于涂覆有目标物质125而需要被清洁、维护或更换之前，测量表面112早已接近其饱和极限。因此，每次测量表面112变为饱和时必须更换测量系统110，使得效率变得低下。为此，量测装置105包括被配置为再生该测量系统110的再生工具115。在某些时刻，测量系统110的再生可以涉及防止测量表面112变为饱和。在其他时刻，诸如当测量表面112已经变为饱和时，测量系统110的再生涉及使测量表面112去饱和。
即使再生工具115暴露于可以存在于腔体118中的分子氢，再生工具115也可以被配置为操作(即，去除覆盖测量表面112的目标物质125)。再生工具115可以被配置为在不使用氧气或不存在氧气的情况下进行操作；也就是说，为了使再生工具115操作或执行任何功能，氧气不是需要或必要的。
如下在容器120内产生目标物质125。装置100包括目标传递系统140，该目标传递系统140将目标145的流142指向容器120中的交互区域150。目标145包括目标物质125，在该目标物质125被转换成等离子体材料160(也称为发光等离子体材料160)时，该目标物质125发射极紫外(euv)光155。但是，某些目标物质125在交互区域150中没有完全转换成等离子体材料160，或者等离子体物质160中的一些恢复原状成目标物质125。因此，保留的目标物质125(即要么没有被转换成等离子体材料160，要么没有恢复原状)可以在容器120的腔体118中行进并且涂覆各种物体，诸如容器120的腔体118内的壁或光学元件。测量系统110设置在容器120内的合适的位置或多个位置，以确定目标物质125的行进通过容器120内部的放置有测量系统110的部分的通量。尽管在图1中仅示出了一个测量系统110，但是，如下所述，根据需要获取的关于目标物质125的通量的特定信息，容器120的腔体118可以在各个位置配备有多个测量系统110。此外，这些测量系统110中的一个或多个可以并入包括再生工具115的量测装置105中。
容器120中剩下的或剩余的目标物质125的呈现状态是目标145中存在的颗粒、蒸气残余物、或物质碎片形式的碎屑。这些碎屑会积聚在容器120中的物体的表面上。例如，如果目标145包括锡的熔融金属，则锡颗粒可以积聚(或涂覆)在容器120内的一个或多个光学表面或壁上。碎屑(该碎屑形成在表面上，该碎屑也形成在测量表面112上所形成的涂层127上)可以包括由目标物质125形成的蒸气残留物、离子、颗粒和/或物质团簇。在容器120内来自目标物质125的碎屑的存在会降低容器120内的表面的性能，并且还会降低测量系统110的整体效率。
目标传递系统140在流142中传递、控制和引导目标145，该流142呈液滴、液体流、固体颗粒或团簇、液滴中包含的固体颗粒、或液体流中包含的固体颗粒的形式传递。目标145可以是在处于等离子体状态时发射euv光的任何材料。例如，目标145可以包括水、锡、锂和/或氙。目标物145可以是包括目标物125和诸如非目标颗粒等杂质的目标混合物。
目标物质125是当处于等离子体状态(等离子体材料160)时具有在euv范围内的发射线的物质。目标物质125可以是例如液体的液滴或熔融金属的液滴、液体流的一部分、固体颗粒或团簇、液滴中包含的固体颗粒、目标材料的泡沫、或液体流的一部分中包含的固体颗粒。目标物质125可以是例如水、锡、锂、氙、或在转换成等离子体状态时具有在euv范围内的发射线的任何材料。例如，目标物质可以是元素锡，其可以用作纯锡(sn)；作为锡化合物，例如，snbr4、snbr2、snh4；作为锡合金，例如锡镓合金、锡铟合金、锡铟镓合金或这些合金的任何组合。此外，在不存在杂质的情况下，目标145仅包括目标物质。
容器120内的腔体118可以保持在真空下，即，在低于大气压的压力下。例如，腔体118可以保持在大约0.5托(t)至大约1.5t之间的低压(例如，在1t)下，该低压是为生成euv光155而选择的压力。因此，量测装置105被配置为在容器120的腔体118内的真空环境中操作，这表示量测装置105被设计为在真空中(诸如在1t下)工作。此外，量测装置105被设计为使得其能够使用而不必改变容器120的设计或操作。因此，量测装置105被配置为在其中最有效地产生euv光155的环境中操作。
还参考图2，在一些实现中，量测装置205包括邻近测量系统210的测量表面212的自由基再生工具215来作为再生工具115。自由基再生工具215是被定位为与测量系统210交互的清洁工具。自由基再生工具215被配置为去除在测量系统210的测量表面212上堆积为涂层227的目标物质125。自由基再生工具215包括自由基产生单元，该自由基产生单元被配置为在测量表面212附近产生自由基216，并且这些自由基216与涂层227的沉积的目标物质125发生化学反应以形成从测量表面212释放的新的化学物质228。例如，新的化学物质228可以处于气态，并且因此从测量表面212被释放。然后，处于气态的新的化学物质228可以被泵出容器120。
自由基216是具有不成对的价电子或开放的电子壳的原子、分子或离子，并且因此可以被视为具有悬挂的(dangling)共价键。悬挂键可以使自由基具有高度的化学反应性，也就是说，自由基可以容易地与其他物质发生反应。由于其反应性，自由基216可以用于从诸如测量表面212等物体中去除物质(诸如沉积的目标物质125)。自由基216可以通过例如蚀刻目标物质125、与目标物质125反应和/或燃烧目标物质125来去除沉积的目标物质125。
