1.氮化镓mosfet塑封应力检测结构，包括芯片、引线框架以及覆盖在芯片、引线框架上的塑封层，其特征在于：
所述芯片包括衬底、制作在衬底上的氮化镓mosfet结构层、制作在衬底底部的压阻、制作在衬底底面上的绝缘层、制作在绝缘层上的电极层，
所述压阻包括分别制作在衬底底部四个角上的第一压阻、第二压阻、第三压阻和第四压阻，所述第一压阻、第二压阻、第三压阻和第四压阻均为由五个压阻条依次连接，其中的第一压阻条呈纵向或者横向设置，第二压阻条相对于第一压阻条呈45°设置，第三压阻条相对于第二压阻条呈90°设置，第四压阻条相对于第三压阻条呈90°设置，第五压阻条相对于第四压阻条呈45°横向或者纵向设置，且第二压阻条与第四压阻条相对平行，第一压阻条与第五压阻条相互垂直；
所述绝缘层覆盖在衬底底面，绝缘层在与第一~四压阻的两端相交的区域开有绝缘层缺口；
所述电极层包括第一压阻引出电极、第二压阻引出电极、第三压阻引出电极、第四压阻引出电极和接地散热电极，
第一~四压阻的两端为压阻接触区，第一~四压阻的两端在对应的绝缘层缺口处与对应的压阻引出电极和接地散热电极相连，其中第一压阻的一端与第一压阻引出电极相连，所述第二压阻的一端与第二压阻引出电极相连，所述第三压阻的一端与第二压阻引出电极相连，所述第四压阻的一端与第四压阻引出电极相连，各个压阻的另一端与接地散热电极相连，
所述引线框架设在芯片的底部，所述引线框架包括框架接地散热电极、第一外引电极、第二外引电极、第三外引电极、第四外引电极和第一输出电极、第二输出电极、第三输出电极、第四输出电极，第一~四外引电极分别与对应的输出电极相连，
第一压阻引出电极、第二压阻引出电极、第三压阻引出电极、第四压阻引出电极分别与引线框架上的第一外引电极、第二外引电极、第三外引电极、第四外引电极通过导电银浆固化粘接，所述电极层的接地散热电极与引线框架上的框架接地散热电极通过导电银浆固化粘接。
2.根据权利要求1所述的氮化镓mosfet塑封应力检测结构，其特征在于，所述衬底的材料为单晶硅。
3.根据权利要求1所述的氮化镓mosfet塑封应力检测结构，其特征在于，所述压阻的材料为p型掺杂硅。
4.根据权利要求1所述的氮化镓mosfet塑封应力检测结构，其特征在于，所述压阻接触区的材料为p型重掺杂硅。
5.根据权利要求1所述的氮化镓mosfet塑封应力检测结构，其特征在于，所述绝缘层的材料为二氧化硅或者氮化硅。
6.根据权利要求1所述的氮化镓mosfet塑封应力检测结构，其特征在于，所述电极层的材料为金，所述引线框架的材料为铜或者铜合金。
7.根据权利要求1所述的氮化镓mosfet塑封应力检测结构，其特征在于，所述塑封层的材料为环氧树脂或者硅酮。