一种基于损耗抑制的高精度检波器系统的制作方法

文档序号:9248110阅读:418来源:国知局
一种基于损耗抑制的高精度检波器系统的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种检波器,具体是指一种基于损耗抑制的高精度检波器系统。
【背景技术】
[0002]检波器可以检出波动信号中某种有用信息,其是用于识别波、振荡信号存在或变化的器件,也可用于提取外界所携带的信息。目前检波器已被广泛应用,如可用于地质勘探和工程测量、用于量测设备运行时的噪音等,给人们带来了很大的便利。
[0003]然而,目前市面上的检波器,其对信号的驱动为非线性的,做功时电路电流稳定性差,功率损耗过大,检测失真等缺陷。从而使检波器的检测结果不准确,影响人们的判断。

【发明内容】

[0004]本发明的目的在于克服现有检波器做功时电路电流稳定性差,功率损耗过大,检测失真等缺陷,提供一种基于损耗抑制的高精度检波器系统。
[0005]本发明的目的通过下述技术方案实现:一种基于损耗抑制的高精度检波器系统,由采样电路,电压比较电路,与电压比较电路相连接的转换电路,设置在采样电路与电压比较电路之间的损耗抑制电路,以及串接在转换电路和电压比较电路之间的线性驱动电路组成;所述的损耗抑制电路由抑制芯片U3,三极管VT5,三极管VT6,三极管VT7,正极顺次经电阻R17、电阻R20后与三极管VT6的发射极相连接、负极经电阻R16后与采样电路相连接的极性电容C7,N极经电阻R22后与抑制芯片U3的SW管脚相连接、P极顺次经电阻R19、二极管D4、电阻R23、极性电容C9后与抑制芯片U3的SENSEl管脚相连接的二极管D3,正极经可熔电阻R18后与三极管VT5的基极相连接、负极经电阻R21后与三极管VT6的基极相连接的极性电容C8,正极与二极管D3的N极相连接、负极与抑制芯片U3的IN管脚相连接的极性电容C10,P极与抑制芯片U3的COMP管脚相连接、N极经可变电阻R26后与三极管VT7的基极相连接的二极管D5,负极经电阻R24后与抑制芯片U3的PWM管脚相连接、正极经电阻R25后与三极管VT7的发射极相连接的极性电容C11,P极经极性电容C12后与三极管VT7的集电极相连接、N极顺次经电阻R28、二极管D6后与抑制芯片U3的VDD管脚相连接的二极管D8,以及P极经电阻R27后与三极管VT7的集电极相连接、N极与电压比较电路相连接的二极管D7组成;所述三极管VT5的发射极与极性电容C7的正极相连接、其集电极则与二极管D3的P极相连接,三极管VT6的集电极接地;所述抑制芯片U3的SENSE2管脚与二极管D4与电阻R23的连接点相连接、其GND管脚接地、其PWM管脚还同时与二极管D8的N极和二极管D7的P极相连接。
[0006]所述的线性驱动电路由驱动芯片U,三极管VT1,三极管VT2,三极管VT3,三极管VT4,正极与电压比较电路相连接、负极经电阻R9后与驱动芯片U的INl管脚相连接的极性电容C4,一端与三极管VTl的集电极相连接、另一端经电阻Rll后与三极管VT3的基极相连接的电阻R10,正极与三极管VTl的基极相连接、负极与驱动芯片U的INl管脚相连接的极性电容C6,正极与驱动芯片U的IN2管脚相连接、负极接地的极性电容C5,一端与三极管VTl的发射极相连接、另一端与三极管VT2的基极相连接的电阻R13,一端与三极管VT2的基极相连接、另一端与三极管VT3的基极相连接的电阻R12,N极与三极管VTl的集电极相连接、P极与三极管VT2的集电极相连接的二极管D1,正相端与三极管VTl的集电极相连接、反相端与三极管VT4集电极相连接的非门K,一端与三极管VT4发射极相连接、另一端经电阻R14后与三极管VT3的发射极相连接的电阻R15,P极与非门K的反相端相连接、N极与电阻R14和电阻R15的连接点相连接的二极管D2组成;所述驱动芯片U的VCC管脚与三极管VTl的基极相连接、END管脚接地、OUT管脚与三极管VT2的集电极相连接,三极管VT2的集电极还与三极管VT4的基极相连接、其发射极与三极管家VT3的基极相连接,三极管VT3的集电极接地,二极管D2的N极与转换电路相连接。
[0007]所述的米样电路由放大器P,一端与放大器P的正极相连接、另一端作为信号输入端的电阻R1,正极与放大器P的正极相连、负极接地的极性电容Cl,与极性电容Cl相并联的电阻R2,串接在放大器P的负极和输出端之间的电阻R4,以及一端与放大器P的负极相连、另一端接地的电阻R3组成;所述放大器P的输出端还经电阻R16后与极性电容C7的负极相连接。
