半导体结温计算方法、装置、计算机设备和存储介质与流程

本申请涉及电气参数测量技术领域，特别是涉及一种半导体结温计算方法、装置、计算机设备和存储介质。

背景技术：

半导体器件是导电性介于良导电体与绝缘体之间，利用半导体材料特殊的电特性来完成特定功能的电子器件。例如：用来产生、控制、接收、变换、放大信号以及进行能量转换等。半导体结温是半导体器件的实际工作温度。功率半导体器件是大功率电子部件和系统中的关键器件，其工作时的半导体结温直接影响半导体器件和所在系统的可靠性和稳定性。

目前的传统技术，半导体的结温计算需要实时采集其工作时的电压、电流以及功率等电气参数，通过电压、电流以及功率等电气参数最终转化为半导体结温。但是目前的传统技术实现架构复杂，并且不能够预先估计实际工作时的半导体结温状况。

技术实现要素：

基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种架构简单并且能够预测实际工作时结温的半导体结温计算方法、装置、计算机设备和存储介质。

一种半导体结温计算方法，所述方法包括：获取传递给半导体部件的控制指令；将所述控制指令输入功率损耗模型，得到损耗数据；将所述损耗数据输入结温模型，得到半导体结温。

在其中一个实施例中，所述获取传递给半导体部件的控制指令之前包括：获取所有控制指令所对应的功率损耗；根据所有控制指令以及所有控制指令相对应的功率损耗，得到功率损耗模型。

在其中一个实施例中，所述获取传递给半导体部件的控制指令之前包括：对多个功率半导体器件分别获取所有控制指令所对应每一个功率半导体的功率损耗；将每一项控制指令所对应的多个功率半导体的功率损耗取平均值，得到平均功率损耗；根据每一项控制指令以及每一项控制指令相对应的平均功率损耗，得到功率损耗模型。

在其中一个实施例中，所述获取所有控制指令所对应的功率损耗包括：获取传递给半导体部件的控制指令；获取每一项控制指令下半导体部件实际的输入输出电气参数；根据所述实际输入输出电气参数计算相对应控制指令下的功率损耗。

在其中一个实施例中，所述将所述控制指令输入功率损耗模型，得到损耗数据包括：获取多种环境参数下的功率损耗模型；获取当前控制指令下的环境参数；根据当前控制指令下的环境参数查找相对应环境参数下的功率损耗模型；将所述控制指令输入功率损耗模型，得到损耗数据。

在其中一个实施例中，所述获取传递给半导体部件的控制指令之前包括：构建半导体等效电路；对所述半导体等效电路进行测试，得到半导体热模型；将所述半导体热模型转化为功率损耗至结温的结温模型。

在其中一个实施例中，所述将所述损耗数据输入结温模型，得到半导体结温包括：将所述损耗数据输入结温模型，得到半导体结升温；将所述半导体结升温与半导体热模型的参考温度求和，得到半导体结温。

一种半导体结温计算装置，所述装置包括：控制指令获取模块，用于获取传递给半导体部件的控制指令；损耗数据计算模块，用于将所述控制指令输入功率损耗模型，得到损耗数据；半导体结温计算模块，用于将所述损耗数据输入结温模型，得到半导体结温。

一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述任一种所述方法的步骤。

一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述任一种所述的方法的步骤。

上述半导体结温计算方法，首先获取传递给半导体部件的控制指令，将获取到的控制指令输入功率损耗模型，得到损耗数据；在将所述损耗数据输入结温模型，得到半导体结温。避免了工作时电压、电流等电气参数的采集，简化了硬件实现架构和计算方法，并且能够根据控制指令预测实际工作时的结温状况，对异常工况进行预警，降低半导体部件和系统的故障率。

