一种基于IGBT的饱和压降检测电路的制作方法

文档序号:19700589发布日期:2020-01-15 00:14阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种基于igbt的饱和压降检测电路,其特征在于,所述饱和压降检测电路位于电源和三相交流电机的线路上,所述饱和压降检测电路包括:第一igbt单元、第二igbt单元、第三igbt单元、第四igbt单元、第五igbt单元和第六igbt单元、饱和压降检测单元、门极驱动单元、电流检测单元和霍尔传感器,其中:

所述门极驱动单元连接着所述第一igbt单元的门极、以及第二igbt单元的门极、以及第三igbt单元的门极、以及第四igbt单元的门极、以及第五igbt单元的门极和第六igbt单元的门极;

所述第一igbt单元和第二igbt单元间形成第一路相电源接入至三相交流电机上,所述第三igbt单元和第四igbt单元间形成第二路相电源接入至三相交流电机上,所述第五igbt单元和第六igbt单元间形成第三路相电源接入至三相交流电机上;

所述霍尔传感器位于每一路相电源上,所述霍尔传感器与所述电流检测单元进行信号连接,所述电流检测单元与所述饱和压降检测单元进行信号连接;

所述饱和压降检测电路并联接入在每一个igbt单元的集电极和发射极上。

2.如权利要求1所述的基于igbt的饱和压降检测电路,其特征在于,

所述第一igbt单元的集电极连接着电源正极,所述第一igbt单元的发射极连接着第二igbt单元的集电极,所述第二igbt单元的发射极连接着电源的负极;

所述第三igbt单元的集电极连接着电源正极,所述第三igbt单元的发射极连接着第四igbt单元的集电极,所述第四igbt单元的发射极连接着电源的负极;

所述第五igbt单元的集电极连接着电源正极,所述第五igbt单元的发射极连接着第六igbt单元的集电极,所述第六igbt单元的发射极连接着电源的负极。

3.如权利要求1所述的基于igbt的饱和压降检测电路,其特征在于,每一个igbt单元的集电极和发射极上并联有一二极管。

4.如权利要求1所述的基于igbt的饱和压降检测电路,其特征在于,所述饱和压降检测单元包括电阻r、二极管d、稳压二极管zd和隔离型数模转换器,所述r、d和zd形成串联电路并联接入在每一个igbt单元的集电极和发射极上,所述隔离型数模转换器并联接入在所述d和zd所形成的线路上。

5.如权利要求4所述的基于igbt的饱和压降检测电路,其特征在于,所述隔离型数模转换器型号为ade7913。

6.如权利要求1所述的基于igbt的饱和压降检测电路,其特征在于,所述霍尔传感器为ss495a霍尔传感器或者为ss49e霍尔传感器。

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