用于激光雷达的单光子TOF图像传感器的制作方法

本发明涉及单光子tof图像传感器领域，尤其涉及一种用于激光雷达的单光子tof图像传感器。

背景技术：

低成本三维图像传感器近年来在自动驾驶等领域有着良好的应用前景。基于单光子雪崩二极管的三维图像传感器具有很多优点，例如较高的灵敏度可以检测较弱光；其时间分辨率很低，通常在几十到几百皮秒之问；单光子雪崩二极管经过淬灭-恢复之后，输出的信号为数字信号，便于后续的系统电路设计以及信号处理。传统的基于iii-v族单光子雪崩二极管工作电压高通常为几十伏特，并且难于与后续电路单片集成，基于cmos的单光子图像传感器则成本较低，且易于小型化集成。

目前的tof传感器主要基于两种原理，基于传统光电二极管的间接飞行时间测量，以及基于单光子探测器的直接飞行时间测量。前者利用间接计算相位延时的方法获得距离信息，该种方式对成像系统要求较低但是计算较为复杂且探测距离较短。现有的单光子tof图像传感器存在的问题是单光子雪崩二极管暗噪声降低了图像传感器的动态范围，且较长的死时间限制了器件的光子计数速率。

技术实现要素：

(一)要解决的技术问题

本发明的目的在于提供一种用于激光雷达的单光子tof图像传感器，以至少部分解决上述技术问题。

(二)技术方案

根据本发明的一方面，提供一种单光子tof传感器，包括：

单光子tof图像传感器探测元件，用于检测入射光子并发生雪崩，产生雪崩电流；

主动淬灭-恢复电路，用于淬灭所述单光子tof图像传感器探测元件的雪崩状态，并将其恢复到盖格模式，同时产生一个数字信号作为stop信号；

时间数字转换器，用于计算接收到作为start信号的光脉冲与接收到所述stop信号的时间差；

数字信号读出电路，用于将所述时间差数据读出；

其中，所述光脉冲发射至所述时间数字转换器的时刻与所述光子入射至所述单光子tof图像传感器探测元件的时刻相同。

在进一步的实施方案中，所述单光子tof图像传感器探测元件为工作在盖格模式的单光子雪崩二极管，且所述单光子雪崩二极管为p+/n-well结构。

在进一步的实施方案中，所述单光子雪崩二极管包括p阱，位于所述单光子雪崩二极管的有源区边缘。

在进一步的实施方案中，所述单光子雪崩二极管还包括多晶硅保护环，位于所述p阱的上表面。

在进一步的实施方案中，所述主动淬灭-恢复电路是采用带有反馈回路的延时可调的淬灭-恢复电路。

在进一步的实施方案中，所述主动淬灭-恢复电路包括：两个反相器、延时链和主动淬灭使能信号电路，其中，三者依次串联形成所述反馈回路。

在进一步的实施方案中，所述的单光子tof图像传感器还包括锁相环，与所述时间数字转换器相连，用于提供8相时钟。

在进一步的实施方案中，所述时间数字转换器基于所述锁相环8相时钟计数。

在进一步的实施方案中，所述时间数字转换器包括：

start相位插值器与stop相位插值器，用于分别记录start信号与stop信号的相对于锁相环8相时钟的相位；

两个基于d触发器的计数器，用来对start信号与stop信号进行计数；

以及译码器，用于得到start信号与stop信号的时间差。

在进一步的实施方案中，所述数字信号读出电路将所述时间差数据并行读出至片外。

(三)有益效果

从上述技术方案可以看出，本发明的单光子tof图像传感器至少具有以下有益效果：

(1)在本发明中，保护环结构优化的单光子雪崩二极管采用多晶硅保护环隔离器件置于有源区边缘的p阱的上表面，可有效降低暗噪声有源区与sti之间；

(2)本发明采用的主动淬灭电路，当单光子tof图像传感器探测元件在雪崩状态下被触发时其阳极电流升高使得反馈回路打开加速放电，从而可有效降低死时间；

(3)本发明的单光子tof图像传感器易于集成，面积小，可实现大规模的阵列式单光子图像传感器。

附图说明

图1为本发明的单光子tof图像传感器的结构示意图；

图2为本发明的单光子雪崩二极管像素结构示意图；

图3为本发明的单光子tof图像传感器的主动淬灭-恢复电路结构示意图；

图4为本发明的时间数字转换器电路结构示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明作进一步的详细说明。

本发明公开了一种用于激光雷达的单光子tof图像传感器，该图像传感器包括：

单光子tof图像传感器探测元件，用于检测入射光子并发生雪崩，产生雪崩电流；

主动淬灭-恢复电路，用于淬灭所述单光子tof图像传感器探测元件的雪崩状态，并将其恢复到盖格模式，同时产生一个数字信号作为stop信号；

时间数字转换器，用于计算接收到作为start信号的光脉冲与接收到所述stop信号的时间差；

数字信号读出电路，用于将所述时间差数据读出；

其中，所述光脉冲发射至所述时间数字转换器的时刻与所述光子入射至所述单光子tof图像传感器探测元件的时刻相同。

在本实施例中，所述单光子tof图像传感器探测元件为工作在盖格模式的单光子雪崩二极管。作为优选，所述单光子雪崩二极管是一种基于cmos工艺的单光子雪崩二极管，其有源区结构为p+/n-well，其边缘可包括一个p阱保护环来降低有源区边缘的场强，防止边缘过早击穿；还可包括一个多晶硅保护环，位于所述p阱的上表面，用于降低暗噪声。