附图说明

图1为一个实施例中半导体结温计算方法的流程示意图；

图2为一个实施例中建立功率损耗模型的方法流程示意图；

图3为另一个实施例中建立功率损耗模型的方法流程示意图；

图4为一个实施例中建立结温模型的方法流程示意图；

图5为一个实施例中等效电路的电路示意图；

图6为一个实施例中半导体结温计算装置的结构框图；

图7为一个实施例中计算机设备的内部结构图。

附图标记：控制指令获取模块100、损耗数据计算模块200、半导体结温计算模块300。

具体实施方式

为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。

功率半导体器件是大功率电子部件和系统的关键器件，当功率半导体器件工作时，其结温会直接影响到功率半导体器件以及功率半导体器件所在系统的可靠性和稳定性。传统的半导体结温计算方法需要实时采集其工作时的电压以及电流等电气参数，实现架构较为复杂。本实施例中将上位机传递给功率半导体器件所在部件的控制指令引入到半导体结温的计算中，能够简化硬件实现的架构以及计算方法，并且能在功率半导体器件实际工作前预先估计在实际工作时的结温状况，对异常工况进行预警，降低功率半导体器件以及功率半导体器件所在系统的故障率。

在一个实施例中，如图1所示，提供了一种半导体结温计算方法，包括以下步骤：

步骤s102，获取传递给半导体部件的控制指令。

具体地，传统的结温计算必须得到半导体工作时的实际电流以及电压等电气参数，再通过计算得到结温，但在半导体没有损坏的前提下，半导体的工作时的损耗与上位机发送给半导体部件的控制指令之间存在一定的对应关系。因此，需要获取上位机传递给半导体部件的控制指令。其中，半导体部件可以是半导体本身，也可以是半导体所在的部件。本实施例不做具体限定。在半导体器件工作时，上位机会向半导体器件所在的部件发送控制指令。获取上位机传递给半导体部件的控制指令。其中，上位机为可以直接发出操控命令的计算机。控制指令为半导体部件总的输出电气参数指令或输出电气参数波形指令。更具体的，电气参数包括：电流、电压以及电功率等。

步骤s104，将控制指令输入功率损耗模型，得到损耗数据。

具体地，功率损耗模型可以为控制指令与半导体功率损耗之间的对应关系；功率损耗模型还可以为控制指令与半导体功率损耗之间的函数表达式。半导体部件的输出电气性能与半导体的损耗之间可能会受到其他参数的影响，例如环境温度以及负载特性等。因此为了提高半导体功率损耗的计算精度，需要获取不同环境参数下的功率损耗模型。其中，环境参数包括环境温度以及负载特性等。首先，获取多种环境参数下的功率损耗模型，也就是分别获取一种环境参数下的功率损耗模型和多种环境参数组合的功率损耗模型；一种环境参数下的功率损耗模型为获取不同环境温度下的功率损耗模型或不同负载特性下的功率损耗模型；多种环境参数组合的功率损耗模型为将不同环境温度与不同负载特性等进行组合，得到的所有组合情况的功率损耗模型。再获取当前每一项控制指令下的环境参数，其中可以获取一种或多种环境参数。根据当前控制指令下的环境参数查找相应环境参数下的功率损耗模型，也就是如果获取一个环境参数则查找一种环境参数下的功率损耗模型，如果获取多个环境参数则查找多种环境参数组合的功率损耗模型。将获取到的控制指令输入功率损耗模型，得到损耗数据。其中，损耗数据可以为损耗曲线，也可以为离散损耗数据。损耗曲线为半导体的功率损耗随时间变化的曲线。更具体的，当半导体部件的输出电气性能与半导体的损耗之间受到其他参数的影响小或不受影响时，也可以建立没有环境参数的功率损耗模型。在实际操作中，也可以不采集环境参数，直接将控制指令输入没有环境参数的功率损耗模型，得到损耗数据。

