26延伸比如图2中所示的更长或更短的距离。
[0018]中心结构40具有小于外壳20的截面尺寸，使得中心结构40从外壳20沿径向向内间隔开。具体而言，中心结构40的外表面44与外壳20的壁22沿径向间隔开。就此而言，间隙、空间等形成在外表面44与内部容积24内的壁22之间。当然，取决于中心结构40和外壳20的相应截面大小，该间隙/空间的尺寸可更大或更小。内部容积24的该间隙/空间可填充有包括例如氦-3(3HE)的气体(或气体混合物)，以有助于中子探测。外壳20提供内部容积24的边界/密封部，以限制一种或多种气体进入/流出外壳20。在其它实例中，外壳20的壁22可覆盖和/或涂覆有材料来改进中子探测。
[0019]中心结构40可由各种金属构成，包括不锈钢、铝等。如将在下面更详细所述，中心结构40保持在第一电压下。在一个实例中，中心结构40用作电路的阳极。
[0020]现在转到绝缘部分60，绝缘部分60定位在外壳20与中心结构40之间。中子探测器10包括设置在第一端部12和第二端部14中的各个处的绝缘部分60。因此，尽管仅第一端部12处的绝缘部分60在图2中示出，但第二端部14处的绝缘部分60可在尺寸和形状上大体上相同。
[0021]绝缘部分60在中心结构40的外表面44与外壳20的壁22之间沿径向延伸。绝缘部分60与中心结构40和外壳20中的各个接触。绝缘部分60可由一定数量的材料形成，如，陶瓷材料等。因此，绝缘部分60用于将中心结构40与外壳20电性隔离的目的，以限制和/或防止电荷在中心结构40与外壳20之间经过。
[0022]绝缘部分60在内绝缘表面62与外绝缘表面64之间沿径向延伸。内绝缘表面62围绕中心结构40的外表面44沿周向延伸。就此而言，绝缘部分60支承和/或收纳中心结构40的一部分(例如，端部部分)。外绝缘表面64与外壳20的壁22的一部分接触。
[0023]绝缘部分60可以以任何数量的方式相对于中心结构40和外壳20附接。在一个实例中，绝缘部分60硬钎焊于中心结构40和外壳20中的任一个或两者。在此类实例中，附接结构(例如，带、金属带等)可提供用于硬钎焊于中心结构40和外壳20。当然，构想出其它附接手段，如，粘合剂、金属紧固件等。
[0024]绝缘部分60在第一绝缘端部66与相对的第二绝缘端部68之间延伸。第一绝缘端部66定位在外壳20的内部容积24内。绝缘部分60从第一绝缘端部66朝第二绝缘端部68沿纵向延伸。绝缘部分60可比如所示的延伸到外壳20的内部容积24中更长或更短的距离。第二绝缘端部68定位在外壳20的外部处。在一个实例中，第二绝缘部分68相比于外壳20的壳端部26更紧邻中心结构40的结构端部42。当然，绝缘部分60不限于图2中所示的特定构造。相反地，在其它实例中，第二绝缘端部68将比如所示的延伸更长或更短的距离，如，通过一直延伸至结构端部42。由于第二绝缘端部68位于外壳20的外侧，故在壳端部26与结构端部42之间延伸的外绝缘表面64的一部分大体上暴露于周围环境。
[0025]现在转到防护结构80，防护结构80围绕绝缘部分60沿周向延伸。将认识到的是，防护结构80在图2中略微大体/示意性地示出，因为防护结构80包括一定数量的不同尺寸和形状。大体上，防护结构80接触外绝缘表面64，同时围绕绝缘部分60延伸。防护结构80包括大体上圆形的截面形状(例如，所示实例中的椭圆)，但在其它实例中，防护结构80包括圆形截面形状、具有圆角的四边形截面形状等。
[0026]防护结构80在壳端部26与结构端部42之间定位在绝缘部分60上。在所示的实例中，防护结构80定位成相比于壳端部26更紧邻结构端部42。然而，防护结构80不限于此类位置，并且在其它实例中，可定位成比如所示的更紧邻结构端部42 (或作为备选，更紧邻壳端部26)。在一个可能的实例中，防护结构80定位在绝缘部分60的第二绝缘端部68处。通过定位在绝缘部分60上，防护结构80与中心结构40电绝缘。
[0027]防护结构80可由各种金属构成，包括不锈钢、铝等。例如，防护结构80可包括传导材料，使得防护结构80可保持在第二电压下。在一个实例中，该第二电压与中心结构40的第一电压大致相同。当然，在另外的实例中，第一电压和第二电压不需要相同，并且改为可为不同电压。