自由基216可以以任何合适的方式产生。例如，自由基216可以通过分解容器120中的存在于测量系统210或自由基再生工具215附近的(或固有的)较大分子230而形成。存在于容器120中以及靠近测量系统210的较大分子230可以通过将足够的能量注入这些较大分子中的任何过程来分解，这些过程例如是电离辐射、热、放电、电解和化学反应。因此，自由基的形成涉及向较大分子230提供足够的能量以破坏较大分子的原子之间的键(通常是共价键)。
作为另一示例，自由基216可以在远离测量系统210的位置处形成，并且然后可以被传递到测量表面212。因此，自由基216可以形成在容器120的外部，并且然后被运输到容器120中。
在其他实现中，自由基再生工具215可以是电容耦合等离子体(ccp)装置。在ccp装置中，两个金属电极隔开一小段距离并且由电源(诸如射频(rf)电源)驱动。当在电极之间生成电场时，较大分子230的原子被电离并且释放电子。气体中的电子被rf场加速，并且通过碰撞直接或间接地使气体电离，从而产生二次电子。最终，当电场足够强时，会产生等离子体。
在一些实现中，如上所述，目标145包括锡(sn)，并且在这些实现中，沉积在测量表面212上的目标物质125包括锡颗粒。如上所述，容器120是受控环境，并且可以在容器120内存在并且被允许的较大分子230之一是分子氢(h2)。在这种情况下，自由基再生工具215从容器120中天然的或存在的分子氢中产生自由基216。氢的自由基216是单个氢元素(h*)。这个化学过程可以由以下化学式表示：
其中g表示化学物质为气态。
具体地，所生成的氢自由基h*与测量表面212上的锡颗粒(sn)结合并且形成新的化学物质228，称为氢化锡(snh4)，该新的化学物质228从测量表面212被释放。该化学过程由以下化学式表示：
其中s表示化学物质为固态。
以这种方式，可以在整个测量表面212上，而不仅仅是在最靠近自由基再生工具215的区域上，以至少1纳米/分钟的速率从测量表面212蚀刻或去除涂层227(由目标物质125形成)。这是因为，自由基216是在靠近测量表面212的位置处产生的，而不是远离测量表面212产生并且然后被运输到测量表面212的。这很重要，因为氢自由基h*寿命短并且易于重新组合以重新形成分子氢。自由基再生工具215的设计使得氢自由基h*的形成尽可能地靠近测量表面212，从而使得更多的氢自由基h*与锡颗粒结合，然后这些氢自由基才有机会彼此重新组合以重新形成分子氢，并且这使得测量系统210能够再生，而不必从容器120中去除量测装置205。
参考图3a和3b，示出了量测装置305的示例。量测装置305设计有自由基再生工具315，该自由基再生工具315包括邻近测量系统310的测量表面312的丝线365和向丝线365提供电流的电源370。丝线365应当由如下的材料制成，该材料熔点高、至少足够高以使其可以承受足够高的温度以提供足够的热量来破坏附近的较大分子的键。例如，在一些实现中，流过丝线365的电流可以使丝线365的温度升高至超过1000℃。此外，丝线365应当与容器120内的较大分子或其他组分不发生化学反应。另外，丝线365可以由作为上述化学反应
还参考图3c和3d，丝线365可以由来自电源370的电流激励以加热到足够高的温度，以将容器120内的邻近丝线365的任何天然氢分子330激发到分子330内的原子分解成自由基的点。丝线365具有与测量表面312的形状相一致或互补的形状，以更有效地允许自由基216与测量表面312上的涂层327之间的交互。
在一些实现中，测量系统310包括晶体微量天平，诸如石英晶体微量天平。晶体微量天平如图3a所示。晶体微量天平是一种输出测量信号的设备，该测量信号可以用于确定撞击在测量表面312上的目标物质125的通量。沉积在测量表面312上的质量的量与测量表面312所关联的一个或多个谐振频率的变化相关。因此，通过测量一个或多个谐振频率的变化，可以确定已经在测量表面312上沉积了多少质量。晶体微量天平包括诸如石英晶体等晶体和一组电极，该一组电极向晶体的表面提供交流电以使得晶体以一个或多个谐振频率振荡。测量表面312可以对应于晶体的面之一。
测量表面312被保持在由非反应性材料制成的适配器或凸缘375中，并且该凸缘375被安装到壳体377，壳体377可以被水冷却。测量表面312可以包括抗自由基材料(诸如氮化锆(zrn))的薄层的涂层(不可见)。在该实现中，所产生的自由基216将与沉积在测量表面312上的作为涂层327的目标物质125反应，但不会与zrn涂层反应，使得即使自由基再生工具315正在运行，zrn仍保持完整。
如果目标物质125是锡，并且晶体微量天平是石英晶体微量天平，则测量表面312的饱和极限约为8微米(μm)。饱和极限是由所沉积的目标物质125形成的涂层327的最大厚度；高于该饱和极限，测量系统110将无法准确地测量目标物质125的通量。相反，容器120内的其他元件可以承受目标物质125的沉积涂层，该沉积涂层的厚度约为厚度是8μm的数千倍。自由基再生工具315能够去除涂层327，而无需打开容器120并且不需要停止容器120内的其他组件的操作。
参考图4，诸如设备105、205、305等自再生量测装置405可以在其中容器120是euv真空室420的euv光源400内实现，如下所述。euv光源400包括将目标445的流442指向euv腔室420中的交互区域480的目标传递系统440。交互区域480接收放大光束481。如上所述，目标445包括在处于等离子状态时发射euv光的物质。目标445内的物质与放大光束481之间的在交互区域480处的交互将目标445中的一些物质转换成等离子体材料460。等离子体材料460发射euv光455。等离子体材料460具有发射线在euv波长范围内的元素。所产生的等离子体材料460的某些特性取决于目标445的组成。这些特性包括由等离子体材料460产生的euv光455的波长。
