1.一种石墨烯晶体管dna传感器，包括衬底和设置于所述衬底上的栅极、源极和漏极；所述源极和漏极之间设置有石墨烯沟道；所述栅极表面固定碳点，单链探针dna连接在碳点上，检测互补的dna。
2.根据权利要求1所述的石墨烯晶体管dna传感器，其特征在于，所述石墨烯沟道的宽度为0.25～0.35mm，石墨烯沟道的长度为5～8mm。
3.根据权利要求1或2所述的石墨烯晶体管dna传感器，其特征在于，所述石墨烯沟道为单层石墨烯。
4.根据权利要求1所述的石墨烯晶体管dna传感器，其特征在于，所述栅极、源极和漏极独立地包括铬层和金层，所述铬层位于衬底和金层之间。
5.根据权利要求4所述的石墨烯晶体管dna传感器，其特征在于，所述铬层的厚度为8～11nm，所述金层的厚度为40～70nm。
6.根据权利要求1所述的石墨烯晶体管dna传感器，其特征在于，所述栅极表面碳点的固定量为8～15μg/mm2。
7.权利要求1～6任意一项所述石墨烯晶体管dna传感器的制备方法，包括以下步骤：
(1)在衬底表面制备栅极、源极和漏极，使所述源极和漏极之间存在沟道；
(2)将石墨烯平铺在源极和漏极之间的沟道上，得到石墨烯晶体管；
(3)在所述步骤(2)得到的石墨烯晶体管的栅极表面固定碳点；
(4)在所述步骤(3)固定的碳点表面连接单链探针dna，得到石墨烯晶体管dna传感器。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中固定碳点的方法包括：在所述步骤(2)所得石墨烯晶体管中栅极的表面修饰羧基后进行活化处理；将碳点分散液涂覆在活化处理后的栅极表面。
9.权利要求1～6任意一项所述石墨烯晶体管离子传感器或权利要求7～8任意一项所述制备方法制备的石墨烯晶体管离子传感器在dna检测中的应用。