微区下发光件的外量子效率检测系统及其检测方法与流程
本发明涉及发光件的检测技术领域，具体涉及一种微区下发光件的外量子效率检测系统及其检测方法。
背景技术：
外量子效率是用于表征发光器件的重要参数之一。
近年来，随着电子技术的不断发展，人们对于高性能平板显示的要求不断提高，对于更小的单像素尺寸以及更低的能耗，一直是发光器件行业的追求。现有的优化方式，通常从通过器件材料及加工工艺设计，或者通过微纳结构设计等层面提升发光器件的外量子效率。
而在提升发光器件的外量子效率的研究及研发初期阶段，为了考虑时间以及成本的因素，通常仅会制备单像素或者亚毫米尺度甚至更小尺寸的样品发光器件。随即面临的问题是，随着发光器件的发光面的减小，其光通量随之变小，常规外量子效率检测装置(一般是基于积分球体系)，则不能很好的对如此小尺寸的发光器件进行准确的外量子效率检测。
技术实现要素：
为克服现有技术所存在的缺陷，现提供一种微区下发光件的外量子效率检测系统及其检测方法，以解决传统的外量子效率检测装置检测单像素或亚毫米级别的微小尺寸的发光器件时准确性差的问题。
为实现上述目的，提供一种微区下发光件的外量子效率检测体系，包括：
接收光路，包括用于采集入射光线的第一显微物镜及用于测定所述入射光线的光强的第一检测装置，所述第一检测装置对准于所述第一显微物镜的后端；
用于获取所述接收光路对不同频率的入射光线的响应函数的标定设备，包括用于发射不同频率光线的光源、用于将所述不同频率光线汇聚于所述第一显微物镜的前端的焦平面上的聚光件、用于将汇聚于所述焦平面上的所述不同频率光线导入所述第一显微物镜的前端的传导件和用于测定汇聚于所述焦平面上的所述不同频率光线的光谱强度分布的第二检测装置，所述聚光件的第一端对准于所述光源，所述聚光件的第二端对准于所述焦平面，所述传导件设置于所述焦平面；以及
用于测定待测发光件的发光时的电流的第三检测装置。
进一步的，所述接收光路还包括耦合件，所述耦合件对准于所述第一显微物镜的后端，所述第一检测装置对准于所述耦合件。
进一步的，所述传导件为透光介质，所述聚光件为第二显微物镜，所述第二显微物镜的后端对准所述光源，所述第二显微物镜的前端与所述第一显微物镜的前端相对设置并且所述第二显微物镜的焦平面与所述第一显微物镜的焦平面重合。
进一步的，所述传导件为反射元件，所述聚光件为第三显微物镜，所述第三显微物镜的后端对准所述光源，所述第三显微物镜的前端与所述第一显微物镜的前端相对设置，所述第三显微物镜的焦平面、所述第一显微物镜的焦平面及所述反射元件的反射面同时相较于一直线。
进一步的，所述第三显微物镜的焦平面、所述第一显微物镜的焦平面及所述反射元件的反射面三者重合，所述第一显微物镜与所述第三显微物镜为同一显微物镜。
进一步的，所述反射元件为镜面反射元件或漫反射元件。
进一步的，所述第一检测装置为光电式光强检测装置。
进一步的，所述光电式光强检测装置为光谱仪、亮度计、功率计、ccd、cmos、pmt、单光子探测器中的任意一种。
本发明提供一种微区下发光件的外量子效率检测方法，包括以下步骤：
光源发射不同频率光线，将所述不同频率光线汇聚于第一显微物镜的前端的焦平面上；
测定汇聚于所述焦平面上的所述不同频率光线的光谱强度分布；
将传导件设置于所述焦平面上，所述传导件将所述不同频率光线导入所述第一显微物镜的前端，所述不同频率光线经由所述第一显微物镜的后端射出，测定射出的所述不同频率光线的光强；
计算获得所述接收光路对不同频率光线的响应函数；
于所述焦平面放置待测发光件并对所述待测发光件通电，使得所述待测发光件发光产生入射光线，所述入射光线射入所述第一显微物镜的前端并经由所述第一显微物镜的后端射出，测定射出的所述入射光线的光强；
计算获得所述待测发光件的发光光谱强度分布；
测定所述待测发光件的发光时的电流值；
获得所述待测发光件的外量子效率。
进一步的，所述获得所述待测发光件的外量子效率的步骤包括：
获取所述待测发光件的不同角度的发光光谱强度分布以及所述第一显微物镜的接收角度，获得所述待测发光件的真实发光光谱强度分布；