[0008]所述的电压比较电路由比较芯片U1,一端与比较芯片Ul的IN2管脚相连接、另一端同时与转换电路和比较芯片Ul的V+管脚相连接的电阻R6,一端与比较芯片Ul的IN2管脚相连接、另一端则与比较芯片Ul的OUT管脚相连的电阻R7,一端与二极管D7的N极相连接、另一端则与比较芯片Ul的INl管脚相连的电阻R5,以及负极与比较芯片Ul的V-管脚相连、正极同时与比较芯片Ul的GND管脚以及转换电路相连的极性电容C2组成;所述比较芯片Ul的V+管脚与外部电源相连,其OUT管脚与极性电容C4的正极相连接,GND管脚接地。
[0009]所述的转换电路由转换芯片U2,极性电容C3,电阻R8组成;电阻R8的一端与二极管D2的N极相连接、另一端与转换芯片U2的IN管脚相连,极性电容C3则串接在转换芯片U2的CTRL管脚和SW管脚之间;所述转换芯片U2的SET管脚与比较芯片Ul的V+管脚相连接,其GND管脚与比较芯片Ul的GND管脚相连,其OUT管脚则作为信号输出端。
[0010]为确保本发明的使用效果,所述的驱动芯片U为LM387集成芯片,抑制芯片U3为SD42560集成芯片,转换芯片U2为AL8807A集成芯片,而比较芯片Ul则为LM311集成芯片。
[0011]本发明较现有技术相比,具有以下优点及有益效果:
[0012](I)本发明设置有损耗抑制电路,该电路可稳定检波器系统的电压电流,降低其做功时的损耗。
[0013](2)本发明设置有线性驱动系统,其可以为检波器系统提供线性驱动,从而避免信号失真。
[0014](3)本发明设置有比较电路,能够对检测到的信号进行比较处理,同时可以清楚的识别检测信号的负峰值,避免检测信号存在负峰值时所输出的信号出现失真的情况。
[0015](4)本发明采用LM387芯片作为驱动芯片,其灵敏度高、价格便宜。
【附图说明】
[0016]图1为本发明的整体结构示意图。
[0017]图2为本发明的线性驱动电路的结构示意图。
[0018]图3为本发明的损耗抑制电路的结构示意图。
【具体实施方式】
[0019]下面结合实施例对本发明作进一步地详细说明,但本发明的实施方式并不限于此。
[0020]实施例
[0021]如图1所示,本发明由采样电路、电压比较电路、与电压比较电路相连接的转换电路、设置在采样电路与电压比较电路之间的损耗抑制电路,以及串接在转换电路和电压比较电路之间的线性驱动电路组成。
[0022]所述的损耗抑制电路如图3所示,其由抑制芯片U3,三极管VT5,三极管VT6,三极管VT7,电阻R16,电阻R17,电阻R18,电阻R19,电阻R20,电阻R21,电阻R22,电阻R23,电阻R24,电阻R25,电阻R26,电阻R27电阻R28,二极管D3,二极管D4,二极管D5,二极管D6,二极管D7,二极管D8,极性电容C7,极性电容C8,极性电容C9,极性电容ClO,极性电容Cl I,以及极性电容C12组成。
[0023]连接时,极性电容C7的正极顺次经电阻R17、电阻R20后与三极管VT6的发射极相连接、负极经电阻R16后与采样电路相连接。二极管D3的N极经电阻R22后与抑制芯片U3的SW管脚相连接、P极顺次经电阻R19、二极管D4、电阻R23、极性电容C9后与抑制芯片U3的SENSEl管脚相连接。极性电容C8的正极经可熔电阻R18后与三极管VT5的基极相连接、负极经电阻R21后与三极管VT6的基极相连接。
[0024]其中,极性电容ClO的正极与二极管D3的N极相连接、负极与抑制芯片U3的IN管脚相连接。二极管D5的P极与抑制芯片U3的COMP管脚相连接、N极经可变电阻R26后与三极管TH的基极相连接。极性电容Cll的负极经电阻R24后与抑制芯片U3的PWM管脚相连接、正极经电阻R25后与三极管VT7的发射极相连接。二极管D8的P极经极性电容C12后与三极管VT7的集电极相连接、N极顺次经电阻R28、二极管D6后与抑制芯片U3的VDD管脚相连接。二极管D7的P极经电阻R27后与三极管VT7的集电极相连接、N极与电压比较电路相连接。
[0025]为更好的实施本发明,所述的抑制芯片U3为SD42560集成芯片,该集成芯片具有超温保护、过电流保护、恒定电流、电压自动调节等功能。其输入电压范围为5?36V,工作电流为1.5?2mA,在输入/输出电压变化时,全电压范围输出电流变化控制在±0.5 %之内。该集成芯片能有效的抑制整个系统的无用做功损耗。
[0026]实施时,所述三极管VT5的发射极与极性电容C7的正极相连接、其集电极则与二极管D3的P极相连接,三极管VT6的集电极接地;所述抑制芯片U3的SENSE2管脚与二极管D4与电阻R23的连接点相连接、其GND管脚接地、其PWM管脚还同时与二极管D8的N极和二极管D7的P极相连接。
[0027]如图2所示,所述的线性驱动电路由驱动芯片U,三极管VT1,三极管VT
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