所述一个或逻辑单元16对应一个时间标定单元17，也就是说，所述时间标定单元17的数量和所述或逻辑单元16的数量相同，均少于所述行信号输出端或所述列信号输出端的数量，因此相对于现有技术，本实施例减少了所述时间标定单元17的数量，降低了成本。
[0107]需要说明的是，本领域普通技术人员可以理解实现上述方法实施例中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的程序可存储于一计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，可包括如上述各方法实施例的流程。其中，所述存储介质可为磁碟、光盘、只读存储记忆体(Read-Only Memory, ROM)或随机存储记忆体(RandomAccess Memory, RAM)等。
[0108]本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于装置实施例而言，由于其基本相似于方法实施例，所以描述得比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，其中所述作为分离部件说明的单元及模块可以是或者也可以不是物理上分开的。另外，还可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元和模块来实现本实施例方案的目的。本领域普通技术人员在不付出创造性劳动的情况下，即可以理解并实施。
[0109]以上所述仅是本发明的【具体实施方式】，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种核探测器晶体位置识别装置，其特征在于，所述装置包括: 硅半导体探测单元阵列，所述硅半导体探测单元阵列的每行硅半导体探测单元均分别具有一个行信号输出端，所述硅半导体探测单元阵列的每列硅半导体探测单元均分别具有一个列信号输出端，每个所述硅半导体探测单元均具有这样的连接关系:所述硅半导体探测单元通过一个电阻与该硅半导体探测单元所在行对应的行信号输出端连接，并通过另一个电阻与该硅半导体探测单元所在列对应的列信号输出端连接；所述装置还包括行信号比较单元和列信号比较单元，所述行信号输出端和所述行信号比较单元对应连接，所述列信号输出端与所述列信号比较单元对应连接； 其中，所述行信号比较单元用于将与该行信号比较单元对应的一行硅半导体探测单元输出的电压之和与门限电压进行比较，得到行比较结果； 所述列信号比较单元用于将与该列信号比较单元对应的一列硅半导体探测单元输出的电压之和与所述门限电压进行比较，得到列比较结果； 所述装置还包括晶体位置识别单元，所述晶体位置识别单元的两端分别与所述行信号比较单元和所述列信号比较单元连接，用于根据每个所述行信号比较单元输出的行比较结果和每个列信号比较单元输出的列比较结果识别被光子击中的晶体的位置。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述行信号比较单元，具体用于将与该行信号比较单元对应的一行硅半导体探测单元输出的电压之和与门限电压进行比较，若所述一行硅半导体探测单元输出的电压之和高于或等于所述门限电压，则输出高电平；若所述一行硅半导体探测单元输出的电压之和低于所述门限电压，则输出低电平或者不输出任何电平。3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述列信号比较单元，具体用于将与该列信号比较单元对应的一列硅半导体探测单元输出的电压之和与门限电压进行比较，若所述一列硅半导体探测单元输出的电压之和高于或等于所述门限电压，则输出高电平；若所述一列硅半导体探测单元输出的电压之和低于所述门限电压，则输出低电平或不输出任何电平。4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述晶体位置识别单元，具体用于读取每个所述行信号比较单元输出的行比较结果和每个列信号比较单元输出的列比较结果，若行比较结果和列比较结果均为高电平，则将该行比较结果对应的一行硅半导体探测单元和所述列比较结果对应的一列硅半导体探测单元的交点的位置识别为被光子击中的晶体的位置。5.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述行信号比较单元和/或所述列信号比较单元为比较器。