件中，所述阵列中的所述闪烁体块通过所述透明或半透明环氧树脂或胶黏剂被保持在一起。4.如权利要求1-3中的任一项所述的装置，其中，没有反射或不透明材料被设置在所述阵列中的相邻闪烁体块之间。5.如权利要求1-4中的任一项所述的装置，其中: 所述阵列中的所述?个闪烁体块能够响应于对辐射粒子的吸收而生成闪烁光并且具有针对所述闪烁光的为至少.= 1.8的折射率；并且 被设置在所述阵列中的相邻闪烁体块之间的所述透明或半透明材料具有针对所述闪烁光的为至少.= 1.6的折射率。6.如权利要求1-5中的任一项所述的装置，还包括: 反射层(26)，其被设置在所述闪烁体元件(22)的顶面上、在所述阵列中的全部.个闪烁体块￠0)之上。7.如权利要求1-6中的任一项所述的装置，还包括: 光探测器的阵列(24)，其被设置在所述闪烁体元件(22)的底面上并且被布置为探测在所述闪烁体元件中生成的闪烁光。8.如权利要求7所述的装置，其中，所述光探测器的阵列包括被单片地形成在硅衬底上的硅光电倍增器(SiPM)的阵列。9.如权利要求7-8中的任一项所述的装置，其中，所述闪烁体元件(22)和所述光探测器的阵列(24)定义被配置为探测511keV辐射的辐射探测器(20)。10.如权利要求7-8中的任一项所述的装置，其中，所述.个闪烁体块是.个LSO、BGO,GSO或LYSO的块。11.如权利要求7-10中的任一项所述的装置，还包括: 成像系统(10)，其包括: 辐射探测部件(18)，以及 图像重建处理器(44)，其包括电子数据处理部件(34)，所述电子数据处理部件被配置为根据由所述辐射探测部件采集到的辐射数据来重建图像； 其中，所述闪烁体元件(22)和所述光探测器的阵列(24)定义所述成像系统的所述辐射探测部件中的至少一个辐射探测器(20)。12.如权利要求11所述的装置，其中，所述成像系统为正电子发射断层摄影(PET)成像系统或单光子发射计算机断层摄影(SPECT)成像系统。13.如权利要求11-12中的任一项所述的装置，其中，所述成像系统还包括: 相互作用深度(DOI)处理器(32)，其包括电子数据处理部件，所述电子数据处理部件被配置为基于由辐射探测器的阵列(24)对由辐射吸收事件在所述闪烁体元件中生成的闪烁光的探测来估计在所述闪烁体元件(22)的所述厚度.上的发生所述辐射吸收事件的深度。14.如权利要求11-13中的任一项所述的装置，其中，所述成像系统还包括: 位置处理器(32)，其包括电子数据处理部件，所述电子数据处理部件被配置为基于由辐射探测器的阵列(24)对由辐射吸收事件在所述闪烁体元件(22)中生成的闪烁光的探测来定位所述福射吸收事件。15.如权利要求14所述的装置，其中，所述位置处理器被配置为使用Anger逻辑来定位所述辐射吸收事件。16.如权利要求14-15中的任一项所述的装置，其中: 所述辐射探测部件包括所述闪烁体元件的阵列，所述闪烁体元件的所述阵列没有反射或不透明材料被设置在所述闪烁体元件的所述阵列中的相邻闪烁体元件之间。17.如权利要求16所述的装置，其中，所述位置处理器被配置为基于对由辐射吸收事件生成并穿过所述闪烁体元件的所述阵列中的至少两个闪烁体元件的闪烁光的探测来定位发生在所述闪烁体元件的所述阵列中的一个闪烁体元件中的所述辐射吸收事件。18.如权利要求1-17中的任一项所述的装置，其中，厚度为?的闪烁体块的所述阵列具有面积.，并且所述闪烁体元件针对由发生在所述闪烁体元件中的辐射吸收事件生成的闪烁光在体积.X.上是光学上连续的。19.一种方法，包括: 通过包括以下的操作来构建闪烁体元件(22): 对闪烁体晶片或冰球(50)进行切块以生成厚度为.的闪烁体块(60); 对.个厚度为.的所述闪烁体块进行组装以形成厚度为.的阵列；以及 将透明或半透明材料￠2)设置在所述阵列中的相邻闪烁体块之间。20.如权利要求19所述的方法，其中，所述透明或半透明材料是透明或半透明接合材料，并且所述设置包括: 使用所述透明或半透明接合材料来将所述阵列中的相邻闪烁体块接合在一起。21.