等离子体材料460可以被认为是电子温度为数十电子伏特(ev)的高度电离的等离子体。更高能量的euv光455可以用其他燃料材料(其他类型的目标445)生成，例如铽(tb)和钆(gd)。在这些离子的去激励和重新组合期间生成的高能辐射从等离子体材料460发射，并且然后由光学元件482收集。
也参考图5a-5d，光学元件482可以是光收集器，其中表面483与至少一些发射的euv光455交互。光收集器482的表面483可以是反射表面，该反射表面被定位为至少接收一部分euv光455并且将使用的所收集的euv光484引导至euv光源400(图4所示)之外。反射表面483将所收集的euv光484指向第二焦平面，该euv光484然后在该第二焦平面上被捕获以供euv光源400外部的工具485(例如，光刻装置)使用。示例性光刻装置1000、1100分别参考图10和11进行讨论。
反射表面483可以被配置为反射在euv波长范围内的光，但是吸收或散射或阻挡在euv波长范围之外的光。光学收集器482还包括孔口590，该孔口590允许放大光束481穿过光学收集器482以朝向交互区域480。光学收集器482可以是例如椭圆形镜，其在交互区域480处具有主要焦点并且在第二焦平面处具有第二焦点。这表示，平面截面(诸如平面截面c-c)的形状为椭圆形或圆形。因此，平面截面c-c切穿反射表面483，并且由椭圆的一部分形成。光学收集器482的平面图示出了反射表面483的边缘形成圆形。
尽管本文中示出的光学收集器482是单个曲面镜，但是其可以采用其他形式。例如，光学收集器482可以是具有两个辐射收集表面的施瓦茨希尔德收集器。在一种实现中，光学收集器482是掠入射收集器，其包括彼此嵌套的多个基本圆柱形的反射器。
再次参考图4，euv光源400包括光学系统486，该光学系统486由于一个或多个增益介质中的粒子数反转而产生放大光束481。光学系统486可以包括光源，其产生光束、以及光束传递系统，其操纵和修改光束并且还将光束聚焦到交互区域480传递。光学系统486内的光源包括一个或多个光学放大器、激光器和/或灯，以用于提供形成放大光束481的一个或多个主脉冲，并且在某些情况下，用于提供形成前驱放大光束(未示出)的一个或多个预脉冲。每个光放大器包括能够以高增益光学地放大期望波长的增益介质、激发源和内部光学器件。光学放大器可以具有或可以不具有形成激光腔体的激光镜或其他反馈装置。因此，即使没有激光腔体，光学系统486也由于放大器的增益介质中的粒子数反转而产生放大光束481。此外，如果存在激光腔体以向光学系统486提供足够的反馈，则光学系统486可以产生作为相干激光束的放大光束481。因此，术语“放大光束”涵盖以下中的一种或多种：来自光学系统486的光仅被放大而未必是相干激光振荡，以及来自光学系统486的光被放大并且也是相干激光振荡。
在光学系统486中使用的光学放大器可以包括作为增益介质的气体，该气体包括二氧化碳(co2)并且可以以大于或等于100的增益来放大在大约9100到11000纳米(nm)之间(例如，大约10600nm)的波长的光。适用于光学系统486的放大器和激光器包括脉冲激光设备，例如产生大约9300nm或大约10600nm辐射(例如，通过dc或rf激励)的脉冲气体放电co2激光设备，该激光设备以相对较高的功率(例如，10kw或更高)和较高的脉冲重复率(例如，40khz或更高)运行。
euv光源400还包括与euv光源400的一个或多个可控组件或系统通信的控制装置487。控制装置487与光学系统486和目标传递系统440通信。目标传递系统440可以响应于来自控制装置487内的一个或多个模块的信号而操作。例如，控制装置487可以向目标传递系统440发送信号以修改目标445的释放点，以校正到达目标交互区域480的目标445的错误。光学系统486可以响应于来自控制装置487内一个或多个模块的信号而操作。控制装置487的各个模块可以是独立的模块，因为模块之间的数据不会在模块之间传输。或者，控制装置487内的一个或多个模块可以彼此通信。控制装置487内的模块可以在物理上位于同一位置或彼此分离。
例如，控制该目标传递系统440的模块可以与目标传递系统440位于同一位置，同时控制该光学系统486的模块可以与光学系统486位于同一位置。
量测装置405包括与测量系统410和量测装置405的再生工具415通信的控制装置488。控制装置488被配置为接收来自测量系统410的输出，根据需要对输出进行分析，并且执行诸如向控制装置487发送数据或基于分析来激活再生工具415等动作。因此，控制装置488可以包括与测量系统410通信的测量控制器，该测量控制器被配置为从测量系统410接收测量信号并且跨测量系统410的测量表面计算目标物质425的通量。控制装置488可以提供信号以激活或致动再生工具415。例如，控制装置488可以将信号提供给量测装置305的电源370，从而向丝线365提供电流。