步骤s106，将损耗数据输入结温模型，得到半导体结温。

具体地，首先将计算得到的损耗数据输入结温模型，得到半导体结升温。再将半导体结升温与构建结温模型时的半导体热模型参考温度求和，得到半导体结温。

上述半导体结温计算方法首先获取传递给半导体部件的控制指令，将获取到的控制指令输入功率损耗模型，得到损耗数据；在将损耗数据输入结温模型，得到半导体结温。避免了工作时电压、电流等电气参数的采集，简化了硬件实现架构和计算方法，并且能够根据控制指令预测实际工作时的结温状况，对异常工况进行预警，降低半导体部件和系统的故障率。

在一个实施例中，如图2所示，提供了一种建立功率损耗模型的方法，包括以下步骤：

步骤s202，获取所有控制指令所对应的功率损耗。

具体地，在建立功率损耗模型时，需要采集当前系统环境的数据。在当前系统环境中运行当前系统，并在半导体器件工作时，上位机会向半导体器件所在的部件发送控制指令，获取上位机传递给半导体部件的所有控制指令。其中所有的控制指令可以为将输出电气参数依次增大得到所有控制指令。其中，上位机为可以直接发出操控命令的计算机。控制指令为半导体部件总的输出电气参数指令或输出电气参数波形指令。更具体的，电气参数包括：电流、电压以及电功率等。获取每一项控制指令下半导体部件实际的输入输出电气参数；也就是通过电气测量设备测量每一种控制指令下半导体部件的输入电压、输入电流以及输出功率等电气参数。再根据实际输入输出电气参数计算相对应控制指令下的功率损耗。更具体地，根据半导体部件的输入电压、输入电流以及输出功率等电气参数计算相应控制指令下的功率损耗，也就是将输入电压与输入电流相乘再减去输出功率得到功率损耗。

在其中一个实施例中，计算功率损耗的公式可以为：

ploss＝vin*iin-pout

其中，ploss为功率损耗；vin为输入电压；iin为输入电流；pout为输出功率。

步骤s204，根据所有控制指令以及所有控制指令相对应的功率损耗，得到功率损耗模型。

具体地，计算将输出电气参数依次增大得到的所有控制指令条件下的功率损耗。将控制指令与相应半导体器件功率损耗之间的对应关系进行保存。还可以将控制指令与相应半导体器件功率损耗用数学分析软件进行数据拟合，得到控制指令与半导体功率损耗之间的函数表达式进行保存。其中数学分析软件可以使用matlab等软件。也就是功率损耗模型可以为控制指令与半导体功率损耗之间的对应关系；功率损耗模型还可以为控制指令与半导体功率损耗之间的函数表达式。将功率损耗模型植入计算机，这样当上位机传递给半导体部件的控制指令确定，则可以根据控制指令进一步的确定半导体的功率损耗。

上述功率损耗模型为不考虑环境参数得到的功率损耗模型。当需要对环境参数进行考虑时，则首先在不同的环境参数下获取上位机传递给半导体部件的控制指令，再获取相应环境参数下所有控制指令实际的输入输出电气参数，最后根据实际输入输出电气参数计算相应控制指令在相应环境参数下的功率损耗。据所有环境参数、所有控制指令以及所有控制指令相对应的功率损耗，得到考虑环境参数的功率损耗模型。

上述建立功率损耗模型的方法，能够根据上位机对半导体部件的控制指令计算相应控制指令的功率损耗，再根据所有控制指令以及所有控制指令对应的功率损耗计算得到功率损耗模型。通过对控制指令及其功率损耗的获取，能够准确的确定控制指令所对应的功率损耗，进一步的能够使结温的确定更加的精确。

