集成电路弹坑实验方法与流程

1.本技术是有关于一种方法，详细来说，是有关于一种集成电路弹坑实验方法。


背景技术：

2.传统上，在进行集成电路产品的弹坑分析实验时，反应溶液不均匀，集成电路产品在反应溶液中浸泡时，连接垫(pad)的反应程度不同，使得反应难以控制。并且，反应过程中反应溶液会产生气泡，导致集成电路产品随气泡翻滚，撞击杯壁，提高产品破损的风险。另外，目前的反应溶液会对芯片本身进行腐蚀，造成芯片损伤，导致对实验结果的误判。


技术实现要素：

3.有鉴于此，本技术提出一种集成电路弹坑实验方法来解决上述问题。
4.依据本技术的一实施例，提出一种集成电路弹坑实验方法。所述集成电路弹坑实验方法包括去除集成电路产品的塑封体以暴露所述集成电路产品的芯片表面；将所述集成电路产品浸泡于含碘熔液中以进行弹坑实验；清洗经过弹坑实验的所述集成电路产品并观察经过弹坑实验的所述集成电路产品。
5.依据本技术的一实施例，所述集成电路产品包括砷化镓衬底以及形成于所述砷化镓衬底之上的镍层和金垫层。
6.依据本技术的一实施例，将所述集成电路产品浸泡于所述含碘熔液中包括：配置碘与碘化钾混合溶液；以及将所述集成电路产品浸泡于所述碘与碘化钾混合溶液。
7.依据本技术的一实施例，配置所述碘与碘化钾混合溶液包括：将碘与碘化钾以1:4比例配置所述碘与碘化钾混合溶液。
8.依据本技术的一实施例，配置所述碘与碘化钾混合溶液包括：将碘与碘化钾以1:5比例配置所述碘与碘化钾混合溶液。
9.依据本技术的一实施例，配置所述碘与碘化钾混合溶液包括：将碘与碘化钾以1:4～1:5比例配置所述碘与碘化钾混合溶液。
10.依据本技术的一实施例，所述集成电路产品浸泡于所述碘与碘化钾混合溶液后的时长少于10分钟。
11.依据本技术的一实施例，所述集成电路产品浸泡于所述碘与碘化钾混合溶液后的时长为5分钟。
12.依据本技术的一实施例，所述集成电路产品浸泡于所述碘与碘化钾混合溶液直到所述金垫层被完全去除。
附图说明
13.附图是用来提供对本技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本技术，但并不构成对本技术的限制。在附图中：
14.图1演示依据本技术一实施例之集成电路弹坑实验方法的流程图。
15.图2演示依据本技术一实施例之集成电路产品的示意图。
16.图3演示依据本技术一实施例之步骤11的详细流程图。
17.图4演示依据本技术一实施例之步骤12的详细流程图。
18.图5演示在显微镜下观察采用集成电路弹坑实验方法得到的集成电路产品的示意图。
具体实施方式
19.以下揭示内容提供了多种实施方式或例示，其能用以实现本揭示内容的不同特征。下文所述之组件与配置的具体例子系用以简化本揭示内容。当可想见，这些叙述仅为例示，其本意并非用于限制本揭示内容。举例来说，在下文的描述中，将一第一特征形成于一第二特征上或之上，可能包括某些实施例其中所述的第一与第二特征彼此直接接触；且也可能包括某些实施例其中还有额外的组件形成于上述第一与第二特征之间，而使得第一与第二特征可能没有直接接触。此外，本揭示内容可能会在多个实施例中重复使用组件符号和/或标号。此种重复使用乃是基于简洁与清楚的目的，且其本身不代表所讨论的不同实施例和/或组态之间的关系。
20.再者，在此处使用空间上相对的词汇，譬如「之下」、「下方」、「低于」、「之上」、「上方」及与其相似者，可能是为了方便说明图中所绘示的一组件或特征相对于另一或多个组件或特征之间的关系。这些空间上相对的词汇其本意除了图中所绘示的方位之外，还涵盖了装置在使用或操作中所处的多种不同方位。可能将所述设备放置于其他方位(如，旋转90度或处于其他方位)，而这些空间上相对的描述词汇就应该做相应的解释。
21.虽然用以界定本技术较广范围的数值范围与参数皆是约略的数值，此处已尽可能精确地呈现具体实施例中的相关数值。然而，任何数值本质上不可避免地含有因个别测试方法所致的标准偏差。在此处，「约」通常系指实际数值在一特定数值或范围的正负10％、5％、1％或0.5％之内。或者是，「约」一词代表实际数值落在平均值的可接受标准误差之内，视本技术所属技术领域中具有通常知识者的考虑而定。当可理解，除了实验例之外，或除非另有明确的说明，此处所用的所有范围、数量、数值与百分比(例如用以描述材料用量、时间长短、温度、操作条件、数量比例及其他相似者)均经过「约」的修饰。因此，除非另有相反的说明，本说明书与附随权利要求书所揭示的数值参数皆为约略的数值，且可视需求而更动。至少应将这些数值参数理解为所指出的有效位数与套用一般进位法所得到的数值。在此处，将数值范围表示成由一端点至另一端点或介于二端点之间；除非另有说明，此处所述的数值范围皆包括端点。