euv系统400还包括去除或排气装置489，其被配置为从euv腔室420去除释放的化学物质428以及可以在euv腔室420内形成的其他气态副产物。如上所述，释放的化学物质428是由于自由基416(其是由再生工具415从较大分子430产生的)与沉积在测量系统410的测量表面上的目标物质425的交互而形成的。去除装置489可以是从euv腔室420中去除释放的化学物质428的泵。去除装置489可以包括气体端口，该气体端口与euv腔室420的内部或腔体418流体连通，使得释放的新的化学物质428通过气体端口从腔体418被送出euv室420。例如，一旦形成化学物质428，它就会被释放，并且由于化学物质428可能是挥发性的，因此其被吸到去除装置489，去除装置489从euv室420去除释放的化学物质428。
未示出的euv光源400的其他组件包括检测器，该检测器例如用于测量与所产生的euv光455相关联的参数。检测器可以用于测量放大光束481的能量或能量分布。检测器可以用来测量euv光455的强度的角度分布。检测器可以测量放大光束481的脉冲的定时或聚焦的误差。这些检测器的输出可以被提供给控制装置487，控制装置487可以包括分析输出并且调节euv光源400的其他组件(诸如光学系统486和目标传递系统440)的各方面的模块。
总之，放大光束481由光学系统486产生并且沿着光束路径被引导，以在交互区域480处照射目标445，从而将目标445内的材料转换成等离子体，该等离子体发出在euv波长范围内的光。放大光束481在基于光学系统486的设计和特性而确定的特定波长(源波长)下操作。
虽然在图4的euv腔室420中仅示出了一个量测装置405，但是可以在整个euv腔室420中配置多个量测装置405。量测装置405的其他可能位置用图4所示的十字图标495标记。例如，量测装置405可以被放置在任何光学元件附近，该光学元件包括可能与目标物质125交互并且因此在euv光源400的操作期间可能被碎屑覆盖的表面。因此，一个或多个量测装置405可以被放置在光学收集器482附近，诸如在光学收集器482的边缘附近；在euv腔室420的壁与光学收集器482之间的锥体附近；和/或在目标传递系统440附近，在排气单元(诸如去除装置489)附近。
测量系统310是如下的任何设备，其可以测量在测量表面312上形成的涂层327的性质并且然后进行分析以确定该涂层327的厚度以及目标物质125的通量。在其他实现中，测量系统310被设计为折光仪、椭圆仪、和/或4点探针。
如上所述，在图3a-3d的实施中，量测装置305设计有自由基再生工具315，其包括邻近测量表面312的丝线365。存在其他方式来设计自由基再生工具315。在其他实现中，自由基再生工具315可以包括等离子体发生器，该等离子体发生器能够在容器120内已经存在的和天然的材料(天然材料，诸如较大分子330)在测量表面312局部或邻近的位置处产生或生成呈等离子体状态的材料(等离子体材料)。如果材料(诸如较大分子330)存在于容器120内而无需从容器120外部运输到容器120中，则该材料在容器120中是天然的或存在的。等离子体材料包括自由基216，该自由基216与作为涂层327沉积在测量表面312上的目标物质125发生化学反应，如上所述。除了自由基，等离子体材料可以包括不与目标物质125反应的其他组分，诸如由天然材料形成的离子、由天然材料产生的电子、和化学中性物质。随着存在于等离子体材料中的自由基数目的增加，自由基再生工具315能够去除更多的目标物质125(沉积为涂层327)。换言之，等离子体材料中的自由基的密度越高，碎屑清除率越高。
在一些实现中，自由基再生工具315被设计为感应耦合等离子体(icp)工具，该工具包括邻近测量表面312放置的且作为等离子体发生器的电导体。该电导体连接到量测装置305的电源，并且被容纳在诸如瓷器、陶瓷、云母、聚乙烯、玻璃或石英等介电管内。在icp工艺中，时变电流(从电源)流过电导体，并且时变电流的流动在该电导体附近产生时变磁场。并且，所产生的时变磁场在邻近测量表面312的位置处感应出电场或电流。所感应的电流足够大，以在邻近测量表面312的位置处利用容器120内的天然材料生成等离子体材料。
在其他实现中，自由基再生工具315被设计为加热的毛细管。自由基再生工具315不限于本文中描述的具体设计，而是可以是产生自由基的任何工具。
再次参考图2，由于测量表面212的尺寸相对较小，由自由基再生工具215(或315)产生的自由基216在由工具215形成之后通过扩散动作在测量表面212上流动。但是，由于容器120中的压力可能相对较高(即使是真空，也可能是低真空)，因此在其中测量表面212较大或其他因素会减少扩散量的某些实现中，自由基在没有附加帮助的情况下分散在整个测量表面212上可能是一个挑战。因此，量测装置205还可以包括被配置为在测量表面212的整个表面上推动或分散自由基216的气体流动机构。
参考图6，过程100由装置100执行。在容器120的腔体118内提供目标145(605)。目标145包括在被转换成等离子体材料160时发射euv光155的目标物质125。在容器120内的测量表面112之上测量目标物质125的通量(例如，使用测量系统110)(610)。再生测量表面112(615)。测量表面112的再生(615)可以包括防止测量表面112变为饱和(615a)。测量表面112的再生(615)可以包括如果测量表面112变为饱和，则使测量表面112去饱和(615b)。或者，测量表面112的再生(615)可以包括防止测量表面112变为饱和(615a)，以及如果测量表面112已经变为饱和，则使其去饱和(615b)。