根据所述待测发光件的真实发光光谱强度分布和电流值，计算获得所述待测发光件的外量子效率。
本发明的有益效果在于，本发明的微区下发光件的外量子效率检测系统利用第一显微物镜采集微小尺寸发光器件的发光信号、提高光信号接收效率，利用第二检测装置对于第一显微物镜的焦平面的入射光线的光谱强度分布进行标定，再结合标定设备对接收光路对不同频率光的响应函数进行标定，以提高对微小发光器件的外量子效率的测量的高效性和准确性。
附图说明
图1为本发明实施例的微区下发光件的外量子效率检测系统的示意图。
图2为本发明实施例的微区下发光件的外量子效率检测方法的流程图。
图3为本发明第一实施例的微区下发光件的外量子效率检测系统的结构示意图。
图4为本发明第二实施例的微区下发光件的外量子效率检测系统的结构示意图。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
图1为本发明实施例的微区下发光件的外量子效率检测系统的示意图、图2为本发明实施例的微区下发光件的外量子效率检测方法的流程图、图3为本发明第一实施例的微区下发光件的外量子效率检测系统的结构示意图、图4为本发明第二实施例的微区下发光件的外量子效率检测系统的结构示意图。
参照图1至图4所示，本发明提供了一种微区下发光件的外量子效率检测系统，包括：接收光路1、标定设备2和第三检测装置3。
具体的，接收光路1包括第一显微物镜11和第一检测装置12。第一显微物镜11用于采集入射光线，在本实施例中，入射光线包括采集待测发光件的光线以及下文中提及的光源产生并经由聚光件、传导件导入的光线。
第一检测装置12用于测定射入第一显微物镜中的入射光线的光强i(λ)。第一显微物镜具有一前端和一后端，第一显微物镜的前端即常规观测微小物体时对准待观测体、载物台或盖玻片的的一端，第一显微物镜的后端即常规观测微小物体时背向待观测体、载物台或盖玻片的一端。第一检测装置12对准于第一显微物镜11的后端。
标定设备2用于获取接收光路1对不同频率的入射光线的响应函数h(λ)。
具体的，标定设备2包括光源21、聚光件22、传导件23和第二检测装置24。
光源21用于发射不同频率光线。聚光件22用于将光源21产生的不同频率光线汇聚于第一显微物镜11的前端的焦平面上。
传导件23用于将汇聚于第一显微物镜11的焦平面上的不同频率光线导入第一显微物镜11的前端。
第二检测装置24用于测定汇聚于第一显微物镜11的焦平面上的不同频率光线的光谱强度分布sc(λ)。
聚光件22的第一端对准于光源21，聚光件22的第二端对准于第一显微物镜11的焦平面。传导件23设置于焦平面，传导件23具有一已知绝对反射率或透射率r(λ)。
第三检测装置3用于测定待测发光件4的发光时的电流值a。
本发明的微区下发光件的外量子效率检测系统利用第一显微物镜采集微小尺寸发光器件的发光信号、提高光信号接收效率，利用第二检测装置对于第一显微物镜的焦平面的入射光线的光谱强度分布进行标定，再结合标定设备对接收光路对不同频率光的响应函数进行标定，以提高对微小发光器件的外量子效率的测量的高效性和准确性。
作为一种较佳的实施方式，接收光路1还包括耦合件13。耦合件为光纤耦合器。耦合件13的第一端对准于第一显微物镜11的后端，第一检测装置12对准于耦合件13的第二端。
传导件23为透光介质或反射元件。第一显微物镜为透射式显微物镜或反射式显微物镜。
具体的，参阅图4所示，传导件23为透光介质。第一显微物镜11为透射式显微物镜或反射式显微物镜。聚光件22为第二显微物镜。第二显微物镜与第二显微物镜同轴设置，其中，第二显微物镜的后端对准光源21，第二显微物镜的前端对准于第一显微物镜的前端，且第二显微物镜的焦平面与第一显微物镜的焦平面重合。第二显微物镜的后端对准于光源21。传导件23为透光介质，进一步的为宽谱高透明介质。继续参阅图4所示，传导件为如空气。
在标定第一显微物镜的焦平面位置的不同频率光的光谱强度分布时，光源产生入射光线，该入射光线经由第二显微物镜(入射光线从第二显微物镜的后端进入，并从第二显微物镜的前端射入)汇聚于第一显微物镜的焦平面处，第一检测装置测定汇聚于第一显微物镜的焦平面处的不同频率的光的光谱强度分布。