如权利要求19-20中的任一项所述的方法，其中，被执行以构建所述闪烁体元件的操作不包括将任何反射或不透明材料设置在所述阵列中的相邻闪烁体块之间。22.如权利要求19-21中的任一项所述的方法，其中，所述组装包括: 将所述.个闪烁体块￠0)接合到共用衬底(24)。23.如权利要求22所述的方法，其中，所述共用衬底包括硅光电倍增器(SiPM)光探测器的单片阵列(24)。24.如权利要求19-23中的任一项所述的方法，其中，被执行以构建所述闪烁体元件的操作还包括: 在所述切块之后，检查所述闪烁体块￠0);以及 丢弃基于所述检查被确定为有缺陷的至少一些闪烁体块^0D1、60D2); 其中，所述组装对从在所述丢弃操作之后剩余的闪烁体块的集合获取的.个闪烁体块(60)进行操作。25.如权利要求19-24中的任一项所述的方法，其中，所述切块操作生成至少2.个闪烁体块，并且所述组装和设置操作被重复.次以构建.个闪烁体元件，其中，.大于或等于--O26.如权利要求19-25中的任一项所述的方法，其中，所述设置操作包括将折射率匹配的透明或半透明材料设置在所述阵列中的相邻闪烁体块之间，以将所述闪烁体元件构建为光学上连续的闪烁体元件。27.如权利要求19-26中的任一项所述的方法，还包括: 将反射层(26)设置在所述闪烁体元件(22)的顶面上、在所述阵列中的全部.个闪烁体块(60)之上。28.—种方法，包括: 响应于发生在光学上连续的闪烁体元件中的辐射吸收事件而在包括被接合在一起以形成所述光学上连续的闪烁体元件的.个闪烁体块￠0)的闪烁体中生成闪烁光； 使用光探测器的阵列(24)来探测所述闪烁光；以及 基于探测到的闪烁光来定位所述光学上连续的闪烁体元件中的所述辐射吸收事件，其中，所述定位采用将所述光学上连续的闪烁体元件(22)处置为光学上连续的光传输介质的算法。29.如权利要求28所述的方法，其中，所述定位包括应用相互作用深度(DOI)算法以在所述光学上连续的闪烁体元件的厚度.上定位所述辐射吸收事件。30.一种装置，包括: 光学上连续的闪烁体元件(22)，其包括被接合在一起以形成光学上连续的光传输介质的.个闪烁体块(60) ο31.如权利要求30述的装置，其中，没有反射或不透明材料被设置在相邻闪烁体块之间。32.如权利要求30-31中的任一项所述的装置，其中: 所述?个闪烁体块￠0)是使用接合材料￠2)被接合在一起以形成所述光学上连续的光传输介质的?个LS0、LYS0、BG0或GSO闪烁体块，所述接合材料具有针对由在所述光学上连续的闪烁体元件中对辐射的吸收生成的闪烁光的为至少1.6的折射率。33.如权利要求30-31中的任一项所述的装置，其中: 所述?个闪烁体块￠0)具有针对由在所述光学上连续的闪烁体元件(22)中对辐射的吸收生成的闪烁光的为至少1.8的折射率；并且 所述.个闪烁体块使用接合材料(62)被接合在一起以形成所述光学上连续的光传输介质，所述接合材料具有针对所述闪烁光为的至少1.6的折射率。
【专利摘要】一种闪烁体元件(22)包括：闪烁体块(60)，其被布置为形成阵列；以及透明或半透明材料(62)，其被设置在所述阵列中的相邻闪烁体块之间。所述透明或半透明材料可以包括环氧树脂或胶黏剂，其被设置在所述阵列中的相邻闪烁体块之间并将所述相邻闪烁体块粘附在一起。在一些实施例中，所述闪烁体块具有针对闪烁光的为至少·＝1.8的折射率，并且所述透明或半透明材料具有针对所述闪烁光的为至少·＝1.6的折射率。光探测器的阵列(24)，例如被单片地形成在硅衬底上的硅光电倍增器(SiPM)探测器的阵列可以被设置在所述闪烁体元件的底面上以探测在所述闪烁体元件中生成的闪烁光。对于PET应用，所述闪烁体元件与所述光探测器的阵列定义被配置为探测511keV辐射的辐射探测器(20)。
【IPC分类】G01T1/164
【公开号】CN105190358
【申请号】CN201480026491
【发明人】T·L·劳伦斯
【申请人】皇家飞利浦有限公司
【公开日】2015年12月23日
【申请日】2014年5月4日
【公告号】EP2994777A1, US20160084963, WO2014181232A1