同样参考图4，通过将多个目标445或目标445的流442引向euv腔室420中的交互区域480，可以在腔体418内提供目标445(605)。交互区域480还接收放大光束481，使得目标445与放大光束481之间的在交互区域480中的交互将目标445转换成发射euv光455的等离子体材料460。
可以通过使目标物质125与测量表面112交互从而将目标物质125沉积在测量表面112上来测量目标物质125的通量(610)。
可以基于在测量表面112上测量的通量来激活测量表面112的再生(615)。此外，在无需将测量表面112从容器120去除的情况下，可以执行和完成再生(615)。
还参考图7，示出了测量表面312以说明如何影响测量表面的再生(615)。通过从测量表面312去除沉积的目标物质125来再生(615)测量表面312。目标物质125在测量表面312上形成涂层327(716)。通过产生自由基216，从测量表面312去除沉积的目标物质125(其形成涂层327)。自由基216可以由诸如已经存在于容器120中并且邻近测量表面312的较大分子230等元素或材料产生。另外，在产生自由基216之后，然后这些自由基216与测量表面312上沉积的目标物质125(其形成涂层327)发生化学反应，以形成从测量表面312释放的新的化学物质228(718)。可以在不使用氧气作为反应的催化剂或元素的情况下，从测量表面312去除沉积的目标物质125。
程序600还可以包括例如使用排气装置489从容器120中去除释放的化学物质228的步骤。
可以通过在未从测量表面112去除沉积的目标物质125的时间测量目标物质125的通量，来测量610目标物质125的通量。因此，测量目标物质125的通量可以发生在与再生该测量表面112的时间不同的时间(615)。从测量表面112去除沉积的目标物质125(其是再生615的一部分)可以防止测量表面112达到其饱和极限。此外，沉积的目标物质125的去除应当在测量系统110已经测量了即将被去除的目标物质125的通量之后发生，因为如果目标物质125被去除太快，则它使得测量系统110无法确定目标物质125的通量。
所测量的通量610可以另外由控制装置487使用，以估计从等离子体材料460发射的euv光455的量。例如，euv光455的产生的稳定性通常与目标物质125(例如，锡碎片)的生产相关的或有关的。因此，目标物质125的所测量的通量610中的大波动可以指示euv光源400的不稳定操作。此外，测量通量610可以用于进一步估计沉积在容器120内的一表面(例如，邻近量测装置105的表面)上的目标物质125的量。
根据期望的信息，量测装置105可以放置在整个容器120的特定位置。例如，所测量的通量610可以用来确定邻近特定量测装置105的设备的故障。作为另一示例，如果量测装置105放置在正在清洁的表面附近，则所测量的通量610可以用来测量表面的清洁率。
所测量的通量610可以用来确定所传递的目标物质125的流场是否改变。特别地，目标物质125可以夹带在存在于容器120中的分子氢中，并且该分子氢根据特定流路被传递通过容器120，并且如果量测装置105被放置在特定流场附近，则其可以用于通过测量目标物质125的通量610来确定流场是否被改变。
参考图8，示出了曲线图800，其描绘了图3a-3d的过程600和量测装置305的应用。曲线图800示出了涂层327的沉积厚度805与时间810(或脉冲累积当量)的关系。测量表面312的饱和极限815也在曲线图800中被描绘为虚线。如上所述，在其中测量系统310是石英微量天平、并且目标物质125是锡的示例中，饱和极限815可以在5-15μm的范围内。最初，量测装置305在测量模式820下工作，并且在该模式820下，测量系统310用于跨测量表面312测量目标物质125的通量。在测量模式820下，自由基再生工具315不工作，并且因此丝线365没有从电源370被提供电流。在该测量模式820期间，涂层327的厚度805通常在增加。在该测量模式820下的曲线图800的斜率可以存储在测量系统310中、或存储在从测量系统310接收输出的控制装置的存储器中，并且用作系统性能监测器和过程偏移保护。此外，测量系统310进行操作以确定目标物质125的沉积速率、通量或其他性质。当涂层327的厚度805达到饱和极限815时，量测装置305切换至以再生模式825进行操作。在再生模式825下，测量系统310可以执行或可以不执行功能，但是丝线365被来自电源370的电流激励，并且因此主动地起作用，以去除已经作为涂层327沉积在测量表面312上的目标物质125。在装置100的操作期间，根据需要重复该测量模式820和该再生模式825的循环。此外，可以根据测量系统310的期望的数据采集频率来选择循环的定时或频率。
对于作为石英晶体微量天平、并且具有zrn表面涂层的测量系统310，并且取决于丝线365与测量表面312之间的距离，在距丝线365的圆周约20毫米(mm)的径向距离处，锡从测量表面312的去除速率可以高达每分钟4纳米(nm)。石英晶体微量天平的尺寸很小并且测量表面312很好地在20mm以内，因此，在这些情况下从石英晶体微量天平中去除锡的速率大于4nm/min。这样的去除速率比附近的临界表面上的沉积速率(约为450纳米/gps)高(例如，数十倍)，从而改善了测量表面112的再生的时间分布。
例如，图9示出了以任意单位表示的去除率905与针对每分钟标准升(slm)的不同值的丝线365与测量表面312之间的距离的关系的曲线图900。