在获得接收光路对不同频率的光的响应函数时，光源产生入射光线，该入射光线经由第二显微物镜汇聚于第一显微物镜的焦平面处，并经由透射介质(空气)导入第一显微物镜的前端再从第一显微物镜的后端射出(入射光线从第一显微物镜的前端进入，并从第一显微物镜的后端射出)，第一检测装置测定第一显微物镜的后端射出的不同频率的光的光强。
在获得响应函数及第一显微物镜的焦平面位置的不同频率光的光谱强度分布后，于第一显微物镜的焦平面处放置待测发光件4，再将电源41和第三检测装置3分别连接于放置于焦平面上的待测发光件4，电源41对待测发光件4供电使其发光，第三检测装置检测3测定待测发光件4的发光时的电流值。待测发光件产生入射光线，经由第一显微物镜的后端射出(入射光线从第一显微物镜的前端进入，并从第一显微物镜的后端射出)，第一检测装置测定待测发光件产生的入射光线的光强。
在一些实施方式中，传导件23为反射元件，聚光件22为第三显微物镜，与图4的区别在于，第三显微物镜与第一显微物镜呈角度设置。第三显微物镜的前端与第一显微物镜的前端相对设置并同时对准于反射元件的反射面。第三显微物镜的后端对准所述光源。第三显微物镜的焦平面、第一显微物镜的焦平面及反射元件的反射面同时相较于一直线。
在获得接收光路对不同频率的光的响应函数时，光源产生入射光线，该入射光线经由第三显微物镜(自第三显微物镜的后端进入并第三显微物镜的前端射出)汇聚于第一显微物镜的焦平面处，并经由反射元件(铝镜)反射至第一显微物镜的前端再从第一显微物镜的后端射出，第一检测装置测定第一显微物镜的后端射出的不同频率的光的光强。
作为一种较佳的实施方式，参阅图3所示，传导件23为反射元件，第一显微物镜与反射元件的反射面垂直，反射元件的反射面与第一显微物镜的焦平面重合，此时，第一显微物镜11和聚光件22可以共用同一颗显微物镜。继续参阅图3所示反射元件为镜面反射元件或漫反射元件，在图3中，反射元件为铝镜。
在标定第一显微物镜的焦平面位置的不同频率光的光谱强度分布时，光源产生入射光线，该入射光线经由第一显微物镜(入射光线从第一显微物镜的后端进入，并从第二显微物镜的前端射入)汇聚于第一显微物镜的焦平面处，第一检测装置测定汇聚于第一显微物镜的焦平面处的不同频率的光的光谱强度分布。
在获得接收光路对不同频率的光的响应函数时，光源产生入射光线，该入射光线经由第一显微物镜汇聚于第一显微物镜的焦平面处，并经由反射元件反射再次从第一显微物镜的前端进入再从第一显微物镜的后端射出，第一检测装置测定第一显微物镜的后端射出的不同频率的光的光强。
在获得响应函数及第一显微物镜的焦平面位置的不同频率光的光谱强度分布后，于第一显微物镜的焦平面处放置待测发光件4，再将电源41和第三检测装置3分别连接于放置于焦平面上的待测发光件4，电源41对待测发光件4供电使其发光，第三检测装置检测3测定待测发光件4的发光时的电流值。待测发光件产生入射光线，经由第一显微物镜的前端射入并从第一显微物镜的后端射出，第一检测装置测定待测发光件产生的入射光线的光强。
在本实施例中，第一检测装置12为光谱仪、亮度计、功率计、ccd(电荷耦合器件)、cmos(complementarymetaloxidesemiconductor互补金属氧化物半导体)、pmt(光电倍增管，用于探测微弱发射源的弱光信号)、单光子探测器中的中的任意一种。
在本实施例中，光源为单色光光源或宽谱光光源。
作为一种较佳的实施方式，第二检测装置24为进行过绝对辐照度定标积分球或余弦矫正器为接收端的光谱检测系统。
在本实施例中，电源和第三检测装置为源表。
本发明提供一种微区下发光件的外量子效率检测系统的检测方法，其特征在于，包括以下步骤：
s1：光源21发射不同频率光线，聚光件22将分别将不同频率的光线汇聚于接收光路1的第一显微物镜11的前端的焦平面上。
s2：第二检测装置24分别测定汇聚于第一显微物镜11的焦平面上的不同频率光线的光谱强度分布sc(λ)，其中λ为波长。