在一个实施例中，如图3所示，提供了另一种建立功率损耗模型的方法，包括以下步骤：

步骤s302，对多个功率半导体器件分别获取所有控制指令所对应每一个功率半导体的功率损耗。

具体地，为了提高原始数据的精确度，在建立功率损耗模型时，可以对多个半导体部件进行数据获取。在当前系统环境中运行当前系统，并在半导体器件工作时，上位机会向多个半导体器件所在的部件发送的控制指令，分别获取上位机传递给多个半导体部件的所有控制指令。其中每一个半导体所有的控制指令可以为将输出电气参数依次增大得到所有控制指令。其中，上位机为可以直接发出操控命令的计算机。控制指令为半导体部件总的输出电气参数指令或输出电气参数波形指令。更具体的，电气参数包括：电流、电压以及电功率等。获取每一个半导体所有控制指令下实际的输入输出电气参数；也就是通过电气测量设备测量每一个半导体器件每一种控制指令下半导体部件的输入电压、输入电流以及输出功率等电气参数。再根据实际输入输出电气参数计算相应控制指令下相应半导体器件的功率损耗。更具体地，根据半导体部件的输入电压、输入电流以及输出功率等电气参数计算相应控制指令下的功率损耗，也就是将输入电压与输入电流相乘再减去输出功率得到功率损耗。

在其中一个实施例中，计算功率损耗的公式可以为：

ploss＝vin*iin-pout

其中，ploss为功率损耗；vin为输入电压；iin为输入电流；pout为输出功率。

步骤s304，将每一项控制指令所对应的多个功率半导体的功率损耗取平均值，得到平均功率损耗。

步骤s306，根据每一项控制指令以及每一项控制指令相对应的平均功率损耗，得到功率损耗模型。

具体地，计算将输出电气参数依次增大得到的所有控制指令条件下的平均功率损耗。平均功率损耗为每一项控制指令相对应的平均功率损耗。将控制指令与相应半导体器件平均功率损耗之间的对应关系进行保存。还可以将控制指令与相应半导体器件平均功率损耗用数学分析软件进行数据拟合，得到控制指令与半导体平均功率损耗之间的函数表达式进行保存。其中数学分析软件可以使用matlab等软件。也就是功率损耗模型可以为控制指令与半导体功率损耗之间的对应关系；功率损耗模型还可以为控制指令与半导体功率损耗之间的函数表达式。将功率损耗模型植入计算机，这样当上位机传递给半导体部件的控制指令确定，则可以根据控制指令进一步的确定半导体的功率损耗。

上述功率损耗模型为不考虑环境参数得到的功率损耗模型。当需要对环境参数进行考虑时，则首先在不同的环境参数下获取上位机传递给半导体部件的控制指令，再获取相应环境参数下所有控制指令实际的输入输出电气参数，最后根据实际输入输出电气参数计算相应控制指令在相应环境参数下的功率损耗。据所有环境参数、所有控制指令以及所有控制指令相对应的平均功率损耗，得到考虑环境参数的功率损耗模型。

上述建立功率损耗模型的方法，能够在单一半导体器件的基础上，获取多个半导体的功率损耗数据，增大了数据统计量，进一步的提高了通过控制指令得到功率损耗的精确度。

在实际应用时，可以是上位机发送控制指令给半导体部件，其中控制指令为功率指令，则需要在开发时获得半导体器件不同功率时的功率损耗，制成查找表。也可以是半导体的功率损耗还与环境参数有关，环境参数为温度，则可获取不同温度下的查找表，实际应用时根据检测到的环境温度查找对应温度的查找表，再根据控制指令查找相应功率损耗。

在一个实施例中，如图4所示，提供了一种建立结温模型的方法，包括以下步骤：

步骤s402，构建半导体等效电路。

具体地，为了计算半导体的热模型，需要建立半导体的等效电路。如图5所示，图5为一个实施例中等效电路的电路示意图。其中p(t)为半导体器件的热损耗，t为半导体结至温度参考平面的温升，zth为从半导体结到温度参考平面的热模型阻抗。热模型可等效为多阶的热阻rth和热容cth级联组成，级联的阶数根据半导体的散热方式和精度要求选取。

步骤s404，对半导体等效电路进行测试，得到半导体热模型。

具体地，通过对半导体等效电路进行测试，得到半导体的热模型。例如，当半导体是通过水冷散热时，可以将冷却水温度作为参考温度，建立半导体结到冷却水温度的等效电路，对等效电路进行测试，得到半导体热模型，最终得到半导体结的实际温度。