22.图1演示依据本技术一实施例之集成电路弹坑实验方法10的流程图。若大致上能得到相同的结果，本技术不限制完全依照图1所示的流程步骤来执行集成电路弹坑实验方法10。集成电路弹坑实验方法10的流程步骤归纳如下：
23.步骤11：去除集成电路产品的塑封体以暴露集成电路产品的芯片表面。
24.步骤12：将集成电路产品浸泡于含碘熔液中以进行弹坑实验。
25.步骤13：清洗经过弹坑实验的集成电路产品并观察经过弹坑实验的集成电路产品。
26.在某些实施例中，集成电路弹坑实验方法10可以应用于包括砷化镓衬底以及形成
于砷化镓衬底之上的镍层和金垫层的集成电路产品。参考图2，图2演示依据本技术一实施例之集成电路产品2的示意图。在某些实施例中，集成电路产品2包括芯片21以及用以封装芯片21的塑封体22。在某些实施例中，芯片21包括砷化镓衬底211、形成于砷化镓衬底211之上的镍层212和金垫层213。在某些实施例中，图1所示的集成电路弹坑实验方法10用以去除金垫层213，使得使用者可以对集成电路产品2进行弹坑实验。
27.在某些实施例中，步骤11是用以去除集成电路产品2的塑封体22以暴露集成电路产品2的芯片3的表面。在某些实施例中，步骤12是将去除塑封体22后的集成电路产品2浸泡于含碘溶液中以去除金垫层213并进行弹坑实验。在某些实施例中，步骤13是清洗并观察已去除金垫层213的集成电路产品2。
28.图3演示依据本技术一实施例之步骤11的详细流程图。若大致上能得到相同的结果，本技术不限制完全依照图3所示的流程步骤来执行步骤11。在某些实施例中，步骤11可包括如下步骤流程：
29.步骤111：设置加热平台温度85℃。
30.步骤112：待加热台温度稳定后将材料放于加热台上。
31.步骤113：滴发烟硝酸至集成电路产品表面后在丙酮中清洗。在某些实施例中，滴发烟硝酸至集成电路产品表面后，让其反应时间大约为5秒后将集成电路产品放入丙酮中清洗。在某些实施例中，重复执行步骤113直到暴露集成电路产品的芯片表面。
32.步骤114：将集成电路产品浸入放有清水的烧杯并在超声波中清洗。在某些实施例中，将集成电路产品在超声波中清洗时间大约为15秒。
33.步骤115：将集成电路产品浸入放有丙酮的烧杯中清洗。在某些实施例中，将集成电路产品浸入丙酮的时间为15秒，直到集成电路产品的表面没有脏污。
34.图4演示依据本技术一实施例之步骤12的详细流程图。若大致上能得到相同的结果，本技术不限制完全依照图4所示的流程步骤来执行步骤12。在某些实施例中，步骤12可包括如下步骤流程：
35.步骤121：配置碘与碘化钾混合溶液。在某些实施例中，将碘(i2)与碘化钾(ki)以1:4～1:5的比例配置碘与碘化钾混合溶液。在某些实施例中，将碘(i2)与碘化钾(ki)以1:4比例配置碘与碘化钾混合溶液。在某些实施例中，将碘(i2)与碘化钾(ki)以1:5比例配置碘与碘化钾混合溶液。
36.步骤122：将集成电路产品浸泡于碘与碘化钾混合溶液。在某些实施例中，集成电路产品浸泡于碘与碘化钾混合溶液后的时长少于10分钟。在某些实施例中，集成电路产品浸泡于碘与碘化钾混合溶液后的时长为5分钟。在某些实施例中，集成电路产品浸泡于碘与碘化钾混合溶液直到金垫层被完全去除。在某些实施例中，是将碘与碘化钾溶于一定量的去离子水中并充分搅拌后得到于碘与碘化钾混合溶液。
37.申请人观察通过集成电路弹坑实验方法10得到的集成电路产品后发现，由于反应溶液(即含碘溶液)不会产生气泡，因此集成电路产品在反应溶液中浸泡时不会翻滚并碰撞杯壁，降低了集成电路产品因碰撞造成损伤的风险。另外，反应过程较为均匀，使得集成电路产品的金垫层可以完全被去除。图5演示在显微镜下观察采用集成电路弹坑实验方法10得到的集成电路产品5的示意图。在某些实施例中，集成电路产品5包括多个连接垫(pad)51。经实验后发现，采用集成电路弹坑实验方法10得到的集成电路产品5的连接垫51完好无