参考图10，在一些实现中，量测装置105(或205、305、405)在向光刻装置1085提供euv光1084的euv光源1000内实现。光刻装置1085包括：照射系统(照射器)il，其被配置为调节辐射束b(例如，euv光1084)；支撑结构(例如，掩模台)mt，其被构造成支撑图案化装置(例如，掩模或掩模版)ma，并且连接到被构造成精确地定位图案化装置的第一定位器pm；衬底台(例如，晶片台)wt，其被构造为保持衬底(例如，涂覆有抗蚀剂的晶片)w，并且连接到被配置为精确地定位衬底的第二定位器pw；投射系统(例如，反射投射系统)ps，被配置为将通过图案化装置ma赋予辐射束b的图案投射到衬底w的目标部分c(例如，包括一个或多个管芯)上。
照射系统il可以包括用于引导、整形或控制辐射的各种类型的光学组件，诸如折射、反射、磁性、电磁、静电或其他类型的光学组件、或其任何组合。支撑结构mt以取决于图案化装置的取向、光刻装置的设计以及其他条件(诸如图案化装置是否保持在真空环境中)的方式来保持图案化装置ma。支撑结构mt可以使用机械、真空、静电或其他夹紧技术来保持图案化装置。支撑结构mt可以是例如框架或台子，其可以根据需要是固定或可移动的。支撑结构mt可以确保图案化装置例如相对于投射系统ps处于期望位置。
术语“图案化装置”应当被广义地解释为是指可以用于在辐射束的横截面上向辐射束赋予图案，以在衬底的目标部分中产生图案的任何装置。被赋予辐射束的图案可以对应于在诸如集成电路等目标部分中产生的设备中的特定功能层。图案化装置可以是透射的或反射的。图案化装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列和可编程lcd面板。掩模在光刻中是众所周知的，并且包括诸如二进制、交替相移和衰减相移等掩模类型、以及各种混合掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每个小反射镜可以单独地倾斜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。倾斜的反射镜在由反射镜矩阵反射的辐射束中赋予图案。
像照射系统il一样，投射系统ps可以包括适合于所使用的曝光辐射或其他因素(诸如真空的使用)的各种类型的光学组件，诸如折射、反射、磁性、电磁、静电或其他类型的光学组件、或者其任何组合。由于其他气体可以吸收过多的辐射，因此可能希望将真空用于euv辐射。因此，借助于真空壁和真空泵可以向整个光路提供真空环境。
如本文中描绘的，该装置是反射型的(例如，采用反射掩模)。
光刻装置可以是具有两个(双级)或更多衬底台(和/或两个或更多个图案化装置台)的类型。在这种“多级”机器中，可以并行使用附加的工作台，或者可以在一个或多个工作台上执行准备步骤的同时使用一个或多个其他工作台进行曝光。
照射器il从euv光源1000接收极紫外辐射束(euv光1175)。产生euv光的方法包括但不限于将材料转换成具有至少一种元素(例如，氙气、锂或锡)的等离子体状态，其中一个或多个发射线在euv范围内。在一种这样的方法中，所需要的等离子体(其通常称为激光产生的等离子体(“lpp”))可以通过用激光束照射燃料(诸如具有所需要的线发射元素的材料的液滴、流或团簇)来产生。euv光源1000可以像euv光源400一样设计。如上所述，所得到的等离子体发射输出辐射，例如，euv辐射，该辐射使用光学元件482(或辐射收集器)收集。
辐射束b入射在被保持在支撑结构(例如，掩模台)mt上的图案化装置(例如，掩模)ma上，并且通过图案化装置被图案化。在被从图案化装置(例如，掩模)ma反射之后，辐射束b穿过投射系统ps，该投射系统ps将光束聚焦到衬底w的目标部分c上。借助于第二定位器pw和位置传感器ps2(例如，干涉仪、线性编码器或电容式传感器)，例如，可以精确地移动衬底台wt，以便将不同的目标部分c放置在辐射束b的路径中。类似地，第一定位器pm和另一位置传感器ps1可以用于相对于辐射束b的路径精确地定位图案化装置(例如，掩模)ma。图案化装置(例如，掩模)ma和衬底w可以使用图案化装置对准标记m1、m2和衬底对准标记p1、p2来对准。
所描绘的装置可以在以下模式中的至少一种下使用：
1.在步进模式下，支撑结构(例如，掩模台)mt和衬底台wt基本上保持静止，而赋予辐射束的整个图案被一次性投射到目标部分c上(即，单次静态曝光)。然后，衬底台wt在x和/或y方向上移动，使得可以暴露不同的目标部分c。
2.在扫描模式下，同步地扫描支撑结构(例如，掩模台)mt和衬底台wt，同时赋予辐射束的图案被投射到目标部分c上(即，单次动态曝光)。衬底台wt相对于支撑结构(例如，掩模台)mt的速度和方向可以通过投射系统ps的(缩小)放大率和图像反转特性来确定。
3.在另一模式下，支撑结构(例如，掩模台)mt保持基本静止，以保持可编程图案化装置，并且在赋予辐射束的图案被投射到目标部分c上的同时，衬底台wt被移动或扫描。在这种模式下，通常采用脉冲辐射源，并且在扫描期间在衬底台wt的每次移动之后或在连续辐射脉冲之间，根据需要更新可编程图案化装置。这种操作模式可以容易地应用于利用可编程图案化装置(诸如上述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻。
也可以采用上述使用模式或完全不同的使用模式的组合和/或变型。