s3：将传导件23设置于第一显微物镜11的焦平面上，传导件23的绝对反射率或透射率为r(λ)，传导件23将不同频率光线导入第一显微物镜11的前端，不同频率光线经由第一显微物镜11的后端射入接收光路1的耦合件13中并经由耦合件13耦合后射入接收光路1的第一检测装置12，第一检测装置12测定射入的不同频率光线的光强ic(λ)。
s4：根据公式ic(λ)＝sc(λ)×r(λ)×h(λ)，计算获得接收光路1对不同频率光线的响应函数h(λ)。
s5：于第一显微物镜11的焦平面放置待测发光件4并对待测发光件4通电，使得待测发光件4发光产生入射光线，入射光线射入第一显微物镜11的前端并经由第一显微物镜11的后端的耦合件13耦合后射入第一检测装置12，第一检测装置12测定射入的入射光线的光强ix(λ)。
s6：根据公式sx(λ)＝ix(λ)/h(λ)，计算获得待测发光件4的发光光谱强度分布sx(λ)。
s7：第三检测装置3测定待测发光件4的发光时的电流值a。
s8：基于待测发光件4的光谱强度分布sx(λ)和电流值，获得待测发光件4的外量子效率ηeqe。
具体的，步骤s8包括：
s81、根据待测发光件4的光谱强度分布sx(λ)，利用朗伯分布模型推算出待测发光件4的真实发光光谱强度分布sx0(λ)。
s82、根据推算出的待测发光件4的真实发光光谱强度分布sx0(λ)和测定的电流值a，计算获得待测发光件4的外量子效率ηeqe。
外量子效率计算公式：
此外，根据测得待测发光件的光谱强度分布sx0(λ)，还可以得到该发光件的发光效率、光通量、发光强度、辉度(亮度)、色坐标、色温、主波长、峰值波长、半峰宽等光学参数，同时得到ivl曲线。
为了更加清楚的说明本发明的微区下发光件的外量子效率检测系统和检测方法，特列举以下实施例加以进一步阐述和说明。
第一实施例
参照图1至图3所示，本发明实施例的微区下发光件的外量子效率检测系统包括：光源21，选用氙灯光源搭配单色仪，提供紫外到近红外覆盖250nm～1700nm的单色光；聚光件(即第三显微物镜，第三显微物镜与第一显微物镜为同一颗显微物镜)，用于接入光源的光线，并汇聚于第一显微物镜的焦平面上；传导件，使用已知绝对反射率r(λ)的铝镜；接收光路，包含第一显微物镜、耦合件13及第一检测装置12，第一显微物镜用于收集第一显微物镜的焦平面上的光信号，在本实施例中聚光件与第一显微物镜为共用的同一颗显微物镜；第一检测装置，选用单点的光探测器，用于对接收光路接收的光信号进行光谱、强度i(λ)检测；电源41，此实施例中为源表，用于对待测发光件提供电源，使其点亮；第三检测装置3，用于对待测发光件发光时的电流进行检测；本实施例中电源与第三检测装置为同一个装置即电源源表。
在本实施例中，本发明实施例的微区下发光件的外量子效率检测系统的检测方法步骤如下：
s1：标定设备2的光源21发射不同频率光线，不同频率光线从第一显微物镜(即第三显微物镜)的后端射入后再从第一显微物镜的前端将不同频率光线汇聚于接收光路1的第一显微物镜11的前端的焦平面上。
光源为氙灯光源搭配单色仪，输出单色光；光源1经过聚光件汇聚到第一显微物镜的焦平面上。
s2：标定设备2的第二检测装置24测定汇聚于第一显微物镜(即第一显微物镜)的焦平面上的不同频率光线的光谱强度分布sc(λ)。
对光源在第一显微物镜下汇聚的光信号，用进行过绝对辐照度定标的积分球为接收端的光谱检测系统进行收集以及检测。
单色仪通过转动光栅改变光源的输出波长，在不同波长下，可以将光源经过聚光件后在第一显微物镜的焦平面处的光谱强度分布sc(λ)。至此完成了对氙灯光源搭配单色仪输出不同频率的光在第一显微物镜的焦平面的光谱强度标定。
s3：将标定设备2的传导件23设置于第一显微物镜11的焦平面上，传导件23具有已知绝对反射率或透射率r(λ)，传导件为反射元件，反射元件的反射面与第一显微物镜的焦平面重合。反射元件将不同频率光线反射导入第一显微物镜11的前端，不同频率光线经由第一显微物镜11的后端射入接收光路1的耦合件13中并经由耦合件13耦合后射入接收光路1的第一检测装置12，第一检测装置12测定射入的不同频率光线的光强ic(λ)。