6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括放大器和采样器，其中，每行或每列硅半导体探测单元均对应一个放大器和一个采样器，所述放大器用于放大对应行或列的硅半导体探测单元输出的电信号，所述采样器用于对所述放大器放大的电信号进行米样； 所述装置还包括能量获取单元和有效事件识别单元；所述采样器与所述能量获取单元连接，所述能量获取单元与所述晶体位置识别单元连接，所述有效事件识别单元与所述能量获取单元连接； 所述能量获取单元，用于根据所述被光子击中的晶体的位置，获取所述晶体对应的硅半导体探测单元所在行或所在列的采样电信号，并计算得到所述硅半导体探测单元所述所在行或所在列的采样电信号的能量； 所述有效事件识别单元，用于判断所述能量是否在预设的能量范围内，若是，则将光子击中所述晶体的事件识别为有效事件。7.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置包括:积分电路、峰保持电路、多路选通器、采样单元、能量获取单元以及有效事件识别单元，用于判断所述能量是否在预设的能量范围内，若是，则将光子击中所述晶体的事件识别为有效事件；其中，所述积分电路的输入端与半导体探测单元阵列的所述行信号输出端或所述列信号输出端对应连接，所述积分电路的输出端与所述若干个峰保持电路的输入端对应连接，所述峰保持电路的输出端分别连接所述多路选通器，所述多路选通器与所述采样单元连接，所述采样单元与所述能量获取单元连接； 所述积分电路，用于对所述半导体探测单元阵列的行信号输出端或列信号输出端输出的电信号进行积分，所述半导体探测单元阵列用于将晶体阵列发送的可见光转换为电信号; 所述峰保持电路，用于将所述积分电路输出的电信号进行峰保持； 所述多路选通器，用于根据被光子击中的晶体在所述晶体阵列中的位置，从所述峰保持电路输出的电信号中选择出所述晶体对应的电信号，并将所述选择出的电信号输出至所述采样单元； 所述采样单元，用于对所述多路选通器输出的电信号进行采样； 所述能量获取单元，用于利用所述采样的电信号得到所述光子击中晶体产生的能量； 所述有效事件识别单元，用于判断所述能量是否在预设的能量范围内，若是，则将光子击中所述晶体的事件识别为有效事件。8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述峰保持电路包括放大器和二极管，所述放大器的其中一个输入端与所述半导体探测单元阵列的信号输出端连接，所述放大器的输出端与二极管的正极连接，所述二极管的负极与所述放大器的另外一个输入端连接，所述二极管的负极还与所述多路选通器连接。9.根据权利要求6至8任意一项所述的装置，其特征在于，所述装置还包括η个时间标定单元，所述娃半导体探测单元阵列划分为η组娃半导体探测单元，所述η个时间标定单元与所述η组硅半导体探测单元一一对应，一组中每个硅半导体探测单元均与对应的时间标定单元连接，其中η为大于或等于2的整数； 所述时间标定单元，用于利用所述有效事件对应的一组硅半导体探测单元输出的信号对所述有效事件的时间进行标定。10.根据权利要求6至8任意一项所述的装置，其特征在于，所述装置还包括或逻辑单元和时间标定单元，所述或逻辑单元的输入端与至少两个所述半导体探测单元阵列的行信号输出端连接，或，所述或逻辑单元的输入端与至少两个所述半导体探测单元阵列的列信号输出端连接；所述或逻辑单元的输出端与所述时间标定单元对应连接； 所述或逻辑单元，用于将所述半导体探测单元阵列的至少两个行信号输出端输出的电信号执行“或”操作，或，用于将所述半导体探测单元阵列的至少两个列信号输出端输出的电信号执行“或”操作；所述时间标定单元，用于利用执行了“或”操作的电信号对所述有效事件的时间进行标定。
【专利摘要】本发明公开了一种核探测器晶体位置识别装置，包括：硅半导体探测单元阵列，其每行硅半导体探测单元均分别具有行信号输出端，每列硅半导体探测单元均分别具有列信号输出端；装置还包括与行信号输出端一一对应连接的行信号比较单元，以及与列信号输出端一一对应连接的列信号比较单元；行信号比较单元用于将一行硅半导体探测单元输出的电压之和与门限电压进行比较，得到行比较结果；列信号比较单元用于将一列硅半导体探测单元输出的电压之和与门限电压进行比较，得到列比较结果；所述装置还包括晶体位置识别单元，用于根据每个行比较结果和每个列比较结果识别被光子击中的晶体的位置。本发明实现了减少硬件成本，缩小系统规模的目的。
【IPC分类】G01T1/202
【公开号】CN105182401
【申请号】CN201510642229
【发明人】李楠, 梁国栋, 赵玉秋, 吴国城, 赵健
【申请人】沈阳东软医疗系统有限公司
【公开日】2015年12月23日
【申请日】2015年9月30日