[0028]仍参照图2，电路100操作性地附接于中子探测器10。将理解的是，所示实例中的电路仅包括一个可能的布线示意图。实际上，构想出用于电路100的各种其它可能布线方法。
[0029]电路100包括用于将功率供应至中子探测器10的电源102。电源102例如将功率供应至中心结构40和防护结构80。在一个实例中，电源102为高压电源，如，1500伏电源。当然，电源102不限于1500伏，因为构想出其它电压。
[0030]电源102由第一连接器件104电连接于防护结构80。第一连接器件104可包括用于电连接防护结构80和电源102的线或其它类似装置。电流从电源102流过第一连接器件104，并且流至防护结构80。就此而言，防护结构80保持在一电压下(例如，如上文所述，第二电压)。
[0031]电源102还通过第二连接器件106电连接于中心结构40。第二连接器件106可包括用于电连接中心结构40和电源102的线或其它类似装置。电流从电源102流过第二连接器件106，并且流至中心结构40。就此而言，中心结构40保持在一电压下(例如，如上文所述，第一电压)，使得中心结构40用作阳极。
[0032]电路100还包括电连接于电源102的一个或更多个电气构件108。这些电气构件108可包括例如电阻器、电容器等。电气构件108提供成使得用于一个路径(S卩，从电源102穿过第一连接器件104至防护结构80)的阻抗大致类似于用于另一个路径(即，从电源102穿过第二连接器件106至中心结构40)的阻抗。当然，在其它实例中，电路100不限于图2中所示的电气构件108的特定布局，因为构想出其它构造。
[0033]电路100还包括探测电子设备110。探测电子设备110在图2中略微大体/示意性地绘出。探测电子设备110电连接于中子探测器10。探测电子设备110可测量来自中子探测器10的信号，特别是中心结构40 (例如，阳极)。探测电子设备110还可提供用于软件评估的数字输出。探测电子设备110可包括例如数据采集构件、数据采集软件、控制器等。
[0034]仍参照图2，现在将描述中子探测器10的一个示例性操作。最初，一定量的(多种)气体如3He气体添加至外壳20的内部容积24。气体可仅为3He气体，或者3He气体可与其它(多种)气体如氩和急冷气体混合。当中子反应引起的离子或颗粒穿过内部容积24时，自由电子由于与3He气体碰撞而产生。这些自由电子朝中心结构40吸入，中心结构40用作阳极，因此自由电子收集成生成信号或电子脉冲。
[0035]由于用作阳极的中心结构40与用作阴极的外壳20之间的电压差，故产生的电子吸引至中心结构40。收集在中心结构40上的自由电子导致放大和/或数字化的信号或电子脉冲。接着分析该信号来确定若干可测量的量，如，中子计数率等。
[0036]泄漏电流(S卩，并未源于中心结构40上的自由电子的电流)可试图沿绝缘部分60朝中心结构40迀移。如果此类泄漏电流到达中心结构40，则其将不利地影响中子探测器10的测量能力。例如，泄漏电流将生成中心结构40中的错误中子计数结果。该泄漏电流可源于外绝缘表面64处的退化/故障，这引起绝缘部分60上的电荷累积。根据本发明的方面，防护结构80限制和/或减少该泄漏电流到达中心结构40 (例如，中心结构40的结构端部 42)。
[0037]如提到的，防护结构80可保持在第二电压下，该第二电压可与中心结构40的第一电压大致相同。因此，绝缘部分60(即，壳端部26与防护结构80之间)的外绝缘表面64上的泄漏电流由防护结构80吸收和/或中断，使得泄漏电流将不涉及中心结构40。因此，防护结构80将限制/防止该泄漏电流沿外绝缘表面64经过，并且至中心结构40的结构端部42。就此而言，将减小中心结构40处的错误中子计数的可能性。
[0038]现在转到图3，示出了利用中子探测器10探测中子的示例性方法200。方法200可与上文参照图1和2示出和描述的示例性中子探测器10关联执行。另外，将认识到的是，方法200提出为一系列线性步骤。该线性序列仅为了方便，并