作为优选，所述主动淬灭-恢复电路是带有反馈回路的延时可调的主动淬灭-恢复电路，当雪崩二极管被触发时其阳极电流升高使得反馈回路打开加速放电，从而降低死时间。所述主动淬灭-恢复电路包括：两个反相器、延时链和主动淬灭使能信号电路，其中，三者依次串联形成所述反馈回路。该反馈回路设计为延时可调，从而实现死时间可调。

在本实施例中，所述单光子tof图像传感器还包括锁相环，与所述时间数字转换器相连，用于提供8相时钟。

作为优选，所述时间转换器是基于锁相环8-相时钟输出计数的时间数字转换器，该时间转换器电路包括两个相位插值器电路、两个计数器和译码器。其中相位插值电路对start与stop的当前相位进行采样；两个计数器分别用一对相位相反的时钟进行计数，来避免d触发器的亚稳态引起的计数不准确。

在本实施例中，所述数字信号读出电路将所述时间差数据读出后，后续的数字信号处理可在片外处理，也可在集成在片上实现。作为优选，数字信号读出电路将时间数字转换器输出的飞行时间信号并行读出。

在一个具体的示例性实施例中，所述单光子tof图像传感器的工作流程为：工作在盖格模式的单光子雪崩二极管检测到入射光子并发生雪崩，产生一个巨大的雪崩电流；主动淬灭-恢复电路将单光子雪崩二极管从雪崩状态恢复到盖格模式，并产生一个表示光子到达时间相关的数字信号作为stop信号；时间数字转换器电路计算作为start信号的发射光脉冲与作为stop信号的单光子雪崩二极管感应反射光产生的脉冲之间的时间差，即飞行时间；数字信号读出电路将输出的数字信号读出到片外以进行后续的时间相关单光子计数算法实现。下面结合附图对本发明的技术方案进行进一步阐述说明。

如图1所示，图1为本发明提供的单光子tof图像传感器的结构示意图。所述单光子tof图像传感器包括：单光子tof图像传感器探测元件、主动淬灭-恢复电路、数字时间转换器、数字信号读出电路，以及锁相环。其中，单光子tof图像传感器探测元件、主动淬灭-恢复电路、数字时间转换器和数字信号读出电路依次连接，所述锁相环与所述数字时间转换器连接。所述单光子tof图像传感器探测元件将检测的入射光子雪崩，产生雪崩电流传入所述主动淬灭-恢复电路，波形相位发生变化输出数字信号作为stop信号，所述时间数字转换器基于所述锁相环对作为start信号的激光脉冲和所述stop信号进行级数并得到时间差，所述数字信号读出电路将所述时间差数据读出进行后续处理。

如图2所示，图2为本发明的单光子雪崩二极管像素结构示意图。单光子雪崩二极管是一种基于cmos工艺实现的单光子雪崩二极管，包括p+/n-well有源区，以及p-well保护环用来降低有源区边缘区场强，防止器件边缘过早击穿；多晶硅保护环以降低暗噪声。

如图3所示，图3为本发明的单光子tof图像传感器的主动淬灭-恢复电路结构示意图。所述主动淬灭-恢复电路是一种带有反馈回路的主动淬灭-恢复电路，其原理是当雪崩二极管被触发时其阳极电流升高使得反馈回路打开加速放电，从而降低死时间。该反馈回路设计为延时可调，从而实现死时间可调。

图4为本发明的时间数字转换器电路实现图。该时间数字转换器基于锁相环8相时钟计数，两个相位插值器分别记录start信号与stop信号的相对于锁相环8相时钟的相位，计数器用来计算start信号与stop信号之间的完整计数。本发明的设计中采用了基于一对相位相反的时钟分别计数的双计数器结构来避免计数器的亚稳态引起的计数错误。之后通过译码器得到start与stop的时间差。本发明的各个部件实施例可以以硬件实现，或者以在一个或者多个处理器上运行的软件模块实现，或者以它们的组合实现。本领域的技术人员应当理解，可以在实践中使用微处理器或者数字信号处理器(dsp)来实现根据本发明实施例的相关设备中的一些或者全部部件的一些或者全部功能。

需要说明的是，本发明中的计数是指时间计数。

此外，本领域的技术人员能够理解，尽管在此所述的一些实施例包括其它实施例中所包括的某些特征而不是其它特征，但是不同实施例的特征的组合意味着处于本发明的范围之内并且形成不同的实施例。例如，在权利要求书中，所要求保护的实施例的任意之一都可以以任意的组合方式来使用。

以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。