1.一种磁传感器，其特征在于，
具备：
第一和第二磁性体层，其经由第一磁隙而互相相对；
第一磁敏元件，其配置于由所述第一磁隙形成的磁路上；以及
补偿线圈，其抵消施加于所述第一磁敏元件的磁通。
2.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，
所述第一磁性体层配置于在俯视时与所述补偿线圈的内径区域重叠的位置，
所述第二磁性体层配置于在俯视时与所述补偿线圈的外侧区域重叠的位置。
3.根据权利要求2所述的磁传感器，其特征在于，
还具备将作为测量对象的外部磁通聚磁于所述第一磁性体层的外部磁性体层。
4.根据权利要求3所述的磁传感器，其特征在于，
还具备：
第三磁性体层，其经由第二磁隙而与所述第一磁性体层相对；以及
第二磁敏元件，其配置于由所述第二磁隙形成的磁路上，
所述补偿线圈抵消施加于所述第二磁敏元件的磁通，
所述第三磁性体层配置于在俯视时与所述补偿线圈的外侧区域重叠的位置。
5.根据权利要求4所述的磁传感器，其特征在于，
所述第一至第三磁性体层、所述第一和第二磁敏元件、以及所述补偿线圈均集成于传感器基板上。
6.根据权利要求5所述的磁传感器，其特征在于，
所述第一和第二磁敏元件在所述传感器基板上的层叠方向上，形成于所述补偿线圈与所述第一至第三磁性体层之间。
7.根据权利要求5所述的磁传感器，其特征在于，
所述第一至第三磁性体层在所述传感器基板上的层叠方向上，形成于所述补偿线圈与所述第一和第二磁敏元件之间。
8.根据权利要求5～7中的任一项所述的磁传感器，其特征在于，
所述补偿线圈遍及所述传感器基板上的多个配线层而卷绕。