图11更详细地示出了光刻装置1185的实现，包括euv光源1100、照射系统il和投射系统ps。euv光源1100如上在描述euv光源400时所述的那样被构造和布置。
系统il和ps同样被包含在它们自己的真空环境中。euv光源1100的中间焦点(if)被布置为使得其位于封闭结构中的孔口处或附近。虚拟源点if是发射辐射的等离子体(例如，euv光484)的图像。
辐射束从中间焦点if处的孔口穿过照射系统il，在该示例中，照射系统il包括多面型场反射镜设备1122和多面型瞳孔反射镜设备1124。这些设备形成了所谓的“蝇眼”照射器，其被布置成在图案化装置ma处提供辐射束1121的期望的角度分布，以及在图案化装置ma处提供期望的均匀性的辐射强度(如附图标记1160所示)。当光束1121在由支撑结构(掩模台)mt保持的图案化装置ma处反射时，形成图案化光束1126，并且图案化光束1126由投射系统ps经由反射元件1128、1130成像到由衬底台wt保持的衬底w上。为了曝光衬底w上的目标部分c，在衬底台wt和图案化装置台mt执行同步运动以通过照射缝隙来扫描图案化装置ma上的图案的同时，生成辐射脉冲。
每个系统il和ps布置在其自己的真空或接近真空的环境中，该环境由类似于euv室420的封闭结构限定。照射系统il和投射系统ps中通常可以存在比所示出的更多的元件。此外，可以存在比所示出的更多的反射镜。例如，除了图11中所示的反射元件，在照射系统il和/或投射系统ps中可以存在一到六个另外的反射元件。
再次参考图4，目标传递系统440可以包括液滴发生器，该液滴发生器布置在euv腔室420内并且被布置成向交互区域480发射液滴的高频流442。在操作中，与液滴发生器的操作同步地传递放大光束481，以传递辐射脉冲以将每个液滴(每个目标445)转变成发光等离子体460。液滴的传递频率可以是几千赫兹，例如50khz。
在一些实现中，以至少两个脉冲来传递来自放大光束481的能量：即，具有有限能量的预脉冲在液滴到达交互区域480之前被传递给液滴，以使燃料材料汽化成小云中，然后主能量脉冲在交互区域480处被传递到云中，以生成发光等离子体460。陷阱(例如，可以是容器)设置在euv室420的另一侧，以捕获燃料(即，目标445)，无论出于何种原因，该燃料都不会变成等离子体。
目标传递系统440中的液滴发生器包括容纳燃料液体(例如，熔融锡)的容器以及过滤器和喷嘴。喷嘴被配置为将燃料液体的液滴朝向交互区域480喷射。可以通过容器内的压力和由压电致动器(未示出)施加到喷嘴的振动的组合来从喷嘴喷射燃料液体的液滴。
在以下编号的条款中阐述了本发明的其他方面。
1.一种装置，包括：
容器；
目标传递系统，将目标指向所述容器中的交互区域，所述目标包括在处于等离子体状态时发射极紫外光的目标物质；以及
量测装置，包括：
测量系统，包括被配置为测量目标物质的通量的测量表面；
以及
再生工具，被配置为再生所述测量系统，其中再生包括：
防止所述测量表面变为饱和，和/或
如果所述测量表面已经变为饱和，则使所述测量表面去饱和。
2.根据条款1所述的装置，其中所述量测装置包括与所述测量系统和所述再生工具通信的控制装置，其中所述控制装置被配置为基于来自所述测量系统的输出来激活所述再生工具。
3.根据条款1所述的装置，其中：
所述测量表面被配置为与所述目标物质交互，其中所述目标物质与所述测量表面之间的所述交互产生测量信号；以及
所述测量系统还包括测量控制器，所述测量控制器被配置为接收所述测量信号并且跨所述测量表面计算所述目标物质的通量。
4.根据条款1所述的装置，其中所述量测装置包括晶体微量天平。
5.根据条款4所述的装置，其中所述晶体微量天平是石英晶体微量天平。
6.根据条款1所述的装置，其中所述容器限定腔体，并且所述容器腔体保持在低于大气压的压力下。
7.根据条款1所述的装置，其中所述交互区域接收放大光束，并且当所述目标与所述放大光束交互时，所述目标被转换成发射极紫外光的等离子体。
8.根据条款1所述的装置，还包括光学元件，所述光学元件包括在所述容器内的光学元件表面，其中所述量测装置相对于所述光学元件表面定位。
9.根据条款8所述的装置，其中所述光学元件是光收集器，在所述光收集器中，所述光学元件表面在所述目标被转换成所述等离子体时与发射的至少一些极紫外光交互。
10.根据条款1所述的装置，其中所述再生工具被配置为：在不从所述容器去除所述量测装置的情况下，再生所述测量系统。
11.根据条款1所述的装置，其中所述再生工具包括清洁工具，所述清洁工具被定位为与所述测量系统交互，并且被配置为：在所述测量控制器的指示下，去除已经沉积在所述测量表面上的目标物质。
12.根据条款11所述的装置，其中所述清洁工具包括自由基产生单元，所述自由基产生单元被配置为在所述测量表面附近产生自由基，其中所述自由基与所沉积的目标物质发生化学反应以形成从所述测量表面释放的新的化学物质。
13.根据条款12所述的装置，其中所述自由基产生单元包括邻近所述测量表面的丝线和向所述丝线提供电流的电源。
14.根据条款13所述的装置，其中所述丝线的形状与所述测量表面的形状相匹配。
15.根据条款12所述的装置，其中所述自由基产生单元包括在所述测量表面附近生成处于等离子体状态的等离子体材料的等离子体发生器，所述等离子体材料包括所述自由基。
16.根据条款12所述的装置，其中所述自由基是从所述容器内的天然氢分子产生的氢的自由基。
17.根据条款16所述的装置，其中所述测量表面上的所述目标物质包括锡，使得从所述测量表面释放的所述化学物质包括氢化锡。