损伤，没有过度腐蚀的现象。
38.如本文中所使用，术语“近似地”、“基本上”、“基本”及“约”用于描述并考虑小变化。当与事件或情况结合使用时，所述术语可指事件或情况精确地发生的例子以及事件或情况极近似地发生的例子。如本文中相对于给定值或范围所使用，术语“约”大体上意味着在给定值或范围的
±
10％、
±
5％、
±
1％或
±
0.5％内。范围可在本文中表示为自一个端点至另一端点或在两个端点之间。除非另外规定，否则本文中所公开的所有范围包括端点。术语“基本上共面”可指沿同一平面定位的在数微米(μm)内的两个表面，例如，沿着同一平面定位的在10μm内、5μm内、1μm内或0.5μm内。当参考“基本上”相同的数值或特性时，术语可指处于所述值的平均值的
±
10％、
±
5％、
±
1％或
±
0.5％内的值。
39.如本文中所使用，术语“近似地”、“基本上”、“基本”和“约”用于描述和解释小的变化。当与事件或情况结合使用时，所述术语可指事件或情况精确地发生的例子以及事件或情况极近似地发生的例子。举例来说，当与数值结合使用时，术语可指小于或等于所述数值的
±
10％的变化范围，例如，小于或等于
±
5％、小于或等于
±
4％、小于或等于
±
3％、小于或等于
±
2％、小于或等于
±
1％、小于或等于
±
0.5％、小于或等于
±
0.1％，或小于或等于
±
0.05％。举例来说，如果两个数值之间的差小于或等于所述值的平均值的
±
10％(例如，小于或等于
±
5％、小于或等于
±
4％、小于或等于
±
3％、小于或等于
±
2％、小于或等于
±
1％、小于或等于
±
0.5％、小于或等于
±
0.1％，或小于或等于
±
0.05％)，那么可认为所述两个数值“基本上”或“约”相同。举例来说，“基本上”平行可以指相对于0
°
的小于或等于
±
10
°
的角度变化范围，例如，小于或等于
±5°
、小于或等于
±4°
、小于或等于
±3°
、小于或等于
±2°
、小于或等于
±1°
、小于或等于
±
0.5
°
、小于或等于
±
0.1
°
，或小于或等于
±
0.05
°
。举例来说，“基本上”垂直可以指相对于90
°
的小于或等于
±
10
°
的角度变化范围，例如，小于或等于
±5°
、小于或等于
±4°
、小于或等于
±3°
、小于或等于
±2°
、小于或等于
±1°
、小于或等于
±
0.5
°
、小于或等于
±
0.1
°
，或小于或等于
±
0.05
°
。
40.举例来说，如果两个表面之间的位移等于或小于5μm、等于或小于2μm、等于或小于1μm或等于或小于0.5μm，那么两个表面可以被认为是共面的或基本上共面的。如果表面相对于平面在表面上的任何两个点之间的位移等于或小于5μm、等于或小于2μm、等于或小于1μm或等于或小于0.5μm，那么可以认为表面是平面的或基本上平面的。
41.如本文中所使用，除非上下文另外明确规定，否则单数术语“一(a/an)”和“所述”可包含复数指示物。在一些实施例的描述中，提供于另一组件“上”或“上方”的组件可涵盖前一组件直接在后一组件上(例如，与后一组件物理接触)的情况，以及一或多个中间组件位于前一组件与后一组件之间的情况。
42.如本文中所使用，为易于描述可在本文中使用空间相对术语例如“下面”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”、“下部”、“左侧”、“右侧”等描述如图中所说明的一个组件或特征与另一组件或特征的关系。除图中所描绘的定向之外，空间相对术语意图涵盖在使用或操作中的装置的不同定向。设备可以其它方式定向(旋转90度或处于其它定向)，且本文中所使用的空间相对描述词同样可相应地进行解释。应理解，当一组件被称为“连接到”或“耦合到”另一组件时，其可直接连接或耦合到所述另一组件，或可存在中间组件。
43.前文概述本公开的若干实施例和细节方面的特征。本公开中描述的实施例可容易地用作用于设计或修改其它过程的基础以及用于执行相同或相似目的和/或获得引入本文
中的实施例的相同或相似优点的结构。这些等效构造不脱离本公开的精神和范围并且可在不脱离本公开的精神和范围的情况下作出不同变化、替代和改变。