步骤s406，将半导体热模型转化为功率损耗至结温的结温模型。

具体地，首先将半导体热模型转化为功率损耗至结温的多阶滤波函数，再将该多阶滤波函数作为结温模型。在根据结温模型计算半导体结温时，首先将计算得到的损耗数据输入结温模型，得到半导体结升温。其中升温可以通过复频域实现，在其中一个实施例中，其拉氏变换为：

t(s)＝p(s)*zth(s)

其中，

再将半导体结升温与构建结温模型时的半导体热模型参考温度求和，得到半导体结温。也就是说，只需要获取半导体散热的热模型和功率损耗数据，即可通过计算得到半导体结的升温，在将半导体结升温加上热模型的参考平面温度，就能够得到半导体的结温。半导体的热模型可以现在下通过专门的试验得到。

上述建立结温模型的方法，半导体的功率损耗在半导体内部会形成热积累，造成半导体结温上升。在散热条件一定的情况下，可以通过测试得到半导体的热模型，通过转化将其转化为功率损耗至结温的多阶滤波函数，将其作为结温模型。能够根据热模型，精确的计算半导体的结温，使结温模型构建的更加完善。

应该理解的是，虽然图1-4的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，图1-4中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些子步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。

在一个实施例中，如图6所示，提供了一种半导体结温计算装置，包括：控制指令获取模块100、损耗数据计算模块200和半导体结温计算模块300，其中：

控制指令获取模块100，用于获取传递给半导体部件的控制指令。

损耗数据计算模块200，用于将控制指令输入功率损耗模型，得到损耗数据。

半导体结温计算模块300，用于将损耗数据输入结温模型，得到半导体结温。

半导体结温计算装置还包括：

损耗模型建立模块，用于获取所有控制指令所对应的功率损耗；根据所有控制指令以及所有控制指令相对应的功率损耗，得到功率损耗模型。

损耗模型建立模块，还用于对多个功率半导体器件分别获取所有控制指令所对应每一个功率半导体的功率损耗；将每一项控制指令所对应的多个功率半导体的功率损耗取平均值，得到平均功率损耗；根据每一项控制指令以及每一项控制指令相对应的平均功率损耗，得到功率损耗模型。

损耗模型建立模块还包括：控制指令获取单元、电气参数获取单元以及功率损耗计算单元。

控制指令获取单元，用于获取传递给半导体部件的控制指令。

电气参数获取单元，用于获取每一项控制指令下实际的输入输出电气参数。

功率损耗计算单元，用于根据实际输入输出电气参数计算相对应控制指令下的功率损耗。

损耗数据计算模块200还包括：功率损耗模型获取单元、环境参数获取单元、查找单元以及损耗数据计算单元。

功率损耗模型获取单元，用于获取多种环境参数下的功率损耗模型。

环境参数获取单元，用于获取当前控制指令下的环境参数。

查找单元，用于根据当前控制指令下的环境参数查找相对应环境参数下的功率损耗模型。

损耗数据计算单元，用于将控制指令输入功率损耗模型，得到损耗数据。

结温模型建立模块，用于构建半导体等效电路；对半导体等效电路进行测试，得到半导体热模型；将半导体热模型转化为功率损耗至结温的多阶滤波函数，并将其作为结温模型。

半导体结温计算模块300还包括：半导体结升温计算单元以及半导体结温计算单元。

半导体结升温计算单元，用于将损耗数据输入结温模型，得到半导体结升温。

半导体结温计算单元，用于将半导体结升温与半导体热模型的参考温度求和，得到半导体结温。

关于半导体结温计算装置的具体限定可以参见上文中对于半导体结温计算方法的限定，在此不再赘述。上述半导体结温计算装置中的各个模块可全部或部分通过软件、硬件及其组合来实现。上述各模块可以硬件形式内嵌于或独立于计算机设备中的处理器中，也可以以软件形式存储于计算机设备中的存储器中，以便于处理器调用执行以上各个模块对应的操作。

