技术特征：
技术总结
本发明提供一种硅片中重金属的处理分析方法及处理装置，处理分析方法包括以下步骤：在结晶方位上对待处理硅片进行切割，得到包括检测区域的样品硅片；对样品硅片的表面进行清洗；将清洗后的样品硅片置于硝酸和氢氟酸的混合蒸汽中进行溶解，得到样品硅片处理液。本发明的处理分析方法中，在结晶方位上对待处理硅片进行切割，得到包括检测区域的样品硅片，对样品硅片的表面进行清洗，将清洗后的样品硅片置于硝酸和氢氟酸的混合蒸汽中进行溶解，得到样品硅片处理液，通过上述方法能够减少硅片的污染，便于后续硅片分析时提高检测结果的精确度，减少硝酸和氢氟酸的用量，不需要高纯度的硝酸和氢氟酸，降低成本，简化分析操作过程，效率高。
技术研发人员：宮尾秀一;张婉婉
受保护的技术使用者：西安奕斯伟硅片技术有限公司
技术研发日：2019.06.03
技术公布日：2019.08.30