将绝对反射率为r(λ)的铝镜放置于第一显微物镜的焦平面，在图3所示的实施方式中，铝镜的反射面与第一显微物镜的焦平面重合设置。铝镜将光源输出的不同频率的单色光反射射入第一显微物镜的前端，不同频率的单色光经耦合件的耦合射入第一检测装置，第一检测装置测定该单色光的强度ic，光源通过单色仪进行输出波长扫描，可以获取不同频率光的强度ic(λ)。
s4：根据公式ic(λ)＝sc(λ)×r(λ)×h(λ)，计算获得接收光路1对不同频率光线的响应函数h(λ)。
根据ic(λ)＝sc(λ)×r(λ)×h(λ)，可计算获得接收光路对不同频率光线的响应函数h(λ)，完成了对接收光路的对不同频率光的响应函数的标定。
s5：于第一显微物镜11的焦平面放置待测发光件4并对待测发光件4通电，使得待测发光件4发光产生入射光线，入射光线射入第一显微物镜11的前端并经由第一显微物镜11的后端的耦合件13耦合后射入第一检测装置12，第一检测装置12测定射入的入射光线的光强ix(λ)。
在完成接收光路的对不同频率光的响应函数的标定后，将待测发光件放置于第一显微物镜的焦平面上，通过电源将待测发光件点亮，并通过接收光路对待测发光件发出的光信号进行接收，第一检测装置测定得到待测发光件的光强ix(λ)。该发光件能够被装置接收到的光信号为sx(λ)＝ix(λ)/h(λ)。
s6：根据公式sx(λ)＝ix(λ)/h(λ)，计算获得待测发光件4的发光光谱强度分布sx(λ)。
s7：第三检测装置3测定待测发光件4的发光时的电流值。
s8：基于待测发光件4的光谱强度分布sx(λ)和电流值，获得待测发光件4的外量子效率。
具体的，步骤s8包括：
s81、获取所述待测发光件的不同角度的发光光谱强度分布以及所述第一显微物镜的接收角度，计算获得所述待测发光件的真实发光光谱强度分布。
通过测量、或仿真、或直接采用理想的微小发光件的发光模型，获取待测发光件的不同角度的发光强度分布模型，以及根据第一显微物镜的接收角度，计算待测发光件的真实发光光谱强度分布。
较佳的，根据该发光件不同角度的发光的光谱强度分布模型以及第一显微物镜的接收角度，可以计算得到该发光器件的实际光谱强度分布sx0(λ)。
具体的，在本实施例中，根据待测发光件4的光谱强度分布sx(λ)，利用朗伯分布模型推算出待测发光件4的真实发光光谱强度分布sx0(λ)。
s82、根据推算出的待测发光件4的真实发光光谱强度分布sx0(λ)和测定的电流值，计算获得待测发光件4的外量子效率。
根据发光器件的发光光谱强度分布sx0(λ)及通过待测发光件的电流可以计算得到待测发光件的外量子效率。
此外，根据测得待测发光件的光谱强度分布sx0(λ)，还可以得到该发光器件的发光效率、光通量、发光强度、辉度(亮度)、色坐标、色温、主波长、峰值波长、半峰宽等光学参数，同时得到ivl曲线。
第二实施例
参照图1、图2和图4所示，本发明实施例的微区下发光件的外量子效率检测系统包括：
标定设备包括光源、聚光件、传导件和第二检测装置。光源21为白光led光源，提供紫外到可见覆盖380nm～700nm的宽谱光。聚光件为第二显微物镜，第二显微物镜的后端对准光源，第二显微物镜的前端对准第一显微物镜的前端，并且第一显微物镜和第二显微物镜的焦平面重合。第一显微物镜与第二显微物镜同轴设置。聚光件用于接入光源的光线，并汇聚于第一显微物镜的焦平面上。传导件为透射介质空气，空气对不同频率光的透过率t(λ)默认为1。
接收光路包含第一显微物镜、耦合件13及第一检测装置12，接收光路的第一显微物镜，采用独立光路(与第二显微物镜不共用一颗显微物镜)。第一显微物镜用于收集第一显微物镜的焦平面上的光信号。第一检测装置为成像光谱仪，用于对接收光路接收的光信号进行光谱、强度i(λ)检测；电源41，在本实施例中为源表，用于对待测发光件提供电源，使其点亮；第三检测装置3，用于对待测发光件发光时的电流进行检测；本实施例中电源与第三检测装置为同一个装置即源表。
在本实施例中，本发明实施例的微区下发光件的外量子效率检测系统的检测方法步骤如下：
s1：标定设备2的光源21发射不同频率光线，标定设备2的第二显微物镜将不同频率光线汇聚于接收光路1的第一显微物镜11的前端的焦平面上。
