一种感应同步器屏蔽膜的结构及其制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种感应同步器屏蔽膜的结构及其制作方法。
【背景技术】
[0002]“感应同步器”是一种电磁感应位置检测元件，它不但有耐恶劣环境，而且具有测量精度高、寿命长、成本低、安装方便、速度快、稳定可靠等优点。广泛应用在航空航天、军工靶场、雷达天线、经纬仪、火炮控制、机械制造、精密仪器、计量等领域。
[0003]由于“感应同步器”靠电磁感应原理产生感应信号，此信号较弱几毫伏，很容易受外界电磁干扰，通常在“感应同步器”转子上胶合屏蔽膜，但这种胶合膜方法在高低温真空下很容易引起气泡和裂纹，随着时间推移屏蔽膜容易失效脱落等现象，特别是在航空航天领域应用尤为突出。
[0004]目前，实现屏蔽膜抗干扰的途径有以下方法:
[0005](I)在传统的感应同步器上，通常用胶合方式贴上0.1mm厚的铝膜。此方法简单易操作，但在胶合面存有残余气体，残余气体在高低温真空下容易引起气泡和裂纹，对抗干扰效果有一定影响。
[0006](2)真空胶合压膜法，该方法设计结构和操作复杂。虽然此方法比上种优越，但也存在一定缺陷。首先压力过大，很容易造成屏蔽膜与导体短路，同时胶合材料随着时间的推移粘合力变弱和变脆，在冲击振动时很容易脱落或出现裂纹，起不到屏蔽效果。
【发明内容】
[0007]本发明的目的在于:提供一种感应同步器屏蔽膜的结构及其制作方法，解决现有技术在制备感应同步器屏蔽膜的过程中易产生气泡、裂纹、脱落及导体短路等技术问题。
[0008]本发明的技术方案是:
[0009]一种感应同步器屏蔽膜的结构，其特殊之处在于:包括依次镀在感应同步器表面的三层膜结构，第一层膜结构为二氧化硅膜，第二层膜结构为铝膜或银膜，第三层膜结构为二氧化硅膜。
[0010]上述第一层膜结构的厚度为2 μ?3μ。
[0011]上述铝膜或银膜的厚度为3μ?4μ。
[0012]上述第三层膜结构的厚度为I μ?2 μ。
[0013]一种感应同步器屏蔽膜的制作方法，其特殊之处在于:包括以下步骤:
[0014]I】制二氧化硅膜:
[0015]1.1】将感应同步器安装在真空制膜机内的公转支架上，把二氧化硅安装在真空制膜机内的蒸发源上；
[0016]1.2】启动真空制膜机，抽真空；
[0017]1.3】向离子源内充氧气并加高压，向感应同步器轰击10-20分钟后，开蒸发源向感应同步器镀二氧化硅，恒温0.5-1小时后，关闭真空制膜机电源；
[0018]2】在步骤I】所制的二氧化硅膜的表面制铝膜或银膜:
[0019]2.1】在真空制膜机的蒸发源内安装铝或银材料；
[0020]2.2】启动真空制膜机，抽真空；
[0021]2.3】向离子源内充氩气并加高压，向感应同步器轰击10-20分钟后，开蒸发源向感应同步器制铝膜或银膜，厚大约3 μ?4μ，关闭真空制膜机的电源；
[0022]3】在铝膜或银膜的表面制一层二氧化硅膜，以保护铝膜或银膜:
[0023]3.1】把二氧化硅安装在真空制膜机内的蒸发源上；
[0024]3.2】启动真空制膜机，抽真空；
[0025]3.3】向离子源内充氩气并加高压，向感应同步器轰击10-20分钟后，开蒸发源向感应同步器镀二氧化硅，恒温0.5-1小时。
[0026]上述步骤I】中二氧化硅膜的厚度为2 μ?3 μ。
[0027]上述步骤2】中铝膜或银膜的厚度为3 μ?4μ。
[0028]上述步骤3】中二氧化硅膜的厚度为I?2 μ。
[0029]上述步骤1.2】或2.2】或3.2】中，真空制膜机抽真空到2.0X 10_3帕；真空制膜机内温度为35-60°C。
[0030]上述步骤1.2】或2.2】或3.2】中，高压为5KV?1KV。
[0031]本发明的优点是:本发明的感应同步器屏蔽膜的结构，抗电磁干扰效果比贴膜抗电磁干扰效果更好；该屏蔽膜的结构，牢固可靠，在高低温、真空冲击、振动的情况下不易出现气泡、裂纹、断裂、脱落等现象。本方法是在真空下蒸发材料，材料分子牢靠的吸附在感应同步器表面上，出现一层厚度可控的屏蔽膜，此膜与感应同步器形成完整一体，无气泡，牢固可靠，方法简单，制膜效果好。
【附图说明】
[0032]图1为本发明真空制膜机示意图。
[0033]其中:1-公转支架；2_离子源；3_蒸发源；4_充气管；5_感应同步器。
【具体实施方式】
[0034]本发明利用真空制膜机对“感应同步器”进行真空制膜。采用设备有:ZZS_800型真空制膜机，该真空制膜机能升温，内有公转支架1、蒸发源3、离子源2、充气管4等。蒸发源内加装蒸发材料，公转支架用于固定放置感应同步器5，离子源用于在高压(5KV?10KV)下把氧气、氩气离子化，充气管用于向离子源内充入气体。所用材料:二氧化硅、铝丝、银丝，气体为氧气、IS气。
[0035]一种感应同步器屏蔽膜的制作方法，包括如下步骤:
[0036]I】制二氧化硅膜:
[0037]1.1】将感应同步器安装在真空制膜机内的公转支架上，把二氧化硅安装在真空制膜机内的蒸发源上；
[0038]1.2】启动真空制膜机，抽真空到2.0X 10_3帕；温度控制在35_60°C ；
[0039]1.3】向离子源内充氧气并加高压(5KV?10KV)，向感应同步器轰击10_20分钟后，使感应同步器表面产生均匀的离子，对接下来制的二氧化硅膜有均匀的吸合力，制的二氧化硅膜更牢靠；开蒸发源向感应同步器镀二氧化硅，厚为2 μ?3μ，恒温0.5-1小时，关闭真空制膜机的电源。充氧气的优点是，提高二氧化硅的牢固度并防止二氧化硅失氧。
[0040]对于镀二氧化硅厚为2 μ?3μ，这个厚度满足导体与屏蔽膜的隔离要求，太薄导体与屏蔽膜容易短路，太厚导体与屏蔽膜容易脱落或炸裂。
[0041]2】在步骤