18.根据条款12所述的装置，还包括去除装置，所述去除装置被配置为从所述容器中去除所释放的新的化学物质。
19.根据条款18所述的装置，其中所述去除装置包括与所述容器的内部流体连通的气体端口，其中所释放的新的化学物质通过所述气体端口从所述容器的内部被传递。
20.根据条款1所述的装置，其中所述再生工具被配置为：在所述容器中存在氢并且没有需要氧气的反应的情况下，从所述测量表面去除所述目标物质。
21.一种方法，包括：
在容器的腔体内提供目标，其中所述目标包括在被转换成等离子体时发射极紫外光的物质；
在所述容器腔体内的测量表面上测量所述目标物质的通量；以及
再生所述测量表面，其中再生包括以下至少之一：
防止所述测量表面变为饱和，和/或
如果所述测量表面已经变为饱和，则使所述测量表面去饱和。
22.根据条款21所述的方法，还包括基于在所述测量表面上所测量的所述目标物质的通量来激活所述测量表面的再生。
23.根据条款21所述的方法，其中测量所述目标物质的通量包括使所述目标物质与所述测量表面交互使得所述目标物质沉积在所述测量表面上。
24.根据条款21所述的方法，其中在所述容器腔体内提供所述目标包括将多个目标指向所述真空容器中的交互区域，所述交互区域还接收放大光束使得所述目标与所述放大光束之间的在所述交互区域中的交互将所述目标转换成发射极紫外线的等离子体。
25.根据条款21所述的方法，其中再生所述测量表面包括：在不从所述容器去除所述测量表面的情况下，从所述测量表面去除沉积的目标物质。
26.根据条款25所述的方法，其中从所述测量表面去除所述沉积的目标物质包括在所述测量表面附近产生元素的自由基，所述产生的自由基与所述沉积的目标物质发生化学反应以形成新的化学物质，所述新的化学物质从测量表面被释放。
27.根据条款26所述的方法，其中所述沉积的目标物质包括锡，所述元素是氢，所述自由基是氢自由基，并且所述新的化学物质是氢化锡。
28.根据条款26所述的方法，其中邻近所述测量表面的所述元素是所述容器腔体固有的。
29.根据条款26所述的方法，其中去除所述沉积的目标物质包括在没有氧气的情况下去除所述沉积的目标物质。
30.根据条款26所述的方法，还包括从所述容器腔体去除所述释放的新的化学物质。
31.根据条款25所述的方法，其中测量所述目标物质的通量包括在未从所述测量表面去除所述沉积的目标物质的时间测量所述目标物质的通量。
32.根据条款25所述的方法，其中从所述测量表面去除所述沉积的目标物质，从而防止所述测量表面达到所述测量表面的饱和极限。
33.根据条款21所述的方法，还包括将由所述容器限定的腔体保持处于低于大气压的压力。
34.根据条款21所述的方法，还包括基于所述测量的通量来估计在所述目标物质被转换成等离子体时发射的极紫外光的量。
35.根据条款21所述的方法，还包括基于所述测量的通量来估计沉积在所述容器腔体内的表面上的目标物质的量。
36.一种极紫外光源，包括：
光源，被配置为产生放大光束；
限定腔体的容器，所述容器被配置为在所述腔体中的交互区域处接收所述放大光束，并且所述腔体被配置为保持处于我低于大气压的压力；
目标传递系统，被配置为产生沿着目标路径朝向所述交互区域行进的目标，所述目标包括在等离子体状态下发射极紫外光的目标物质；以及
量测装置，包括：
测量系统，包括被配置为测量目标物质的通量的测量表面；以及
再生工具，被配置为再生所述测量系统，其中再生包括：
防止所述测量表面变为饱和；和/或
如果所述测量表面变为饱和，则使所述测量表面去饱和。
37.根据条款36所述的极紫外光源，其中所述测量表面被配置为与目标物质交互，其中所述目标物质与所述测量表面之间的交互产生测量信号；并且所述测量系统还包括测量控制器，所述测量控制器接收所述测量信号并且跨所述测量表面计算目标物质的通量。
38.根据条款37所述的极紫外光源，其中所述再生工具包括被定位为与所述测量系统交互的清洁工具，其中所述清洁工具被配置为通过去除已经沉积在所述测量表面上的目标物质来再生所述测量系统。
39.根据条款36所述的极紫外光源，还包括光收集器，所述光收集器收集至少一些所述发射的极紫外光以供外部光刻装置使用。
40.一种用于在极紫外光源中使用的量测系统，所述量测系统包括：
量测装置，被配置为跨容器内的测量表面测量目标物质的通量，所述量测装置包括：
测量系统，包括被配置为与所述目标物质交互的所述测量表面，其中所述目标物质与所述测量表面之间的交互产生测量信号；以及
测量控制器，被配置为接收所述测量信号并且基于所述接收的测量信号来跨所述测量表面计算所述目标物质的通量；以及
再生工具，耦合到所述量测装置并且被配置为再生所述测量系统，
其中再生包括：
防止所述测量表面变为饱和；和/或
如果所述测量表面已经变为饱和，则使所述测量表面去饱和，
其中所述再生工具包括清洁工具，所述清洁工具被定位为与所述测量表面交互并且根据来自所述测量控制器的指令来去除已经沉积在所述测量表面上的目标物质。
41.一种装置，包括：
容器；
用于向所述容器中的交互区域传递目标的部件置，所述目标包括在处于等离子体状态时发射极紫外光的目标物质；
量测装置，包括：
用于跨所述容器内的测量表面测量目标物质的通量的部件；以及
用于再生所述测量表面的部件，其中所述用于再生的部件包括：
用于防止所述测量表面变为饱和的部件；和/或
用于在所述测量表面已经变为饱和的情况下将所述测量表面去饱和的部件。
其他实现在所附权利要求的范围内。
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