具体的，白光led光源通过光纤输出经过第二显微物镜汇聚到第一显微物镜的焦平面上。
s2：标定设备2的第二检测装置24测定汇聚于第一显微物镜11的焦平面上的不同频率光线的光谱强度分布sc(λ)。
对白光led光源在第一显微物镜下汇聚的光信号，用进行过绝对辐照度定标余弦矫正器为接收端的光谱检测系统进行收集以及检测。
此时，可以得到白光led光源经过聚光件后的光谱强度分布sc(λ)。此时，完成了对白光led光源所输出不同频率光在第一显微物镜下的光谱强度定标。
s3：传导件23为空气，所以，白光led光源输出的宽谱光在空气透射导入第一显微物镜11的前端，不同频率光线经由第一显微物镜11的后端射入接收光路1的耦合件13中并经由耦合件13耦合后射入接收光路1的第一检测装置12，第一检测装置12测定射入的宽谱光的光强ic(λ)。
s4：根据公式ic(λ)＝sc(λ)×t(λ)×h(λ)，计算获得接收光路1对不同频率光线的响应函数h(λ)。
根据ic(λ)＝sc(λ)×t(λ)×h(λ)，可计算获得接收光路对不同频率光线的响应函数h(λ)，完成了对接收光路的标定。
s5：于第一显微物镜11的焦平面放置待测发光件4并对待测发光件4通电，使得待测发光件4发光产生入射光线，入射光线射入第一显微物镜11的前端并经由第一显微物镜11的后端的耦合件13耦合后射入第一检测装置12，第一检测装置12测定射入的入射光线的光强ix(λ)。
将待测发光件放置于第一显微物镜的焦平面上，通过电源将待测发光件点亮，并通过接收光路对待测发光件发出的光信号进行接收，第一检测装置测定得到待测发光件的光强ix(λ)。该发光件能够被装置接收到的光信号为sx(λ)＝ix(λ)/h(λ)。
s6：根据公式sx(λ)＝ix(λ)/h(λ)，计算获得待测发光件4的发光光谱强度分布sx(λ)。
s7：第三检测装置3测定待测发光件4的发光时的电流值。
s8：基于待测发光件4的光谱强度分布sx(λ)和电流值，获得待测发光件4的外量子效率。
具体的，步骤s8包括：
s81、获取所述待测发光件的不同角度的发光光谱强度分布以及所述第一显微物镜的接收角度，计算获得所述待测发光件的真实发光光谱强度分布。
通过测量、或仿真、或直接采用理想的微小发光件的发光模型，获取待测发光件的不同角度的发光强度分布模型，以及根据第一显微物镜的接收角度，计算待测发光件的真实发光光谱强度分布。
较佳的，根据该发光件不同角度的发光的光谱强度分布模型以及第一显微物镜的接收角度，可以计算得到该发光器件的实际光谱强度分布sx0(λ)。
具体的，在本实施例中，根据待测发光件4的光谱强度分布sx(λ)，利用朗伯分布模型推算出待测发光件4的真实发光光谱强度分布sx0(λ)。
s82、根据推算出的待测发光件4的真实发光光谱强度分布sx0(λ)和测定的电流值，计算获得待测发光件4的外量子效率。
此外，根据测得待测发光件的光谱强度分布sx0(λ)，还可以得到该发光器件的发光效率、光通量、发光强度、辉度(亮度)、色坐标、色温、主波长、峰值波长、半峰宽等光学参数，同时得到ivl曲线。
需要说明的是，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本发明可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本发明所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本发明可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当亦视为本发明可实施的范畴。
以上结合附图实施例对本发明进行了详细说明，本领域中普通技术人员可根据上述说明对本发明做出种种变化例。因而，实施例中的某些细节不应构成对本发明的限定，本发明将以所附权利要求书界定的范围作为保护范围。
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