一种LED封装质量检测方法与流程

本发明涉及led封装技术领域，尤其涉及一种led封装质量检测方法。

背景技术：

led封装技术大都是在分立器件封装技术基础上发展与演变而来的，但却有很大的特殊性。一般情况下，分立器件的管芯被密封在封装体内，封装的作用主要是保护管芯和完成电气互连。而led封装则是完成输出电信号，保护管芯正常工作，输出：可见光的功能，既有电参数，又有光参数的设计及技术要求，无法简单地将分立器件的封装用于led。

现有技术中，led封装过程中产生的缺陷，不能及时被检测出，虽然使用初期并不影响其光电性能，但在以后的使用过程中会逐渐暴露出来并导致器件失效。

技术实现要素：

本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种led封装质量检测方法。

为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：

一种led封装质量检测方法，包括有以下步骤：

s1，搭建a和b闭环磁芯线圈，并接入l回路中；

s2，在线圈的两端并联上电容c，与线圈l组成lc谐振回路；

s3，以交变的光激励led芯片时，次级线圈交变磁场则在次级线圈中产生感生电动势力；

s4，若交变光频率与lc谐振回路频率相等时，lc回路发生共振；

s5，检测次级线圈两端感生电动势，检测支架回路光电流。

优选的，所述lc谐振回路中，线圈中磁芯起到增强磁感应强度b的作用，从而增加检测信号幅值，又线圈中磁芯的有效磁导率与相对磁导率间关系可表示为：式中，ue为磁芯的有效磁导率，ur为磁芯的相对磁导率，le为磁芯的有效磁路长度，lg为非闭合气隙长度。

优选的，所述s1中，感应led支架回路中回路电流产生的交变磁通，再将条形磁芯搭接在u型磁芯上，使感应磁路闭合，由于搭接方式不同，两种搭接方式的磁芯线圈处在支架回路所产生的交变磁场中时，其搭接处磁路也将不同。

优选的，所述s2中，led支架回路作为一级绕组，带磁芯线圈作为次级绕组。

优选的，所述s3中，支架回路中产生交变电流，交流载流回路会在周围空间产生交变磁场。

优选的，所述s4中，次级线圈两端感生电动势最大。

优选的，所述s5中，实现对封装工艺中芯片功能状况及焊接质量的检测。

与现有技术相比，本发明提出了一种led封装质量检测方法，具有以下有益效果：

本发明，该方法对led支架回路电流具有较高的检测精度，通过检测支架回路电流激起的磁场在线圈两端感生出电动势的大小，并与焊接质量合格的led的检测信号进行比较，实现对封装过程中存在封装缺陷的led进行检测。

本发明，该方法搭建简单，不需要太多的设备，过程容易实现，检测成本低，对检测人员技术要求不高，达到对led芯片在压焊工序中、后的功能状态及封装缺陷检测的目的，从而降低led生产成本、提高产品质量、避免使用存在缺陷的led造成重大损失。

本发明，将线圈中磁芯搭接成环形后构成闭合磁回路，磁感应强度得到有效增强，磁损耗较小，受到空间电磁场的干扰相对也较小，所以检测信号信噪比得到显著改善。

附图说明

图1为本发明提出的一种led封装质量检测方法的整体的l回路示意图；

图2为本发明提出的一种led封装质量检测方法的a闭环磁芯线圈搭建的示意图；

图3为本发明提出的一种led封装质量检测方法的b闭环磁芯线圈搭建的示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

请参照图1-3，一种led封装质量检测方法，包括有以下步骤：

s1，搭建a和b闭环磁芯线圈，并接入l回路中；

s2，在线圈的两端并联上电容c，与线圈l组成lc谐振回路；

s3，以交变的光激励led芯片时，次级线圈交变磁场则在次级线圈中产生感生电动势力；

s4，若交变光频率与lc谐振回路频率相等时，lc回路发生共振；

s5，检测次级线圈两端感生电动势，检测支架回路光电流。

所述lc谐振回路中，线圈中磁芯起到增强磁感应强度b的作用，从而增加检测信号幅值，又线圈中磁芯的有效磁导率与相对磁导率间关系可表示为：式中，ue为磁芯的有效磁导率，ur为磁芯的相对磁导率，le为磁芯的有效磁路长度，lg为非闭合气隙长度。

所述s1中，感应led支架回路中回路电流产生的交变磁通，再将条形磁芯搭接在u型磁芯上，使感应磁路闭合，由于搭接方式不同，两种搭接方式的磁芯线圈处在支架回路所产生的交变磁场中时，其搭接处磁路也将不同。

所述s2中，led支架回路作为一级绕组，带磁芯线圈作为次级绕组。

所述s3中，支架回路中产生交变电流，交流载流回路会在周围空间产生交变磁场。

所述s4中，次级线圈两端感生电动势最大。

所述s5中，实现对封装工艺中芯片功能状况及焊接质量的检测。

使用时，检测时将带磁芯线圈中磁芯的一端插入闭合回路l中，led支架回路作为一级绕组，带磁芯线圈作为次级绕组，并在线圈的两端并联上电容c，与线圈l组成lc谐振回路，以交变的光激励led芯片时，支架回路中产生交变电流，交流载流回路会在周围空间产生交变磁场，次级线圈交变磁场则在次级线圈中产生感生电动势，若交变光频率与lc谐振回路频率相等时，lc回路发生共振，此时次级线圈两端感生电动势最大，因此，可以通过检测次级线圈两端感生电动势间接达到检测支架回路光电流的目的，实现对封装工艺中芯片功能状况及焊接质量的检测。

尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。