在一个实施例中，提供了一种计算机设备，该计算机设备可以是终端，其内部结构图可以如图7所示。该计算机设备包括通过系统总线连接的处理器、存储器、网络接口、显示屏和输入装置。其中，该计算机设备的处理器用于提供计算和控制能力。该计算机设备的存储器包括非易失性存储介质、内存储器。该非易失性存储介质存储有操作系统和计算机程序。该内存储器为非易失性存储介质中的操作系统和计算机程序的运行提供环境。该计算机设备的网络接口用于与外部的终端通过网络连接通信。该计算机程序被处理器执行时以实现一种半导体结温计算方法。该计算机设备的显示屏可以是液晶显示屏或者电子墨水显示屏，该计算机设备的输入装置可以是显示屏上覆盖的触摸层，也可以是计算机设备外壳上设置的按键、轨迹球或触控板，还可以是外接的键盘、触控板或鼠标等。

本领域技术人员可以理解，图7中示出的结构，仅仅是与本申请方案相关的部分结构的框图，并不构成对本申请方案所应用于其上的计算机设备的限定，具体的计算机设备可以包括比图中所示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者具有不同的部件布置。

在一个实施例中，提供了一种计算机设备，包括存储器和处理器，存储器中存储有计算机程序，该处理器执行计算机程序时实现以下步骤：

获取传递给半导体部件的控制指令。将控制指令输入功率损耗模型，得到损耗数据。将损耗数据输入结温模型，得到半导体结温。

在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：

获取所有控制指令所对应的功率损耗。根据所有控制指令以及所有控制指令相对应的功率损耗，得到功率损耗模型。

在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：

对多个功率半导体器件分别获取所有控制指令所对应每一个功率半导体的功率损耗。将每一项控制指令所对应的多个功率半导体的功率损耗取平均值，得到平均功率损耗。根据每一项控制指令以及每一项控制指令相对应的平均功率损耗，得到功率损耗模型。

在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：

构建半导体等效电路。对半导体等效电路进行测试，得到半导体热模型。将半导体热模型转化为功率损耗至结温的多阶滤波函数，并将其作为结温模型。

在一个实施例中，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：

获取传递给半导体部件的控制指令。将控制指令输入功率损耗模型，得到损耗数据。将损耗数据输入结温模型，得到半导体结温。

在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：

获取每一项控制指令所对应的功率损耗。根据所有控制指令以及所有控制指令相对应的功率损耗，得到功率损耗模型。

在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：

对多个功率半导体器件分别获取所有控制指令所对应每一个功率半导体的损耗。将每一项控制指令所对应的多个功率半导体的功率损耗取平均值，得到平均功率损耗。根据每一项控制指令以及每一项控制指令相对应的平均功率损耗，得到功率损耗模型。

在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：

构建半导体等效电路。对半导体等效电路进行测试，得到半导体热模型。将半导体热模型转化为功率损耗至结温的多阶滤波函数，并将其作为结温模型。

本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本申请所提供的各实施例中所使用的对存储器、存储、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和/或易失性存储器。非易失性存储器可包括只读存储器(rom)、可编程rom(prom)、电可编程rom(eprom)、电可擦除可编程rom(eeprom)或闪存。易失性存储器可包括随机存取存储器(ram)或者外部高速缓冲存储器。作为说明而非局限，ram以多种形式可得，诸如静态ram(sram)、动态ram(dram)、同步dram(sdram)、双数据率sdram(ddrsdram)、增强型sdram(esdram)、同步链路(synchlink)dram(sldram)、存储器总线(rambus)直接ram(rdram)、直接存储器总线动态ram(drdram)、以及存储器总线动态ram(rdram)等。

以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。